专利名称：用于等离子体处理的电极组件、内部组件及其制造和分离方法
技术领域：
本发明涉及等离子体处理技术领域，更具体地，涉及用于等离子体处理的内部组 件技术领域，特别是指一种用于等离子体处理的电极组件及其他内部组件、以及这些组件 的制造和分离方法。
背景技术：
众所周知，等离子体反应室(plasma chamber)应用于半导体制造工艺中，用以在 半导体衬底、基片或晶片上沉积和刻蚀各种物质层。为了在等离子体反应室中产生等离子 体，该等离子体反应室内部需要被抽成真空，然后再注入前驱气体(precursor gas)，并将 射频能量耦合到等离子体反应室内。大体来说，等离子体刻蚀反应室分为两大类电感耦合 型等离子体反应室(inductive-coupled plasma chambers)和电容耦合型等离子体反应室 (capacitive-coupled plasma chambers)。在电感耦合型等离子体反应室中，射频能量主 要是以电感耦合的方式耦合到等离子体中，而在电容耦合型等离子体反应室中，射频主要 通过在射频放电表面(比如，气体喷头(shower head)或阴极(cathode))上通过电容放电 耦合到等离子体中。在等离子体处理中，必须严格控制反应室内部的处理温度，比如，反应气体温度或 等离子体温度。这可以部分地通过控制同时作用为气体喷头的电极的温度来实现。通常，电 极会被连接在一支撑部件上，业界也有人采用直接将电极与一温度控制元件连接在一起， 该温度控制元件同时作用为支撑部件。温度控制元件通常由金属(如铝)或其他具有高热 传导性的材料制成，其内部会设置若干加热线圈或液体冷却通道或气体冷却通道。为了控 制电极的温度，温度控制元件与电极通过机械连接方式或其他方式连接在一起。但是，已经 发现，在等离子体处理过程中，由于电极和结合有电极的温度控制元件之间具有不同的热 膨胀/收缩，这会引起电极变形或弯曲，更有甚者，会使电极破裂，从而影响等离子体处理 的均一性和加工。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种用于等离子体处理的电极组件，其克服现有技术 存在的问题与不足，解决了现有技术中电极和电极的支撑部件之间由于两者的热膨胀系数 差而导致电极的弯曲或开裂的问题。本发明的另一目的是提供一种用于等离子体处理的电极组件的制造方法，该制造 方法操作简单，由此制备的电极组件避免了在等离子体处理过程中电极弯曲或开裂，延长 了电极使用寿命，降低了使用成本，提高了等离子体反应室的稳定性，且结合牢固。本发明的另一目的是提供一种用于等离子体处理的电极组件的分离方法，该分离 方法操作简单，上述电极组件在适当条件下容易分离，从而利于更换部件，降低成本，适合 于大规模工业化生产。
本发明的再一目的是提供一种除上述电极组件以外的用于等离子体处理的内部 组件、以及这些组件的制造和分离方法。为了实现上述目的，本发明一方面提供了一种用于等离子体处理的电极组件，其 包括具有第一结合表面的支撑部件；电极，具有与所述第一结合表面配合的第二结合表 面；和在所述第一结合表面和所述第二结合表面之间的可熔性含氟聚合物薄膜层，所述可 熔性含氟聚合物薄膜层分别粘接所述第一结合表面和所述第二结合表面，并允许所述电极 和所述支撑部件之间由于热膨胀而导致的相对运动。根据本发明的另一方面，提供了一种上述的用于等离子体处理的电极组件的制造 方法，所述的制造方法包括以下步骤1)将可熔性含氟聚合物薄膜层置于所述支撑部件的所述第一结合表面和所述电 极的所述第二结合表面之间；2)置于高温环境中一段时间，使所述可熔性含氟聚合物薄膜层融化从而粘接所述 第一结合表面和所述第二结合表面；3)冷却后获得所述用于等离子体处理的电极组件。根据本发明的又一方面，提供了一种上述的用于等离子体处理的电极组件的分离 方法，所述的分离方法包括以下步骤1)将所述用于等离子体处理的电极组件置于高温环境中一段时间，使所述可熔性 含氟聚合物薄膜层融化从而将所述电极和所述支撑部件分开；2)冷却后获得分离的所述支撑部件、所述可熔性含氟聚合物薄膜层和所述电极。