等离子体显示板的制造方法

专利名称：等离子体显示板的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体显示板的制造方法。更具体地，本发明涉及一种等离子体显示板的制造方法，通过该方法，随着隔肋形成工艺的增强更一致地形成放电室(discharge cell)。
背景技术：
通常，等离子体显示板(PDP)是一种显示装置，它利用由气体放电得到的等离子体辐射的真空紫外线激发磷光体(phosphor)，并通过受激的磷光体产生的可见光显示所需图象。因为PDP使宽屏幕高分辨率成为可能，所以它已成为世人瞩目的下一代平板显示装置。
通常，PDP按三电极表面放电方案构造。该方案中，在一基板上共面地形成两个电极，在与该基板隔开预定间隙的另一基板上形成地址电极。在两基板之间形成隔肋，从而分隔多个放电室。
传统上，每个PDP都是单独制造的，因为生产率低，导致制造成本增加。因此，正在开发多板制造技术，其中多个PDP形成为彼此面对的基板，然后将该基板切割为单独的PDP。
同时，一般通过以下工艺形成隔肋。首先，在一基板前表面上接连形成隔肋层和抗蚀剂，然后使用掩模将抗蚀剂构图为预定图案。本情况中，抗蚀剂被构图，从而形成对应于放电室图形的开口。接着，根据抗蚀剂图案来刻蚀隔肋层，然后烘烤隔肋层。这时，隔肋层的被刻蚀部分形成为放电空间。
可通过喷沙法(sandblast method)刻蚀隔肋层，其中给隔肋层施加研磨剂，从而刻蚀未形成有抗蚀剂的部分。
因为PDP越来越大，并且用多板技术制造PDP，所以可能不能足够均匀地刻蚀隔肋层。特别是，在形成PDP的基板的中心附近，因为各种原因研磨剂的流动可能被阻挡，隔肋层可能没有被充分刻蚀。因此，在基板中心附近形成的隔肋比其他部分的隔肋具有更大的宽度，从而放电空间变得更小。
因此，放电电压和板亮度的均匀性变坏，放电瑕疵可能导致恶化显示特性。
本发明背景部分揭示的信息仅仅用于增进理解发明背景，因此除非有明确的相反说明，它不应被作为一种承认或任何形式的暗示，该承认或暗示即该信息构成对本技术领域普通技术人员已知的现有技术的说明。

发明内容
本发明提供一种制造具有一致的隔肋和放电空间的PDP的方法。
根据本发明一实施例的制造PDP的示例性方法涉及由第一和第二基板制造至少一个PDP。PDP含有隔开放电室的隔肋和在各个放电室中用于放电的电极。该方法包括形成隔肋。在隔肋的形成过程中，在第一基板上形成隔肋形成层，形成抗蚀剂来覆盖隔肋形成层，构图抗蚀剂从而形成对应于预定放电室图形的开口，根据抗蚀剂图形来刻蚀隔肋形成层，并且烘烤刻蚀后的隔肋形成层。构图抗蚀剂期间，远离第一基板中心的开口的面积形成得和第一基板中心附近的开口的面积不同。在一实施例中，本发明是一种形成用于等离子体显示板的多个隔肋的方法。该方法包括在基板上形成隔肋形成层；形成覆盖隔肋形成层的抗蚀剂；构图抗蚀剂，从而形成对应于等离子体显示板的预定放电室图形的多个开口，其中更远离基板中心的开口和更接近基板中心的开口具有不同的尺寸面积；根据该多个开口刻蚀隔肋形成层；以及烘烤刻蚀后的隔肋形成层。
在抗蚀剂构图期间，远离第一基板中心的开口的面积可形成得比第一基板中心附近的开口的面积更小。
在构图抗蚀剂期间，设置在第一区域的开口的面积可形成得比设置在第二区域的开口的面积更大，其中第一区域是圆形的，它的中心在第一基板的中心，第二区域定义为第一区域的外部。
第一区域可包括多个分区域(partial region)，在每个分区域中，开口尺寸相同，所述多个分区域中的每一个的边界线形成为圆形，每个圆形的中心位于第一基板的中心。
与在离第一基板的中心更远的第二分区域中形成的开口的尺寸相比，在含有第一基板的中心的分区域中，开口可以以更大的尺寸形成。
刻蚀隔肋形成层期间，可以通过喷沙法刻蚀隔肋形成层。
抗蚀剂可以是光致抗蚀剂或干膜抗蚀剂(dry film resist)。
形成隔肋形成层期间，可对应于每个等离子体显示板的预定区域来形成隔肋形成层。
在刻蚀隔肋形成层之后且在烘烤刻蚀后的隔肋形成层之前，可除去抗蚀剂。


图1是示出形成多个PDP的第一基板和第二基板的俯视图。
图2是图1中A部分的局部分解透视图。
图3A到图3E是说明根据本发明一实施例制造PDP的方法中形成隔肋的步骤的剖视图。
