两层光阻剥离工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光阻剥离工艺，尤其涉及一种两层光阻剥离工艺。
【背景技术】
[0002]现有已知的光阻剥离工艺(lift off Litho process)为两种:
[0003]1.采用通用lift off光阻，由光阻自身特性，形成倒梯形profile。
[0004]2.采用反转型光阻，通过加入一次泛曝光流程，最终形成倒梯形profile。
[0005]现有的两种方案都无法达到在较厚光阻厚度的情况下，光阻定义图形的倒梯形角度〈70度，因此后制程金属蒸镀时，光阻侧壁会被金属包裹，无法达到lift off工艺要求。
[0006]有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种两层光阻剥离工艺，使其更具有产业上的利用价值。
【发明内容】
[0007]为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种两层光阻剥离工艺，该工艺能够调节两层光阻之间的侧向距离，避免后制程金属蒸镀过程中光阻侧壁被金属包裹。
[0008]本发明提出一种两层光阻剥离工艺，其特征在于:包括以下步骤:
[0009](I)涂布第一层光阻:将wafer(晶圆)旋转，在wafer(晶圆)的中心滴入非感光光阻，通过旋转的方式在wafeH晶圆)表面均匀覆盖一层一定厚度的第一层光阻，涂布完成后，将wafer(晶圆)送入热板进行固化，固化完成后表示第一层光阻涂布完成；
[0010](2)涂布第二层光阻:将第一次光阻涂布完成的WafeH晶圆)经过充分冷却后将waf er (晶圆)旋转，在waf er (晶圆)的中心滴入普通光阻，通过旋转的SSiwaf er (晶圆)表面均匀覆盖一层一定厚度的第二层光阻，涂布完成后，将wafer(晶圆)送入热板进行固化，固化完成后表示第二层光阻涂布完成；
[0011](3)将涂布好两层光阻的wafer(晶圆)依照光罩的尺寸进行曝光；
[0012](4)将曝光完成的wafer(晶圆)放入显影液中进行显影；
[0013](5)通过调整显影时间和次数，从而将两层光阻之间的侧向距离(overhang)调整到一定范围，保证后制程金属蒸镀时光阻侧壁不会被金属包裹。
[0014]作为本发明的进一步改进，步骤(I)中所述的第一层光阻为非感光物质。
[0015]作为本发明的进一步改进，步骤(2)中所述的第二层光阻为普通光阻。
[0016]作为本发明的进一步改进，步骤(I)中所述固化的温度在168±5度之间，固化时间为5分钟。
[0017]作为本发明的进一步改进，步骤(2)中所述冷却的方式为在21度的冷板上冷却I分钟或在室温下冷却半小时。
[0018]作为本发明的进一步改进，步骤(I)中所述第一层光阻涂布的厚度与蒸镀金属的厚度的比为3:2。
[0019]作为本发明的进一步改进，步骤(2)中所述第二层光阻涂布的厚度为满足分辨率要求下的最小厚度。
[0020]作为本发明的进一步改进，步骤(4)中所述两层光阻之间的侧向距离(overhang)至少为0.5um。
[0021]借由上述方案，本发明至少具有以下优点:本发明采用涂布两层不同光阻的方式替代现有lift off光阻，两层光阻涂布:非感光物质+普通光阻。第一层光阻采用非感光型物质(不曝光即可溶于显影液)，通过调整显影菜单中的显影时间和次数可以调整两层光阻之间的侧向距离(overhang)，以满足不同lift off工艺要求，特别是较厚金属蒸镀的黄光工艺，可保证后制程金属蒸镀时光阻侧壁不会被金属包裹，满足I ift off工艺要求，以保证顺利完成后制程金属蒸镀。
[0022]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
【附图说明】
[0023]图1为通过本发明工艺制备的晶圆表面两层光阻的电镜图。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0025]实施例:一种两层光阻剥离工艺，其特征在于:包括以下步骤:
[0026](I)涂布第一层光阻:将waf er (晶圆)旋转，在waf er (晶圆)的中心滴入非感光光阻，通过旋转的方式在wafeH晶圆)表面均匀覆盖一层一定厚度的第一层光阻，涂布完成后，将wafer(晶圆)送入热板进行固化，固化完成后表示第一层光阻涂布完成；
