专利名称：：保护层及其制备方法以及包括保护层的等离子体显示面板的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种用于等离子体显示面板(PDP)的保护层、制备该保护层的方法以及包括该保护层的PDP。
背景技术：
：传统上，PDP的保护层通过在电介质层上沉积源材料形成，源材料由掺杂有适当掺杂剂的氧化镁(Mg0)形成，以改变带隙信息(例如，电子亲和性)、带隙能量、缺陷能级-F中心、施主能级、受主能级等。传统上，在制造源材料期间执行掺杂操作。
发明内容因此，本发明针对于PDP的保护层、制备保护层的方法以及包括保护层的PDP。因此，本发明实施例的特征是，提供一种用于PDP的保护层、制备该保护层的方法以及包括该保护层的PDP，其中在该保护层中减少了掺杂剂的损耗以保持包含掺杂剂的MgO的整体特性。因此，本发明实施例的另一个特征是，提供一种用于PDP的保护层、制备该保护层的方法以及包括该保护层的PDP，其中该保护层用于避免施主掺杂剂和受主掺杂剂之间的权衡/冲突(trade-offs/conflicts)。上述和其它特征与优点的至少一个可以通过一种用于PDP的保护层和主体层来实现，该PDP的保护层包括包含至少一种掺杂剂的掺杂源层，该主体层与该掺杂源层接触且包括从该掺杂源层扩散的至少一种掺杂剂。掺杂源层可包含施主掺杂剂、受主掺杂剂或其混合，或者可以包括包含施主掺杂剂的第一掺杂源层和包含受主掺杂剂的第二掺杂源层。施主掺杂剂可以是Sc、Al、Y、Ga、B、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Si、Cs、F、H禾口Er中的至少一禾中。受主惨杂剂可以是Li、Na、K、Ag、Cu、Ni、Ca、Sr、Ba、V、Zn、Cr、In、Hf、Zr、Ge和C中的至少一种。上述和其它特征与优点的至少一个也可以通过提供一种制造PDP的保护层的方法予以实现，该方法包括在基板上形成包含至少一种掺杂剂的掺杂源层，干燥该掺杂源层，以及在该掺杂源层上沉积主体层。制造PDP的保护层的方法还可以包括在基板上形成电介质材料层。掺杂源层可以通过采用喷涂、印刷、浸渍、旋涂和喷墨法的至少一种，通过包括包含该至少一种掺杂剂和溶剂的溶液，而形成到该基板上。该方法还可以包括烘焙该掺杂源层。在制造PDP保护层的方法中，其中沉积主体层包括在该掺杂源层上沉积Mg0，并且晶化在该掺杂源层上的该Mg0。制造PDP保护层的方法还可以包括在晶化MgO时从该掺杂源层扩散至少一种掺杂剂到Mg0。上述和其它特征与优点还可以通过PDP予以实现，该PDP包括第一基板和第二基板，彼此面对；阻挡肋，在第一基板和第二基板之间，并且通过划分在第一基板和第二基板之间的放电空间而限定多个放电单元；放电电极对，设置为越过多个放电单元；第一电介质材料层形成在放电电极对上；保护层，形成在第一电介质材料层上；寻址电极，设置为越过放电电极对；第二电介质材料层，形成在寻址电极上；以及荧光材料层，设置在多个放电单元的每一个中，其中保护层包括包含至少一种掺杂机的掺杂源层，并且包括主体层，该主体层与掺杂源层接触且包括从掺杂源层扩散的该至少一种掺杂剂。放电电极对可以包括维持电极和扫描电极，其中每个维持电极和扫描电极都可以包括透明电极和总线电极。掺杂源层可以包含施主掺杂剂和受主掺杂剂中的至少一种。掺杂源层可以包括包含施主掺杂剂和受主掺杂剂的第一掺杂源层以及包含受主掺杂剂的第二掺杂源层。第一掺杂源层可以形成在设置透明电极的区域上方的第一电介质材料层的部分上。第二掺杂源层可以形成在在成对的透明电极之间的放电间隙区域上方的第一电介质材料层的部分上。第二掺杂源层的宽度可以小于放电电极对的透明电极之间的放电间隙的宽度。第二掺杂源层的宽度可以为约0.01iim至约70iim。主体层可以包括MgO，其中接触掺杂源层的MgO区域的结晶尺寸可以大于接触第一电介质材料层的MgO区域的结晶尺寸。