专利名称：改善带状离子束的均一性的技术的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种离子植入技术，特别是涉及一种改善带状离子束
(ribbon beam)的均一性的才支术。
背景技术：
在半导体制造中广泛使用离子植入机(Ion implanter)来选择性地更 改材料的导电性。在典型离子植入机中，自离子源(ion source)产生的离 子是经由包括一个或多个分析》兹4失(analyzing magnet)以及多个电才及的一 连串离子束线组件来引导的。分析磁铁选择所要的离子种类，滤去污染物 种类以及具有不恰当能量的离子，亦调整在目标晶圆处的离子束品质。具 有适合形状的电极可用于修改离子束的能量以及形状。
在生产中，半导体晶圆通常以离子束来进行扫描(scan)。在下文中使 用时，离子束的"扫描"表示离子束相对于晶圓或基板表面的相对移动。
离子束通常为具有近似圓形或椭圆形横截面的"点状离子束(spot beam)"或具有矩形横截面的"带状离子束"。为达成本发明的目的，"带状 离子束，，可表示静态带状离子束或经扫描的带状离子束。后一种带状离子 束可藉由以高频率来前后扫描点状离子束而产生。
在点状离子束的情况下，可藉由在两个端点之间前后扫掠点状离子束 以形成离子束路径且藉由同时移动晶圆使其跨过离子束路径来达成晶圓的 扫描。或者，点状离子束可保持静止，且晶圆可相对于点状离子束以二维 (2-D)图案来移动。在带状离子束的情况下，可藉由使带状离子束保持静止 且藉由同时移动晶圆使其跨过带状离子束来达成晶圓的扫描。如果带状离 子束比晶圓宽，则晶圆的一维(1-D)移动可以使带状离子束覆盖整个晶圓 表面。简单得多的1-D扫描使带状离子束成为单晶圆离子植入生产的所要 选择。
然而，恰如点状离子束，带状离子束可遭受固有的非均一性 (non-uniformity)问题。带状离子束通常是由多个细离子束(beamlet)组 成，其中每一细离子束可在概念上被认为是一点状离子束。虽然带状离子束 中的细离子束在大体上相同的方向上行进，但任意两个细离子束可不指向 完全相同的方向。另外，每一细离子束可具有其固有的角度扩展。结果，在 以带状离子束进行离子植入期间，目标晶圆上的不同位置可体验不同的离 子入射角度。此外，细离子束在带状离子束中可不均匀地间隔。带状离子
束的细离子束密集分布的 一部分可传送比带状离子束的细离子束稀疏分布 的另一部分高的离子剂量。因此，带状离子束可能会缺乏角度均一性
(unif ormi ty)及/或剂量均一性。
虽然曾试图改善带状离子束的角度均一性或剂量均一性，但有效的解 决方案仍不可用于为离子植入生产提供均可满足剂量以及角度均一性要求 的带状离子束。举例而言，通常需要带状离子束在晶圆平面中产生小于1% 变化的剂量均一性以及小于0. 5°变化的角度均一性。由于两类均一性均可 能都是难以捉摸的(elusive),所以难以满足此等严格的均一性要求。
鉴于上文的描述，将需要提供一种克服上述不足以及缺点的用于改善 带状离子束的均一性的技术。
发明内容
揭露一种改善带状离子束的均一性的技术。在一特定例示性实施例中， 技术可体现为用于改善具有多个细离子束的带状离子束的均一性的装置。 装置可包含具有第一组磁心部件(magnetic core member)以及沿着第一 组磁心部件分布的第 一 多个线圏(coi 1 )的第 一 修正器条总成 (corrector-bar assembly)。装置亦可包含具有第二组磁心部件以及沿着 第二组磁心部件分布的第二多个线圏的第二修正器条总成，其中第二修正 器条总成位于距第一修正器条总成一段预定距离处。第一多个线圏中的每 一个可经个别地激励以使带状离子束中的至少一细离子束偏转，藉此使多 个细离子束以所要空间扩展来到达第二修正器条总成。另外，第二多个线圈 中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的一或多个细离子束进一步
偏转，藉此使多个细离子束以所要角度离开第二修正器条总成。