根据本发明的再一方面，提供了一种用于等离子体处理室的内部组件，包括第一 处理室部件，其具有第一连接表面；第二处理室部件，其与所述第一处理室部件相连接，并 具有与所述第一连接表面相邻的第二连接表面，所述第一处理室部件与第二处理室部件具 有不同的热膨胀系数；以及位于所述第一连接表面和所述第二连接表面之间的可熔性含氟 聚合物薄膜层，所述可熔性含氟聚合物薄膜层分别粘接所述第一连接表面和所述第二连接 表面，并允许所述电极和所述支撑部件之间由于热膨胀而导致的相对运动。根据本发明的再一方面，提供了一种前述内部组件的制造方法，其特征在于，所述 的制造方法包括以下步骤1)将可熔性含氟聚合物薄膜层置于所述第一处理室部件的所述第一结合表面和 所述第二处理室部件的所述第二结合表面之间；2)置于高温环境中一段时间，使所述可熔性含氟聚合物薄膜层融化从而粘接所述 第一结合表面和所述第二结合表面；3)冷却后获得所述用于等离子体处理的内部组件。根据本发明的再一方面，提供了一种前述内部组件的分离方法，其特征在于，所述 的分离方法包括以下步骤1)将所述用于等离子体处理的内部组件置于高温环境中一段时间，使所述可熔性 含氟聚合物薄膜层融化从而将所述第一处理室部件和所述第二处理室部件分开；2)冷却后获得分离的所述第一处理室部件、所述可熔性含氟聚合物薄膜层和所述 第二处理室部件。本发明采用可熔性含氟聚合物薄膜层分别连接电极和支撑部件，利用高温下可熔性含氟聚合物薄膜层熔融时产生强力粘接，从而将电极和支撑部件牢靠地连接在一起，操 作简便，并且可熔性含氟聚合物薄膜层允许所述电极和所述支撑部件之间由于热膨胀而导 致的相对运动，从而避免电极和支撑部件之间由于两者的热膨胀系数差而导致电极的弯曲 或开裂的问题，延长了电极使用寿命，降低了使用成本，提高了等离子体反应室的稳定性， 且上述粘接过程可逆，当需要更换部件如电极时，可将电极更换下来，换上新的电极，该分 离方法操作简单，部件更换方便，降低了成本，适合于大规模工业化生产。
图1是本发明的电极组件的一具体实施例的主视剖视示意图。图2是本发明的电极组件的另一具体实施例的主视剖视示意图。图3是本发明的可熔性含氟聚合物薄膜层的照片图。图4是本发明的电极组件的实际制造完成的照片图。图5是本发明的静电夹盘组件的具体实施例的主视剖视示意图。图6是本发明的反应腔室内衬组件的具体实施例的主视剖视示意图。
具体实施例方式为更好的理解本发明的内容，下面结合具体实施例作进一步说明。请参见图1所示，并结合参阅图3、图4，图1是本发明的电极组件的一具体实施例 的主视剖视示意图，该电极组件100包括支撑部件1、可熔性含氟聚合物薄膜层2和电极3。 支撑部件1具有第一结合表面10，电极3具有与所述第一结合表面10配合的第二结合表面 30，可熔性聚四氟乙烯薄膜层2在所述第一结合表面10和所述第二结合表面30之间分别 粘接所述第一结合表面10和所述第二结合表面30，并允许在等离子体处理过程中所述电 极3和所述支撑部件1之间由于热膨胀而导致的相对运动。所述电极3同时作用为气体喷头。电极可以由不同材料制成，比如由硅材料制成 或由SiC材料制成。由硅制成的电极可以由纯硅制成或包括一些掺杂材料的硅制成；由SiC 制成的电极可以是包括一主体层和一涂覆于该主体层的下表面上的由化学气相沉积产生 的碳化硅涂层，其中，主体层可以选择由烧结的碳化硅或热压的碳化硅制成。当然本发明也 适用于由其它合适材料(如石墨)制成的电极。所述电极3在等离子体反应室内作为RF 驱动电极，当然也可以不作为RF驱动电极(接地电极)。所述电极3具有多个气体喷射穿 孔31，较佳地，所述气体喷射穿孔31包括具有第一直径的第一部分气体喷射孔(未图示) 以及具有比所述第一直径小的第二直径的第二部分气体喷射孔(未图示)，当然也可以是 等直径圆柱形孔，为了解决微尘粒子污染问题，所述气体喷射孔31是在所述电极3上钻孔 后再对其进行退火而形成的。