通过参考附图详细描述示范性实施例，本领域的普通技术人员将更易于理解上述和其它特征和优点，附图中图1A和图IB图解了根据实施例在形成PDP的保护层的方法中掺杂源层的示意图；图2A和图2B图解了根据另一实施例在形成PDP的保护层的方法中掺杂源层的示意图；图3A和图3B图解了根据另一实施例在形成PDP的保护层的方法中掺杂源层的示意图；图4A和图4B图解了根据另一实施例通过以液滴以外的形式施加源材料而形成为具有预定图案的掺杂源层；图5A至图5F图解了用于描述PDP保护层的实施例的截面图；图6图解了根据实施例的PDP的分解透视图；图7图解了沿着图6的I-I线获得的PDP的截面图；图8图解了根据实施例的PDP的保护层的扫描电子显微镜(SEM)图片；图9图解了根据实施例的PDP保护层的电流特性的线图；图10图解了根据实施例的PDP保护层的放电时间延迟特性的条线图；以及图11图解了根据实施例的PDP保护层的电荷损耗特性的条线图。具体实施例方式在此结合2008年12月8日提交到韩国知识产权局的标题为"ProtectiveLayerforPlasmaDisplayPanel,MethodofPreparingtheProtectiveLayer,andPlasmaDisplayPanelIncludingtheProtectiveLayer"的韩国专利申请No.10-2008-0124299的全文作为参考。现在，将在下面参考附图更加全面地描述示范性实施例；然而，它们可以以不同的方式予以实施，而不应解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该公开全面和完整且向本领域的技术人员全面传达本发明的范围。附图中，为了图解的清楚起见，可以夸大层和区的尺寸。还应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板"上"时，它可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在插入层。此外，应当理解的是，当层被称为在另一层"下"时，它可以直接在另一层下，也可以存在一个或多个插入层。另外，还应当理解的是，当层称为在两层"之间"时，它可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个插入层。相似的参考标号通篇指代相似的元件。下面，将参考附图描述根据实施例的PDP的保护层、形成保护层的方法以及包括保护层的PDP。首先，将描述形成用于PDP的保护层的掺杂源层的实施例。图1A图解了根据实施例的保护层的截面图。图IB图解了图1A的保护层的平面图。参考图1A和图1B，越过放电单元的放电电极对120可以形成在第一基板110上。放电电极对120可包括维持电极120X和扫描电极120Y。维持电极120X可包括透明电极121X和总线电极122X，扫描电极120Y也可以包括透明电极121Y和总线电极122Y。透明电极121X和121Y可以由透明、导电材料形成，以从放电单元Ce有效地传输光到外部。透明、导电材料可以是薄膜ITO。总线电极122X和122Y可以由具有优良导电性的导电材料形成，例如，银、铝、铜、镍等。总线电极122X和122Y可以具有延伸越过放电单元Ce的线状。透明电极121X和121Y可以分别从总线电极122X和122Y突出到放电单元Ce中。更具体地讲，参考图1B，总线电极122X和122Y可以具有彼此平行地延伸越过放电单元Ce的线状，透明电极121X和121Y可形成为分别从总线电极122X和122Y突出到放电单元Ce中，例如朝着放电单元Ce的中心突出。透明电极121X和121Y之间的放电间隙G可形成在放电单元Ce的中心。放电电极对120可以根据诸如气相沉积、光刻等方法形成。放电电极对120的源材料、形状、配置等仅为示例，因此，本实施例不限于此。