专利名称：一种多注行波管浸渍钡阴极的制作方法
技术领域：
本实用新型属于浸渍钡阴极这个技术领域，特别属于多注行波管浸渍钡阴极这一技术领域。
背景技术：
多注行波管比单注行波管相比，具有体积小、重量轻、工作电压低、电子有效系数大等特点，但是与多注行波管相匹配的多注行波管阴极还未发展起来，经常使用多个点阴极组成多注行波管阴极，但是这样的结构存在着一定的缺陷，因为为了减少阴极活性物质从其它方向快速逃逸，浸渍钡阴极与钼筒支撑物之间需要进行密封焊接，而且载有浸渍钡阴极的钼支撑物需要与定位构件牢固连接，造成灯丝热能的损失。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、灯丝热能少的多注行波管浸渍钡阴极。
本实用新型解决技术问题的技术方案是一种多注行波管浸渍钡阴极由浸渍钡阴极、栅控电极组成，栅控电极与浸渍钡阴极发射面相联。
所述的栅控电极为阴影栅控电极，设有9个栅孔，其中1个栅孔位于栅控电极轴线处，其余8个栅孔沿圆周等距离分布。
为了使多个电子注平行射出，便于后面电极及飞行轨道的设计，浸渍钡阴极的发射面为平面。
为了提高浸渍钡阴极的发射电流，降低使用温度、提高稳定性，所述的浸渍钡阴极的海绵体由铼粉及钨粉组成，铼粉与钨粉的重量比为1∶0.5～3。
本实用新型与现有技术相比，简化了浸渍钡阴极的结构，不再需要电子注的定位结构，减少了热能的损失，由于使用了铼粉及钨粉制作的阴极海绵体，增加了浸渍钡阴极发射电流，降低使用温度、提高浸渍钡阴极稳定性，浸渍钡阴极发射电流密度为9～10A/cm2，总导流系数为1.96μP，单电子注平均导流系数为0.22μP。
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的使用效果图。
在图中，浸渍钡阴极1、栅控电极2、栅孔3。
具体实施方式
下面结构图1、图2对本实用新型做详细的说明，本实用新型的浸渍钡阴极1的海绵体含有铼粉与钨粉，浸渍钡阴极1的发射面为平面，浸渍钡阴极1的发射面通过焊接与阴影栅控电极2相联，阴影栅控电极2轴线处有1个栅孔3，其余8个栅孔3沿圆周等距离分布，相邻栅孔3圆心与轴心的夹角为36度。
权利要求1.一种多注行波管浸渍钡阴极，其特征在于它由浸渍钡阴极(1)、栅控电极(2)组成，浸渍钡阴极(1)发射面与栅控电极(2)相联。
2.根据权利要求1所述的一种多注行波管浸渍钡阴极，其特征在于所述的栅控电极(2)为阴影栅控电极，设有9个栅孔(3)，其中1个栅孔(3)位于栅控电极轴线处，其余8个栅孔(3)沿圆周等距离分布。
3.根据权利要求1所述的一种多注行波管浸渍钡阴极，其特征在于所述的浸渍钡阴极(1)发射面为平面。
4.根据权利要求1所述的一种多注行波管浸渍钡阴极，其特征在于所述的浸渍钡阴极(1)的海绵体由铼粉及钨粉组成。
专利摘要本实用新型公开了一种多注行波管浸渍钡阴极，属于浸渍钡阴极这个技术领域，它由浸渍钡阴极(1)、栅控电极(2)组成，浸渍钡阴极(1)发射面与栅控电极(2)相联，本实用新型与现有技术相比，简化了浸渍钡阴极的结构，不再需要电子注的定位结构，减少了热能的损失，由于使用了铼粉及钨粉制作的阴极海绵体，增加了浸渍钡阴极发射电流，降低使用温度、提高浸渍钡阴极稳定性，浸渍钡阴极发射电流密度为9～10A/cm
文档编号H01J23/02GK2874763SQ200520140499
公开日2007年2月28日 申请日期2005年12月28日 优先权日2005年12月28日
发明者吴华夏, 方卫, 贺兆昌, 沈旭东, 熊海斌, 李锐, 宋田英, 孟昭红, 吴磊 申请人:安徽华东光电技术研究所