等离子体显示面板的制造方法和制造装置的制作方法

专利名称：等离子体显示面板的制造方法和制造装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及等离子体面板的制造方法和制造装置。
本发明基于2007年6月15日在日本申请的专利申请2007-158704号主 张优先权，在此引用其内容。
背景技术：
一直以来，等离子体显示面板(以下称为"PDP")在显示装置领域被 广泛利用，最近则要求大画面、高品质且低价格的PDP。
PDP是前面基板和背面基板通过封接材被粘结，内部封入有放电气体的 显示面板。在前面基板上形成有维持电极和扫描电极并在背面基板上形成有 寻址电才及的三电极面》丈电型PDP成为了主流。如果向扫描电才及和寻址电^L 之间施加电压产生放电，被封入的放电气体将等离子体化并发射紫外线。通 过该紫外线，形成于背面基板的荧光体被激发，从而发射可见光。
这种PDP的制造工序通常包括分别形成前面基板和背面基板的工序(前 面基板工序和背面基板工序)，和将两基板粘结的工序(面板化工序)。在 该制造工序中，从在前面基板形成应对等离子体放电的保护膜开始到对前面 基板与背面基板进行粘结为止的期间，H2和H20、 CO、 N2、 C02等杂质气 体有时会吸附在保护膜上。在这些杂质气体附着的状态下，保护膜的二次电 子发射系数变小，其结果PDP的放电电压有可能变高。于是，在两基板的 封接工序中，安装排气管并进行加热真空排气(排气烘烤)来进行面板内的 净化。此外，进行时效处理(工一-y夕、、)，即，在填充》欠电气体之后，施 加AC电压来放电，降低面板的放电电压使放电特性稳定化(例如，参照专 利文献1 )。
5专利文献l:日本专利第3830288号公报
可是，上述净化是在两基板的封接之后，通过排气管，在排气传导量非 常小的状态下进行。今后，由于PDP更向细微化发展，排气传导量会进一 步下降。因此，净化需要数小时(2 6小时)。另外，时效处理需要3 15 小时。即，存在面板化工序的生产能力下降的问题。
另一方面，前面基板工序中的保护膜形成工序的生产能力由于成膜速率 的提高和成膜装置的大型化而被缩短。在此，为了使整体PDP生产线的生 产能力与保护膜形成工序的生产能力相同，需要许多封接、时效处理装置。 在该情况下，导致能量消耗量增大，这成为了降低PDP的制造成本的重大 课题。

发明内容
本发明为解决上述课题而产生，其目的在于，提供能够实现生产能力提 高和节能的等离子体面板的制造方法和制造装置。
为了达到上述目的，本发明采用了以下手段。即，本发明的等离子体显 示面板的制造方法为向封接的第 一基板和第二基板之间填充放电气体而成 的等离子体显示面板的制造方法，具有通过将形成有应对等离子体放电的 保护膜的所述第一基板在真空中或被控制的气氛中加热到280。C以上，使杂 质气体从所述保护膜脱离的第 一脱气工序；和抵接所述杂质气体从所述保护 膜脱离后的所述第 一基板与所述第二基板并进行封接的封接工序。
根据上述等离子体显示面板的制造方法，由于在抵接第一基板与第二基 板之前的排气传导量大的状态下使杂质气体从保护膜脱离，因此能够在短时 间内进行净化。此外，由于将保护膜加热到280。C以上，因此能够脱离约70% 的吸附在保护膜上的杂质气体(参照图6)。即，能够使封接后的面板内的 杂质气体含量下降。由此，能够稳定面板的放电电压，可以实现时效处理时 间的缩短或不再需要进行时效处理。因此，能够实现等离子体显示面板制造 中的生产能力的提高和节能。在所述第一脱气工序之前，也可以进一步具有在真空中或被控制的气氛 中在所述第一基板上形成所述保护膜的保护膜形成工序，从所述保护膜形成 工序到所述第 一脱气工序之间，所述第 一基板被保持在真空中或被控制的气 氛中。
在该情况下，能够抑制杂质气体吸附于保护膜上，其结果能够实现等离 子体显示面板制造中的生产能力的提高和节能。
在所述第一脱气工序之前，也可以进一步具有将形成有所述保护膜的所
述第一基板在真空中加热到350。C以上，从而使杂质气体从所述保护膜脱离 的预备脱气工序，从所述预备脱气工序到所述第一脱气工序之间，所述第一 基板被保持在真空中。
在该情况下，通过将第一基板加热到35(TC以上，能够使在保护膜形成 过程中吸附的杂质气体脱离，此外，能够抑制在第一基板的放置过程中吸附 新的杂质气体。由此，除了缩短净化时间之外，还能够实现时效处理时间的 缩短或不再需要进行时效处理。其结果为，能够实现等离子体显示面板制造 中的生产能力的提高和节能。此外，由于能够在保护膜形成工序和封接工序 之间使第一基板处于等待状态，灵活的工序设计成为可能，其结果能够进一 步提高等离子体显示面板制造中的生产能力。
在所述第一脱气工序之前，也可以进一步具有将形成有所述保护膜的所 述第一基板在大气中或被控制的气氛中加热到350。C以上，从而使杂质气体 从所述保护膜脱离的预备脱气工序。
在该情况下，由于在大气中或被控制的气氛中加热第一基板，因此从保 护膜形成工序到封接工序为止，不需要将第一基板保持在真空中。由此，灵 活的工序设计进一步成为可能，其结果能够提高等离子体显示面板制造中的
生产能力。
也可以在将气氛中的所述杂质气体的浓度保持在指定值以下的状态下 进行所述封接工序。
在该情况下，能够使封接后的面板内的杂质气体含量下降。由此，能够实现时效处理时间的缩短或不再需要进行时效处理，其结果为，能够实现等 离子体显示面板制造中的生产能力的提高和节能。
在所述第一脱气工序中，在所述第一基板与所述第二基板相互对向配置 的状态下，也可以向所述第一基板和所述第二基板之间导入载气，使得从所 述第一基板或从所述第二基板脱离的所述杂质气体的平均自由程比所述第 一基板与所述第二基板的间隔短。
在该情况下，能够防止从第一基板和第二基板之中的一个基板脱离的杂 质气体入射到另一个基板上。由此，能够实现时效处理时间的缩短或不再需 要进行时效处理，其结果能够实现等离子体显示面板制造中的生产能力的提 高和节能。
所述载气可以是与所述放电气体相同种类的气体。
在该情况下，由于不需要设置新的载气供给设备，其结果能够降低制造
成本o S
在所述封接工序之前，可以进一步具有在真空中或被控制的气氛中加热 配设有荧光体和封接材的所述第二基板，从而使所述杂质气体从所述荧光体 和所述封接材脱离的第二脱气工序。
