一种掩模版上残胶的去除方法
【专利摘要】本发明提供一种掩模版上残胶的去除方法，所述去除方法包括步骤：1）通过加热使膜框和掩模版之间的胶体软化，然后将膜框拉离掩摸版直至完全分离，以使大部分的胶体随所述膜框脱离掩模版，仅有少部分的胶残留在掩模版上；2）提供一黏性胶球，将所述黏性胶球触碰掩模版上的残胶，使所述黏性胶球与残胶黏合后提拉所述黏性胶球，以将残胶从掩模版上剥离。本发明采用黏性胶球去除残胶，由于球形形状，所以黏性胶球在和残胶的接触过程中，可以非常容易的控制胶球和掩模版的接触面积。由于黏性胶球的构成材料和膜框上胶体的材质相同，质地非常的软，所以在接触掩模版的过程中，几乎不会对掩模版造成伤害，并且能有效地去除残胶。
【专利说明】
一种掩模版上残胶的去除方法
技术领域
[0001]本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种掩模版上残胶的去除方法。【背景技术】
[0002]设计与工艺制造之间的接口是版图。版图是一组相互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。版图与所采用的制备工艺紧密相关。 光刻掩模版(Photo Mask)包含了整个硅片的芯片图形特征，是光刻复制图形的基准和蓝本，掩模版上的任何缺陷都会对最终图形精度产生严重的影响。掩模版质量的优劣直接影响光刻图形的质量。
[0003]掩模版在曝光机上反复使用或者仓库存储过程中，由于客观条件的限制，一段时间以后，极其容易受到沾污或者是贴在掩模版上的薄膜的破损。在芯片的制造过程中，这是不能接受的。此时，对于掩模版进行维护便显得尤为重要。
[0004]通常，芯片制造工厂不具备对掩模版进行维护的条件，便需要讲掩模版送回掩模版制造工厂。由于芯片制造工厂对于时间的紧迫性，因此，在对掩模版进行维护时，绝对不允许对掩模版造成任何的损坏和报废。
[0005]在掩模版制造工厂维护最重要一步就是把已经存在掩模版上的膜撕掉，以便于后续的维修和清洗。掩模版和膜的膜框通常是由一种胶进行黏着在一起，由于附着时间较长， 在撕膜过程中很难将膜框连带其胶完整的从掩模版上剥离下来，所以多少会残留部分胶在掩模版上。而该胶又很难用后续的化学办法去除。过去通常的做法是用镊子将胶(通常该胶的厚度为〇.25_)夹住然后拉起直至完全从掩模版上剥离下来。由于胶的厚度非常薄， 所以对镊子的使用技巧要求非常的高，稍不留意就会触碰到掩模版，从而造成划伤。这对于掩模版的维护来说是致命的。对于芯片制造工厂来说是不可接受的。
[0006]鉴于以上所述，提供一种能有效去除掩模版上残胶，且不会造成掩模版损伤的残胶的去除方法实属必要。
【发明内容】
[0007]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种掩模版上残胶的去除方法，用于解决现有技术中掩模版上残胶去除时容易造成掩模版损伤等问题。
[0008]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种掩模版上残胶的去除方法，所述去除方法包括步骤:
[0009]1)通过加热使膜框和掩模版之间的胶体软化，然后将膜框拉离掩摸版直至完全分离，以使大部分的胶体随所述膜框脱离掩模版，仅有少部分的胶残留在掩模版上；
[0010]2)提供一黏性胶球，将所述黏性胶球触碰掩模版上的残胶，使所述黏性胶球与残胶黏合后提拉所述黏性胶球，以将残胶从掩模版上剥离。
[0011]作为本发明的掩模版上残胶的去除方法的一种优选方案，所述胶体的材料为含氟聚合物。
[0012]作为本发明的掩模版上残胶的去除方法的一种优选方案，步骤1)加热的温度范围为80?100°C。[〇〇13]作为本发明的掩模版上残胶的去除方法的一种优选方案，所述黏性胶球的材料与所述胶体的材料相同。
[0014]进一步地，所述黏性胶球的材料为含氟聚合物。
[0015]作为本发明的掩模版上残胶的去除方法的一种优选方案，所述黏性胶球触碰掩模版上的残胶的保持时间为1?30秒，以实现所述黏性胶球与残胶的结合。
[0016]作为本发明的掩模版上残胶的去除方法的一种优选方案，在所述黏性胶球触碰掩模版上的残胶的过程中，通过选择不同的黏性胶球直径以及触碰的压力以控制所述黏性胶球与掩模版的接触面积。
[0017]作为本发明的掩模版上残胶的去除方法的一种优选方案，所述黏性胶球的直径为 5 ?10mm〇
[0018]如上所述，本发明提供一种掩模版上残胶的去除方法，所述去除方法包括步骤: 1)通过加热使膜框和掩模版之间的胶体软化，然后将膜框拉离掩摸版直至完全分离，以使大部分的胶体随所述膜框脱离掩模版，仅有少部分的胶残留在掩模版上；2)提供一黏性胶球，将所述黏性胶球触碰掩模版上的残胶，使所述黏性胶球与残胶黏合后提拉所述黏性胶球，以将残胶从掩模版上剥离。本发明采用黏性胶球去除残胶，由于球形形状，所以黏性胶球在和残胶的接触过程中，可以非常容易的控制胶球和掩模版的接触面积。由于黏性胶球的构成材料和膜框上胶体的材质相同，质地非常的软，所以在接触掩模版的过程中，几乎不会对掩模版造成伤害，并且能有效地去除残胶。本发明步骤简单，可广泛应用于半导体制造工艺中。【附图说明】
[0019]图1显示为本发明的掩模版上残胶的去除方法的流程示意图。
[0020]图2?图4显示为本发明的掩模版上残胶的去除方法步骤2)所呈现的结构示意图。
[0021]元件标号说明
[0022]101掩模版
[0023]102残胶
[0024]103黏性胶球
[0025]S11?S12步骤1)?步骤2)【具体实施方式】
