专利名称：离子束检查装置、离子束检查方法、半导体制造装置以及离子源装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种离子束检查装置，离子束检查方法，半导体制造装置， 和离子源装置，并涉及例如一种支持引出电极的位置调节的技术，该引 出电极从离子源中引出被注入在半导体内的离子。
背景技术：
以将离子注入在半导体晶片内形成p-型区或n-型区的方式制造半导 体集成电路。在离子的注入中，使用了实施一系列步骤的半导体制造装置，如通过 将气体加热到髙温产生离子，通过引出电极引出产生的离子，通过质量 分析器分类引出的离子，聚焦分类的离子，和用该聚焦离子照射晶片。为了操作该半导体制造装置，必须实施多种调节，其中之一是调节引 出电极的位置。图8A是表示离子源装置的外形示意图。离子源装置1具有离子源6和在圆柱形外壳5的内部从离子源6引出 离子的引出电极3。离子源6包括盘形装配法兰4，安装在装配法兰4的中心轴上的圆柱 形部件7，和安装在圆柱形部件7前端上的源头2。离子源6以将源头2插入在外壳5内并将装配法兰4固定在外壳5 的一个端面上的方式被装配到外壳5。在装配法兰4和外壳5的端面之间配备O-环(未示出)以保持外壳 5内部的气密性。在装配法兰4的端面内定义未示出的进气口 。利用源头2内的灯丝将 从该进气口吸入的气体加热到高温，以产生离子。将引出电极3安装在距源头2的端面的一定距离处，并施加高电压。 当源头2内产生的离子是正离子时，将引出电极3设为负电势。另一方 面，当产生负离子时，将引出电极3设为正电势，以便从源头2引出离子和加速该离子，以形成如箭头所示的离子束。用横截面基本上是矩形的被称为孔的开口 16形成引出电极3，并根 据该开口的形状形成离子束15，将该离子束15引导至半导体制造装置的 内部。在与纸面垂直的方向内将臂18装配到引出电极3的侧面。臂18绕臂 18的中心轴旋转或在臂18的中心轴方向内水平移动，因此可以调节引出 电极3的位置。在离子源装置l中，为了提高离子束15的产生效率，实施使离子源 6的中心轴与开口 16的中心轴相匹配的中心调节是很重要的。例如，如图8B所示，当引出电极3关于离子源6的中心轴倾斜时， 离子束15被倾斜并不均匀地击中开口 16，引起离子的浪费，开口16的 磨损，和黏附到引出电极3的沉淀物的增加。每次实施维护工作，如离子源装置1的清洗，源头2灯丝的调换，或 引出电极3的调换后均要求进行该中心调节。到目前为止，按如下方式 实施中心调节。完全停止半导体制造装置，移开离子源装置l，并调换部件如灯丝。 随后，通过机械工具如游标卡尺或刻度尺测量引出电极3的位置并粗调 后，将离子源装置1装配到半导体制造装置。接着，几个小时内在整个半导体制造装置中产生高真空后，用来自离 子源装置l的离子束15实际照射该半导体制造装置。随后，细调引出电 极3的位置，以便使引出电极3中出现的电流值(抑制电流)最小。当离子束15击中引出电极3时，电流从源头2流入该引出电极3中。 因此，该电流值的大小对应于击中引出电极3的离子的数量。在以上方法中，必须在半导体制造装置中产生高真空，并且必须在半 导体制造装置中实际照射离子束15。由于这一原因，提出了 JP64-14855 A中公开的利用激光束的中心调节。在以上技术中，将光源安排在源头2的端面上，将缝隙安排在引出电 极内，来自光源的光线通过该缝隙被传送。还有，将透射光检测装置安 排在与引出电极相对的缝隙的面上。调节引出电极的位置，以便使透射光的强度变到最大，因此实施该中心调节。但是，由于源头2和引出电极3的温度变高，操作期间其将超过IOOO["C]，因此很难在离子源装置l中定位光源和检测装置。由于这一原因，实际使用的可能性似乎很低。附带提到，本发明的发明人发现由于如图8C所示的装配法兰4的不 平衡装配，离子源6的中心轴关于引出电极3的中心轴的倾斜也会引起 离子束15的产生效率的恶化。发明内容在以上情况下，本发明的目的是简便高效地实施离子源装置的中心调节。