在该情况下，能够使荧光体和封接材中的杂质气体的吸附量下降。因此， 能够实现时效处理时间的缩短或不再需要进行时效处理，其结果能够实现等 离子体显示面板制造中的生产能力的提高和节能。
在所述第二脱气工序之前，可以进一步具有在真空中或被控制的气氛中 向所述第二基板涂敷封接材的封接材涂敷工序，从所述封接材涂敷工序到所 述第二脱气工序之间，所述第二基板被保持在真空中或被控制的气氛中。
在该情况下，能够使封接材中的杂质气体的吸附量进一步下降。因此， 能够实现时效处理时间的缩短或不再需要进行时效处理，其结果能够实现等 离子体显示面板制造中的生产能力的提高和节能。
在所述封接工序中，可以导入所述杂质气体的分压在2.0 Pa以下的所述 放电气体。在该情况下，能够使封接后的面板内的杂质气体的含量下降。由此，等 离子体显示面板的放电电压稳定，因而能够实现时效处理时间的缩短或不再 需要进行时效处理。因此，能够实现等离子体显示面板制造中的生产能力的 提高和节能。
在所述封接工序之前，可以进一步具有在真空中或被控制的气氛中，在 所述封接工序中的封接温度以上的温度下，预备加热所述第 一基板和所述第 二基板的工序。
在该情况下，能够在使第 一基板和第二基板中的杂质气体的吸附量进一 步下降的状态下进行封接。因此，能够实现时效处理时间的缩短或不再需要 进行时效处理，其结果能够实现等离子体显示面板制造中的生产能力的提高 和节能。
另一方面，本发明的等离子体显示面板的制造装置为具备在真空中或被 控制的气氛中封接第 一基板和第二基板的封接室的等离子体显示面板的制 造装置，所述封接室被构成为，在使所述第一基板与所述第二基板抵接之前， 形成有应对等离子体放电的保护膜的所述第 一基板在真空中或被控制的气
氛中被加热到280 。C以上。
根据上述等离子体显示面板的制造装置，在抵接第 一基板与第二基板之 前加热保护膜，从而使杂质气体从保护膜脱离，因此能够在短时间内进行净 化。此外，能够在成膜室中连续进行保护膜的脱气和两基板的封接，因此能 够使封接后的面板内的杂质气体的含量下降。由此，能够使等离子体显示面 板的放电电压稳定，因而能够实现时效处理时间的缩短或不再需要进行时效 处理。因此，能够实现等离子体显示面板制造中的生产能力的提高和节能。
可以进一步具备在所述第一基板上形成所述保护膜的成膜室，从所述成 膜室到所述封接室，所述第 一基板被保持在真空中或被控制的气氛中。
在该情况下，由于能够进一步抑制杂质气体向保护膜吸附，因而能够使 封接后的面板内的杂质气体的含量下降。因此，能够实现等离子体显示面板
制造中的生产能力的提高和节能。可以进一 步具备在真空中或被控制的气氛中加热配设有焚光体和封接 材的所述第二基斧反的加热室，从所述加热室到所述封接室，所述第二基^反4皮 保持在真空中或被控制的气氛中。
在该情况下，由于能够抑制杂质气体向第二基板的荧光体和封接材吸 附，因而能够使封接后的面板内的杂质气体的含有量下降。因此，能够实现 时效处理时间的缩短或不再需要进行时效处理，其结果能够实现等离子体显 示面板制造中的生产能力的提高和节能。
可以进 一 步具有在真空中或被控制的气氛中向所述第二基板涂敷封接 材的涂敷室，从所述涂敷室到所述加热室以及所述封接室，所述第二基板被 保持在真空中或被控制的气氛中。
在该情况下，由于能够进一步抑制杂质气体向封接材吸附，因而，能够 使封接后的面板内的杂质气体的含量下降。因此，能够实现等离子体显示面 板制造中的生产能力的提高和节能。
可以在所述封接室中设置能够测定所述气氛中的所述杂质气体的浓度 的气体分析设备。
在该情况下，通过监视封接室中的杂质气体的浓度，能够使封接后的面 板内的杂质气体的含量下降。由此，能够实现时效处理时间的缩短或不再需 要进行时效处理，其结果能够实现等离子体显示面板制造中的生产能力的提 高和节能。
所述封接室可以被构成为，在使所述第一基板与所述第二基板抵接之 前，在真空中或被控制的气氛中，所述第一基板和所述第二基板在封接温度 以上的温度下被预备加热。
在该情况下，能够在使第 一基板和第二基板中的杂质气体的吸附量进一 步下降的状态下进行封接。因此，能够实现时效处理时间的缩短或不再需要 进行时效处理，其结果能够实现等离子体显示面板制造中的生产能力的提高 和节能。
发明效果根据本发明的等离子体显示面板的制造方法，由于在抵接第 一基板与第二基板之前的排气传导量大的状态下使杂质气体从保护膜脱离，能够在短时间内进行净化，并且不需要进行封接工序中的净化。此外，由于将保护膜加
热到280。C以上，因此能够使吸附于保护膜上的杂质气体的大部分脱离。即，能够使封接后的面板内的杂质气体的含量下降。由此，能够使面板的放电电压稳定，从而能够实现时效处理时间的縮短或不再需要进行时效处理。因此，能够实现等离子体显示面板制造中的生产能力的提高和节能。
此外，根据本发明的等离子体显示面板的制造装置，在使第一基板与第二基板抵接之前加热保护膜，使杂质气体从保护膜脱离，因此能够在短时间内进行净化。此外，由于能够在成膜室中连续进行保护膜的脱气和两基板的封接，因此能够使封接后的面板内的杂质气体的含量下降。由此，能够使等离子体显示面板的放电电压稳定，从而能够实现时效处理时间的缩短或不再需要进行时效处理。因此，能够实现等离子体显示面板制造中的生产能力的提高和节能。


图1为三电极AC型等离子体显示面板的分解立体图2A为PDP的平面图2B为沿着图2A的A-A线的侧面剖^L图3为本发明第一实施方式的PDP制造方法的流程图4为本发明第一实施方式的PDP制造装置的框图5为封接室的概略结构图6为表示通过加热进行的来自保护膜的放出气体量的测定结果的曲线图7为表示前面基板加热中的水分的离子电流值的曲线图8为表示前面基板加热中的二氧化碳气体的离子电流值的曲线图9A为表示本发明第一实施方式的PDP制造过程中的两基板的加热温度变化的曲线图9B为表示现有技术的PDP制造过程中的两基板的加热温度变化的曲线图IO为表示时效试验结果的曲线图；图11为表示时效试验结果的曲线图12为表示利用升温脱附法的来自保护膜的放出气体测定结果的曲线
图13为本发明的第二实施方式的PDP制造装置的框图；图14为本发明的第三实施方式的PDP制造装置的框图。符号说明