例如，可以改变总线电极和透明电极的位置，并且可以不同地成形透明电极。第一电介质材料层130可以形成在第一基板110上，以覆盖放电电极对120。因此，可以防止由于与带电颗粒碰撞而对放电电极对120的损伤。第一掺杂源层141可以形成在第一电介质材料层130上。根据当前实施例的第一掺杂源层141可以采用诸如喷涂(spraying)、印刷、浸渍、旋涂等方法形成在第一电介质材料层130上。例如，第一掺杂源层141可以通过在第一电介质材料层130上喷涂溶液形成，该溶液通过将掺杂剂溶解在溶剂中而形成。传统地，在沉积操作期间，在MgO中的掺杂剂的性能以及因掺杂剂而形成的MgO的精细结构会损失，因此，保护层不能有效地起作用。换言之，难于保持用于形成保护层的源材料的整体性能。此外，当施主掺杂剂被掺入用于形成传统保护层的源材料中时，由于电子的顺利放电(smoothdischarge)会减少放电时间延迟。因此，全高清(FHD，fullhigh6definition)单一扫描会变得可能。然而，由于壁电荷损耗增加，放电稳定性会下降。相反，当受主掺杂剂被掺杂加入源材料中时，会减少壁电荷损耗，而对于FHD单一扫描应用，放电时间延迟变得太慢。因此，为了减少放电时间延迟和壁电荷损耗二者，可以制备同时掺杂有施主掺杂剂和受主掺杂剂二者的源材料，并且可以制备通过沉积上述制备的源材料或者沉积Mg0源材料而制造的保护层，其中该MgO源材料包括具有施主掺杂剂的MgO源材料和具有受主掺杂剂的MgO源材料。然而，因为掺杂剂表现出强烈的相互作用，所以由于施主掺杂剂和受主掺杂剂的冲突性能(conflictingproperty)会产生问题。然而，根据实施例，通过采用第一掺杂源层141间接掺杂掺杂剂，而不是将掺杂剂直接掺入MgO，可以保持用于形成保护层的源材料的整体性能，而不会由于施主掺杂剂和受主掺杂剂的冲突性能引起问题。在100重量份溶液中，掺杂剂量可以为从约0.001重量份至约50重量份。根据传统的直接掺杂方法，掺杂剂可以根据掺杂剂的溶解度掺入MgO，并且以热动力学平衡而晶化。然而，因为在本实施例中掺杂会在热动力学非平衡条件下发生，所以掺入MgO的掺杂剂量可根据放电特性来确定。如果掺杂剂量低于0.001重量份，则掺杂是无效的。相反，如果掺杂剂量高于50重量份，则MgO的结晶度会在掺杂期间下降，因此，不能顺利执行单元放电，且溅射阻力(sputteringresistance)会增力口。溶剂可以是有机溶剂，例如，乙醇等。此外，如果需要，各种添加剂可以加入溶液。掺杂剂可以是施主掺杂剂或受主掺杂剂，施主掺杂剂激发MgO以释放电子从而降低放电开始电压和放电时间延迟，受主掺杂剂抑制MgO释放电子以减少壁电荷损耗和电流损耗。此外，掺杂剂可以包括施主掺杂剂和受主掺杂剂二者。施主掺杂剂和受主掺杂剂的示例如下表l所示。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>根据当前实施例，可以制备施主掺杂剂、受主掺杂剂或者通过在溶剂中溶解其混合物而制备的溶液，并且可以任意地将施主掺杂剂、受主掺杂剂或通过在溶剂中溶解其混合物而制备的溶液喷涂在第一电介质材料层130上。从而，第一掺杂源层141可以无规则地形成在第一电介质材料层130上，例如，第一掺杂源层141无任何预定图案，如图1B所示。在溶剂被施加到第一电介质材料层130上后，可以执行干燥操作和/或烘烤(firing)操作。在这些操作期间，包含在溶剂液滴中的有机成分会被蒸发和/或会被烧掉(incinerate)。结果，会减少第一掺杂源层141的体积(mass)，因此，第一掺杂源层141的密度会因成分元素等的氧化而变高。从而，可以形成第一掺杂源层141，该第一掺杂源层141是固体且具有低体积和高密度。参考图2A和图2B，下面描述根据另一实施例的掺杂源层的形成。图2A图解了根据另一实施例的保护层的截面图。