等离子体显示板的制作方法

文档序号:2948303阅读:98来源:国知局
专利名称:等离子体显示板的制作方法
技术领域
本发明涉及一种等离子体显示板(PDP),特别涉及用于改进PDP中电极与基板之间粘接性的结构和方法。
背景技术
PDP是通过使用电流放电激发荧光物质或是特殊气体来发光的。在PDP中,两个电极被设置在充有气体的密封的空间中。当预定的电压提供给电极时发生辉光放电,通过辉光放电产生紫外线来激发荧光层,该荧光层以特定的模式形成,从而产生图像。
根据如何被驱动来产生放电,PDP可分为直流PDP,交流PDP,或是混合PDP。PDP还可以根据其拥有的电极的数目分类,例如,PDP可以使用两个或三个电极。在直流PDP的情况下,包括辅助电极用以引发额外放电。在交流PDP的情况下,包括寻址电极以便通过允许单独寻址和维持放电来提高寻址率。
另外,根据电极的排布,PDP可分为面对表面放电PDP或是表面放电PDP。在面对表面放电的PDP的情况下,提供两个维持电极,一个电极被置于前基板上,另外一个电极设置在后基板上,以便垂直于面板形成放电。在表面放电PDP的情况下,两个维持电极被设置在同一基板上以便在基板的表面上形成放电。
在上述的PDP中,通过阻挡壁将前基板与后基板之间形成的放电空间分隔,而阻挡壁一般是通过丝网印刷术或喷砂磨蚀技术(sand blasting)形成。在附图1中展示了在传统的PDP中形成阻挡壁的典型的喷砂磨蚀技术。
如图1所示,寻址电极12采用条形以一预定的间隔被设置在后基板11上,并且被后介电层13覆盖。每个寻址电极12都被覆盖以便在后介电层13的一侧上暴露寻址电极12的一端的预定长度。寻址电极12的暴露末端形成端子12a。例如柔性的印刷电缆(FPC)的导电膜被压在端子12a上使它能够接收来自外部电路的电压。(图1中所示的结构包括几个寻址电极12以及几个端子12a。)在寻址电极12和后介电层13在后基板11上形成之后,有预定高度的阻挡壁层21形成在后介电层13之上。包含光致抗蚀剂材料的光致抗蚀剂膜形成在阻挡壁层21之上,完全覆盖阻挡壁层21。光致抗蚀剂图案层22通过曝光和显影光致抗蚀剂膜以对其构图来形成。如图1所示,形成条状的光致抗蚀剂图案层22,允许在寻址电极12之间形成阻挡壁23。当光致抗蚀剂图案层22被形成以后,使用喷砂磨蚀方法,向位于光致抗蚀剂图案层22之间的阻挡壁层21上喷射研磨剂31,以抛光阻挡壁层21以便形成具有预定的高度和宽度的阻挡壁23。
为了抛光阻挡壁层21以形成预定的深度,向阻挡壁层21喷射研磨剂31,这样,每个寻址电极的端子12a都会由于端子12的暴露而受到来自研磨剂31的喷射压力的影响。如图2所示,因为寻址电极12的端子12a与后基板11有小的接触表面,所以寻址电极12的端子12a由于受到来自研磨剂31的喷射压力而能够从后基板11上脱落。

发明内容
本发明的一方面提供一种等离子体显示板。等离子体显示板包括以预定的间隔设置维持电极的前基板,覆盖维持电极的前介电层;面对前基板设置的后基板,并且后基板上包括与所述维持电极垂直的寻址电极;覆盖在寻址电极上的后介电层;分隔形成在前后基板之间的放电空间的阻挡壁以及在阻挡壁之间形成的荧光层;以及在后基板与每个寻址电极之间的接触表面上提供的结合部分以增强后基板与寻址电极之间的粘接性。