1前面基板，2背面基板，14保护膜，17荧光体，20封接材，50等离子体显示面板制造装置，64成膜室，82封接室，96残余气体分析仪(气体分析设备)，IOO等离子体显示面板，S66保护膜形成工序，S78封接材涂敷工序，S84封接工序，S801第一脱气工序，S802第二脱气工序
具体实施例方式
以下，将参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中所使用各附图中，为了使各部件成为能够识别的大小，适当变更了各部件的尺寸。此外，以下所述基板的"内面"是指，该基板的两个表面中，与该基板成对的基板侧的表面。(等离子体显示面板)
图1为三电极AC型等离子体显示面板的分解立体图。该等离子体显示面板(以下称为"PDP，， ) 100具有对向配置的前面基板(第一基板)1和背面基板(第二基板)2、形成于两基板l、 2之间的多个放电室16。
在前面基板1的内面，以指定的间隔条紋状地形成有显示电极12 (扫描电极12a和维持电极12b)。该显示电极12由ITO等透明导电性材料和总线电极构成。形成有电介质层13以覆盖该显示电极12，形成有保护膜14以覆盖该电介质层13。该保护膜14用于保护电介质层13免受由放电气体的等离子体化产生的阳离子的影响，由MgO或SrO等碱土金属的氧化物构成。
另一方面，在背面基板2的内面，以指定的间隔条紋状地形成有寻址电极ll。该寻址电极11 一皮配置为与上述显示电才及12正交。该寻址电才及ll与显示电极12的交点成为PDP100的像素。
形成有电介质层19以覆盖该寻址电才及11。此外，在相邻的寻址电才及11之间的电介质层19的上面，与寻址电极11平行地形成有间隔壁(肋)15。进一步地，在相邻的间隔壁15之间的电介质层19的上面和间隔壁15的侧面，配设有荧光体17。该荧光体17发出红、绿、蓝中的任意一种荧光。
图2A为PDP的平面图。上述前面基板1和背面基板2通过配置在这些基板的内面的边缘部的封接材20被粘结。
图2B为沿着图2A的A-A线的侧面剖-f见图。如图2B所示，通过粘结前面基板1和背面基板2，在相邻的间隔壁15之间形成放电室16。在该放电室16的内部，封入有由Ne和Xe的混合气体等组成的放电气体。
向PDP100的寻址电极11和扫描电极12a之间施加直流电压产生对向放电，进一步地向扫描电极12a和维持电极12b之间施加交流电压时产生面放电。于是，封入在放电室16内的放电气体等离子体化，放射出紫外线。焚光体17被该紫外线激发，其结果从前面基板l发射出可见光。(PDP制造方法、制造装置)
图3为本发明第一实施方式的PDP制造方法的流程图。PDP的制造工序大体上分为面板工序(S50)和组件装配工序(S52)两部分。该面板工序(S50 )分为前面基板工序(S60 )、背面基板工序(S70 )和面板化工序(S训)三部分。
在前面基板工序(S60)中，首先在前面基板1上形成成为显示电极12的透明电极(S62)。具体地，利用溅射法等在前面基板1上形成ITO或Sn02等透明导电膜，通过将形成的透明导电膜图案化得到显示电极12。然后，为了降低得到的显示电极12的电阻，利用賊射法等在该显示电极12上形成由金属材料构成的辅助电极(总线电极)(S63)。进一步地，以这些显示电极12和辅助电极的保护以及壁电荷的形成为目的，利用印刷法等在这些电极上形成厚度20~40pm的电介质层13并煅烧(S64)。之后，为了保护形成的电介质层13和提高二次电子发射效率，利用电子束蒸镀法等在该电介质层13上形成厚度700 1200nm的保护膜14 ( S66 )。
在背面基板工序(S70)中，首先在背面基板2上形成由Ag、 Cr/Cu/Cr或Al构成的寻址电极ll (S72)。然后，在寻址电极11上形成用于保护形成的寻址电极11的电介质层19 (S74)。进一步地，为了增加放电空间和荧光体17的发光面积，利用喷砂法等在电介质层19上形成多个间隔壁15(S75)。还有，喷砂法为在基板上涂敷成为间隔壁材料的玻璃糊，在涂敷的玻璃糊干燥后使掩模材料形成图案，在高压下向其喷上氧化铝或玻璃珠等研磨剂，从而形成多个指定形状的间隔壁的方法。然后，利用丝网印刷法等将荧光体17涂敷在相邻的间隔壁15之间，并干燥。之后，以约500。C的程度煅烧干燥的焚光体17 (S76)。然后，在背面基板2的边缘，在加热该背面基板2的同时涂敷封接材20 ( S78 )。
图4为本发明第一实施方式的PDP制造装置的框图。在PDP制造装置50中，前面基板作业线60的后端、背面基板作业线70的后端和面板化作业线80的前端分别与运送室55相连。该PDP制造装置50是在真空中或祐:控制的气氛中连续实施图3所示PDP制造过程中被双点划线包围的范围50的装置。另外，被控制的气氛是指例如被控制为指定压力的惰性气体气氛。此外，由于图4所示前面基板作业线60中的保护膜形成工序的生产节拍时间(夕夕卜夕一厶)与面板化作业线80中的面板化工序的生产节拍时间相比非常短，因此对于一个前面基;^反作业线60可以连4^多个面^1化作业线80。
图4所示的前面基板作业线60设置有收纳形成完电介质层13的前面基板1的装入室(真空排气室)61、将前面基板1加热到150 350。C程度的加热室62和利用电子束蒸镀法等形成保护膜14的成膜室64。另外，从成膜
14室64到后述的封接室82，设成可以将前面基板保持在真空中或被控制的气 氛中。在本实施方式中，将前面基板1加热到250°C，在其表面形成厚度约 800nm的MgO月莫作为l呆护月莫14。
此外，背面基板作业线70设置有收纳配设有萸光体17和封接材20的 背面基板2的装入室76和加热背面基板2的加热室77。另外，从加热室77 到后述的封接室82，设为可以将背面基板保持在真空中或被控制的气氛中。 在该加热室77中，进行图3所示第二脱气工序(S802)。即，通过加热背 面基板2，使杂质气体从荧光体和封接材脱离。具体地，在使N2气和02气 流动的同时将加热室77保持在200Pa左右，并在约450。C下加热背面基板2 三小时左右。另外，也可以将加热室77保持在10-5Pa的真空中，并在420~430 。C下加热背面基板2三小时左右。为了提高背面基板作业线70的生产能力， 可以同时进行多个背面基板2的加热，也可以设置多个加热室，或者将这些 结合起来。