图2B图解了图2A的保护层的平面图。首先，可以制备其中溶解掺杂剂的至少两种类型的溶液。例如，可以制备其中溶解施主掺杂剂的第一溶液和其中溶解受主掺杂剂的第二溶液。可选地，可以制备其中溶解施主掺杂剂的第一溶液、其中溶解受主掺杂剂和施主掺杂剂的第三溶液。可选地，上述第二溶液和上述第三溶液可以制备为两种类型的溶液。可选地，可以制备其中溶解至少一种掺杂剂的溶液以及其中溶解至少一种元素的溶液。从而，至少两种类型的溶液被制成，并且被喷涂到第一电介质材料层130上。因此，第一掺杂源层142a和第二掺杂源层143a可以通过每个施加所制备的两种类型的两种溶液之一而形成。根据当前实施例，第一掺杂源层142a和第二掺杂源层143a可以通过随意施加上述两种类型溶液的任何一种而不规则地形成在第一电介质材料层130上。参考图3A和图3B，下面描述根据另一实施例的掺杂源层的形成。图3A图解了根据另一实施例的保护层的截面图。图3B图解了图3A的保护层的平面图。首先，如上所述，可以制备两种类型的溶液。因为施主掺杂剂激发电子释放，所以包含施主掺杂剂的溶液可以被施加到第一电介质材料层130的在放电电极对120上方的区域上以形成第一掺杂源层142b，其中放电电压被施加到该放电电极对120。因此，由于单元放电期间施主掺杂剂激发电子释放，所以可以减少放电开始电压和放电时间延迟，因此，会易于产生单元放电。相反，包含受主掺杂剂的溶液，能通过抑制单元放电而减少壁电荷损耗，可以被施加到第一电介质材料层130的区域上以形成第二掺杂源层143b。第二掺杂源层143b可以形成在维持电极120X和扫描电极120Y之间的放电间隙G中。更具体地，放电间隙G可以包括维持电极120X的透明电极121X与扫描电极120Y的透明电极121Y之间的空间。因此，在包括放电间隙的放电单元的区域中，可以减少壁电荷损耗和放电电流。根据当前实施例，第一掺杂源层142b可以这样形成，将包含施主掺杂剂和受主掺杂剂二者的第三溶液施加到第一电介质材料层130的在放电电极对120上方的区域上。第二掺杂源层143b可以这样形成，将包含受主掺杂剂的第二溶液施加到第一电介质材料层130的在放电间隙G上方的区域上。如上所述，第一掺杂源层142b和第二掺杂源层143b可以根据喷涂法或喷墨法的任何一种并通过采用掩模而形成到第一电介质材料层130的期望区域上。图4A和图4B图解了掺杂源层，该掺杂源层根据另一实施例通过以液滴之外的形式施加源材料而形成为具有预定的图案。包含施主掺杂剂的第一掺杂源层142c可以形成在第一电介质材料层130的在放电电极对120上方的区域上。第一掺杂源层142c可以通过施加第一溶液而形成。包含受主掺杂剂的第二掺杂源层143c可以形成在第一电介质材料层130的在放电间隙G上方的区域上。第二掺杂源层143c可以通过施加第二溶液而形成。第一掺杂源层142c和第二掺杂源层143c可以根据各种方法(例如，丝网印刷、狭缝涂覆、光刻等)且通过采用掩模而形成在第一电介质材料层130的期望区域中，以具有预定的图案。第二掺杂源层143c在放电间隙G上方的宽度WD可小于放电间隙G的宽度WG。如果第二掺杂源层143c的宽度WD大于放电间隙G的宽度WG，则电流会在维持电极120X和扫描电极120Y之间流动。因此，会发生单元放电电流损耗和壁电荷损耗。结果，不能顺利地8执行单元放电。通常，放电间隙G的宽度约为70iim，因此，第二掺杂源层143c可形成为具有在约0.01iim和约70iim之间的宽度。如果第二掺杂源层143c的宽度WD小于0.01ym，则掺杂可能无效。如果第二掺杂源层143c的宽度WD大于70m，则第二掺杂源层143c的宽度WD会大于放电间隙G，因此，放电电流会如上所述在维持电极120X和扫描电极120Y之间流动。结果，单元放电不能顺利地执行。尽管当前实施例提供了相对于具有预定图案的掺杂源层的示范性宽度，但是具有液滴形状的掺杂源层可以具有相同的示范性宽度。