专利名称：荫罩式等离子体显示器后基板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种荫罩式等离子体显示板，具体地说是一种荫罩式等 离子体显示器后基板。
背景技术：
一般的障壁式等离子体平板显示器由前基板和后基板两部分组成前基 板结构包括前基板玻璃、汇流电极、介质层和覆盖在介质层上的氧化镁层， 后基板结构包括后基板玻璃、寻址电极、介质层、障壁及覆盖在障壁侧面和 介质层上的三基色荧光粉层。前基板上的氧化镁层用于保护介质层免受放电 粒子轰击和降低屏的工作电压，后基板上的介质层由于被荧光粉层覆盖而无 需氧化镁层保护。与之不同，荫罩式等离子体平板显示器由前基板、荫罩、 后基板三部分组成，前基板结构与障壁式的前基板结构类似，三基色荧光粉 层被涂覆在荫罩上，这样后基板结构除了后基板玻璃、寻址电极、介质层外， 还要在介质层上覆盖一层氧化镁以保护介质。因此，后基板介质层上制作一 层氧化镁层的要求增加了荫罩式等离子体平板显示器的制造工序。
目前采用最多的是利用真空镀膜法制备薄膜氧化镁层，这种方法制得的 氧化镁层既能保证基板透明性又能保护介质，是障壁式等离子体平板显示器 前基板氧化镁层的主要制作方法，同样也适用于荫罩式等离子体平板显示器 的前后基板氧化镁层制作。由于荫罩式等离子体平板显示器的后基板不需要 很好的透明性，所以其后基板的制作存在以下不足之处①制造工序复杂， 不利于产品成品率增加；②由于氧化镁层采用真空镀膜法制备，需要价格昂 贵的连续真空镀膜设备，相对于制造障壁式等离子体平板显示器后基板而言， 增加了设备投入和产品制造成本；③真空镀膜法制得的氧化镁薄膜易受外界 环境影响，对储存环境有严格的要求，增加了产品制造成本。 发明内容本实用新型的目的针对现有荫罩式等离子体显示器后基板制造工艺复 杂，成本高的问题，提供一种制造工艺简单、制造成本更低、产品成品率更 高的荫罩式等离子体显示器后基板。
本实用新型的技术方案是
一种荫罩式等离子体显示器后基板，它包括后基板玻璃、在后基板玻璃 上形成的寻址电极其特征是在所述的后基板玻璃和寻址电极上还通过丝网印 刷或刮涂形成有一层兼具介质层和介质保护层功能的后基板介质层，该后基 板介质层的主要成份为氧化镁，氧化镁的质量百分比为5%-100%;后基板介
质层的厚度为15 40微米。
本实用新型的后基板介质层可釆用丝网印刷法制备，将氧化镁粉与粘结 剂配制成丝网印刷用浆料后印制于具有电极的后基板玻璃上，再经高温烧结而成。
本实用新型具有以下优点-
①本实用新型的荫罩式等离子体显示板后板结构简单，制造工序减少，
降低了因制造工序复杂引起的产品成品率增加；②本实用新型的后基板介质 层采用丝网印刷法制造，不再需要价格昂贵的连续真空镀膜设备来形成氧化 镁介质保护层，大大降低设备成本投入和产品制造成本；③本实用新型的后 基板介质层属于厚膜，不再像真空镀膜法形成的氧化镁薄膜那样对储存环境 有严格的要求，从而降低产品制造成本。
图1是本实用新型的结构示意图。
图中l为后基板玻璃，2为寻址电极，3为后基板介质层。
具体实施方式
下面结构附图和实施例对本实用新型作进一步的说明 实施例1 如图l所示。
一种荫罩式等离子体显示板后基板，由后基板玻璃1、寻址电极2、后 基板介质层3三部分组成。 后基板玻璃1是普通的浮法钠钙玻璃，也可以是PDP专用的高应变点平 板玻璃，如旭硝子生产的PD200玻璃。寻址电极2可用金属银电极，电极图 形通过丝网印刷法直接形成图形或通过光敏银浆曝光显影制得图形，再经烧 结而成。后基板介质层3是由纯氧化镁构成的厚膜，膜厚为15 40微米。
具体实施时，后基板介质层3可采用丝网印刷法制备，将氧化镁粉与粘 结剂配制成丝网印刷用浆料后印制于具有寻址电极2的后基板玻璃1上，再 经高温烧结而成。
实施例2
一种荫罩式等离子体显示板后基板，由后基板玻璃1、寻址电极2、后 基板介质层3三部分组成。后基板玻璃1是普通的浮法钠钙玻璃，也可以是 PDP专用的高应变点平板玻璃，如旭硝子生产的PD200玻璃。寻址电极2可 用金属银电极，电极图形通过丝网印刷法直接形成图形或通过光敏银浆曝光 显影制得图形，再经烧结而成。后基板介质层3是主要由氧化镁构成的厚膜， 氧化镁的质量百分比为5%_100%，并存在一定的含铅低熔点玻璃，膜厚为15 40微米。
具体制备时，后基板介质层3可采用丝网印刷法制备，将氧化镁粉与粘 结剂配制成丝网印刷用浆料后印制于具有寻址电极2的后基板玻璃1上，再 经高温烧结而成。后基板介质层3还可采用刮涂法制备，将氧化镁粉与粘结 剂配制成适合刮涂的浆料后刮涂于具有寻址电极2的后基板玻璃1上，再经 高温烧结而成。
实施例3
后基板玻璃1是普通的浮法钠钙玻璃，也可以是PDP专用的高应变点平 板玻璃，如旭硝子生产的PD200玻璃。寻址电极2可用金属银电极，电极图 形通过丝网印刷法直接形成图形或通过光敏银桨曝光显影制得图形，再经烧 结而成。后基板介质层3是主要由氧化镁构成的厚膜，氧化镁的质量百分比 为5%-100%，并存在一定的无铅低熔点玻璃，膜厚为15 40微米。后基板介 质层3可采用丝网印刷法制备，将氧化镁粉与粘结剂配制成丝网印刷用浆料 后印制于具有寻址电极的后基板玻璃l上，再经高温烧结而成。后基板介质 层3还可采用刮涂法制备，将氧化镁粉与粘结剂配制成适合刮涂的浆料后刮 涂于具有寻址电极2的后基板玻璃1上，再经高温烧结而成。
权利要求1. 一种荫罩式等离子体显示器后基板，它包括后基板玻璃(1)、在后基板玻璃(1)上形成的寻址电极(2)，其特征是在所述的后基板玻璃(1)和寻址电极(2)上还通过丝网印刷或刮涂形成有一层兼具介质层和介质保护层功能的厚度为15～40微米的后基板介质层(3)。
专利摘要一种荫罩式等离子体显示板后基板，其结构包括后基板玻璃、寻址电极、后基板介质层三部分。后基板介质层的主要成分为氧化镁，且采用丝网印刷法制作。本实用新型提供了一种制造工艺简单、制造成本低、产品成品率高的荫罩式等离子体显示板。
文档编号H01J17/02GK201270236SQ20082004117
公开日2009年7月8日 申请日期2008年7月31日 优先权日2008年7月31日
发明者雄 张, 朱立锋, 林青园, 樊兆雯, 王保平, 王晓宾 申请人:南京华显高科有限公司