另一方面，图4所示面板化作业线80设置有封接室82,用于进行前面 基板1和背面基板2的对准、放电气体的导入和两基板1、 2的封接。如此， 在同 一 个处理室中进行从两基板的对准到封接，能够抑制杂质气体向两基板 吸附。由此，除了缩短净化时间，还能够实现时效处理时间的缩短或不需要 进行时效处理。
图5为封接室的概略结构图。封接室82具有能够承受真空至19.6N/cm2G 程度的压力的腔室90。在腔室90的顶面配设有用于支撑前面基板1的多个 钩机构91a。为了加热;故该钩机构91a支撑的前面基板1,与腔室90的顶面 大致平行地设置有加热板91。另一方面，在腔室90的底面配设有用于支撑 背面基板2的多个支杆机构92a。为了加热被该支杆机构92a支撑的背面基 板2，在腔室9的下部，与底面大致平行地设置有加热板92。另外，代替这 种通过热辐射来加热两基板的方式，也可以使用静电卡盘机构来支撑两基 板，并通过利用4妻触的热传递或通过介入气体的热传递来加热两基4反。
在腔室90的一个侧面设置有放电气体供》合设备94。放电气体供》会设备94具有质量流量计(Mass Flow Controller; MFC ) 94a和朝向腔室90的中央 部而开口的气体喷嘴94b。此外，在腔室90的另一个侧面设置有由涡轮分 子泵等构成的真空排气系统95。另外，为了调整排气速度，可以在真空排 气系统95上设置传导量可变阀。
此外，在腔室90设置有残余气体分析仪(Residual Gas Analyzer; RGA ) 96。该残余气体分析仪96由四极型质谱仪等构成。另外，四极型质谱仪必 须在指定压力以下工作。于是，为了将导入到四极型质谱仪的分析管内的被 测定气体减压到指定压力以下，设置有差动排气系统或气体导入用毛细管 等。
此外，虽然没有图示，但在腔室90安装有真空计。此外在腔室卯的大 气侧，设置有用于进行两基板的对准的CCD摄像机机构。
在上述封接室82中，进行图3所示面板化工序(S80)。
在面板化工序(S80)中，进行加热前面基板1并使杂质气体从保护膜 脱离的第一脱气工序(S801)。进一步地，进行两基板的对准工序(S82) 和放电气体导入以及封接工序(S84)。另外，在必要的情况下，还进行短 时间的时效处理工序(S86)。
具体地，首先将封接室82的内部利用真空排气系统95排气，并保持为 真空或被控制的气氛。然后，将形成有保护膜14的前面基板1，保持在真 空中或被控制的气氛中的状态下，运送到封接室82，并用设置在封接室82 上部的钩机构91a来支撑。于是，在真空中或被控制的气氛中，通过加热板 91将前面基板1加热到280。C以上，使杂质气体从保护膜脱离(第一脱气工 序；S801 )。
图6为表示通过加热进行的来自保护膜的放出气体量的测定结果的曲 线图，横轴记录前面基板1的加热温度，纵轴记录放出气体量。本发明的发 明人在5 x l(T2Pa的成膜压力下形成厚度约800nm的由MgO构成的保护膜， 并利用升温脱附法(Thermal Desorption Spectroscopy; TDS)测定来自该4呆 护膜的放出气体量。其结果，如图6所示，证实了放出气体量的小峰值存在于约140。C，大峰值存在于约280°C。
图7和图8为表示在前面基板的加热中利用残余气体分析仪测定的特定 气体的离子电流值(相当于特定气体的分压的量)的曲线图。此外，特定气 体的离子电流值与从保护膜的特定气体脱离量成比例地上升。图7为水分 (H20;质荷比m/e-18)的离子电流值，图8为二氧化碳气体(C02;质荷 比m/e二44)的离子电流值。在图7的水分的情况下，证实了与图6相同地， 小峰值存在于约140°C,大峰值存在于约280°C。在图8的二氧化碳气体的 情况下，证实了只有大峰值存在于约280°C。
从图6到图8的结果来看，约140。C的峰值被认为起因于较弱地吸附于 MgO的水分子由于加热而脱离。此外，约280。C的峰值被认为起因于，MgO 吸收气氛中的二氧化碳气体和水分而形成的碳酸氢氧化镁(4MgCCVMg (OH) 2.5H20)由于加热而分解脱离。
此外，从图6的结果可知，如果将前面基板1加热到证实了大峰值的 28(TC以上，则放出吸附于保护膜的杂质气体的70%以上。因此，在本实施 方式中，将形成有保护膜的前面基板1在真空中或被控制的气氛中加热到 280。C以上(第一脱气工序；S801)。
然后，将形成有荧光体和封接材的背面基板保持在真空中或被控制的气 氛中的状态下，运送到图5所示的封接室82,并由设置在封接室82下部的 支杆机构92a来支撑。而后，在真空中或在被控制的气氛中将前面基板1和 背面基板2保持在280。C以上。在此，也可以将两基板加热到封接温度。在 封接温度为280。C以下的情况下，可以仅将前面基板1加热到280。C以上。
在此，需要防止在相互对向配置的前面基板1和背面基板2之中，从一 面基板脱离的杂质气体入射到另一面基板上。于是，向前面基板l和背面基 板2之间导入指定压力的载气，使得从一面基板脱离的杂质气体的平均自由 程短于该基板与对向配置的另一面基板的间隔。在此，平均自由程是指，在 气体中自由移动的粒子，在与同种或异种粒子接连碰撞的情况下，粒子在相 继碰撞之间飞行的距离的平均值。如果导入载气，由于脱离的杂质气体与载气相碰撞，因此平均自由程将变短。如果杂质气体的平均自由程短于两基板 的间隔，便能够防止从一 面基板脱离的杂质气体入射到另 一 面基板上。另夕卜， 通过导入载气，能够迅速地排出从一 面基板脱离的杂质气体。
作为上述导入的载气，可以采用&或02、 N2、 Ar、 Ne、 Xe、 CDA( Clean Dry Air)等。特别地，作为载气，优选采用与封入在PDP中的放电气体同 一种类的放电气体。这是因为，如图5所示，由于封接室82设置有放电气 体供给设备94,因此不需要另外设置载气供给设备，其结果能够抑制制造 成本的增加。在该情况下，可以将放电气体供给设备94和真空排气系统95 对向配置，使由放电气体供给设备94供给的放电气体在两基板1、 2之间流 通，并通过真空排气系统95排气。
然后，进行图3所示的对准工序(S82)和放电气体导入以及封接工序 (S84)。具体地，在图5所示的封接室82中，通过设置在腔室90的大气 侧的CCD摄像机机构(未图示)来读取前面基板1和背面基板2的对准标 记，进行两基斧反l、 2的对位(S82)。