本发明的另一方面提供一种等离子体显示板。该等离子体显示板包括前基板,前基板包括以预定间隔设置的维持电极;覆盖维持电极的前介电层;面向前基板设置的后基板,并且后基板包括与维持电极相垂直设置的寻址电极;覆盖在寻址电极上的后介电层;分隔形成在前后基板之间的放电空间的阻挡壁;结合部分,它包括在后基板上寻址电极的每一个端子相对应的位置上形成的第一结合部分,以及在寻址电极的每一个端子一侧上形成的第二结合部分,所述第二结合部分与第一结合部分相连接。在第一和第二结合部分的一侧上形成凹槽,而在另一侧上形成用于插入所述凹槽中的凸起。
本发明所提供的等离子体显示板的另一个方面,等离子体显示板包括带有以预定的间隔设置的维持电极的前基板;与前基板相对设置的后基板;并且后基板包括寻址电极,该寻址电极与前基板上的维持电极相垂直设置;分隔在前基板和后基板之间形成的放电空间的阻挡壁,并且阻挡壁具有在其中形成的荧光材料。在后基板和每个寻址电极之间提供结合部分。每一个结合部分都有非平面的结合表面。


本发明的上述特征以及其它特征和优点将通过参考附图对典型的实施例的描述将会变得更为明显,其中图1是传统等离子体显示板中形成阻挡壁过程的局部透视图;图2是在图1所示的后基板上形成的寻址电极以及后介电层的横截面图;图3是根据本发明的一个实施例的PDP的分解透视图;图4是图3所示的形成在后基板上的寻址电极以及后介电层的一个例子的横截面图;图5是图3所示的形成在后基板上的寻址电极以及后介电层的另外一个例子的横截面图;以及图6是根据后基板与寻址电极之间的接触表面的故障率的曲线图。
具体实施例方式
图3中示出了根据本发明第一个实施例的等离子体显示板(PDP)。图3中所示的PDP 100包括前基板111和后基板121,该前基板可由玻璃或是其它的透明材料构成,该后基板与前基板111相对设置。
多个维持电极112以条状设置,总线电极113在前基板111的下面形成。维持电极112可以由透明的导电材料组成,例如,氧化铟锡(ITO)膜。
总线电极113由导体材料组成,其宽度要比维持电极112的宽度小,并且其排布在每一个维持电极112的下方与维持电极112平行设置以减少线路电阻。在这一实施例中,总线电极113由金属或是金属化合物组成并且具有极好的导电性,例如银膏。然而,在其它的实施例中其它的化合物也可以用来形成总线电极113。
维持电极112包括共用电极112a和扫描电极112b,它们彼此交替排布。因此,一个总线电极113连接共用电极112a而另一个相邻的总线电极113连接扫描电极112b。
维持电极112和总线电极113被埋在前介电层114中,该前介电层形成在前基板111的底表面上。保护层115,例如,MgO层,可以形成在前介电层114的下面。
后基板121面向前基板111设置并且通常位于前基板之下。后基板121通过熔结玻璃与前基板111相连接,并且在两基板111、121之间形成的空间中填充惰性气体。
在后基板121的顶部上,形成寻址电极122并在其上覆盖后介电层123。特别地,条状设置多个寻址电极122并且与总线电极113垂直设置。寻址电极122以预定的间隔分开设置。
每个寻址电极122的至少一端的预定长度暴露在后介电层123的一侧上。被暴露的寻址电极122构成端子122a。诸如FPC这样的导电膜被压在寻址电极122的端子122a之上,以使该端子接收来自外部电路的电压。
在后介电层123的顶部上,阻挡壁124以规则的间隔被设置。阻挡壁124将位于前基板111与后基板121之间的放电空间分隔成多个单独的放电单元130。
阻挡壁124有预定的高度和宽度并且在寻址电极122之间彼此平行地形成。每个寻址电极122都被设置在两个阻挡壁124之间。阻挡壁的形状不限于图中所示的形状。能将放电空间分隔成像素对准模式的任何形状的阻挡壁都能被使用。