根据此特定例示性实施例的其他态样，可达成第二修正器条总成处的 多个细离子束的所要空间扩展以产生与离开第二修正器条总成的带状离子 束相关联的均一离子剂量。或者，可达成在第二修正器条总成处的多个细 离子束的所要空间扩展以产生与离开第二修正器条总成的带状离子束相关 联的非均一离子剂量。
根据此特定例示性实施例的另外态样，可为与离开第二修正器条总成 的带状离子束相关联的角度均一性而达成多个细离子束的所要角度。或者， 可达成多个细离子束的所要角度以产生与离开第二修正器条总成的带状离 子束相关联的空间变化角度分布。
根据此特定例示性实施例的额外态样，由第 一修正器条总成以及第二 修正器条总成中的每一个引入的偏转可为线性的。
根据此特定例示性实施例的另 一态样，装置可进一步包含控制第 一多 个线圏以及第二多个线圈的个别激励的控制器。装置亦可包含量测带状离
子束的一个或多个量测设备。
根据此特定例示性实施例的又一态样，控制器可以藉由单独地扰动第 一多个线圏以及第二多个线圈中的一个或多个以及藉由加总带状离子束的 相应改变来校准第一修正器条总成以及第二修正器条总成。
根据此特定例示性实施例的再一态样，控制器可以足够高的频率来激 励至少 一线圈以使多个细离子束中的至少 一个产生抖动运动。
在另 一特定例示性实施例中，技术可体现为用于改善带状离子束的均 一性的方法。方法可包含提供具有第 一组磁心部件以及沿着第 一组磁心部 件分布的第一多个线圏的第一修正器条总成。方法亦可包含提供具有第二 组^兹心部件以及沿着第二组^兹心部件分布的第二多个线圈的第二修正器条
总成，其中第二修正器条总成位于距第一修正器条总成一段预定距离处。方 法可进一步包含使带状离子束通过第一修正器条总成。方法可额外包含个 别地激励第 一 多个线圏中的 一个或多个以使带状离子束中的至少 一 细离子 束偏转，藉此使多个细离子束以所要空间扩展来到达第二修正器条总成。方 法亦可包含个别地激励第二多个线圏中的 一个或多个以使带状离子束中的 一个或多个细离子束进一步偏转，藉此使多个细离子束以所要角度离开第 二修正器条总成。
根据此特定例示性实施例的其他态样，方法可进一步包含以足够高的 频率来激励至少 一线圏以使至少 一细离子束产生抖动运动。
根据此特定例示性实施例的另外态样，可调整第 一 多个线圏以及第二 多个线圈中的至少一个中的电流频率以控制局部细离子束角度分布。
根据此特定例示性实施例的额外态样，方法可进一步包含下述步骤将 多个扰动引入一个或多个线圏中；量测带状离子束回应于多个扰动的改变， 每一改变对应于一扰动；藉由加总所量测的改变来确立计算模型；以及藉由 评估基于计算模型计算的一个或多个评价函数(merit function)来为第 一多个线圈以及第二多个线圈作选#^殳定。
在又一特定例示性实施例中，技术可实现为包含于用于传输电脑程序 指令的至少一载波中的至少一信号，电脑程序指令经组态以可由至少一处 理器读取以指示至少一处理器执行用于执行上述方法的电脑程序。
在再一特定例示性实施例中，技术可实现为用于储存电脑程序指令的 至少一处理器可读载体，电脑程序指令经组态以可由至少一处理器读取以 指示至少 一处理器执行用于执行上述方法的电脑程序。
在另 一特定例示性实施例中，技术可体现为用于改善带状离子束的均 一性的方法。方法可包含在带状离子束的路径附近提供一或多个调谐元件 (tuning element )。方法亦可包含将多个护乙动引入一或多个调谐元件中。 方法可进一步包含量测带状离子束回应于多个扰动的改变，每一改变对应 于一扰动。方法可额外包含藉由加总所量测的改变来确立计算模型。方法 亦可包含藉由评估基于计算模型计算的一个或多个评价函数来为一个或多
个调谐元件作选^i殳定。
根据此特定例示性实施例的其他态样，可选择一个或多个调谐元件的 设定以产生所要离子剂量或角度分布。
根据此特定例示性实施例的另外态样，所要离子剂量或角度分布可选 自由均一分布图案、非均一分布图案以及可组态分布图案组成之群。
根据此特定例示性实施例的额外态样， 一个或多个调谐元件可选自由
修正器条总成、多极(multipole )、偶极(dipole)、线圏以及磁棒(magnetic rod )组成之群。