[0026]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0027]请参阅图1?图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0028]如图1?图4所示，本实施例提供一种掩模版上残胶的去除方法，所述去除方法包括步骤:
[0029]如图1所示，首先进行步骤1)S11，通过加热使膜框和掩模版之间的胶体软化，然后将膜框拉离掩摸版直至完全分离，以使大部分的胶体随所述膜框脱离掩模版101，仅有少部分的胶残留在掩模版上。
[0030]作为示例，所述胶体的材料为含氟聚合物，当然，其它的胶体材料也同样适用，并不限定于此处所列举的一种示例。
[0031]作为示例，步骤1)加热的温度范围为80?100°C。在本实施例中，加热的温度为 85°C，加热的时间为3min，以使所述胶体软化。
[0032]如图1?图4所示，然后进行步骤2) S12,提供一黏性胶球103,将所述黏性胶球 103触碰掩模版101上的残胶102,使所述黏性胶球103与残胶102黏合后提拉所述黏性胶球103,以将残胶102从掩模版101上剥离。
[0033]作为示例，所述黏性胶球103的材料与所述胶体的材料相同，在本实施例中，所述黏性胶球103的材料为含氟聚合物。
[0034]作为示例，所述黏性胶球103触碰掩模版101上的残胶102的保持时间为1?30 秒，以实现所述黏性胶球103与残胶102的结合，在本实施例中，所述黏性胶球103触碰掩模版101上的残胶的保持时间为10秒。
[0035]作为示例，在所述黏性胶球103触碰掩模版101上的残胶102的过程中，通过选择不同的黏性胶球103直径以及触碰的压力以控制所述黏性胶球103与掩模版101的接触面积。
[0036]作为示例，所述黏性胶球103的直径为5?10mm。在本实施例中，所述黏性胶球 103的直径为8mm。5?10mm直径大小的黏性胶球103非常便于人手大拇指和食指的拿捏， 在本实施例中，用大拇指和食指捏住该黏性胶球103,轻轻触碰掩模版101撕膜后留下来的残胶102,由于残胶102和黏性胶球103都具有黏性，所以能够非常容易的将掩模版101上的残胶102拉起来从而实现剥离。
[0037]如上所述，本发明提供一种掩模版上残胶的去除方法，所述去除方法包括步骤:1) 通过加热使膜框和掩模版之间的胶体软化，然后将膜框拉离掩摸版直至完全分离，以使大部分的胶体随所述膜框脱离掩模版101，仅有少部分的胶残留在掩模版上；2)提供一黏性胶球103,将所述黏性胶球103触碰掩模版101上的残胶102,使所述黏性胶球103与残胶 102黏合后提拉所述黏性胶球103,以将残胶102从掩模版101上剥离。本发明采用黏性胶球去除残胶，由于球形形状，所以黏性胶球在和残胶的接触过程中，可以非常容易的控制胶球和掩模版的接触面积。由于黏性胶球的构成材料和膜框上胶体的材质相同，质地非常的软，所以在接触掩模版的过程中，几乎不会对掩模版造成伤害，并且能有效地去除残胶。本发明步骤简单，可广泛应用于半导体制造工艺中。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0038]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【主权项】
1.一种掩模版上残胶的去除方法，其特征在于，所述去除方法包括步骤:1)通过加热使膜框和掩模版之间的胶体软化，然后将膜框拉离掩摸版直至完全分离， 以使大部分的胶体随所述膜框脱离掩模版，仅有少部分的胶残留在掩模版上；2)提供一黏性胶球，将所述黏性胶球触碰掩模版上的残胶，使所述黏性胶球与残胶黏 合后提拉所述黏性胶球，以将残胶从掩模版上剥离。2.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于:所述胶体的材料为 含氟聚合物。3.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于:步骤1)加热的温度 范围为80?100°C。4.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于:所述黏性胶球的材 料与所述胶体的材料相同。5.根据权利要求4所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于:所述黏性胶球的材 料为含氟聚合物。6.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于:所述黏性胶球触碰 掩模版上的残胶的保持时间为1?30秒，以实现所述黏性胶球与残胶的结合。7.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于:在所述黏性胶球触 碰掩模版上的残胶的过程中，通过选择不同的黏性胶球直径以及触碰的压力以控制所述黏 性胶球与掩模版的接触面积。8.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于:所述黏性胶球的直 径为5?10mm。
【文档编号】G03F7/42GK105988308SQ201510094999
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年3月3日
【发明人】马志平, 成立炯, 平志纲
【申请人】上海凸版光掩模有限公司