一种改善晶圆形变的曝光载片台的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种改善晶圆形变的曝光载片台。
【背景技术】
[0002]目前在半导体的生产加工工艺中一般均需要进行曝光工艺，曝光的过程中往往晶圆需要受热，由于受到热源的热量，晶圆硅片的热膨胀就会凸显出来。
[0003]现有技术中，半导体曝光机载片台的表面一般涂有表面涂层，该表面涂层一般由碳纤维复合材料制成，其摩擦系数较小，一般为0.05-0.2左右，导热系数也较低，一般小于20ff/m.k，图1为本发明现有技术中载片台的结构示意图，如图1所示，首先把硅片2通过移动臂放置在载片台I的正上方，真空孔3瞬时吸住硅片，曝光过程中硅片2因曝光受热膨胀，但硅片2下方的真空孔3处因贴合紧密无膨胀，外周硅片2向外发生膨胀出现水平形变，造成对准精度偏差，满足不了高精度的生产工艺要求需要。
【发明内容】
[0004]针对现有技术中的载片台的设计所存在的缺陷，本发明涉及了一种摩擦系数高、导热系数高的一种可以改善晶圆形变的曝光载片台。
[0005]本发明采用如下技术方案:
[0006]—种改善晶圆形变的曝光载片台，所述硅片放置于载片台的正上方，所述载片台上设置有吸真空孔，所述载片台的表面涂有涂层，所述涂层的摩擦系数μ为0.4-0.8，所述涂层的导热系数λ为20_400W/m.ko
[0007]优选的，所述载片台应用于小于20纳米的工艺层次中。
[0008]优选的，根据权利要求1所述的改善晶圆形变的曝光载片台，其特征在于，所述载片台应用于55纳米、40纳米、28纳米的半导体工艺中。
[0009]优选的，所述涂层包括金属材料与复合材料。
[0010]优选的，所述金属包括AL或Cu或Ag或Au或W或Pt。
[0011]优选的，所述复合材料包括TiN或Co或S1xNx。
[0012]优选的，所述曝光机为KrF深紫外光或ArF非浸没式深紫外光或ArF浸没式深紫外光曝光机。
[0013]本发明的有益效果是:
[0014]本发明通过应用光刻机载片台新型表面涂层，增加硅片和载片台的摩擦系数，使硅片与载片台紧密贴合，通过高导热系数材料传热，减少热膨胀，消除硅片曝光产生热膨胀带来的水平方向偏移，可以有效地改善硅片形变，提高对准精度，保证了光刻曝光过程中硅片与光源的对准准确性，大幅提高了硅片整体的对准精度均一性，可以满足对精度要求较高的工艺。
【附图说明】
[0015]图1为现有技术中的载片台的结构示意图；
[0016]图2为本发明改善晶圆形变的曝光载片台实施例的结构示意图；
[0017]图3为本发明改善晶圆形变的曝光载片台实施例的吸真空孔的结构示意图；
[0018]图4为本发明改善晶圆形变的曝光载片台实施例的放大示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图对本发明进行具体的说明，需要说明的是，如下的技术特征为本发明的优选技术方案，可以进行相互组合，并不构成对本发明的限定。
[0020]实施例一
[0021]图2为本发明改善晶圆形变的曝光载片台实施例的结构示意图，如图2所示，一种载片台I上通过移动臂将硅片2放置在载片台I的正上方，载片台I上设有吸真空孔3，吸真空孔3可以瞬间吸住硅片2，如图3所示，吸真空孔3均匀的分布在载片台I上，使得硅片2能够较为紧密的吸附在载片台I上，如图4所示，在载片台I的表面涂有涂层5，涂层5的摩擦系数μ为0.4-0.8，导热系数λ为20-400W/m.k，有效解决了硅片2受热膨胀问题，消除了硅片2形变，从而根本的改善了硅片2热膨胀的的技术难题。
[0022]本发明中的新型涂层5不仅使得硅片2与载片台I贴合紧密，吸真空孔3外周方向的硅片2也可以保证紧密贴合，不会发生水平滑动，从而避免了无热膨胀偏移。保证了光刻曝光过程中硅片2与光源4的对准准确性，大幅提高了硅片2整体的对准精度均一性，可以满足对精度要求较高的工艺。