现将参考如附图中所示的本发明的例示性实施例来更详细地描述本发 明。虽然在下文中参考例示性实施例来描述本发明，但应理解本发明不限 于例示性实施例。有权使用本文的教示的熟习此项技术者应认可在本文所 描述的本揭露案的范畴内的额外实施、修改以及实施例与其他使用领域， 且相对额外实施、修改以及实施例与其他使用领域，本揭露案可为显著有 用的。
图1展示根据先前揭露案的实施例的例示性修正器条总成。
图2展示根据先前揭露案的实施例的另一例示性修正器条总成。
图3展示说明根据本发明的实施例的用于改善带状离子束的均一性的
例示性装置的图。
图4说明根据本发明的实施例的用于组态磁场的例示性方法。
图5说明根据本发明的实施例的用于组态磁场的另一例示性方法。
图6展示说明根据本发明的实施例的用于改善带状离子束的均一性的
例示性配置的图。
图7展示说明根据本发明的实施例的用于改善带状离子束的均一性的 例示性方法的流程图。
10:带状离子束30:带状离子束
31-37:细离子束40:带状离子束
41:垂直线42:垂直线
44:静磁电位轮廓图45:垂直线
46:垂直线52:静磁电位轮廓图
60:离子束100:修正器条总成
102:窗框104:水平》兹心部件
106:垂直》兹心部件108: 8线圈702—710:
端条 线圈
线圈
例示性装置 第二修正器条总成
步骤 角度
第一修正器条总成 70°准直仪
修正器条总成
第一修正器条总成
磁心部件
线圏
质量选择缝
第二修正器条总成
目标晶圓
距离
具体实施例方式
标题为 "Controlling the Characteristics of Implanter Ion-Beams
的相关美国专利申请案第10/619， 702号揭露用于提供对带状离子束的主动 修正的修正器条技术。主动修正是藉由使带状离子束通过修正器条总成来
一例示性修正器条总成IOO展示于图1中。修正器条总成100包含具 有允许带状离子束10通过的孔径的矩形钢窗框102。窗框102可包含水平 《兹心部件104以及垂直磁心部件106。窗框102提供产生所要偏转场所需的 磁性支撑结构。沿着水平磁心部件104可缠绕有多个线圏108。每一线圏 108可以电流来个别地及/或独立地激励，使得在没有专用绕组的情况下产 生高阶(order)多极分量。每一线圏108或每一多极的个别激励可使带状离 子束10中的一个或多个细离子束偏转。亦即，带状离子束10的离子密度 或形状的局部变化可藉由局部地修改^磁场来修正。此等修正可在电脑控制 下且在仅由水平磁心部件104的涡电流的衰变率限制的时间标度下进行。
额外线圈110可绕着垂直的^兹心部件106来缠绕以在多极分量产生时 消除》兹短^各(magnetic short circuit )。线圈110亦可经独立地激励以在 水平磁心部件104之间在Y方向上产生纯偶极场。当线圏110切断时，偶 极场可沿着水平磁心部件104在X方向上产生。此等X或Y方向偶极场亦 可用于操纵带状离子束IO或其中的细离子束。
图2展示另一例示性修正器条总成200。与图1所示的修正器条总成 IOO相比，修正器条总成200不具有垂直的磁心部件106或线圈110。除了 此差异之外，修正器条总成200可在与修正器条总成100实质上相同的原 理下操作。
本发明的实施例基于上述修正器条技术，以改善带状离子束的剂量均 一性以及角度均一性。在能够微调个别细离子束的情况下，可采用至少两 个修正器条总成来提供对带状离子束的细离子束浓度以及细离子束角度的
达成的。 独立控制及/或协调控制。
请参阅图3所示，展示说明根据本发明的实施例的用于改善带状离子束
的均一性的例示性装置300的图。装置300可包含实质上彼此平行地定位 且相距距离D的第一修正器条总成302以及第二修正器条总成304。每一修 正器条总成U02或304 )可具有与分别展示于图1以及2中的例示性修正 器条总成100以及200相同或类似的结构。或者，每一修正器条总成(302或 304)可与如描述于相关的美国专利申请案第10/619， 702号中的例示性修正 器条总成(或其变体)相同或类似。