为了实现本发明的目的，根据本发明的第一方面，提供一种当调节 引出电极的位置时使用的离子束检查装置，该引出电极从离子注入半导 体内的半导体制造装置中的离子源引出离子束，该离子束检査装置包括 激光束照射装置，在离子束轴上从离子源侧朝引出电极照射激光束；和 通过位置检测装置，检测该照射的激光束通过引出电极的通过位置。根据本发明的第二方面，提供一种相应于本发明第一方面的离子束检查装置，其中通过位置检测装置包括反射镜，安装在离子束将被定 位的引出电极的位置上；和测量单元，测量由该反射镜反射的激光束的 强度，并且其中通过该测量的激光束的强度检测该照射的激光束的通过 位置。根据本发明的第三方面，提供一种相应于本发明第一方面的离子束 检查装置，其中通过位置检测装置包括光接收装置，安装在离子束将 被定位的引出电极的位置上；和测量单元，测量由该光接收装置接收的 激光束的强度，并且其中通过该测量的激光束的强度检测该照射的激光 束的通过位置。根据本发明的第四方面，提供一种相应于本发明第二或第三方面的离 子束检查装置，进一步包括位置调节装置，调节引出电极的位置以便使 测量的激光束的强度变为最大。根据本发明的第五方面，提供一种当调节引出电极的位置时实施的 离子束检査方法，该引出电极从离子注入半导体内的半导体制造装置中的离子源引出离子束，该离子束检查方法包括由激光束照射装置在离 子束轴上从离子源侧朝引出电极照射激光束；和由通过位置检测装置检 测该照射的激光束通过引出电极的通过位置。根据本发明的第六方面，提供一种具有离子源和从该离子源引出离 子束的引出电极的半导体制造装置，该装置将引出的离子束照射到半导 体以将离子注入该半导体内，该半导体制造装置包括激光束照射装置， 在离子束轴上从离子源侧朝引出电极照射激光束；通过位置检测装置， 检测该照射的激光束通过引出电极的通过位置；和调节装置，调节引出 电极的位置以便使该检测的通过位置变为离子束的通过位置。根据本发明的第七方面，提供一种离子源装置包括机壳；离子源， 固定到机壳的一个端面并插入到机壳内部；和引出电极，安装在机壳内 部中并朝着机壳的另一个端面侧从离子源引出离子束，其中在机壳的一 个端面上，将离子源固定于不在同一行内的至少三个位置上。根据本发明，借助于在离子束的轴上照射激光束的夹具可以简便并高 效地实施离子源装置的中心调节。
在附图中图1是表示根据实施例的整个半导体制造装置的示意图；图2A和2B是解释根据实施例的检查装置的示意图；图3A至3C分别是表示引出电极的前视图和侧视图；图4是表示离子源装置的侧视图；图5是表示完成中心调节后的引出电极的示意图；图6是解释改进实施例的示意图；图7A和7B是解释离子源的位置调节的示意图；和图8A至8C是解释传统实施例的示意图。
具体实施方式
(1)实施例的概要在此实施例中，通过激光束可以确定源头和引出电极的中心轴是否在 同一条直线上，以及和离子束轴是否在同一个轴上。由于此原因，如图2A所示，将在离子束轴上照射激光束的光发射单元55装配到外壳5以代替源头。另一方面，将反射该激光束的反射镜56 装配到引出电极3。
光发射装置22具有发射激光束以及检测该激光束的功能。光发射装 置22检测由反射镜56反射的激光束，并输出该检测强度至控制单元41。
在光发射单元55的情况下由外壳5的端面定位该离子源。因此，对 引出电极3进行位置调节以便使激光束的强度变为最大，由此使离子束 轴可以和离子源及引出电极3的中心轴相匹配。
(2)实施例的细节
图1是表示根据实施例的整个半导体制造装置的示意图。 半导体制造装置100是将离子注入半导体晶片80内的离子注入装置。 半导体制造装置IOO包括离子源装置1，质量分析单元67，加速单元
68， Q透镜(四极透镜)69，扫描仪70，和真空泵12。
离子源装置1从集气筒63接收作为离子产生的原料的气体，并借助
源头2将该提供的气体离子化。接着离子源装置1借助引出电极3引出
离子，形成离子束15，并用该离子束15照射半导体制造装置100的内部。 虽然没有示出，但是在源头2外部在源头2的前面和后面布置有磁铁，
并且该磁铁具有聚焦离子束15的功能。
质量分析单元67被用于从包含在离子束15内的多种离子中区分期望