图4是根据本发明一实施例形成的抗蚀剂图形的俯视图。
具体实施例方式
下文中将要通过参考附图详细说明本发明的实施例。
图1是示出形成多个PDP的第一基板和第二基板的俯视图。图2是图1中A部分的局部分解透视图。
第一基板10(下文中称为后基板)和第二基板20(下文中称为前基板)被设置为彼此面对并且隔开预定间隙，且在其上形成多个PDP 100。
对于每个PDP 100，地址电极12、第一电介质层14、隔肋16、以及磷光体层19形成在后基板10上。显示电极21和22、第二电介质层24、以及保护层26形成在前基板20上。
下文中将会参考图2进一步详细说明每个PDP 100。
在后基板10上在其面对前基板20的表面沿着一方向(图2中的y轴方向)形成地址电极12。并且，第一电介质层14形成在后基板10上，覆盖地址电极12。地址电极12彼此平行地形成，相邻地址电极之间保持预定间距。
分隔多个放电室18的隔肋16形成在电介质层14上。隔肋16包括平行于地址电极12(也就是图2所示的y轴方向)形成的第一隔肋构件16a、以及在横跨地址电极12的方向上(也就是图2中的x轴方向)形成的第二隔肋构件16b。因此，放电室18的平面形状为基本上矩形。
本发明不应被理解为局限在上面说明的隔肋结构中。相反，本发明可应用于各种隔肋结构，例如条纹结构，其中隔肋构件仅平行于地址电极形成，且这种隔肋结构应被理解为处于本发明的思想和范围之中。放电室的平面形状也可变为六角形、圆形、或者椭圆形，并且这些变化应被理解为也处于本发明的思想和范围之中。
红、绿或蓝色的磷光体层19形成在每个放电室18中，并且用于产生等离子体放电的放电气体填充其中。
在前基板20的面对后基板10的内侧面上，显示电极21和22形成在横跨地址电极12的方向上(也就是图2所示的x轴方向)。显示电极21和22包括扫描电极21和维持电极22。
扫描电极21和维持电极22分别包括沿着横跨地址电极12的方向延长的总线电极21b和22b、以及从总线电极21b和22b向各放电室18的中心延伸的延伸电极21a和22a。
延伸电极21a和22a用于在放电室18中产生等离子体放电。为了有足够的开口率，延伸电极可由例如氧化铟锡(ITO)形成，它是透明材料。总线电极21b和22b用于通过补偿延伸电极21a和22a的高电阻来为显示电极提供充分的电导率，且可由金属材料形成。
第二电介质层24和MgO保护层26顺序形成在前基板20上，覆盖显示电极21和22。MgO保护层26保护第二电介质层24在等离子体放电期间免于受到离子撞击，并且由于其高的二次电子发射系数而增强放电效率。
上述PDP结构仅仅是一示例性结构，本发明不应被理解为局限于其中。本发明可应用于各种其他类型的PDP，并且这样的变化应被理解为处于本发明的思想和范围之中。
在根据本发明一实施例的制造PDP的方法中，地址电极12、第一电介质层14、隔肋16和磷光体层19形成在后基板10上，显示电极21和22、第二电介质层24和MgO保护层26形成在前基板20上。接下来，后基板10和前基板20被切割成多个PDP 100。
地址电极12、第一电介质层14和磷光体层19在后基板10上的形成、以及显示电极21和22、电介质层24和MgO保护层26在前基板20上的形成可根据传统方案来进行，因此不再进一步详细说明。代替地，下文将详细说明隔肋16的形成。
图3A到图3E是说明根据本发明一实施例的、PDP制造方法中形成隔肋16的步骤的剖视图。在图3A到图3E中，为了更好地理解，仅示出了涉及隔肋16的形成的部分。
首先，如图3A所示，在后基板10上形成对应于多个PDP中的每个的隔肋形成层160。可通过在后基板10上涂覆用于隔肋的糊并干燥之来形成隔肋形成层160。
虽然上面说明的并在图中示出的隔肋形成层160仅形成在对应于PDP100的预定部分上，但是本发明不应被理解为局限于此。例如，隔肋形成层160可形成在基板的整个表面上。
接下来，如图3B所示，抗蚀剂170形成在后基板10上，覆盖隔肋形成层160。本情况中，抗蚀剂170可以是光致抗蚀剂(PR)、干膜抗蚀剂(DFR)或其他相似的材料。虽然附图示出抗蚀剂170覆盖后基板10的整个表面，但是本发明并不局限于此。应注意的是，抗蚀剂可仅覆盖隔肋形成层160。