更具体地讲，液滴的宽度可以小于放电间隙G的宽度。尽管上面已经描述了掺杂源层的各种实施例，但是各实施例的掺杂源层不限于此。根据本发明的实施例，掺杂源层142c和143c可以利用掺杂源层间接掺杂掺杂剂而形成在第一电介质材料层130上，而不是将掺杂剂直接掺入MgO中。可选地，掺杂源层可以在部分沉积MgO后形成，然后沉积其余的MgO，从而掺杂剂可以在MgO内扩散。换言之，掺杂源层可以形成在由MgO形成的主体层内。如上所述，MgO可以沉积到掺杂源层上。例如，可以通过采用电子束沉积设备，将MgO单晶块(single-crystaltablet)或者MgO多晶球(polycrystalpellet)沉积至條杂源层上。下面，将参考图5A至图5F描述通过沉积MgO而形成的保护层的各种实施例。当第一掺杂源层142b和第二掺杂源层143b可以例如根据预定图案如图3A和3B所示规则地施加到第一电介质材料层130上时，当前实施例提供了通过沉积MgO而形成的各种类型的保护层140。参考图5A，主体层144可以通过将MgO源材料沉积到第一掺杂源层142b和第二掺杂源层143b上而形成。MgO源材料可以是MgO单晶块或MgO多晶球。在沉积MgO源材料时，包含在掺杂源层142b和143b中的掺杂剂可以朝主体层144扩散。通过将主体层144形成为具有小的厚度，掺杂剂在垂直方向上会比在水平方向扩散的更好。通常，主体层144的厚度可以小于或等于约1Pm。此外，掺杂源层142b和143b有利于晶核(crystalcore)的产生，因此，MgO晶体会在掺杂源层142b和143b周围迅速生长。与沉积在第一电介质材料层130上的具有光滑表面且为非晶体的MgO相比，沉积在掺杂源层142b和143b周围的MgO会更快地生长。下面，将参考图8详细地描述结晶尺寸的区别。此外，参考图5A，主体层144可以包括第一MgO区域144a，沉积且晶化在第一电介质材料层130上；第二MgO区域144b，沉积且晶化在第一掺杂源层142b上；以及第三MgO区域144c，沉积且晶化在第二掺杂源层143b上。第二MgO区域144b可以包含从第一掺杂源层142b扩散的施主掺杂剂。第三MgO区域144c可以包含从第二掺杂源层143b扩散的受主掺杂剂。因为掺杂源层142b和143b有利于晶核的生长，所以从掺杂源层142b生长的第二MgO区域144b和从掺杂源层143b生长的第三MgO区域144c可以比第一MgO区域144a更快地晶化。因此，第二MgO区域和第三MgO区域的表面会突出。该突出可以具有诸如矩形形状的平面形状。在当前实施例中，第二MgO区域144b和第三MgO区域144c可以分别分离地且垂直地从掺杂源层142b和143b延伸。垂直延伸有助于掺杂剂沿垂直方向适当地扩散。然而，实施例不限于如图5A所示地第一Mg0区域144a以及第二Mg0区域144b和第三MgO区域144c沿垂直方向的规则分离。此外，当前实施例示出了掺杂剂从掺杂源层142b和143b扩散入主体层144的顶表面。因此，第二MgO区域144b和第三MgO区域144c可以形成为暴露于第一MgO区域144a上方。例如，第二MgO区域144b和第三MgO区域144c的端部可以不被第一MgO区域144a覆盖。图5B图解了第二MgO区域144b和第三MgO区域144c的突起可以具有平缓的曲线形状，而不是具有如图5A所示的平面形状。根据实施例的保护层140可以包括掺杂源层142b和143b以及形成在掺杂源层142b和143b及第一电介质材料层130上的主体层144。主体层144可以包括第一MgO区域144a以及第二MgO区域144b和第三MgO区域144c，第一MgO区域144a可晶化在第一电介质材料层130上，第二MgO区域144b和第三MgO区域144c可以晶化在掺杂源层142b和143b上，从而掺杂剂扩散入保护层140的顶表面中。根据另一实施例，下面提供可使掺杂源层142b和143b对晶体生长的作用最小化的情况。