所述支撑部件1通过可熔性含氟聚合物薄膜层2可移动地连接到电极3上。支撑 部件1 一方面可以作为支撑部件使电极2被牢固地连接在一起，同时，也可以在其上设置一 些具有温度控制功能的部件，因而其也作用为温度控制元件，支撑部件2通常由具有高热 传导性能的材料(比如，铝)制成，并且还可以在其上设置电加热线圈，或在上面设置可以 通入不同温度的液体或气体通道，在这些通道内通入控温的流体。所述支撑部件1或温度 控制元件1包括向所述电极3提供加工气体的气体通道11。
可熔性含氟聚合物薄膜层2是一种可熔融加工的具有热塑性的含氟树脂的薄膜， 看上去是一种透明和清澈的塑料薄膜，就像一张典型的高射投影透明正片，其在高于其熔 融温度时会形成流体相(比如经过一定温度烘烤时会形成可流动的熔融态)，而在低于其 熔融温度时会形成固体相。该含氟聚合物的薄膜包括PFA (过氟烷基化物),PTFE (聚四氟乙 烯)、FEP(氟化乙烯丙稀共聚物)和ETFE(乙烯和四氟乙烯的共聚物)、PEEK(聚醚醚酮)、 PCTFE (聚三氟氯乙烯)等等。PFA树脂相对来说是比较新的可熔融加工的氟塑料。PFA的 熔点大约为580F (华氏温度)，密度为2. 13-2. 16g/cc (克/立方厘米)。PFA与PTFE和FEP 相似，但在302F以上时，机械性能略优于FEP，且可在高达500F下的温度下使用，它的耐化 学品性与PTEF相当。这些可熔性含氟聚合物薄膜在市场上均可很容易地购得，因而容易操 作和适于大规模生产。如，市场经销的PFA树脂有DUPONT公司的Teflon牌、Daikin公司 的 Neoflon 牌、Ansimont 公司的 Hthen 牌、Hoechst Celanese 公司的 Hostafl 牌等。所述可熔性含氟聚合物薄膜层2的厚度一般为10 μ m 90 μ m。其形成了一导热 的但电气绝缘的电气绝缘层，其作用在于热传导并且允许电极3(气体喷头)和支撑部件1 在温度波动时产生相对移动。上述用于等离子体处理的电极组件100的制造方法包括以下步骤1)将可熔性含氟聚合物薄膜层2置于所述支撑部件1的所述第一结合表面10和 所述电极3的所述第二结合表面30之间；2)置于高温环境中一段时间，使所述可熔性含氟聚合物薄膜层2融化从而粘接所 述第一结合表面10和所述第二结合表面30 ；3)冷却后获得所述用于等离子体处理的电极组件100。可熔性含氟聚合物薄膜层2在高温下融化并产生强大粘附，从而将支撑部件1和 电极3 “粘”在一起。在上述制造用于等离子体处理的电极组件的过程中，所述的高温环境 的温度为250-370°C，所述的一段时间是3 30分钟。请参阅图4，图4是本发明的电极组件的实际制造完成的照片图。图示中，电极为 4，可熔性含氟聚合物薄膜层为5，支撑部件为6。图中，可熔性含氟聚合物薄膜层5很好地 将电极4与支撑部件6连接在一起。对以上述制造方法制成的直径大小为300毫米的电极组件进行牵引试验，在 150°C下，对电极组件中的电极连续施加5个小时的大于75公斤的力量后，电极仍牢固地与 支撑部件相连接，因此，试验证明，可熔性含氟聚合物薄膜的粘接强度非常理想。使用时，将上述电极组件的支撑部件1按照一般方法安装到等离子体反应室中， 然后可以加工半导体衬底、基片或晶片等工艺件。所述气体喷头具有两种作用，一方面可以 作为气体喷头，向反应室内喷射和输入反应气体；另一方面，也作为等离子体反应室的导电 的上电极。加工气体通过支撑部件(温度控制元件)的中心孔提供。尽管电极3与支撑部 件1之间存在热膨胀系数差，可熔性含氟聚合物薄膜层2使得当等离子体吸收的RF功率导 致电极3加热升温时，电极3与支撑部件1可以相对运动从而避免电极弯曲或开裂，延长了 电极的使用寿命。当电极3腐蚀至一定程度需要更换时或支撑部件1损坏需要更换时，在现有技术 中就是将焊接在一起的支撑部件和电极丢弃，本发明的电极组件可以在合适条件下分离， 因为上述的制造过程可逆，可以逆向分开这两元件，从而便于更换其中某一元件，达到节省成本的目的。