然后如图3C所示，根据预定的放电室图形构图抗蚀剂170，从而形成具有开口174的抗蚀剂图形172。本情况中，曝光掩模180放置在抗蚀剂170上，抗蚀剂170被曝光并被显影从而形成含有放电室图形的开口174的抗蚀剂图形172。
在此构图抗蚀剂170期间，形成抗蚀剂图形172，使得开口174可根据其位置具有不同的面积。开口174的不同开口面积可通过已经具有这样的不同开口面积的曝光掩模180或通过各种其他方案来形成。
下文中，将参考图4详细说明根据本发明一实施例的示例性抗蚀剂图形172。图4是根据本发明一实施例形成的抗蚀剂图形的俯视图。
远离第一基板10的中心C的开口174d的面积被形成为具有比第一基板10的中心C附近的开口174a的面积更小的尺寸。开口174的面积根据它们的位置以不同的尺寸形成，因为当通过例如喷沙法形成隔肋和放电室时，刻蚀的量会不同。
为了放电室的更好的一致性，位于离第一基板10的中心C相同距离内的所有开口面积具有相同的尺寸。然后，随着开口174离基板的中心C更远，其他开口面积以减小的尺寸形成。
更详细地，在第一基板10上定义第一和第二区域A和B，其中第一区域A是圆形的，它的中心在第一基板10的中心C处，第二区域B被定义为第一区域A的外部区域。第一区域A被分为多个分区域A1、A2和A3。各个分区域A1、A2和A3的边界由其中心在第一基板10的中心C的同心圆形形成。其中心在相同分区域A1、A2或A3中的开口174基本上具有相同的尺寸。
根据本发明一实施例，分区域A1、A2和A3的边界中的每一个、以及第一区域A本身形成为圆形，但是本发明并不局限于此。每个区域可形成为不同形状，例如矩形或六角形，并且这些不同形状应被理解为处于本发明的思想和范围之中。
根据本实施例，分区域A1、A2和A3分别称为第一分区域A1、第二分区域A2和第三分区域A3。本情况中，开口174满足条件S1＞S2＞S3＞S4。
这里，S1表示其中心在第一分区域A1中的开口174a的面积，S2表示其中心在第二分区域A2中的开口174b的面积，S3表示其中心在第三分区域A3中的开口174c的面积，S4表示其中心在第二区域B中的开口174d的面积。
也就是说，在第一区域A中，开口174a、174b、174c的面积随着它们从含有第一基板10的中心的第一分区域A1到邻接第二区域B的第三分区域A3，变得越来越小。另外，第二区域B中的开口174d具有比第一区域A中的每个开口174a、174b、174c更小的面积S4。
接下来，如图3D所示，依照抗蚀剂图形172来刻蚀隔肋形成层160，从而除去对应于放电室图形的部分，从而可形成放电室空间。本情况中，可通过湿蚀刻或干蚀刻来刻蚀隔肋形成层160。本发明一实施例中，通过喷沙法来刻蚀隔肋形成层160，喷沙法是一种干蚀刻。也就是说，喷沙设备190通过喷射研磨剂到形成有抗蚀剂图形172的隔肋形成层160上来在用于开口174的部分刻蚀隔肋形成层160。
如上所述，根据本实施例，抗蚀剂图形172在中心部分具有更大的开口，在该中心部分中有更多因素阻碍对隔肋形成层160的刻蚀；于是中心部分处磨蚀的退化得到补偿。因此，遍及整个后基板10隔肋形成层160被一致地刻蚀。从而，一致地形成隔肋和放电室。
接下来，如图3E所示，除去抗蚀剂图形172，然后通过烘烤隔肋图形162来完成隔肋16。
如上所述，根据本发明一实施例，在构图抗蚀剂170期间抗蚀剂170的开口174的形成考虑了阻碍研磨剂的流动的因素。因此，在整个面板中得到了一致的放电电压和一致的发光特性。因此，防止了放电瑕疵，从而提高了显示特性。
根据本发明一实施例，抗蚀剂的开口174形成为矩形，但是本发明不应被理解为局限于此。相反，可根据放电室的所需图形形成各种形状的开口，并且这些各种形状的开口应被理解为处于本发明的思想和范围之内。
另外，虽然已经联系应用于多板制造技术的示例性实施例解释了本发明，但是本发明也可应用于其他方案，例如，由一后基板和一前基板制造仅一个PDP的方案。
虽然已经结合当前被认为是实用示例性实施例的实施例说明了本发明，但是应明白的是本发明并不局限于所公开的实施例，相反，本发明试图覆盖在所附权利要求书的思想和范围中包括的各种修改和等价布置。
权利要求