然后，通过放电气体供给设备94导入放电气体。在此，优选导入杂质 气体的分压在2.0Pa以下的放电气体。由此，将能够使封接后的面板内的杂 质气体的含量下降。
然后，使钩机构91a和支杆机构92a在腔室内部伸长使得前面基板1和 背面基板2相互抵接。在两基板l、 2被加压的状态下，将封接材20加热到 430 450。C的程度来封接两基板1、 2(S84)。另外，也可以将封接材20加 热到430 450°C的程度，然后〗吏钩才几构91a和支杆才几构92a在腔室内部伸长 使得前面基板1和背面基板2相互抵接，并将两基板l、 2加压来封接。封 接后的面板被运送到图4所示的冷却、取出室84，冷却到约15(TC，之后取 出。
上述第一脱气工序优选进行至封接室内的杂质气体的浓度下降到指定 值以下。此外，上述封接工序优选在将封接室内的杂质气体的浓度保持在指 定值以下的状态下进行。具体地，从第一脱气工序到封接工序，通过图5所示的残余气体分析仪96来测定腔室90内的H2AH20、 CO、 N2 、 C02等 杂质气体的分压。特别地，优选测定H20和C02的分压。另外，在进行上 述测定时，通过驱动与残余气体分析仪96相连接的差动排气系统或利用毛 细管，使分析管内的压力不升高。此外，在利用残余气体分析仪96换算分 压时，预先利用He来校正，根据测定的气体来确定换算系数。
在此，在第一脱气工序中，作为促使杂质气体浓度下降的方法，有(l) 延长前面基;f反的加热时间的方法和(2)升高前面基才反的加热温度的方法。 在(2)的情况下，有报告证实，例如将加热温度从370。C设定到390。C时， 杂质气体的浓度下降到指定值以下的时间缩短约一半。另外，也可以同时采 用(1 )和(2)的方法。
在本实施方式中，使封接室内的杂质气体浓度下降到20ppm以下。这 是因为有报告证实，如果杂质气体的浓度至少为20ppm，则使AC型PDP 的工作电压增加。
于是，在将封接室内的杂质气体浓度保持在指定值以下的状态下进行封 接工序。由此，能够使面板内的杂质气体的含有量下降。因此，能够实现时 效处理时间的缩短或不再需要进行时效处理，其结果能够实现PDP制造中 的生产能力的提高和节能。
图9A和图9B为表示在PDP制造过程中两基板1、 2的温度变化的曲 线图。图9A为本实施方式的情况，图9B为现有技术的情况。在图9B表示 的现有技术的PDP的制造过程中，在前面基板工序中在约250。C下形成保护 膜之后，在面板工序中在常温下(大气中)进行两基板的对准。接着，在面 板化工序中在约45(TC下进行两基板的封接之后，在约350。C下进行净化。 这样，在现有技术中，由于加热周期变多、工序间的温度变化变大，因此在 PDP的制造过程中的能量消耗量增大，且其生产能力降低。
与此相对地，在图9A所示的本实施方式的PDP的制造过程中，在前面 基板工序中在约250。C下形成保护膜之后，在面板工序中在约280。C下进行 通过两基板的加热进行的净化(第一脱气工序)和对准。接着，在约450。C
19下进行两基板的封接。这样，在本实施方式中，由于加热周期变少、工序间 的温度变化变小，因此与现有技术的情况相比较，能够降低在PDP的制造 过程中的能量消耗量，且能够使其生产能力提高。
本发明的发明人对于以现有方法制作的PDP和以本实施方式的方法制 作的PDP,进行时效试验并对初期特性进行了评价。本试验中的PDP的保 护膜14使用形成为膜厚800nm的MgO,此外，作为放电气体以66.5kPa的 压力导入Ne-4%Xe。
另外，在本实施方式的PDP的制作中，在将形成保护膜后的前面基板 在封接室中加热到280。C以上(第一脱气处理)之后，封接两基板。与此相 对地，在现有技术的PDP的制作中，在将形成保护膜后的前面基板在真空 中放置120分钟之后，封接、密封两基板。另外，在两基板的封接中，在 350°C下进行卯分钟的净化。
图10为表示时效试验结果的曲线图。Vfn为最终单元起动电压(最終 七少点灯電圧)，Vsmn为最终停止电压(最終消灯電圧)。在放置在真空 中的现有技术的PDP的情况下(图IO中虚线的曲线)，最终单元点灯电压 Vfn和最终熄灯电压Vsmn均高，此外达到电压稳定需要约20分钟。其原因 被认为是由于杂质气体的净化不充分。与此相对地，在本实施方式的PDP 的情况下(图IO中实线的曲线)，最终单元点灯电压Vfn和最终熄灯电压 Vsmn均低，并且从最初开始便稳定。其原因被认为是由于通过第一脱气处 理充分进行杂质气体的净化。
从上述结果证实了，通过采用本实施方式的PDP的制造方法和制造装 置，能够实现时效处理时间的缩短或不再需要进行时效处理。因此，能够提 高PDP制造中的生产能力。此外，能够降低功耗，其结果能够实现节能。
置后的特性变动进行了评价。具体地，在70。C的高温槽中放置了 48小时之 后，进行与上述相同的时效试验。
图11为表示时效试验结果的曲线图。在本实施方式的PDP中，相对于图10所示的;^文电电压(实线)，图11所示的^:置后的PDP的^L电电压几 乎没有变化。与此相对地，在现有技术的PDP中，由于杂质气体的净化不 充分，导致放置后放电电压上升。
从上述结果证实了，在本实施方式的PDP中，由于通过封接前的第一 脱气处理充分进行杂质气体的净化，因此面板内的杂质气体的含量下降，且 放电电压不上升。由此，能够实现时效处理时间的缩短或不再需要进行时效 处理。与此同时，还能够实现在PDP的制造中的生产能力的提高和节能。
如上详述，本实施方式的PDP的制造方法具有通过将形成有保护膜 的前面基板在真空中或在被控制的气氛中加热到280。C以上，使杂质气体从 保护膜脱离的第一脱气工序；和接着第一脱气工序，使前面基板与背面基板 抵接的封接工序。
根据上述PDP的制造方法，由于在抵接前面基板与背面基板之前的排 气传导量大的状态下使杂质气体从保护膜脱离，能够以短时间进行净化，于 是，不需要进行封接工序中的净化。此外，由于将保护膜加热到280。C以上， 能够脱离约70%以上的吸附于保护膜上的杂质气体(参照图6),因此，能 够使封接后的面板内的杂质气体的含量下降。由此，能够使面板的放电电压 稳定，因此能够实现时效处理时间的缩短或不再需要进行时效处理。因此， 能够实现在PDP的制造中的生产能力的提高和节能。