参考图5C，MgO晶化在掺杂源层142b和143b上，由此形成第二MgO区域144b和第三MgO区域144c。然后，可以通过晶化在第一电介质材料层130上的MgO而形成第一MgO区域144a。在当前实施例中，与前面的实施例相比，掺杂源层142b和143b对晶体生长具有较小的作用。因此，第二MgO区域144b和第三MgO区域144c可以以与第一MgO区域144a的晶体生长几乎相同的速度形成。因此，第二MgO区域144b和第三MgO区域144c的总高度可以与第一MgO区域144a的高度相同。此外，在其中扩散施主掺杂剂的第二MgO区域144b和在其中扩散受主掺杂剂的第三MgO区域144c可以形成为暴露于放电空间。例如，施主掺杂剂和受主掺杂剂可以分别从掺杂源层142b和143b扩散入保护层140的顶表面。图5D也图解了最小化掺杂源层142b和143b对晶体生长的作用的示例。因此，保护层140的上表面可以完全光滑，即基本上为平面。然而，与图5C所示的扩散相比，掺杂剂在第二MgO区域144b和第三MgO区域144c中的扩散距离相对较短，因此，第一MgO区域144a还可以形成在第二MgO区域144b和第三MgO区域144c上。图5E图解了由掺杂源层142b和143b提供的掺杂剂未扩散入保护层140的顶表面中的另一实施例。因此，第一MgO区域144a还可以形成在第二MgO区域144b和第三MgO区域144c上。然而，掺杂源层142b和143b有利于晶核的产生。因此，形成在掺杂源层142b和143b上的第二MgO区域144b和第三MgO区域144c会比第一MgO区域144a更快地形成。因此，保护层140的顶表面的一部分，即在掺杂源层142b和143b上方的部分，可具有突起。图5E图解了形成在掺杂源层142b和143b上方的突起是平坦的。相反，图5F图解了圆形的突起。除了突起的形状外，图5F与图5E相同。因此，不再重复其详细描述。尽管上面已经描述了保护层140的各种类型，但是实施例不限于此。有关包含掺杂剂的MgO区域根据不同的扩散方向和扩散速度等的形状、保护层因晶体生长等形成的表面结构的各种实施例，都是可能的。图6图解了根据实施例的PDP的分解透视图。图7图解了沿着图6的I_I线获得的截面图。参考图6和图7，PDP可以包括前面板100和后面板200，前面板100向外发光，后面板200包括发光的荧光材料。在前面板100中，多个放电电极对120可以成一行设置在第一基板IIO上。放电电极对120可以包括维持电极120X和扫描电极120Y。每个维持电极120X和扫描电极120Y可以包括透明电极和总线电极。总线电极可以沿着x轴延伸，透明电极可以沿着y轴从总线电极延伸到y轴的正端或y轴的负端。然后，第一电介质材料层130和保护层140可以依次堆叠在第一基板110上，以覆盖放电电极对120。保护层140可以包括掺杂源层142b和143b以及MgO主体层144(例如，多晶体)，该MgO主体层144包含从掺杂源层扩散的掺杂剂。在当前实施例中，保护层140可以包括包含施主掺杂剂的第一掺杂源层142b和包含受主掺杂剂的第二掺杂源层143b。第一掺杂源层142b可以设置在透明电极121X和121Y上，第二掺杂源层143b可以设置在透明电极121X和121Y之间的放电间隙G上。此外，保护层140还可以包括主体层144，其中主体层144可以包括第一MgO区域144a，其可以被晶化在第一电介质材料层130上；第二MgO区域144b，其可以形成在第一掺杂源层142b上，且可以包含从其扩散的施主掺杂剂；以及第三MgO区域144c，可以形成在第二掺杂源层143b上，并且可以包含受主掺杂剂。因此，根据本发明实施例的保护层140可以维持包含掺杂剂的MgO的整体特征。换言之，本实施例可以解决在掺杂剂预先掺入MgO源材料中且保护层由该MgO源材料形成的情况下，由于在沉积期间掺杂剂损耗和/或杂质吸收而引起的有关掺杂剂浓度减少的问题。