专利名称：大功率发光二极管陶瓷基板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种陶瓷基板，尤其是涉及一种大功率发光二极 管的陶瓷基板。
技术背景发光二极管(Light Emitting Diode; LED)具有省电、轻巧与寿命 长等特性，目前已经达到高辉度、多色化与高发光效率的目标，同时 也为消费性电子产品与相关应用商品投下更多的市场变化，在平面显 示器产品中，LED已经成为手机背光源的主要应用市场，在未来，LED 将朝大尺寸平面显示器背光源作发展的主轴，并以高辉度、多色化与 高发光效率为努力的目标。大功率发光二极管的散热问题一直困扰着 发光二极管的稳定性和使用寿命的进一步提高。目前，伴随着高热导 率陶瓷材料研究的不断进展，市场上出现了使用陶瓷基板的发光二极 管，这种发光二极管的是在陶瓷基板端面上铺上线路2，并且在端面 上设置框架3，然后在框架内通过点上晶粒4、焊上金线5、灌注银 胶6、加盖透镜7等步骤做成，如图1所示。但是这种应用于发光二 极管的陶瓷基板本体尺寸相对固定，因此其散热面积还不够大，影响 散热效率。 实用新型内容本实用新型的目的是提供一种大功率发光二极管的陶瓷基板，它 能有效的提高散热面积。为实现上述目的，本实用新型的技术方案是 一种大功率发光二 极管的陶瓷基板，包括陶瓷本体、线路，其特征在于所述的陶瓷本体 背面设有多个凹坑。进一步设置是所述的凹坑为球面凹坑。本设置还可以是所述的 凹坑为柱状凹坑。本设置还可以是所述的凹坑为锥状凹坑。进一步设置是所述的多个凹坑间隔排列布满在陶瓷本体背面。本实用新型的有益效果是在整体尺寸固定不变的情况下，增加了表面积，从而提高了散热面积，提高了发光二极管的散热效率，提 高了发光二极管的稳定性和使用寿命。下面结合说明书附图对本实用新型做进一步介绍。
图1应用陶瓷基板的发光二极管结构示意图图2本实用薪型具体实施方式
1结构示意图 图3本实用新型具体实施方式
1 A-A剖面图 图4本实用新型具体实施方式
2结构示意图 图5本实用新型具体实施方式
2 B-B剖面图 图6本实用新型具体实施方式
3结构示意图 图7本实用新型具体实施方式
3 C-C剖面图具体实施方式
如图2-3所示的本实用新型具体实施方式
1,包括陶瓷本体1， 线路2,该线路2贴在陶瓷本体1的正面，该陶瓷本体l采用高热导 率的陶瓷材料制成，比如A1N陶瓷，氧化铝陶瓷等，所述的陶瓷本 体1背面设有多个凹坑3。这些凹坑3间隔排列布满在陶瓷本体1背 面，这些凹坑3可以极大的增加陶瓷基板的散热面积，从而提高了陶 瓷基板的散热效率，所述的凹坑3为球面凹坑。如图4-5所示的本实用新型具体实施方式
2，包括陶瓷本体l， 线路2，该线路2贴在陶瓷本体1的正面，该陶瓷本体1采用高热导 率的陶瓷材料制成，比如A1N陶瓷，氧化铝陶瓷等，所述的陶瓷本 体1背面设有多个凹坑3。这些凹坑3间隔排列布满在陶瓷本体1背 面，这些凹坑3可以极大的增加陶瓷基板的散热面积，从而提高了陶 瓷基板的散热效率，所述的凹坑3为柱状凹坑。如图6-7所示的本实用新型具体实施方式
3，包括陶瓷本体1， 线路2，该线路2贴在陶瓷本体1的正面，该陶瓷本体1采用高热导 率的陶瓷材料制成，比如A1N陶瓷，氧化铝陶瓷等，所述的陶瓷本 体1背面设有多个凹坑3。这些凹坑3间隔排列布满在陶瓷本体1背 面，这些凹坑3可以极大的增加陶瓷基板的散热面积，从而提高了陶 瓷基板的散热效率，所述的凹坑3为锥状凹坑。
权利要求1.一种大功率发光二极管的陶瓷基板，包括陶瓷本体，线路，其特征在于所述的陶瓷本体背面设有多个凹坑。
2. 根据权利要求1所述的大功率发光二极管的陶瓷基板，其特征在 于-所述的凹坑为球面凹坑。
3. 根据权利要求1所述的大功率发光二极管的陶瓷基板，其特征在 于所述的凹坑为柱状凹坑。
4. 根据权利要求1所述的大功率发光二极管的陶瓷基板，其特征在 于所述的凹坑为锥状凹坑。
5. 根据权利要求1或2或3或4所述的大功率发光二极管的陶瓷基 板，其特征在于所述的多个凹坑间隔排列布满在陶瓷本体背面。
专利摘要本实用新型公开了一种大功率发光二极管的陶瓷基板，包括陶瓷本体，其特征在于所述的陶瓷本体背面设有多个凹坑。本实用新型的有益效果是提高了散热面积，从而提高了发光二极管的散热效率，提高了发光二极管的稳定性和使用寿命。
文档编号F21Y101/02GK201093379SQ200720042918
公开日2008年7月30日 申请日期2007年8月15日 优先权日2007年8月15日
发明者恒 任 申请人:浙江华泰电子有限公司