具体包括1)将所述用于等离子体处理的电极组件置于高温环境中一段时间，使所述可熔性 含氟聚合物薄膜层2融化从而将所述电极3和所述支撑部件1分开；2)冷却后获得分离的所述支撑部件1、所述可熔性含氟聚合物薄膜层2和所述电 极3。较佳地，所述高温环境的温度为250_400°C，所述一段时间是3 30分钟。如图2所示，在本发明的另一具体实施例中，电极组件200包括一环状的支撑部件 1’、可熔性含氟聚合物薄膜层2’和电极3’，支撑部件1’具有第一结合表面10’，电极3’具 有与所述第一结合表面10’配合的第二结合表面30’，可熔性含氟聚合物薄膜层2’在所述 第一结合表面10’和所述第二结合表面30’之间分别粘接所述第一结合表面10’和所述第 二结合表面30’，并允许所述电极3’和所述支撑部件1’之间由于热膨胀而导致的相对运 动。本实施方式中支撑部件1’与图1中所示不同之处在于支撑部件1’为一环状的，没有 与电极3’的第二结合表面30’全部连接在一起。所述电极3’是气体喷头，同时也是电极，它可以选用前述合适材料制成。所述电 极3’在等离子体反应室内作为RF驱动电极，当然也可以不作为RF驱动电极。所述气体喷 头具有多个气体喷射穿孔31’，较佳地，所述气体喷射穿孔31’包括具有第一直径的第一部 分气体喷射孔以及具有比所述第一直径小的第二直径的第二部分气体喷射孔，当然也可以 是等直径圆柱形孔，为了解决微尘粒子问题，所述气体喷射孔31是在所述气体喷头上钻孔 后再对所述气体喷头进行退火而形成的。上述用于等离子体处理的电极组件200的制造方法和分离方法同前述电极组件 100的制造方法，此处不再赘叙。本发明的精神也可以实施于除前述的其他用于等离子体处理室的内部组件，包 括第一处理室部件，其具有第一连接表面；第二处理室部件，其与所述第一处理室部件相 连接，并具有与所述第一连接表面相邻的第二连接表面，所述第一处理室部件与第二处理 室部件具有不同的热膨胀系数；以及位于所述第一连接表面和所述第二连接表面之间的可 熔性含氟聚合物薄膜层，所述可熔性含氟聚合物薄膜层分别粘接所述第一连接表面和所述 第二连接表面，并允许所述电极和所述支撑部件之间由于热膨胀而导致的相对运动。这些 内部组件可以是如静电夹盘组件、反应腔室内衬组件、挡环、等离子密封环、处理室内衬支 架等。前述的电极组件的制造方法和分离方法同样可以适用于其他用于等离子体处理室的 内部组件。如图5所示，图5是本发明的静电夹盘组件的具体实施例的主视剖视示意图，其 中，静电夹盘组件300包括放置静电夹盘的基座302、静电夹盘306以及连接二者的可熔性 含氟聚合物薄膜层304。所述静电夹盘306内部嵌设有电极308。在等离子体处理过程中， 可熔性含氟聚合物薄膜层304很好地将静电夹盘306与基座302连接在一起，并且允许二 者由于热膨胀而导致的相对运动。再请参阅图6，图6是本发明的反应腔室内衬组件的具体 实施例的主视剖视示意图。反应腔室内衬组件400包括反应腔室侧壁402、反应腔室内衬 406以及连接二者的可熔性含氟聚合物薄膜层404。同样地，在等离子体处理过程中，可熔 性含氟聚合物薄膜层404很好地将反应腔室侧壁402与反应腔室内衬406连接在一起，并 且允许二者由于热膨胀而导致的相对运动。以上仅为示例性地说明了一些内部组件的实施 方式，本发明所能实施的方式不限于上述举例。