类型的离子(例如，磷，硼等等)。
质量分析单元67利用磁场弯曲离子束15的轨道。由于根据离子质量， 曲率半径是不同的，因此对离子束15施加磁场，以便使期望的离子沿加 速单元68所在的束线前进。
加速单元68是利用例如高频电场加速离子的加速管。
Q透镜69是借助电场聚焦离子束15的透镜。
扫描仪70由例如位于水平方向和垂直方向的两对电极构成。扫描仪 70借助电场振荡离子束15的轨道，并用离子束15对晶片80表面进行扫 描。
真空泵12是例如能够产生高真空的低温泵的泵。真空泵12从半导体 制造装置100内部抽空气体以保持高真空。
接着，将描述实施引出电极中心调节(准直)的方法的基本原理，该方法借助于根据参考图2A和2B的实施例的检查装置。
如图2A所示，根据此实施例的检查装置(离子束检查装置)包括光
发射单元55，反射镜56，和控制单元41。
光发射单元55包括发射激光束的光发射装置22,和相对于外壳5保
持光发射装置22的平板21。反射镜56包括反射激光束的镜面26 (反射
镜面)，和保持镜面26的圆柱形部件25。镜面26可以由例如反射封条构成。
在从半导体制造装置100 (图1)中移开离子源装置1后的环境下实 施根据此检查装置的引出电极3的中心调节。
利用以上结构，当准备备用离子源装置1时，即使在例如离子源装置 l的清洗、维护操作、或中心调节等操作期间利用该备用的离子源装置l 仍然可以保持半导体制造装置100的操作。
平板21是由金属或树脂构成的盘状部件，并具有和离子源6的装配 法兰4的孔相同的参照孔或装配孔。
从外壳5移开离子源6 (图1)后将平板21装配到外壳5的离子源6 装配表面。
将光发射装置22固定在平板21上，以便使激光束的光轴与离子束的 轴相重和。
光发射装置22具有照射激光束(具有给定光束直径)的功能，和接 收由镜面26反射的激光束以检测接收光束强度的功能。
如上所述，光发射单元55能够在离子束轴上从光发射装置22照射激 光束，并能够用作在离子束轴上从离子源侧朝引出电极照射激光束的激 光束照射部分。
还有，光发射装置22能够用作测量由镜面26反射的激光束强度的测 量部分，该镜面26是布置在离子束应当定位在引出电极3部分上的位置 处的反射镜。
如上所述，光发射单元55包括检测该照射的激光束通过引出电极的 通过位置的通过位置检测装置，并根据激光束的强度检测该照射激光束 的通过位置。
控制单元41向光发射装置22提供发射激光束的电功率，从光发射装置22接收由光发射装置22输出的反射光的强度，并通过电压值(返回 电压)将该强度输出至给定的输出目标装置。
例如，输出目标装置是显示该反射光的强度的显示装置，并且操作者 可以根据该显示确定光发射装置22接收了多少反射光。
还有，当提供有自动纠正引出电极3的位置的机构时，可以将该机构 的控制单元指定为输出目标装置。
顺便提及，在引出电极3中，在离子束通过的孔的后面(在离子束的 出口侧)形成凹槽，具有圆柱形表面的该凹槽位于离子束轴的中心。
通过插入其中形成有孔的圆柱形孔部件在该凹槽中形成该孔。由于该 孔部件是损耗品，因此该孔部件可分离地附着于引出电极3。 g卩，该凹槽 是用于将孔部件装配到引出电极3的装配孔。
另一方面，反射镜56的圆柱形部件25由具有和孔部件相同外部直径 的圆柱形部件组成，并可以被附着在凹槽内的孔部件的后面。
如图2B所示，在圆柱形部件25的中心轴上形成和激光束直径具有 相同或大体相同直径的通孔27。在圆柱形部件25被附着在引出电极3内 的状态下，通孔27的中心轴和离子束轴相重和。
将具有二维镜面表面的镜面26固定到离子束通过该通孔27—侧的圆 柱形部件25的端面，以便使该镜面表面直接朝向光发射装置22，以垂直 于圆柱形部件25的中心轴。
在如上所述的检查装置中，在定位引出电极3以便使引出电极3的孔 的中心轴和离子束轴相重合的情况下，当从光发射装置22发射激光束时， 通过镜面26反射该照射束30，并且反射束31通过和如图2A所示的照 射束30的光路相同的光路到达光发射装置22。