因此，期望的保护层，其可以由包含掺杂剂的主体层(例如MgO)形成，可以通过控制掺杂源层的尺寸、分布和掺杂剂浓度而形成。此外，因为还可以控制掺杂剂的类型和位置，所以通过降低放电开始电压和放电时间延迟可以改善单元放电。接下来，将在下面描述后面板200。在后面板200中，沿y轴方向延伸的多个寻址电极220可设置在第二基板210上。可设置第二电介质材料层230以覆盖寻址电极220，并且可形成限定放电单元的阻挡肋240。因此，可以形成多个放电单元Ce。然后，产生紫外(UV)光的放电气体可以注入放电单元Ce中。放电气体可以是包含预定比率的氙(Xe)、氩(Kr)、氦(He)、氖(Ne)等的多成分气体，并且可以通过放电激发产生适量的UV光。具体地，利用根据本发明实施例的保护层140可以降低放电开始电压，可以采用高Xe放电气体，该高Xe放电气体在每100体积百分比的放电气体中包含至少10体积百分比的Xe。尽管高Xe放电气体具有高发光效率，但是它会需要高放电开始电压。因此，考虑到通常必须重新设计电路以容纳由于增加的放电开始电压而增加的驱动功率消耗，高Xe放电气体的实际或延伸应用受到限制。然而，因为根据本发明实施例的保护层可降低放电开始电压，所以可以补偿采用高Xe放电气体的缺点。此外，荧光材料层250可设置在放电单元Ce内。荧光材料层250可设置在阻挡肋240的侧壁上和第二电介质材料层230上。更具体地，不同的荧光材料层250可设置在多个放电单元Ce内。例如，红荧光材料层、绿荧光材料层和蓝荧光材料层可设置在每个放电单元Ce内。参考图7，放电单元Ce可以形成为独立的发光区域，它可以通过阻挡肋240与相邻的放电单元Ce分开。更具体地，放电单元Ce可包括成对的放电电极对120和寻址电极220，11寻址电极220延伸为交叉放电电极对120。每个放电电极对120都可包括维持电极120X和扫描电极120Y。维持电极120X可包括透明电极121X和总线电极122X。扫描电极120Y可包括透明电极121Y和总线电极122Y。电压可以被交替地施加到放电电极对120，从而产生相互之间的显示放电，并且相互显示放电之前，可以在扫描电极120Y与寻址电极220之间发生寻址放电。寻址放电可对应于预处理放电(pre-processdischarge)，因此，由于在放电单元内的积累点火粒子(primingparticle)而引起显示放电，从而可以向外发光。对于HD或FHDPDP中的单一扫描驱动，PDP会需要至少480个扫描电极120Y。通过依次施加扫描信号到扫描电极120Y而执行预处理放电，可以以单一扫描驱动PDP。单一扫描驱动需要在一帧期间依次驱动480个扫描信号。因此，在长放电时间延迟的情况下，寻址放电持续时间会增加。然而，根据本发明实施例的保护层140可以通过在适当的位置设置施主掺杂剂和受主掺杂剂而减少放电时间延迟。因此，保护层140可以具有适于最小化HDPDP的单一扫描驱动的放电特征。尽管传统保护层可以显示出施主掺杂剂和受主掺杂剂之间强烈的相互作用(reciprocalaction)，但是采用根据实施例的掺杂源层的间接掺杂法可以防止这样的相互作用。下面，将描述根据本发明实施例的保护层和包括该保护层的PDP的实施例。此外，还将描述比较实施例。此外，还将描述检测有关实施例的放电特征的示例，以确定根据本发明实施例的保护层的放电特征的改进。〈保护层，实施例1〉通过在10g乙醇中溶解lg的LiN03(分子量为68.95、熔点为264°C)而制备第一掺杂源层的锂(Li)溶液。将Li溶液从30cm的距离在0.3MPa的压力下均匀地喷涂在电介质材料基板的表面上1秒。然后，该基板在30(TC的温度干燥1小时，以形成第一固体掺杂源层。通过采用电子束沉积设备在25(TC温度将MgO沉积在其上形成有第一掺杂源层的电介质材料基板上而制备保护层。