1.一种由第一和第二基板制造至少一个等离子体显示板的方法，该等离子体显示板包括用于分隔放电室的隔肋和用于使各个放电室放电的电极，该方法包括形成多个隔肋，其中该隔肋的形成包括在该第一基板上形成隔肋形成层；形成覆盖该隔肋形成层的抗蚀剂；构图该抗蚀剂，从而形成对应于预定放电室图形的其多个开口；根据该多个开口刻蚀该隔肋形成层；以及烘烤刻蚀后的隔肋形成层，其中，在构图该抗蚀剂期间，远离该第一基板的中心的开口的面积形成为与该第一基板的该中心附近的开口的面积不同。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在构图该抗蚀剂期间，远离该第一基板的该中心的该开口的面积形成为比该第一基板的该中心附近的该开口的面积小。
3.如权利要求1所述的方法，其中，在构图该抗蚀剂期间，设置在第一区域中的开口的面积形成为比设置在第二区域中的开口的面积大，其中该第一区域为圆形且其中心位于该第一基板的该中心，该第二区域被定义为该第一区域的外部区域。
4.如权利要求3所述的方法，其中该第一区域包括多个分区域，在每个分区域中开口具有相同的尺寸，该多个分区域中的每一个的边界线形成为圆形，每个圆形的中心在该第一基板的该中心。
5.如权利要求4所述的方法，其中在更接近该第一基板的该中心的第一分区域中，以比形成在更远离该第一基板的该中心的第二分区域中的开口的尺寸更大的尺寸形成该开口。
6.如权利要求1所述的方法，其中在刻蚀该隔肋形成层期间，通过喷沙法刻蚀该隔肋形成层。
7.如权利要求1所述的方法，其中该抗蚀剂包含光致抗蚀剂和干膜抗蚀剂之一。
8.如权利要求1所述的方法，其中在该第一基板上定义每个均对应于等离子体显示板的多个预定区域，且在每个对应的预定区域上形成该隔肋形成层。
9.如权利要求1所述的方法，还包括在刻蚀该隔肋形成层之后且在烘烤刻蚀后的隔肋形成层之前除去该抗蚀剂。
10.一种形成用于等离子体显示板的多个隔肋的方法，该方法包括在基板上形成隔肋形成层；形成覆盖该隔肋形成层的抗蚀剂；构图该抗蚀剂，从而形成对应于该等离子体显示板的预定放电室图形的多个开口，其中更远离该基板的中心的开口具有不同于更接近该基板的该中心的开口的尺寸面积；根据该多个开口刻蚀该隔肋形成层；以及烘烤刻蚀后的隔肋形成层。
11.如权利要求10所述的方法，其中更远离该基板的该中心的该开口的面积比更接近该基板的该中心的该开口的面积小。
12.如权利要求10所述的方法，其中位于第一区域内的第一开口的面积比位于第二区域内的第二开口的面积大，其中该第一区域具有中心在该基板的该中心的圆形形状，且该第二区域被定义为该第一区域的外部区域。
13.如权利要求12所述的方法，其中该第一区域包含多个分区域，每个分区域具有中心在该基板的该中心的圆形形状，且其中该多个分区域中的每一个中的开口具有相同的尺寸。
14.如权利要求13所述的方法，其中在更接近该基板的该中心的第一分区域中形成更大尺寸的开口，在更远离该基板的该中心的第二分区域中形成更小的开口。
15.如权利要求10所述的方法，其中蚀刻该隔肋形成层包括通过喷沙法刻蚀。
16.如权利要求10所述的方法，其中该抗蚀剂包含光致抗蚀剂和干膜抗蚀剂之一。
17.如权利要求10所述的方法，其中形成该隔肋形成层包括在该基板上涂覆糊层。
18.如权利要求10所述的方法，其中该隔肋形成层形成在该基板上的预定部分上。
19.如权利要求10所述的方法，其中该隔肋形成层形成在该基板的整个表面上。
20.如权利要求10所述的方法，还包括在刻蚀该隔肋形成层之后且在烘烤刻蚀后的隔肋形成层之前除去该抗蚀剂。
全文摘要
本发明涉及等离子体显示板的制造方法。在该方法中，由第一和第二基板制造至少一个含有用于分开放电室的隔肋的等离子体显示板。该制造方法包括根据工艺形成隔肋，该工艺包括在第一基板上形成隔肋形成层，形成覆盖隔肋形成层的抗蚀剂，构图抗蚀剂以形成对应于预定放电室图形的开口，根据抗蚀剂图形刻蚀隔肋形成层，以及烘烤刻蚀后的隔肋形成层。在构图抗蚀剂期间，远离第一基板中心的开口的面积形成得和第一基板中心附近的开口的面积不同。
文档编号H01J11/22GK1753132SQ20051008465
公开日2006年3月29日 申请日期2005年7月15日 优先权日2004年9月23日
发明者金俊亨 申请人:三星Sdi株式会社