在通过阻挡壁124分隔的每一个放电单元130中,形成包含有红、绿、蓝荧光物质中任一种的荧光层125。特别地,荧光层125形成在阻挡壁124的侧面以及后介电层123的顶表面上。每个荧光层125是红、绿或蓝。
在本发明的一个实施例中,分隔放电空间130的阻挡壁124是通过喷砂磨蚀方法来形成。下面将描述这种形成阻挡壁124的方法。
作为第一步,在后介电层123的顶部上形成阻挡壁层。该阻挡壁层具有预定的高度并且由常用的阻挡壁材料构成。阻挡壁埋住了寻址电极122。接着形成具有预定厚度的光致抗蚀剂层以完全覆盖在阻挡壁层的顶表面。光致抗蚀剂图案层通过包括在光致抗蚀剂膜的顶部上布置图形掩模、曝光掩蔽的光致抗蚀剂膜以及显影该光致抗蚀剂膜的光刻法过程来形成条状的图案。光致抗蚀剂图案层被形成在阻挡壁124将被形成的位置上。换句话说,光致抗蚀剂图案层被形成在与每一个阻挡壁124的顶表面相对应的位置。研磨剂被喷向没有形成光致抗蚀剂层的部分上,从而抛光阻挡壁124以便使它们有预定的高度和宽度并且与寻址电极122平行设置。在阻挡壁124形成之后,通过本领域的技术人员公知的典型的光致抗蚀剂去除方法将光致抗蚀剂图案层去除。
当使用喷砂磨蚀的方法利用研磨剂抛光阻挡壁时,研磨剂不仅被喷到阻挡壁层上而且还会喷到除了阻挡壁层以外的部分上,例如寻址电极122的端子122a,这些端子暴露在后介电层123的下部。
在根据本发明的一个方面的实施例中,在后基板121与寻址电极122之间设置结合部分140以防止由于研磨剂的高压喷射造成的寻址电极122的端子122a从后基板121上脱落。
正如图4中所示,结合部分140位于后基板121与寻址电极122的端子122a之间。结合部分提高了后基板121与端子122a之间的粘接力。结合部分140包括位于后基板121的顶表面上的第一结合部分141和位于寻址电极122的端子122a的底表面上的与第一结合部分141相对应的第二结合部分142。
第一结合部分141包括多个V形的凹槽141a,该凹槽形成在后基板121上。随着凹槽141a的形成,凸起141b形成在凹槽141a之间。凹槽141a可以通过使用诸如刻蚀、喷砂磨蚀以及研磨的方法在后基板121上形成。
在一个实施例中,第一结合部分141的凹槽141a具有不小于5微米并且不超过30微米的高度。在该实施例中,例如,凹槽141a的宽度(W)将会具有不小于大约凹槽141a的高度(h)并且不超过大约所述高度(h)的三倍的尺寸。换句话说,凹槽141a的高度(h)在大约5μm≤h≤30μm的范围内,凹槽141a的宽度(W)在大约h≤W≤3h的范围内。作为本领域的普通技术人员来说可以认识到,作为这一个实施例给出上述这些尺寸,而在本发明的其它实施例中可以使用其它的尺寸。
第二结合部分142,在上面提到的形成的凹槽141a处与第一结合部分141接合,并且第二结合部分142包括用力地插入到凹槽141a中的凸起142b。如图4中所示,以颠倒的V形状与第一结合部分141中的每个凹槽141a相对应地形成凸起142b,以便当第一结合部分141与第二结合部分142结合时,凹槽142a被设置在两个凸起142b之间。
第二结合部分142中的凹槽142a的高度和宽度与第一结合部分141中的凹槽141a的深度和宽度相同。典型地,第一结合部分141的凸起141b被用力地压进到第二结合部分142的凹槽142a中。
例如,第二结合部分142的凸起142b可以通过相对第一结合部分141的凹槽141a压力印刷用于形成寻址电极122的材料以便利用该寻址电极材料填充该凹槽141a来形成。