此外，在本实施方式的PDP制造方法中，在前面基4反上形成保护膜之 后，将前面基板保持在真空中或被控制的气氛中的状态下，进行上述第一脱 气工序。即，从保护膜形成工序到第一脱气工序之间，前面基板被保持在真 空中或被控制的气氛中。
该情况下，由于能够抑制杂质气体向保护膜吸附，因此能够以短时间进 行第一脱气工序。从而，能够实现在PDP的制造中的生产能力的提高和节 能。
进一步地，在本实施方式的PDP制造方法中，在将配设有荧光体和封 接材的背面基板在真空中或在被控制的气氛中加热，从而使杂质气体从荧光体和封接材脱离的第二脱气工序之后，进行封接工序。
在该情况下，由于能够使荧光体和封接材中的杂质气体的吸附量下降， 因此能够使面板的放电电压稳定。从而，能够实现时效处理时间的缩短或不 再需要进行时效处理，其结果能够实现在PDP的制造中的生产能力的提高
和节能。
在上述PDP的制造方法中，优选在真空中或被控制的气氛中向背面基 板涂敷封接材的封接材涂敷工序之后，将背面基板保持在真空中或被控制的 气氛中的状态下，进行上述第二脱气工序。即，从封接材涂敷工序到第二脱 气工序之间，背面基板保持在真空中或被控制的气氛中。
在该情况下，能够使封接材中的杂质气体的吸附量下降。因此，能够实 现时效处理时间的缩短或不再需要进行时效处理，其结果能够实现在PDP 的制造中的生产能力的提高和节能。
此外，在上述封接工序之前，优选具有在封接工序中的封接温度以上的 温度下，预备加热前面基寿反和背面基斧反的工序。
一般地，两基板的封接温度(封接材熔化的温度)为约420~430°C，但 根据图6的曲线图，在该封接温度以上加热的情况下，也放出杂质气体(被 认为是从玻璃基板放出的气体)。于是，在封接工序之前，在封接温度以上 的温度(例如450°C )下，对前面基板和背面基板进行预备加热。该预备加 热工序可以在封接室中接着第一脱气工序进行或者与第一脱气工序同时进 行。由此，能够在使前面基板和背面基板中的杂质气体的吸附量进一步下降 的状态下进行封接。因此，能够实现时效处理时间的缩短或不再需要进行时 效处理，其结果能够实现在PDP的制造中的生产能力的提高和节能。 (第二实施方式)
接下来，对本发明的第二实施方式的PDP制造方法和制造装置进行说明。
第二实施方式与第一实施方式的不同点在于，在针对前面基板的保护膜 形成工序和第一脱气工序之间具备预备脱气工序。另外，对于与第一实施方式相同的结构的部分，省略其详细说明。
图12为表示利用升温脱附法(TDS)的来自保护膜的放出气体测定结 果的曲线图。在图12中，以实线来表示加热时间与基板温度的关系。此外， 以虚线来表示将形成保护膜后的前面基板真空保持卯分钟之后，进行TDS 的情况(a)下的加热时间与放出气体压力的关系。此外，以单点划线来表 示形成保护膜之后直接进行TDS的情况(b)下的加热时间与放出气体压力 的关系。此外，以双点划线来表示在将形成保护膜后的前面基板加热到450 。C,并在140。C下真空保持120分钟之后，进行TDS的情况(c)下的加热 时间与放出气体压力的关系。
从(b)的结果可知，即使在保护膜形成工序中也有杂质气体吸附。此 外从(b)与(a)的比较可知，由于90分钟的真空保持，杂质气体的吸附 量大幅增加。这被认为是，在保护膜形成过程中，所有的杂质气体被吸附， 进一步地，在真空保持过程中，特别是H20被吸附。与此相对地，认为在 (c)中，由于通过将形成保护膜后的前面基板加热到450°C，在保护膜形成 过程中吸附的杂质气体脱离，因此仅放出在140。C下120分钟的真空保持过 程中吸附的杂质气体。
如果详细比较(b)和(c),在基板温度为约280。C以上的区域中，与 (c)相比(b)的放出气体量多。这被认为是，由成膜过程中吸附的杂质气 体(主要是C02 )与MgO之间的反应生成的碳酸氢氧化镁(4MgCCVMg( OH) 2-5H20)分解，从而放出C02。另外，在基板温度为200。C以下的区域中， 与(b)相比(c)的放出气体量多。这被认为是，由120分钟的真空保持较 弱地吸附于MgO上的H20分子^皮放出。
这样，可以认为在(b)中仅放出在保护膜形成过程中吸附的杂质气体， 在(c)中仅放出在真空保持过程中吸附的杂质气体，在(a)中则放出在两 方面中吸附的杂质气体。但(c)的放出气体量，比(a)和(b)的差小。 从上述结果可知，如果预先加热保护膜形成后的前面基板，在其后的真空保 持过程中杂质气体变得难以吸附。此外，(c)的放出气体量为(a)的1/3以下，对于PDP来说是不构成 问题的水平。认为，如果特别缩短(c)的真空保持时间，则与(b)相比， 放出气体量变少。于是，在本实施方式中采用(c)的方法。
图13为第二实施方式的PDP制造装置的框图。第二实施方式的PDP 制造装置52与图4所示的第一实施方式的PDP制造装置50的不同点在于， 在前面基板作业线60中的成膜室64的下游侧具备加热室66。
在第二实施方式的PDP制造方法中，与第一实施方式相同地进行保护 膜形成工序。具体地，在图13所示的成膜室64中，在前面基板上形成保护 膜。然后，在将形成保护膜后的前面基板保持在真空中的状态下，在加热室 66中将前面基板加热到350。C以上(预备脱气工序)。
如上所述，由于在保护膜形成过程中吸附的杂质气体与MgO之间的反 应，在保护膜中生成了碳酸氢氧化镁。通过将形成有该保护膜的前面基板加 热到35(TC以上，能够可靠地分解碳酸氬氧化镁，从而除去在保护膜形成过 程中吸附的杂质气体(主要是C02)。此外，虽然在保护膜形成过程中进入 了 H2、 C、 H20、 CO、 C02等杂质，但通过在预备脱气工序中将前面基板加 热到35(TC以上，能够将这些杂质去除。根据图6的曲线图，通过将前面基 板加热到35(TC以上，能够使90%以上的杂质气体从保护膜脱离。
然后，在将加热后的前面基板保持在真空中的状态下，经过运送室55 向封接室82运送。另外，运送中的前面基板优选保持在IO(TC以上。在图5 所示的封接室82中，与第一实施方式相同地，以钩机构91a来支撑前面基 板1。而后，在真空中或被控制的气氛中，通过加热板91将前面基板1加 热到28(TC以上(第一脱气工序)。由此，使在前面基板的真空运送中吸附 于保护膜上的杂质气体脱离。