需要说明的是，上面内容对本发明的两个具体实施例进行了描述，通过该描述，使 得本发明更加清楚，但是上述实施例是示例性的，而不是用于限制本发明范围的，比如本发 明的电极3可以不作为RF驱动电极，其也可以采用其它材料制造的电极，而支撑元件也不 局限于温度控制元件和可移动连接至温度控制元件的支持件，其包括一切为了加工需要而 需要连接至电极的其它部件。综上所述，本发明的用于等离子体处理的电极组件避免了电极弯曲或开裂，延长 了电极使用寿命，降低了使用成本，提高了等离子体反应室的稳定性，且结合牢固，其制造 方法操作简单，分离方法操作简单，部件更换方便，降低了成本，适合于大规模工业化生产。在此说明书中，本发明已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出 各种修改和变换而不背离本发明的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的 而非限制性的。
权利要求
一种用于等离子体处理的电极组件，包括具有第一结合表面的支撑部件；电极，具有与所述第一结合表面配合的第二结合表面；和在所述第一结合表面和所述第二结合表面之间的可熔性含氟聚合物薄膜层，所述可熔性含氟聚合物薄膜层分别粘接所述第一结合表面和所述第二结合表面，并允许所述电极和所述支撑部件之间由于热膨胀而导致的相对运动。
2.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述可熔性含氟聚合物薄膜层包括 以下材料中的一种PFA、PTFE、ETFE、FEP、PEEK、PCTFE。
3.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述可熔性含氟聚合物薄膜层的厚 度为 ΙΟμ90μ ο
4.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述支撑部件同时作用为一温度控 制元件。
5.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述电极是气体喷头式电极。
6.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述电极是RF驱动电极或接地电极。
7.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，所述电极是由硅材料制成的电极或 由石墨材料制成的电极或主要由SiC材料制成的电极。
8.一种根据权利要求1所述的电极组件的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包 括以下步骤1)将可熔性含氟聚合物薄膜层置于所述支撑部件的所述第一结合表面和所述电极的 所述第二结合表面之间；2)置于高温环境中一段时间，使所述可熔性含氟聚合物薄膜层融化从而粘接所述第一 结合表面和所述第二结合表面；3)冷却后获得所述用于等离子体处理的电极组件。
9.根据权利要求8所述的电极组件的制造方法，其特征在于，所述可熔性含氟聚合物 薄膜层包括以下材料中的一种PFA、PTFE, ETFE, FEP、PEEK、PCTFE。
10.根据权利要求8所述的电极组件的制造方法，其特征在于，所述的高温环境的温度 为250-400°C，所述的一段时间是3 30分钟。
11.根据权利要求8所述的电极组件的制造方法，其特征在于，所述可熔性含氟聚合物 薄膜层的厚度为10 μ m 90 μ m。
12.根据权利要求8所述的电极组件的制造方法，其特征在于，所述支撑部件同时作用 为一温度控制元件。
13.根据权利要求8所述的电极组件的制造方法，其特征在于，所述电极是气体喷头。
14.根据权利要求8所述的电极组件的制造方法，其特征在于，所述电极是RF驱动电极 或接地电极。
15.根据权利要求8所述的电极组件的制造方法，其特征在于，所述电极是由硅材料制 成的电极或由石墨材料制成的电极或主要由SiC材料制成的电极。
16.一种根据权利要求1所述的电极组件的分离方法，其特征在于，所述的分离方法包 括以下步骤1)将所述用于等离子体处理的电极组件置于高温环境中一段时间，使所述可熔性含氟聚合物薄膜层融化从而将所述电极和所述支撑部件分开；2)冷却后获得分离的所述支撑部件、所述可熔性含氟聚合物薄膜层和所述电极。