[0023]通过光刻曝光机载片台I的高摩擦系数新型表面涂层5的应用，可以有效的改善因硅片2与载片台I间热膨胀带来的硅片2变形，特别对于对准精度要求小于20纳米的工艺层次有很大帮助，如55纳米、40纳米、28纳米等先进半导体工艺，提高硅片2平面的对准套刻精度，更好的控制硅片2在线套刻精度，提高工艺生产波动的容许范围，最终提升产品的器件性能和良品率。
[0024]本实施例适用于硅片2载片台I接触表面的所有新型表面涂层5，使用高摩擦系数(μ = 0.4?0.8)，高导热系数(λ = 20?400W/m.K)新型表面涂层5材料，此材料结合金属(AL，Cu，Ag，Au，W，Pt等)和复合材料(TiN，Co，S1xNx)等形成复合材料，具有高导热系数和摩擦系数，可以有效解决了硅片2受热膨胀问题，消除了硅片2形变，从而根本的改善了硅片2热膨胀的技术难题。
[0025]本实施例中的曝光机可以为KrF深紫外光或ArF非浸没式深紫外光或ArF浸没式深紫外光曝光机。本实施例可用于娃片2200mm，300mm，450mm所有光刻曝光设备的娃片2载片台I。例如，本实施例可以应用在ArF非浸没式深紫外光光刻机的载片台1，在曝光时提高硅片2平面内套刻精度，从现有对准套刻精度约15纳米提升至8纳米左右，更好的控制硅片2在线套刻精度，提高工艺生产波动的容许范围，最终提升产品的器件最终性能和良品率。
[0026]综上所述，本发明通过应用光刻机载片台新型表面涂层，增加硅片和载片台的摩擦系数，使硅片与载片台紧密贴合，通过高导热系数材料传热，减少热膨胀，消除硅片曝光产生热膨胀带来的水平方向偏移，可以有效地改善硅片形变，提高对准精度，保证了光刻曝光过程中硅片与光源的对准准确性，大幅提高了硅片整体的对准精度均一性，可以满足对精度要求较高的工艺。
[0027]通过说明和附图，给出了【具体实施方式】的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
[0028]对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
【主权项】
1.一种改善晶圆形变的曝光载片台，所述硅片放置于载片台的正上方，所述载片台上设置有吸真空孔，其特征在于，所述载片台的表面涂有涂层，所述涂层的摩擦系数μ为0.4-0.8，所述涂层的导热系数λ为20-400W/m.k。2.根据权利要求1所述的改善晶圆形变的曝光载片台，其特征在于，所述载片台应用于小于20纳米的工艺层次中。3.根据权利要求1所述的改善晶圆形变的曝光载片台，其特征在于，所述载片台应用于55纳米、40纳米、28纳米的半导体工艺中。4.根据权利要求1所述的改善晶圆形变的曝光载片台，其特征在于，所述涂层包括金属材料与复合材料。5.根据权利要求4所述的改善晶圆形变的曝光载片台，其特征在于，所述金属包括AL或Cu或Ag或Au或W或Pt。6.根据权利要求4所述的改善晶圆形变的曝光载片台，其特征在于，所述复合材料包括 TiN 或 Co 或 S1xNx。7.根据权利要求1所述的改善晶圆形变的曝光载片台，其特征在于，所述曝光机为KrF深紫外光或ArF非浸没式深紫外光或ArF浸没式深紫外光曝光机。
【专利摘要】本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种改善晶圆形变的曝光载片台。本发明应用于通过曝光机向载片台上方的硅片进行曝光的过程中，硅片放置于载片台的正上方，载片台上设置有吸真空孔，载片台的表面涂有涂层，涂层的摩擦系数μ为0.4-0.8，涂层的导热系数λ为20-400W/m.k。
【IPC分类】G03F7/20
【公开号】CN105159035
【申请号】CN201510608938
【发明人】蔡亮, 吴鹏, 陈力钧
【申请人】上海华力微电子有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年9月22日