之后，将形成有荧光体和封接材的背面基板2运送到封接室82,进行 与前面基板1的封接。
另外，在封4矣室82中，也可以在4吏前面基板与背面基4反4氐接之前，实 施上述预备脱气工序。由于涂敷于背面基板的封接材目前的熔化温度为380。C 50(TC的程度，所以即使加热到35(TC封接材也不会熔化。然而，今后的 封接材的熔化温度有可能降低到350。C以下。在该情况下，优选同本实施方 式一样地，在与封^接室82不同的加热室66中，实施预备加热工序。
如上详述地，第二实施方式的PDP制造方法具有通过将形成有保护 膜的前面基板在真空中加热到35(TC以上，使杂质气体从保护膜脱离的预备 脱气工序；和在将预备脱气工序后的前面基板保持在真空中的状态下，将前 面基板加热到280。C以上的第一脱气工序。即，从预备脱气工序到第一脱气 工序之间，前面基才反被保持在真空中。
根据上述PDP制造方法，能够在预备脱气工序中使在保护膜形成过程 中吸附的杂质气体脱离，此外能够抑制在第 一基板的真空保持过程中吸附新 的杂质气体。由此，能够实现与保护膜刚刚形成之后的状态同等的杂质气体 吸附状态(参照图12),因此，能够缩短净化时间。此外，由于面板内的 杂质气体含量下降而能够使放电电压稳定，因此能够实现时效处理时间的缩 短或不再需要进行时效处理。因此，能够实现在PDP制造中的生产能力的 提高和节能。此外，由于能够在保护膜形成工序和封接工序之间使第一基板 处于等待状态，灵活的工序设计成为可能，其结果能够提高在PDP制造中 的生产能力。
在成膜室64中的保护膜形成工序的生产节拍时间与在封接室82中的面 板化工序的生产节拍时间相比非常短。因此，形成保护膜后的前面基板的等 待(放置)时间变长。于是，通过在该前面基板的等待过程中进行上述预备 脱气工序，能够防止在PDP的制造中生产能力下降。此外，也可以在预备 脱气工序后的加热室中，在该状态下使前面基板等待。而且，由于实施了预 备脱气工序，即使之后将前面基板放置相当长的时间，也能够抑制杂质气体 的吸附。由此，能够实现时效处理时间的缩短或不再需要进行时效处理。 (第三实施方式)
接下来，对本发明第三实施方式的PDP制造方法和制造装置进行说明。 与在上述第二实施方式的PDP制造方法中，在真空中进行预备脱气工序相对地，在第三实施方式的PDP制造方法中，在大气中或被控制的气氛 中进行预备脱气工序。另外，对于与第一实施方式或第二实施方式相同的结 构的部分，省略其详细说明。
如上述第二实施方式所述，如果在真空中进行预备脱气工序，能够大幅 降低对于保护膜的杂质气体吸附量。然而，即使在大气(存在有氧气的气氛) 中或被控制的气氛中进行预备脱气工序的情况(A)下，也能够与不进行预
备脱气工序的情况(B)相比，减小杂质气体的吸附量。具体地，将(A) 和(B)的前面基板在相对湿度50%的真空中放置30分钟之后，进行TDS 以测定放出气体量的结果，证实了 (A)的放出气体量与(B)相比少了约 30%。
除此之外，与(B)相比，在(A)中能够改善保护膜的结晶性。具体 地，(111)峰值强度增加且半幅值减小。此外能够大幅改善面板化后的放 电延迟。
而且，在大气中进行预备脱气工序的情况下，不需要在保护膜形成工序 之后直接进行封接工序，能够使工序具有灵活性。
图14为第三实施方式的PDP制造装置的框图。第三实施方式的PDP 制造装置53被分离为保护膜形成装置53a和面板化装置53b。保护膜形成装 置53a具备前面基板的装入室61、将前面基板加热到150 350。C左右的加热 室62、通过电子束蒸镀法等形成保护膜的成膜室64和前面基板的取出室 65a。另一方面，在面板化装置53b中，前面基板作业线60b的后端、背面 基板作业线70的后端、以及面板化作业线80的前端分别与运送室55相连。 背面基板作业线70和面板化作业线80被构成为与第一实施方式相同。与此 相对地，前面基板作业线60b仅具备前面基板的装入室61和加热室66而不 具备成膜室。
第三实施方式的PDP制造方法在保护膜形成装置53a的成膜室64中进 行保护膜形成工序。将前面基板从保护膜形成装置53a取出后，在加热装置 (未图示)中，将前面基板在大气中加热到350。C以上(预备脱气工序)。然后，将前面基板装入到面板化装置53b的装入室65b中，在加热室(緩沖 室)66中使前面基板在真空中或被控制的气氛中等待。另外，也可以在加 热室66中进行预备脱气工序。
然后，将前面基板运送到封接室82。于是，与第一实施方式相同地， 由图5所示的设置在封接室82上部的钩机构91a来支撑前面基板l，通过加 热板91在真空中或被控制的气氛中将前面基板1加热到28(TC以上(第一 脱气工序)。由此，使吸附于前面基板的保护膜上的杂质气体脱离。
之后，将形成有荧光体和封接材的背面基板2运送到封接室82，进行 与前面基板1的封接。
如上详述，第三实施方式的PDP制造方法具有通过将形成有保护膜 的前面基板在大气中或被控制的气氛中加热到350。C以上，使杂质气体从保 护膜脱离的预备脱气工序；和在真空中或被控制的气氛中将前面基板加热到 280。C以上的第 一脱气工序。
根据上述PDP的制造方法，通过将第一基板加热到35(TC以上，能够使 在保护膜形成过程中吸附的杂质气体脱离，此外，还能够抑制在第一基板的 放置过程中吸附新的杂质气体，从而能够缩短净化时间。此外，由于使面板 内的杂质气体含量下降，从而使放电电压稳定，因此能够实现时效处理时间 的缩短或不再需要进行时效处理。因此，能够实现在PDP制造中的生产能 力的提高和节能。此外，由于在大气中的加热能够廉价地实施，因此能够降 低制造成本。
在图14所示的成膜室64中的保护膜形成工序的生产节拍时间与在封接 室82中的面板化工序的生产节拍时间相比非常短。因此，对应于一个保护 膜形成装置53a,优选设置多个面板化装置53b。由于在本实施方式中，不 需要在真空中或被控制的气氛中将前面基板从保护膜形成装置53a运送到面 板化装置53b，因此能够设置任意个数的面板化装置53b。这样，根据本实 施方式，灵活的工序设计成为可能，其结果能够最大限度地提高在PDP的 制造中的生产能力。另外，本发明的技术范围并不局限于上述各实施方式，在不脱离本发明 主旨的范围内，包含对上述各实施方式施加各种变更。