随着第一结合部分141与第二结合部分142开始接合,后基板121与寻址电极122的端子122a的接触表面增加了,使得后基板121与端子122a之间的粘接性以及接合更强了。因此,可以阻止由于研磨剂喷射的压力所造成的寻址电极122的端子122a从后基板121上脱离。
正如本领域的技术人员会意识到的,第一结合部分141以及第二结合部分142的形状不限于上面所描述的V形,任何能够提高后基板121与寻址电极122的端子122a之间接触表面的结构或外形都可以被采用。另外,在两个结合部分141、142中哪一个凸起和哪一个凹陷也没有限制;只要该结构中形成带有凸起的第一结合部分以及带有凹槽的第二结合部分就可以接受。
如图5中所示,结合部分150可以在后基板121的表面与寻址电极122之间排布。更具体的是,第一结合部分151形成在与寻址电极122相对应的位置,第二结合部分152形成在寻址电极122的下面与第一结合部分151相对应的位置。
第二结合部分152的凸起可以通过相对第一结合部分151的凹槽压力印刷用于形成寻址电极122的材料以便利用该寻址电极材料填充该凹槽来形成表1显示了传统PDP与具有根据本发明的实施例的结合部分的PDP的故障率之间的对照。另外,表1中也展示了根据后基板与寻址电极之间接触表面的不同,在两种PDP的故障率之间的对照。图6展示了根据后基板与寻址电极之间的接触表面的故障率。
在表1和图6中,根据本发明的接触表面是当假定现有技术中的后基板与寻址电极之间接触表面积为1时由后基板与寻址电极之间的接触表面确定的一个相对值。根据形成在后基板上的第一和第二结合部分的凹槽的高度和宽度,接触表面的值是变化的。
正如表1中所示,当处于后基板与寻址电极之间的接触表面积大于1时所述故障率减小,如在表1以及附图6中所示,随着后基板与寻址电极之间的接触表面积的增加,故障率逐渐降低。
表1

正如上面描述的,根据本发明的PDP中,当使用喷砂磨蚀的方法形成用于分隔放电空间的阻挡壁时,由于在后基板与寻址电极之间提供结合部分,所以阻止每个寻址电极的末端从后基板上脱落。因此,故障率降低,产量得到提高。
虽然参考典型的实施例已经具体地展示及描述了本发明,但是本领域的技术人员可以理解,在不背离本发明附属的权利要求所限定的精神和范围的情况下可以在形式和细节上进行各种改变。
权利要求
1.一种等离子体显示板,包括包括以预定间隔设置的维持电极的前基板;覆盖维持电极的前介电层;与前基板相对的后基板,该后基板包括与维持电极相垂直形成的寻址电极;覆盖寻址电极的后介电层;分隔前基板与后基板之间的放电空间的阻挡壁,该阻挡壁具有形成在其内的荧光层;以及在后基板与每个寻址电极之间的接触表面上提供的结合部分,用于增强后基板与寻址电极之间的粘接性。
2.权利要求1中所述的等离子体显示板,其中结合部分包括在与后基板上的寻址电极的每个端子相对应的位置上形成的一个或多个第一结合部分;以及在寻址电极的每个端子的一侧上形成的一个或多个第二结合部分,该第二结合部分与第一结合部分互补并且与第一结合部分相结合。
3.权利要求2中所述的等离子体显示板,其中所述的第一结合部分和所述的第二结合部分的其中一个包括凹槽,而所述的第一结合部分和所述的第二结合部分的另外一个包括插入到凹槽中的凸起。
4.权利要求3中所述的等离子体显示板,其中凹槽的高度在大约5μm到大约30μm之间。
5.权利要求3中所述的等离子体显示板,其中凹槽的宽度在大约一个凹槽高度到大约三倍的凹槽高度之间的数值范围的值。
6.权利要求1中所述的等离子体显示板,其进一步包括在每个寻址电极的一端处提供一个或多个端子,一个或多个端子由于后介电层而被暴露在后基板上;其中结合部分被提供在后基板与寻址电极之间的接触表面上,并从后介电层的边缘向一个或多个端子延伸。