为清楚起见，在图3中展示装置300的俯视图，其中带状离子束30顺 序地通过第一修正器条总成302以及第二修正器条总成304。带状离子束 30可包含多个细离子束(例如，31-37)。当细离子束进入第一修正器条总 成302时，细离子束可能会在入射角以及离子剂量方面均缺乏均一性。举 例而言，细离子束34相对于Z方向具有小的入射角，而细离子束31以及 33具有大得多的入射角。又，细离子束31与细离子束32比细离子束32与 细离子束33相隔地更远。
根据本发明的实施例，"两级"修正可以改善带状离子束30的剂量均 一性以及角度均一性。第一修正器条总成302可主要负责剂量均一性改善。 亦即，可个别地激励第一修正器条总成302中的线圏以使^磁场产生局部变化 以使个别的细离子束偏转。个别的细离子束的偏转，加上细离子束在到达第 二修正器条总成304之前必须经过的距离D，可使细离子束在X方向上在空 间中重新配置。举例而言，与细离子束31相距较远的细离子束32可藉由第 一修正器条总成302而向X轴偏转一小的角度6 。在细离子束32在Z方向 上已行进距离D而到达第二修正器条总成304后，细离子束32亦在-X方向 上侧向行进以更4^近细离子束31。注意，细离子束31本身可或不可同时偏 转。因此，在第一修正器条总成302中的线圈具有适当设定时，带状离子束 30中的细离子束可能会在到达第二修正器条总成304时在空间上重新分布。 第一修正器条总成302可被称为"剂量均一性修正器"。
第二修正器条总成304可主要负责角度均一性改善。可个别地激励第 二修正器条总成304中的每一线圈以为带状离子束30中的个别细离子束引 入所要的偏转。结果，细离子束可以所要的角度(亦即，实质上同一角度) 来离开第二修正器条总成304。如图3所示，离开第二修正器条总成304的 带状离子束30在入射角以及离子剂量方面上均可为实质上均一的。第二修 正器条总成304可被称为"角度均一性修正器"。
根据一些实施例，可能会需要由一修正器条总成进行的修正相对于由 另一修正器条总成引入的修正不相干地操作，使得两个修正器条总成处的 改变不彼此影响。因此，可能会有益于回溯(例如)自晶圆平面返回第二
修正器条总成304处的细离子束座标的细离子束轨迹。存在用于追踪离子 或离子束的熟习此项技术者所熟知的方法。
上述"两级，，修正方法学开辟了无数操纵带状离子束的选项(options)。 举例而言，藉由改变装置300的一个或多个参数(例如，距离D以及任一个 或两个修正器条总成的线圏设定)而使对带状离子束30的剂量均一性以及 角度均一性的独立控制可为可能的。"两级，，配置可扩展至"多级"配置， 其中可采用三个或三个以上的修正器条总成以顺序地操纵带状离子束30。 在下文中结合图4至7来描述一些例示性实施选项。
图4说明根据本发明的实施例的用于组态磁场的例示性方法。可提供 一对磁心部件(例如，钢条)402。 一对线圏406可绕着磁心部件402来对 称地缠绕， 一线圈406用于每一磁心部件402。线圏406可以具有相对的绕 组，一个向右旋且另一个向左旋。可视情况地提供端条404以连接^磁心部件 402。藉由以同一量值的电流来激励线圏406,可引入静磁电位轮廓图 (magnetostatic potential prof ile ) 44。如图4所示，在垂直线41与42 之间的区域中，磁心部件402之间的磁场可线性地增加。在区域的右侧，可 产生均一/f兹场。在区域的左侧，可不存在/f兹场。在带状离子束40通过^F兹心 部件402之间时，劳仑兹(Lorentz)力可以-使垂直线42右侧的离子或细离 子束均一地偏转。在垂直线41与42之间的区域中的离子或细离子束可归 因于静磁电位梯度(gradient)而发散。在垂直线42的左侧，带状离子束40 中的离子或细离子束可不发生偏转。
图5说明根据本发明的实施例的用于组态磁场的另一例示性方法。基 于与图4所示的结构相同的结构，可增加一对额外线圈408且激励线圏408 以引入静磁电位的一部分负梯度。经个别驱动的线圈406以及408可共同 产生静磁电位轮廓图52，其可为静磁电位轮廓图44 (图4所示)与由线圈 408造成的新的静磁电位轮廓图(未图示)的线性组合。静磁电位轮廓图 52展示在两个区域(亦即，在垂直线41与42之间以及在垂直线45与46之 间)中的磁场可使带状离子束40中的细离子束非均一地或发散地偏转。在 另两个区域(亦即，在垂直线42与45之间以及在垂直线46的右侧)中的 磁场可使带状离子束40中的细离子束均一地偏转。