在此实施例中，"定位"是指三维姿势，理论上不仅包括水平方向和垂 直方向的位置，还包括布置角度。
以下描述更多细节。当引出电极3倾斜时，由于通孔27和照射束30 的束直径彼此大体相等，因此己经输入到通孔27的照射束30被通孔27 的内壁切断。结果，到达镜面26的照射束30的光量减小。由于这一原 因，当通孔27的内壁被例如黑色等颜色着色时，该颜色使得预先很难从 那里反射激光束，估计会进一步增大照射束30的光量减小所带来的影响。还有，由于已经被镜面26反射的反射束31的光路相对于照射束30 的光路发生倾斜，因此到达光发射装置22的光接收单元的反射束31的 强度显著恶化。
还有，当引出电极3的孔的位置不在离子束轴上时，即使引出电极3 没有倾斜，由光发射装置22接收的反射束31的强度也会显著恶化。
由于这一原因，当照射束30的中心轴与圆柱形部件25的中心轴相重 合时，即，当引出电极3位于使离子束轴与孔的中心轴相重合的位置上 时，由光发射装置22检测的反射束31的强度变为最大。
操作者调节引出电极3的位置以便使反射束31的强度变为最大，由 此能够简便并精确地实施引出电极3的中心调节。
图3A是表示从离子束的出口侧观察的引出电极3的前视图。
如该图所示，在引出电极3的中心形成有圆柱形凹槽，并且孔部件 17被附着在该圆柱形凹槽内。在孔部件17的中心限定其末端均是圆形的 基本上呈长方形通孔的开口 16，以便使开口 16的中心轴与引出电极3的 中心轴相重合。
将臂18装配到引出电极3的横向表面，并可以绕轴线旋转或利用未 示出的驱动机构在水平方向内移动。
进一步，将电源线19装配到引出电极3，以向引出电极3或孔部件 17提供电势。
图3B是表示反射镜56正在被装配到引出电极3的情况的侧视图。 如箭头所示，从引出电极3的凹槽23将反射镜56附着在未示出的孔
部件17的后面(离子束的出口侧)，以便将反射镜56附着到引出电极3。 图3C是表示从离子束的出口侧观察的反射镜56被附着到引出电极3
的情况的前视图。
如该图所示，在引出电极3的凹槽23中，将圆柱形部件25附着在孔 部件17的后面，并将镜面26安排在开口 16所在的位置处。
图4是表示将光发射单元55附着到离子源装置1的情况的侧视图。 图4表示从半导体制造装置100移开离子源装置1 (图1)，并将用于 会聚离子束的磁铁77附着到外壳5的顶部的情况。磁铁77是可移动的， 并能够从外壳5移开。在外壳5的孔末端上形成离子源装配法兰74，并在离子源装配法兰 74的端面内限定用于装配该离子源6的装配法兰4 (图1)的参照孔(导 向孔)和未示出的装配螺钉孔。
在装配光发射单元55的情况下，从离子源装配法兰74移开离子源6， 并将光发射单元55装配到离子源装配法兰74。
在平板21内形成与离子源6的装配法兰4相匹配的参照孔和螺钉孔， 并将该平板21装配到离子源装配法兰74。
接着，通过电源42的电功率驱动控制单元41，光发射装置22在控 制单元41的控制下在离子束轴上照射激光束，并检测来自未示出的反射 镜56的反射束。
另一方面，在离子束出口侧在外壳5的末端上形成连接外壳5和半导 体制造装置100的主体的法兰75。
将臂18插入法兰75的横向表面，同时保持气密性，并由此横向表面 旋转支撑。
在法兰75内侧将未示出的引出电极3保持在臂18的前端上。反射镜 56被装配到引出电极3。
还有，在外壳5的外部装配水平调节马达71和角度调节马达72。
水平调节马达71被设计为通过驱动力传送部件78如传送带或链条向 臂18的水平移动机构传送旋转力。
用螺钉形成水平移动机构，并由驱动力传送部件78向上旋转，水平 移动机构在与离子束垂直的水平方向(垂直于纸面的方向)内移动臂18。 结果，引出电极3在水平方向内移动。
另一方面，利用链接机构73将角度调节马达72连接到臂18，并驱 动链接机构73绕旋转轴旋转臂18。采用以上结构，引出电极3绕与离子 束轴垂直的水平方向(垂直于纸面的方向)内的轴旋转。
如上所述，设计离子源装置1以便能够利用水平调节马达71使引出 电极3在水平方向内移动，和利用角度调节马达72使引出电极3绕与离