7.权利要求6中所述的等离子体显示板,其中结合部分包括在相对应于后基板上的寻址电极的每个端子的位置上形成的一个或多个第一结合部分;以及在寻址电极的每个端子的一侧上形成的一个或多个第二结合部分,该第二结合部分与第一结合部分互补并且与第一结合部分结合在一起。
8.权利要求7中所述的等离子体显示板,其中所述第一结合部分和所述第二结合部分的其中一个包括凹槽,而所述第一结合部分和所述第二结合部分的另一个包括用于插入到凹槽中的凸起。
9.权利要求8中所述的等离子体显示板,其中凹槽的高度在大约5μm到大约30μm之间。
10.权利要求9中所述的等离子体显示板,其中凹槽的宽度在大约一个凹槽高度到大约三倍的凹槽高度的数值范围之间。
11.权利要求1中所述的等离子体显示板,其中阻挡壁通过喷砂磨蚀的方法形成。
12.一种等离子体显示板,包括包括以预定间隔设置的维持电极的前基板;覆盖维持电极的前介电层;与前基板相对的后基板,该后基板具有在与维持电极相垂直的方向上形成的寻址电极;覆盖寻址电极的后介电层;用于分隔在前基板与后基板之间的放电空间的阻挡壁;以及结合部分,其包括在与后基板的寻址电极的每个端子相对应的位置上形成的第一结合部分,以及在寻址电极的每个端子的一侧上形成的第二结合部分,第二结合部分与第一结合部分相连接,其中在第一和第二结合部分的一侧上形成凹槽,在第一和第二结合部分的另外一侧上形成凸起,该凸起插入到凹槽中。
13.权利要求12中所述的等离子体显示板,其中凹槽的高度在大约5μm到大约30μm之间。
14.权利要求13中所述的等离子体显示板,其中凹槽的宽度在具有大约一个凹槽高度到大约三倍的凹槽高度之间的值的范围之间。
15.权利要求12中所述的等离子体显示板,其中位于寻址电极的端子上的第二结合部分是通过压力印刷用于相对在后基板上形成的第一结合部分而形成寻址电极的材料来形成。
16.权利要求12中所述的等离子体显示板,其中阻挡壁通过喷砂磨蚀的方法形成。
17.一种等离子体显示板,包括以预定间隔设置的维持电极的前基板;与前基板相对的后基板,该后基板具有与维持电极相垂直形成的寻址电极;分隔在前基板与后基板之间的放电空间的阻挡壁,该阻挡壁具有形成在其内的荧光层;以及在后基板与每个寻址电极之间提供的结合部分,每个结合部分都具有非平面的结合表面。
18.权利要求17中所述的等离子体显示板,其中结合部分包括在后基板上提供的第一结合部分以及在每个各自的寻址电极上提供的第二结合部分。
19.权利要求18中所述的等离子体显示板,其中非平面的结合表面包括其上形成的凹槽。
20.权利要求19中所述的等离子体显示板,其中第一结合部分的非平面的结合表面上的凹槽与第二结合部分的非平面的结合表面的凹槽互补。
全文摘要
一种等离子体显示板(PDP)。该PDP包括在前和后基板上提供的相对应的多个维持电极和寻址电极。以规则的间隔形成阻挡壁以将基板分成单个的放电单元。在寻址电极和基板上设置各自的结合部分以使寻址电极连接在基板上,使得基板与寻址电极之间的粘接性增强。在一个实施例中,结合部分是具有一组相互补的凹槽的部分。
文档编号H01J17/49GK1599011SQ20041008997
公开日2005年3月23日 申请日期2004年8月26日 优先权日2003年8月26日
发明者权泰正 申请人:三星Sdi株式会社
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