自图4以及图5所示的两个实例，可了解可将一连串场梯度变化引入 修正器条总成中以选择地偏转带状离子束中的细离子束或离子。归因于连 接相邻线圈的磁心部件，梯度变化可彼此平緩地连接。另外，可加总来自 个别线圈或线圈对(pairs)的效应。
图6展示说明根据本发明的实施例的用于改善带状离子束的均一性的 例示性配置的图。在离子植入机中，第一修正器条总成602 (亦即，剂量均 一性修正器)可位于70°准直仪606的入口处或附近，而第二修正器条总
成604 (亦即，角度均一性修正器)可位于70°准直仪606的出口处或附 近。离开质量选择缝(mass selection slit ) 601的离子束60可首先通过 第一修正器条总成602，其中可引入侧向偏转(在X方向上)(例如)以扩大 离子束宽度及/或修正剂量均一性。在离子束60通过70。准直仪606后， 离子束60中的角度误差可由第二修正器条总成604来修正以改善角度均一 性。接着，可将具有改善剂量均一性以及角度均一性的离子束60朝目标晶 圆608引导。虽然在此处修正器条总成(602以及604)并非彼此平行，但其 仍促进如上所述的"两级"修正。
根据本发明的实施例，可将抖动运动引入带状离子束以进一步消除带 状离子束中的小规模非均一性。举例而言，在两级修正配置中，高频率电 流分量可迭加于第二修正器条总成(亦即，角度均一性修正器)中的个别 线圏的激励电流上。高频率电流分量可使整个带状离子束(或带状离子束 的一部分)以往复方式来在目标晶圓上移位。若目标晶圆经受足够数目的 此等移位反转，则目标晶圓上的局部或小规模剂量及/或角度变化可最终得 到平衡。由于角度均一性修正器中的每一个别线圏的感应系数为低的，所以 适度的高频率可容易达成。抖动运动可为受电脑控制的，且高频率电流分 量可成为用于改善离子束均一性的另一处理关^t。
图7展示说明根据本发明的实施例的用于改善带状离子束的均一性的 例示性方法的流程图。
在步骤702中，可在离子植入机中产生且设定离子束。离子束可为带 状离子束且可通过各自具有个别偏转线圏(亦即，多极)的两级修正器条 总成。
在步骤7 04中，多极可经扰动，且离子束回应于扰动的角度及/或剂量的 改变可经量测以及记录。举例而言，小规模扰动可引入于偏转线圈的激励电 流中，且此扰动可引起离子束的相应小变化(例如，角度或剂量变化)。可以 相同或不同的量值来每次一个或一起地对不同偏转线圈重复扰动。结果，反 映个别线圏(多极)对离子束的效应的资料可经累积。根据本发明的实施 例，回应于扰动的效应可自静态资料库查找或藉由基于实体模型的理论模 拟来计算。
在步骤706中，可藉由加总个别线圏的效应来确立计算模型。可内插 或外推与个别线圏的效应相关联的资料。
在步骤708中，可基于计算模型来为电位多极设定计算一个或多个评 价函数。评价函数可用于量化电位多极设定对离子束角度及/或剂量分布的 效应。根据一些实施例，可采用下述例示性评价函数中的一个或多个。一 例示性评价函数可定义为
MeritFunction 1 = w x AngleSpread + (1 - w) x ProfileSigma 其中AngleSpread表示离子束中的离子束角度的范围，Prof i leSigma 表示离子束电流(或剂量)分布的标准偏差，且w为定义角度均一性与剂 量均一性的相对权重的可组态权重因数。另一评价函数可定义为
Meritf獄tion2…T AngleSpread —w)x "，，
Target AngfeSpread TargetProfileSigma
其中AngleSpread以及Prof i leSigma参数经正规化至其个别目标值， 使得角度均一性对剂量均一性的相对重要性按比例缩放至可为可组态配方 的所要参数。
第三替代评价函数可定义为
StartAngleSpread StartProfileSigma