17.根据权利要求16所述的分离方法，其特征在于，所述可熔性含氟聚合物薄膜层包 括以下材料中的一种PFA、PTFE、ETFE、FEP、PEEK、PCTFE。
18.根据权利要求16所述的分离方法，其特征在于，所述高温环境的温度为 250-400°C，所述一段时间是3 30分钟。
19.根据权利要求16所述的分离方法，其特征在于，所述可熔性含氟聚合物薄膜层的 厚度为ΙΟμ 90μπ 。
20.根据权利要求16所述的分离方法，其特征在于，所述支撑部件是温度控制元件。
21.根据权利要求16所述的分离方法，其特征在于，所述电极是气体喷头式电极。
22.根据权利要求16所述的分离方法，其特征在于，所述电极是RF驱动电极或接地电极。
23.根据权利要求16所述的分离方法，其特征在于，所述电极是由硅材料制成的电极 或由石墨材料制成的电极或主要由SiC材料制成的电极。
24.—种用于等离子体处理室的内部组件，包括第一处理室部件，其具有第一连接表面；第二处理室部件，其与所述第一处理室部件相连接，并具有与所述第一连接表面相邻 的第二连接表面，所述第一处理室部件与第二处理室部件具有不同的热膨胀系数；以及位于所述第一连接表面和所述第二连接表面之间的可熔性含氟聚合物薄膜层，所述可 熔性含氟聚合物薄膜层分别粘接所述第一连接表面和所述第二连接表面，并允许所述电极 和所述支撑部件之间由于热膨胀而导致的相对运动。
25.根据权利要求24所述的内部组件，其特征在于，所述可熔性含氟聚合物薄膜层包 括以下材料中的一种PFA、PTFE、ETFE、FEP、PEEK、PCTFE。
26.根据权利要求24所述的内部组件，其特征在于，所述内部组件为选自下述部件之 一电极组件、静电夹盘组件、反应腔室内衬组件和等离子密封环组件。
27.一种根据权利要求24所述的内部组件的制造方法，其特征在于，所述的制造方法 包括以下步骤1)将可熔性含氟聚合物薄膜层置于所述第一处理室部件的所述第一结合表面和所述 第二处理室部件的所述第二结合表面之间；2)置于高温环境中一段时间，使所述可熔性含氟聚合物薄膜层融化从而粘接所述第一 结合表面和所述第二结合表面；3)冷却后获得所述用于等离子体处理的内部组件。
28.根据权利要求27所述的制造方法，其特征在于，所述可熔性含氟聚合物薄膜层包 括以下材料中的一种PFA、PTFE、ETFE、FEP、PEEK、PCTFE。
29.一种根据权利要求24所述的内部组件的分离方法，其特征在于，所述的分离方法 包括以下步骤1)将所述用于等离子体处理的内部组件置于高温环境中一段时间，使所述可熔性含氟 聚合物薄膜层融化从而将所述第一处理室部件和所述第二处理室部件分开；2)冷却后获得分离的所述第一处理室部件、所述可熔性含氟聚合物薄膜层和所述第二处理室部件。
30.根据权利要求29所述的分离方法，其特征在于，所述可熔性含氟聚合物薄膜层包 括以下材料中的一种PFA、PTFE、ETFE、FEP、PEEK、PCTFE。
全文摘要
本发明提供了一种用于等离子体处理的电极组件，其采用可熔性含氟聚合物薄膜层分别连接电极和支撑部件，利用高温下可熔性含氟聚合物薄膜层熔融时产生强力粘接，从而将电极和支撑部件牢靠地连接在一起，操作简便，并且可熔性含氟聚合物薄膜层允许所述电极和所述支撑部件之间由于热膨胀而导致的相对运动，从而避免电极和支撑部件之间由于两者的热膨胀系数差而导致电极的弯曲或开裂的问题，延长了电极使用寿命，降低了使用成本，提高了等离子体反应室的稳定性，且上述粘接过程可逆，当需要更换部件如电极时，可将电极更换下来，换上新的电极，该分离方法操作简单，部件更换方便，降低了成本，适合于大规模工业化生产。本发明的实施方式也可以适用其它用于等离子体处理室的内部组件。
文档编号H01J37/02GK101930890SQ200910053899
公开日2010年12月29日 申请日期2009年6月26日 优先权日2009年6月26日
发明者吴万俊 申请人:中微半导体设备(上海)有限公司