即，各实施方式中所举出的具体材料和结构等只不过是一个示例，可以 进4亍适当的变更。
例如，虽然在上述实施方式中以由MgO构成的保护膜为例进行了说明， 但SrO或CaO等碱土金属氧化物，或由其它材料构成的保护膜也同样可以 适用于本发明。
产业上的利用可能性
可以提供能够实现生产能力的提高和节能的等离子体显示面板的制造 方法和制造装置。
权利要求
1、一种等离子体显示面板的制造方法，所述等离子体显示面板通过向封接的第一基板和第二基板之间填充放电气体而成，所述等离子体显示面板的制造方法的特征在于，具有通过将形成有应对等离子体放电的保护膜的所述第一基板在真空中或被控制的气氛中加热到280℃以上，使杂质气体从所述保护膜脱离的第一脱气工序；和抵接所述杂质气体从所述保护膜脱离后的所述第一基板与所述第二基板并进行封接的封接工序。
2、 根据权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法， 在所述第一脱气工序之前，进一步具有在真空中或被控制的气氛中在所述第一基板上形成所述保护膜的保护膜形成工序，从所述保护膜形成工序到所述第 一脱气工序之间，所述第 一基板被保持 在真空中或被控制的气氛中。
3、 根据权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法， 在所述第一脱气工序之前，进一步具有通过将形成有所述保护膜的所述第一基板在真空中加热到35(TC以上，使杂质气体从所述保护膜脱离的预备 脱气工序，从所述预备脱气工序到所述第一脱气工序之间，所述第一基板被保持在 真空中。
4、 根据权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法， 在所述第一脱气工序之前，进一步具有通过将形成有所述保护膜的所述第一基板在大气中或被控制的气氛中加热到35(TC以上，使杂质气体从所述 保护膜脱离的预备脱气工序。
5、 根据权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法，在将气氛中的所述杂质气体的浓度保持在指定值以下的状态下进行所述封接工序。
6、 根据权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法， 在所述第一脱气工序中，在所述第一基板与所述第二基板相互对向配置的状态下，向所述第一基板和所述第二基板之间导入载气，使得从所述第一 基板或从所述第二基板脱离的所述杂质气体的平均自由程比所述第一基板 与所述第二基板的间隔短。
7、 根据权利要求6所述的等离子体显示面板的制造方法， 所述载气是与所述放电气体相同种类的气体。
8、 根据权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法，在所述封接工序之前，进一 步具有通过将配设有荧光体和封接材的所述 第二基板在真空中或被控制的气氛中加热，使所述杂质气体从所述荧光体和 所述封接材脱离的第二脱气工序。
9、 根据权利要求8所述的等离子体显示面板的制造方法， 在所述第二脱气工序之前，进一步具有在真空中或被控制的气氛中向所述第二基板涂敷封接材的封接材涂敷工序，从所述封接材涂敷工序到所述第二脱气工序之间，所述第二基板被保持 在真空中或被控制的气氛中。
10、 根据权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法，在所述封接 工序中，导入所述杂质气体的分压在2.0Pa以下的所述放电气体。
11、 根据权利要求1所述的等离子体显示面板的制造方法， 在所述封接工序之前，进一步具有在真空中或被控制的气氛中，在所述封接工序中的封接温度以上的温度下，预备加热所述第一基板和所述第二基 板的工序。
12、 一种等离子体显示面板的制造装置，具备在真空中或被控制的气氛中 封接第一基板和第二基板的封接室，该等离子体显示面板的制造装置的特征在 于，所述封接室被构成为，在使所述第一基板与所述第二基板抵接之前，形成有应对等离子体放电的保护膜的所述第 一基板在真空中或被控制的气氛中被加热到280。C以上。
13、 根据权利要求12所述的等离子体显示面板的制造装置，进一步具备在所述第一基板上形成所述保护膜的成膜室，从所述成膜室到所述封接室，所述第 一基板被保持在真空中或被控制的气氛中。
14、 根据权利要求12所述的等离子体显示面板的制造装置，进一步具备在真空中或被控制的气氛中加热配设有荧光体和封接材的所述第二基板的加热室，从所述加热室到所述封接室，所述第二基板被保持在真空中或被控制的气氛中。
15、 根据权利要求14所述的等离子体显示面板的制造装置，进一步具备在真空中或被控制的气氛中向所述第二基板涂敷封接材的涂敷室，从所述涂敷室到所述加热室以及所述封接室，所述第二基板被保持在真空中或被控制的气氛中。
16、 根据权利要求12所述的等离子体显示面板的制造装置，在所述封接室中设置有能够测定所述气氛中的所述杂质气体的浓度的气体分析设备。
17、 根据权利要求12所述的等离子体显示面板的制造装置，所述封接室被构成为，在使所述第一基板与所述第二基板抵接之前，在真空中或被控制的气氛中，所述第 一基板和所述第二基板在封接温度以上的温度下被预备加热。
全文摘要
一种向封接的第一基板(1)和第二基板(2)之间填充放电气体而成的等离子体面板的制造方法，其特征在于，具有通过将形成有应对等离子体放电的保护膜的所述第一基板(1)在真空中或被控制的气氛中加热到280℃以上，使杂质气体从所述保护膜脱离的第一脱气工序；和抵接所述杂质气体从所述保护膜脱离的所述第一基板(1)与所述第二基板(2)并进行封接的封接工序。由于在使第一基板与第二基板抵接之前的排气传导量大的状态下使杂质气体从保护膜脱离，因此能够在短时间内进行净化。另外，由于将保护膜加热到280℃以上，能够脱离约70％的吸附在保护膜上的杂质气体。
文档编号H01J17/49GK101681759SQ200880017159
公开日2010年3月24日 申请日期2008年5月30日 优先权日2007年6月15日
发明者中塚雅斗, 仓内利春, 箱守宗人, 饭岛荣一 申请人:株式会社爱发科