[0027](2)涂布第二层光阻:将第一次光阻涂布完成的waf er(晶圆)经过充分冷却后将waf er (晶圆)旋转，在waf er (晶圆)的中心滴入普通光阻，通过旋转的方式在waf er (晶圆)表面均匀覆盖一层一定厚度的第二层光阻，涂布完成后，将wafer(晶圆)送入热板进行固化，固化完成后表示第二层光阻涂布完成；
[0028](3)将涂布好两层光阻的wafer(晶圆)依照光罩的尺寸进行曝光；
[0029](4)将曝光完成的wafer(晶圆)放入显影液中进行显影；
[0030](5)通过调整显影时间和次数，从而将两层光阻之间的侧向距离(overhang)调整到一定范围，保证后制程金属蒸镀时光阻侧壁不会被金属包裹。
[0031 ]步骤(I)中所述的第一层光阻为非感光物质。
[0032]步骤(2)中所述的第二层光阻为普通光阻。
[0033]步骤(I)中所述固化的温度在168± 5度之间，固化时间为5分钟。
[0034]步骤(2)中所述冷却的方式为在21度的冷板上冷却I分钟或在室温下冷却半小时。
[0035]步骤(I)中所述第一层光阻涂布的厚度与蒸镀金属的厚度的比为3:2。
[0036]步骤(2)中所述第二层光阻涂布的厚度为满足分辨率要求下的最小厚度。
[0037]步骤(4)中所述两层光阻之间的侧向距离(overhang)至少为0.5um。
[0038]Overhang(第一层与第二层光阻的侧向距离差)越大，光阻侧壁越难被包裹，正常情况下两层光阻厚度为1.5um左右，overhang大于0.5um时第二层光阻的侧壁就不会被蒸镀的金属包裹。
[0039]以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种两层光阻剥离工艺，其特征在于:包括以下步骤: (1)涂布第一层光阻:将wafer(晶圆)旋转，在WafeH晶圆)的中心滴入非感光光阻，通过旋转的方式在wafer(晶圆)表面均匀覆盖一层一定厚度的第一层光阻，涂布完成后，将wafer(晶圆)送入热板进行固化，固化完成后表示第一层光阻涂布完成； (2)涂布第二层光阻:将第一次光阻涂布完成的wafeH晶圆)经过充分冷却后将wafer(晶圆)旋转，在wafer(晶圆)的中心滴入普通光阻，通过旋转的方式在wafeH晶圆)表面均匀覆盖一层一定厚度的第二层光阻，涂布完成后，将wafer(晶圆)送入热板进行固化，固化完成后表不弟一■层光阻涂布完成； (3)将涂布好两层光阻的wafer(晶圆)依照光罩的尺寸进行曝光； (4)将曝光完成的wafer(晶圆)放入显影液中进行显影； (5)通过调整显影时间和次数，从而将两层光阻之间的侧向距离(overhang)调整到一定范围，保证后制程金属蒸镀时光阻侧壁不会被金属包裹。2.根据权利要求1所述的两层光阻剥离工艺，其特征在于:步骤(I)中所述的第一层光阻为非感光物质。3.根据权利要求2所述的两层光阻剥离工艺，其特征在于:步骤(2)中所述的第二层光阻为普通光阻。4.根据权利要求3所述的两层光阻剥离工艺，其特征在于:步骤(I)中所述固化的温度在168 土 5度之间，固化时间为5分钟。5.根据权利要求4所述的两层光阻剥离工艺，其特征在于:步骤(2)中所述冷却的方式为在21度的冷板上冷却I分钟或在室温下冷却半小时。6.根据权利要求5所述的两层光阻剥离工艺，其特征在于:步骤(I)中所述第一层光阻涂布的厚度与蒸镀金属的厚度的比为3:2。7.根据权利要求6所述的两层光阻剥离工艺，其特征在于:步骤(2)中所述第二层光阻涂布的厚度为满足分辨率要求下的最小厚度。8.根据权利要求7所述的两层光阻剥离工艺，其特征在于:步骤(4)中所述两层光阻之间的侧向距离(overhang)至少为0.5um。
【专利摘要】本发明公开了一种两层光阻剥离工艺，包括以下步骤：将晶圆旋转，在晶圆的中心滴入非感光光阻，通过旋转的方式在晶圆表面均匀覆盖一层一定厚度的非感光光阻，涂布完成后，将晶圆送入热板进行固化，固化完成后表示第一层光阻涂布完成；将第一次光阻涂布完成的晶圆经过充分冷却后用第一层光阻的旋涂方式涂布第二层光阻，涂布完成后；将涂布好两层光阻的晶圆依照光罩的尺寸进行曝光；放入显影液中进行显影，通过调整显影时间和次数，从而将两层光阻之间的侧向距离调整到一定范围，保证后制程金属蒸镀时光阻侧壁不会被金属包裹。该工艺能够通过调整显影时间和次数来调节两层光阻之间的侧向距离，避免后制程金属蒸镀过程中光阻侧壁被金属包裹。
【IPC分类】G03F1/50, G03F7/42
【公开号】CN105573050
【申请号】CN201510976267
【发明人】居碧玉
【申请人】苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月23日