专利名称：发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种发光二极管，且特别涉及一种增加透光率的发光二极管。
背景技术：
发光二极管(Light-Emitting Diode; LED)具有省电、环保、使用寿命长、 体积小、不易破损等优点，已逐渐取代传统光源应用于汽车、通讯、消费性持 续性电子及工业仪表等各种不同领域。随着发光二极管的应用范围持续扩大， 现今对于发光二极管的发展有两大方向，第一是提供高均匀亮度的白光，第二 是对高亮度的要求。由于单颗发光二极管亮度低于一般照明需求，因此期望由 磊晶制作及封装技术的改良来提高光电转换效率以及外部光取出率，使发光二 极管的应用范围更为广泛。参照图l， 一种传统的发光二极管100的封装结构，发光组件110固设于 基板120，再施以焊线130，并以压模方式使透光层140封装于发光组件110 上。之后再沿切割线150进行切割作业，并逐一做品质测试，以制成发光二极 管。这种发光二极管100的缺点在于，当发光组件110穿过透光层140时，部 分光线会受到阻滞， 一般的透光率只有1.5左右，所以，碍于许多电子产品对 于发光二极管的亮度要求日益增加的情形下，有必要再寻求解决之道。发明内容本实用新型所提供的一种发光二极管，为解决传统发光二极管的出光量低 的问题，在透光层镀上一层折射率小于透光层的抗反射光学膜，降低全反射的 影响，以增加整体的封装后的透光率。根据本实用新型所提出的一种发光二极管，由一基板、数个金属垫、数个 导线、 一发光组件、 一透光层、 一抗反射膜与一保护膜所组成。其中，金属垫固定于基板上。导线电性连接在该发光组件与该等金属垫之间。透光层封装在 发光组件上。抗反射膜被覆在该透光层的一外表面，且该抗反射膜的折射率小 于该透光层的折射率。发光组件发出的光源穿透该透光层之后，再经过抗反射的光学膜，可降低反射效应，使发光二极管整体的出光率提高至1.38左右。本实用新型的发光二极管的整体封装结构，在固晶打线之后，再以压模方 式将透光层封设在发光组件上，接着在透光层以真空蒸镀方式形成一层抗反射 的光学膜，最后在抗反射膜表面镀上一层保护层，以防止该抗反射膜受到外力 影响而脱落。为此抗反射膜以降低光源的全反射影响，来增加整体透光率以做 亮度上的提升。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实 用新型的限定。
图1为传统发光二极管的封装结构的组合剖视图；图2为本实用新型一实施例的发光二极管的组合剖视图；图3为该实施例中制造此发光二极管的切割前的组合剖视图；图4为该实施例的发光二极管其封装流程的方块图。其中，附图标记跳发光二极管110:发光组件120:基板130:焊线140:透光层150-切割线200:发光二极管210:基板220:金属垫230:导线240:发光组件250:透光层260:抗反射膜270:保护膜300:切割线310:流程320:流程330:流程340:流程350:流程360:流程具体实施方式
参照图2，本实用新型的发光二极管200的一实施例，包含一基板210、 数个金属垫220、数个导线230、 一发光组件240、 一透光层250、 一抗反射膜 260与一保护膜270所组成。参照图3与图4，本实用新型的发光二极管的封装结构，该等金属垫220 安置在基板210顶面。如流程310，将发光组件240固设在基板210上。如流 程320，再将导线230焊固在发光组件240与金属垫220上。完成固晶焊线后， 如流程330，以压模方式将环氧树脂(Epoxy)封设在发光组件240、导线230 与金属垫220上。如流程340，再沿切割线300延伸，做芯片切割作业。如流 程350，在透光层250上施以镀膜作业，依序以真空镀膜方式形成有抗反射膜 260与保护膜270，以完成发光二极管封装体。如流程360，再逐一对每一个 发光二极管200作品质测试，以构成发光二极管成品。参照图2，由于本实用新型的发光二极管200为此封装过程，在透光层250 上形成有抗反射光学膜(抗反射膜260)，此抗反射膜260的折射率小于该透光 层250的折射率，因此可降低发光组件240的全反射影响，以增加整体的透光 率，进而提升发光二极管的整体亮度。在此实施例中，该抗反射膜260是一层氟化镁(MgF2)或三氧化二铝(A1203) 的真空蒸镀薄膜。而该保护膜270是一层透光的二氧化硅(Si02)真空蒸镀薄 膜。值得一提的是，此发光二极管200于制程中，将整片已切割完成后的未拨 散粒等待镀膜的成品置入真空腔，先以电浆清洗胶体(透光层240)表面，并增 加其平滑度，然后蒸镀上氟化镁(MgF2)或三氧化二铝(A1203)的抗反射膜260， 在蒸镀过程中充入氩(Ar)，并辅以离子助镀，以增加氟化镁(MgF2)或三氧化二 铝(A1203)与环氧树脂(Epoxy)的结合力。据上所述，本实用新型的发光二极管200由在透光层250上蒸镀一层抗反射膜260，可抑制光源的全反射效应，相对可让发光组件240所发出的光源透 光率提高至1. 38左右，使整体发光二极管200的亮度提升。而由保护膜270 被覆在抗反射膜260上，可防止抗反射膜260受到外力影响而脱落。因此，消费者对发光二极管的亮度提升的要求仍然持续之下，本实用新型 此发光二极管的封装结构，由抗反射膜260能降低全反射的影响，让整体发光 二极管200于封装后的透光率提升至1. 38，使发光二极管200的出光亮度更 亮。当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其 实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改 变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保 护范围。
权利要求1、一种发光二极管，其特征在于，包含一基板；一发光组件，载设于该基板；一透光层，覆盖于该发光组件；以及一抗反射膜，被覆在该透光层上，该抗反射膜的折射率小于该透光层的折射率。
2、 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该抗反射膜为一层 氟化镁MgF2或三氧化二铝A1203的真空蒸镀薄膜。
3、 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包含数个导线， 连接在该发光组件与基板之间。
4、 根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，还包含数个金属垫， 该等金属垫固设于基板上，该等导线分别连接在该发光组件与该等金属垫之 间。
5、 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该透光层为环氧树脂。
6、 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包含一保护膜， 被覆于该抗反射膜上。
7、 根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，该保护膜为一层二 氧化硅的真空蒸镀薄膜。
专利摘要一种发光二极管，包含一基板、一发光组件、一透光层与一抗反射膜。该发光组件固设在基板上，该透光层封装在发光组件上，该抗反射膜被覆在该透光层上，且该抗反射膜的折射率小于该透光层的折射率。发光组件发出的光源穿透该透光层，经过抗反射膜以降低光线反射，以提高整体的透光率。
文档编号F21V5/00GK201103846SQ20072017866
公开日2008年8月20日 申请日期2007年9月14日 优先权日2007年9月14日
发明者张正宜, 林明魁, 王文勋, 陈锦庆 申请人:亿光电子工业股份有限公司