子束垂直的轴旋转。
水平调节马达71和角度调节马达72由例如步进电机构成，并可以利
用未示出的马达控制单元将转子旋转给定角度。操作者驱动水平调节马达71和角度调节马达72以调节引出电极3 的位置(包括角度)，使在控制单元41上显示的激光束的反射光的强度 变为最大。
如上所述，在此实施例中，操作者手工操作水平调节马达71和角度 调节马达72。优选地，可以自动实施该操作。
在这种情况下，将马达控制单元和控制单元41相互连接，以便将反 射光的强度从控制单元41输入马达控制单元。马达控制单元控制水平调 节马达71和角度调节马达72，以便使反射光的强度变为最大。
在这种情况下，马达控制单元用作调节引出电极3的位置的位置调节 部分，以便使测量的激光束的强度变为最大。
还有，其中安装有上述离子源装置1的半导体制造装置IOO包括在离 子束轴上从离子源侧朝引出电极照射激光束的激光束照射部分，检测该 激光束通过引出电极的通过位置的通过位置检测部分，和调节引出电极 的位置以便使检测的通过位置变为离子束通过位置的调节部分。
还有，在此实施例中，在与离子束轴垂直的水平方向内移动引出电极 3，并绕与离子束轴垂直的水平轴旋转。优选地，可以在引出电极3上实 施具有更大自由度的位置控制。
例如，可以用提供的在离子束轴方向内移动臂18的机构，和绕垂直 轴旋转引出电极3的机构自由设置引出电极3的位置。
图5是表示完成引出电极3的中心调节后的引出电极3和孔材料17 的前示图。
如该图所示，绕开口 16定位离子束轴19。由于这一原因，由源头2 产生的离子变为最有效的离子束。
图6是解释此实施例的改进实施例的示意图。
在此实施例中，设置激光束的光接收单元28来代替圆柱形部件25 的反射镜26，并通过该光接收单元28检测由光发射装置22发射的照射 束30。
由光接收单元28接收的激光束的强度被传送到控制单元41 。 同样地，在此方法中，引出电极3的位置可以经历中心调节。 如上所述，在此改进实施例中，光接收单元28用作光接收部分，其被布置在离子束应当位于引出电极3上的位置处，控制单元41用作测量 由光接收单元28接收的激光束强度的测量部分。该检査装置根据该强度 检测该照射激光束的通过位置。
接着，以下将描述离子源6的位置调节。
图7A是表示装配离子源6的传统方法的示意图。
为了装配离子源6的装配法兰4，用水平方向内的两个参照孔和垂直 方向内的两个螺钉孔形成外壳5。通过两个参照管脚32定位装配法兰4， 通过两个螺钉31装配装配法兰4。
由于外壳5内部生成真空，因此大气压力将装配法兰4推向外壳5， 用于密封装配法兰4和外壳5之间的空间的O-环被均匀变形，以提供离 子源6的位置精确度。
在以上方法中，似乎两个参照管脚32处的0-环的变形不均匀，离子 源6相对于作为中心线的连接两个螺钉31的线微微倾斜。
从这一事实可以估计到开口 16的一侧(图3A)明显大于其磨损中的 另一侧。
在以上情况下，在此实施例中，参照管脚32也被螺旋拧紧，并且如 图7B所示通过螺钉31紧固四个点。
所以，开口 16两侧的变形量是均匀的，并且还减小了该变形量。因 此，在源头2处产生的离子可以被有效地制造成离子束。
根据此系统，装配法兰4至少在不在同一条线上的三个点处被可靠地 螺旋拧紧。离子源装置l包括盒体(外壳5)，被固定到盒体的一个端面 并被插入到盒体内部的离子源(源头2),和被布置在盒体内部的引出电 极，该离子源装置1从离子源向盒体的另一个端面侧引出离子束。在盒
体的一个端面上的至少不在同一条线上的三个点处固定离子源。
如上所述，作为高精度实施引出电极3和离子源6的中心调节的结果，
可以明显改进以下性能。
到目前为止，将灯丝装配到源头2后能够立即获得大约140[A]的电 流。但是，当灯丝的电流减小到大约80[A]时，离子束变得不稳定并且引 出电极3和加速/减速电极之间的绝缘恶化。(虽然省略了该实施例的描 述，但是加速/减速电极位于引出电极3附近)。相反地，即使根据此实施例的中心调节后灯丝电流低于大约80[A]的 情况下，绝缘仍然是极好的，并且离子束仍然是稳定的。