其中AngleSpread以及Profi leSigma参数经正规化至为基本离子束轮 廓获得的个别起始值，使得角度均一性对剂量均一性的相对重要性经由迭 代来按比例缩放。
在步骤710中，可基于在步骤708中计算的一或多个评价函数来选择所 要的多极设定。
请注意，在上文中结合图7来描述的方法不限于修正器条技术的使用， 而可以可加总离子束的个别扰动以确立可用于为离子束调谐元件选择所要
设定的计算模型的任何离子束调谐元件来实施。
在此一点上，应注意如上所述的根据本发明的用于改善带状离子束的
:。此输入资料处理以及输出资料产生可以硬件或软件来实施。举、例而言， 特定电子组件可用于离子植入机中或用于实施如上所述的根据本发明的与 带状离子束均一性控制相关联的功能的类似或相关电路中。或者，根据所 储存的指令来操作的一个或多个处理器可实施如上所述的根据本发明的与 带状离子束均一性控制相关联的功能。若确实如此，则此等指令可储存于一 个或多个处理器可读取载体(例如，磁碟)，或经由一个或多个信号来传输 至一个或多个处理器是在本发明的范畴内的。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实 施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质来对 以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术 方案的范围内。
权利要求
1.一种用于改善具有多个细离子束的带状离子束的均一性的装置，其特征在于所述装置包含第一修正器条总成，其具有第一组磁心部件以及沿着所述第一组磁心部件分布的第一多个线圈；以及第二修正器条总成，其具有第二组磁心部件以及沿着所述第二组磁心部件分布的第二多个线圈，其中所述第二修正器条总成位于距所述第一修正器条总成一段预定距离处，其中所述第一多个线圈中的每一个经个别地激励以使所述带状离子束中的至少一细离子束偏转，藉此使所述多个细离子束以所要空间扩展来到达所述第二修正器条总成，以及其中所述第二多个线圈中的每一个经个别地激励以使所述带状离子束中的一个或多个细离子束进一步偏转，藉此使所述多个细离子束以所要角度离开所述第二修正器条总成。
2、 根据权利要求1所述的用于改善具有多个细离子束的带状离子束的 均一性的装置，其特征在于其中达成在所述第二修正器条总成处的所述多 个细离子束的所述所要空间扩展以产生与离开所述第二修正器条总成的所述带状离子束相关联的均一离子剂量。
3、 根据权利要求1所述的用于改善具有多个细离子束的带状离子束的 均 一性的装置，其特征在于其中为了与离开所述第二修正器条总成的所述 带状离子束相关联的角度均一性而达成所述多个细离子束的所述所要角度。
4、 根据权利要求1所述的用于改善具有多个细离子束的带状离子束的 均一性的装置，其特征在于其中达成在所述第二修正器条总成处的所述多 个细离子束的所述所要空间扩展以产生与离开所述第二修正器条总成的所述带状离子束相关联的非均一离子剂量。
5、 根据权利要求1所述的用于改善具有多个细离子束的带状离子束的 均一性的装置，其特征在于其中达成所述多个细离子束的所述所要角度以 产生与离开所述第二修正器条总成的所述带状离子束相关联的空间变化角 度分布。
6、 根据权利要求1所述的用于改善具有多个细离子束的带状离子束的 均一性的装置，其特征在于其中由所述第一修正器条总成以及所述第二修 正器条总成中的每一引入的所述偏转为线性的。
7、 根据权利要求1所述的用于改善具有多个细离子束的带状离子束的 均一性的装置，其特征在于其进一步包含 控制器，其控制所述第 一多个线圏以及所述第二多个线圏的所述个别 激励。
8、 根据权利要求7所述的用于改善具有多个细离子束的带状离子束的 均一性的装置，其特征在于其进一步包含量测所述带状离子束的一个或多个量测设备。
9、 根据权利要求8所述的用于改善具有多个细离子束的带状离子束的 均一性的装置，其特征在于其中所述控制器藉由单独地扰动所述第一多个 线圈以及所述第二多个线圈中的一个或多个以及藉由加总所述带状离子束 的相应变化来校准所述第一修正器条总成以及所述第二修正器条总成。