到目前为止，每2至5天更换一个新源头2。相反地，根据此实施例 的中心调节后，源头2最长可以使用大约14天，源头2的更换频率减小 至大约1/3。
结果，由于延长了源头2的寿命，因此每一个源头2处理晶片80(图 1)的数目可以被增加大约4倍。
该上述实施例可以获得以下优点。
(1) 可以在实际的离子束轴上照射激光束。
(2) 由于改进了中心调节的精度，因此明显抑制了开口 16的磨损， 和沉积在引出电极3上的沉淀的产生，由此可以极大地减小离子源装置1 的维护频率。即，可以明显延长半导体制造装置IOO的连续运行时间。
(3) 由于可以在空气中实施引出电极3的中心调节，因此不必在几个 小时内在半导体制造装置100中生成真空。还有，当备有备用离子源装 置i，并在半导体制造装置100中有选择地使用时，可以在调节另一个离 子源装置1时用一个离子源装置1操作半导体制造装置100。
(4) 在离子源装置1中结合中心调节机构的情况下，需要高温电阻结 构。但是，由于可以将光发射单元55和反射镜56分幵附着到离子源装 置l，因此不需要高温电阻结构。
(5) 中心调节操作较简便，并且即使不是本领域的操作者也可以简便 地实施外壳5的组装和中心调节。还有，可以消除操作者带来的中心调 节中的差异。
权利要求
1、一种当调节引出电极的位置时使用的离子束检查装置，该引出电极从离子注入半导体内的半导体制造装置中的离子源引出离子束，该离子束检查装置包括激光束照射装置，在离子束轴上从离子源侧朝引出电极照射激光束；和通过位置检测装置，检测该照射的激光束通过引出电极的通过位置。
2、 根据权利要求1的离子束检查装置，其中通过位置检测装置包括 反射镜，安装在离子束将被定位的引出电极的位置上；和 测量单元，测量由该反射镜反射的激光束的强度，并且 其中通过该测量的激光束的强度检测该照射的激光束的通过位置。
3、 根据权利要求1的离子束检查装置，其中通过位置检测装置包括 光接收装置，安装在离子束将被定位的引出电极的位置上；和 测量单元，测量由该光接收装置接收的激光束的强度，并且 其中通过该测量的激光束的强度检测该照射的激光束的通过位置。
4、 根据权利要求2或3的离子束检查装置，进一步包括位置调节装 置，调节引出电极的位置以便使测量的激光束的强度变为最大。
5、 一种当调节引出电极的位置时实施的离子束检查方法，该引出电 极从离子注入半导体内的半导体制造装置中的离子源引出离子束，该离 子束检查方法包括由激光束照射装置在离子束轴上从离子源侧朝引出电极照射激光 束；和由通过位置检测装置检测该照射的激光束通过引出电极的通过位置。
6、 一种具有离子源和从该离子源引出离子束的引出电极的半导体制 造装置，该装置将引出的离子束照射到半导体以将离子注入该半导体内， 该半导体制造装置包括.-激光束照射装置，在离子束轴上从离子源侧朝引出电极照射激光束； 通过位置检测装置，检测该照射的激光束通过引出电极的通过位置；和调节装置，调节引出电极的位置以便使该检测的通过位置变为离子 束的通过位置。
7、 一种离子源装置包括 机壳；离子源，固定到机壳的一个端面并插入到机壳内部；和 引出电极，安装在机壳内部中并朝着机壳的另一个端面侧从离子源 引出离子束，其中在机壳的一个端面上，将离子源固定于不在同一行内的至少三 个位置上。
全文摘要
离子束检查装置、离子束检查方法、半导体制造装置以及离子源装置。源头的中心轴和引出电极排在一条直线上，并通过激光束确定该直线和离子束轴是否同轴。因此，将离子束轴上的发射激光束的光发射单元装配到外壳以代替源头，并将反射激光束的反射镜装配到引出电极。光发射装置还具有检测激光束的功能以检测由反射镜反射的激光束，并将该检测的激光束的强度发送到控制单元。调节引出电极的位置以便使激光束的强度变为最大，由此离子束轴可以和离子源及引出电极的中心轴相重合。
文档编号H01J37/244GK101303956SQ200810125878
公开日2008年11月12日 申请日期2008年4月9日 优先权日2007年4月9日
发明者伊藤雅彰 申请人:精工电子有限公司