10、 根据权利要求7所述的用于改善具有多个细离子束的带状离子束 的均一性的装置，其特征在于其中所述的控制器使至少一线圈以足够高的 频率来被激励以使所述多个细离子束中的至少一个产生抖动运动。
11、 一种用于改善带状离子束的均一性的方法，其特征在于所述方法 包含下述步骤提供具有第一组磁心部件以及沿着所述第一组磁心部件分布的第一多 个线圏的第 一 修正器条总成；提供具有第二组磁心部件以及沿着所述第二组磁心部件分布的第二多 个线圈的第二修正器条总成，其中所述第二修正器条总成位于距所述第一修正器条总成一段预定距离处；使所述带状离子束通过所述第一修正器条总成；个别地激励所述第一多个线圈中的一个或多个以使所迷带状离子束中 的至少一细离子束偏转，藉此使所述多个细离子束以所要空间扩展来到达 所述第二修正器条总成；以及个别地激励所述第二多个线圏中的一个或多个以使所述带状离子束中 的一个或多个细离子束进一步偏转，藉此使所述多个细离子束以所要角度 离开所述第二修正器条总成。
12、 根据权利要求11所述的用于改善带状离子束的均一性的方法，其 特征在于其进一步包含以足够高的频率来激励至少 一线圈以使至少 一 细 离子束产生抖动运动。
13、 根据权利要求11所述的用于改善带状离子束的均一性的方法，其 特征在于其中调整所述第一多个线圏以及所述第二多个线圏中的至少一个 中的电流频率以控制局部细离子束角度分布。
14、 根据权利要求11所述的用于改善带状离子束的均一性的方法，其 特征在于其进一步包含将多个扰动引入一个或多个线圏中；量测所述带状离子束回应于所述多个扰动的改变，每一改变对应于一 扰动； 藉由加总所述所量测的改变来确立计算模型；以及 藉由评估基于所述计算模型计算的一个或多个评价函数来为所述第一 多个线圏以及所述第二多个线圏作选择设定。
15、 一种载于用于传输电脑程序指令的至少一载波中的信号，其特征 在于所述电脑程序指令经组态以可由至少一处理器读取以用来指示所述至 少一处理器执行用于执行如权利要求11所述的方法的电脑处理程序。
16、 一种用于储存电脑程序指令的处理器可读载体，其特征在于所述 电脑程序指令经组态以可由至少一处理器读取以用来指示所述至少一处理 器执行用于执行如权利要求11所述的方法的电脑处理程序。
17、 一种用于改善带状离子束的均一性的方法，其特征在于所述方法 包含下述步骤在带状离子束的路径附近提供一或多个调谐元件； 将多个扰动引入所述一或多个调谐元件中；量测所述带状离子束的回应于所述多个扰动的改变，每一改变对应于 一扰动；藉由加总所述所量测的改变来确立计算模型；以及 藉由评估基于所述计算模型计算的一个或多个评价函数来为所述一个或多个调谐元件作选择设定。
18、 根据权利要求17所述的用于改善带状离子束的均一性的方法，其 特征在于其中选择所述一个或多个调谐元件的所述设定以产生所要离子剂 量或角度分布。
19、 根据权利要求18所述的用于改善带状离子束的均一性的方法，其 特征在于其中所述的所要离子剂量或角度分布选自由均一分布图案、非均 一分布图案以及可组态分布图案组成之群。
20、 根据权利要求17所述的用于改善带状离子束的均一性的方法，其 特征在于其中所述的一个或多个调谐元件选自由修正器条总成、多极、偶 极、线圈以及;兹棒组成之群。
全文摘要
本发明是有关一种用于改善带状离子束的均一性的技术。在一特定例示性实施例中，装置可包含第一修正器条总成以及第二修正器条总成，其中第二修正器条总成位于距第一修正器条总成一段预定距离处。第一修正器条总成中的第一多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的至少一细离子束偏转，藉此使细离子束以所要空间扩展来到达第二修正器条总成。第二修正器条总成中的第二多个线圈中的每一个可经个别地激励以使带状离子束中的一个或多个细离子束进一步偏转，藉此使细离子束以所要角度离开第二修正器条总成。
文档编号H01J37/147GK101371327SQ200780002657
公开日2009年2月18日 申请日期2007年1月19日 优先权日2006年1月20日
发明者肯尼士·H·波什, 阿塔尔·古普塔 申请人:瓦里安半导体设备公司