〈保护层，实施例2〉除了采用钪(Sc)而不是取代Li之外，根据与实施例1中用于保护层的相同方法制备包括第二掺杂源层的保护层。〈保护层，实施例3〉除了采用Li和Sc的混合物而不是Li夕卜，根据与实施例1中用于保护层的相同方法制造包括第三掺杂源层的保护层。〈PDP，实施例1〉采用丝网印刷法将银(Ag)涂覆到玻璃基板(35mmX22.5mm、2.8mm厚)上，干燥并烘烤，以制造放电电极对。然后，采用丝网印刷法形成电介质材料层(介电常数=13、厚度=39iim)。第一掺杂源层形成在电介质材料层上，MgO沉积到第一掺杂源层上以形成保护层。根据与实施例1中用于保护层的相同方法形成保护层。从而，完成上面板。通过在玻璃基板上依次堆叠寻址电极、电介质材料层和绿色荧光材料层而制造下面板。采用石英阻挡肋，将上面板和下面板彼此分离120ym，将其放入真空室，将真空室抽真空预定的持续时间。放电气体(Xe15%+He35%)在350Torr下注入真空室，从而注入上面板和下面板之间的放电空间中。从而，制成PDP的实验单元。〈PDP，实施例2〉除了根据实施例2中用于保护层的方法而不是根据实施例1中用于保护层的方法来制造保护层之外，PDP根据与实施例1中用于PDP的相同方法制造。〈PDP，实施例3〉除了根据实施例3中用于保护层的方法而不是根据实施例1中用于保护层的方法来制造保护层之外，PDP根据与实施例1中用于PDP的相同方法制造。〈保护层，比较实施例1>通过将Li掺入MgO中而制备块(pallet)，并且根据实施例1中用于保护层的电子束沉积方法来制造保护层。〈保护层，比较实施例2>除了采用Sc而不是Li夕卜，保护层根据与比较实施例1中用于保护层的相同方法制造。〈保护层，比较实施例3>除了采用Li和Sc的混合物而不是Li夕卜，根据与比较实施例1中用于保护层的相同方法来制造保护层。〈PDP，比较实施例l〉通过采用与在比较实施例1中用于保护层的相同方法而制造的保护层，根据与在实施例1中用于PDP的相同方法来制造PDP。〈PDP，比较实施例2〉通过采用与在比较实施例2中用于保护层的相同方法而制造的保护层，根据与在实施例1中用于PDP的相同方法来制造PDP。〈PDP，比较实施例3〉通过采用与在比较实施例3中用于保护层的相同方法而制造的保护层，根据与在实施例1中用于PDP的相同方法来制造PDP。〈检测l〉通过获得实施例1中的保护层的表面的扫描电子显微镜(SEM)照片，识别晶体尺寸。参考图8，其图解了PDP的保护层的SEM照片，清楚看出形成在第一掺杂源层上的MgO区域X和形成在电介质材料层上的Mg0区域Y有不同的晶体尺寸。更具体地，MgO区域X中在第一掺杂源层附近晶化的粒子尺寸大于MgO区域Y中在电介质材料层附近晶化的粒子尺寸，这是因为第一掺杂源层包含有助于晶体生长的更多台阶和阶地(terrace)。〈检测2>在该检测中，检测了包括根据本发明实施例的保护层的PDP的电流特征。对于实施例1中的PDP，在响应方波形的功率信号(30kHz、负荷30%、幅度320V)而产生单元放电时，测量电流和亮度。此外，作为比较实施例，根据上述方法驱动利用不包括掺杂源层的保护层且根据与在实施例1中用于PDP的相同方法而制造的PDP，并且测量了电流和亮度。参考图9，与根据比较实施例的PDP相比，即除了没有掺杂源层之外与实施例1(线R)中的PDP相同的PDP相比，在实施例1(线A)中的PDP的电流可减少约25%。此外，与根据比较实施例(线R)的PDP相比，实施例1(线A)中PDP中的绿色亮度可增加约50%。因此，清楚地看出，与根据比较实施例的PDP相比，实施例1中的PDP的亮度/功率损耗可以改善约70%。〈检测3>在该检测中，检测了相对于检测2的比较实施例、实施例1至3中的PDP以及比较实施例1至3中的PDP的延迟时间。参考图IO，实施例l(柱A)中的PDP的延迟时间略长于比较实施例(柱R)，但是短于比较实施例l(柱a)中的PDP。此外，清楚地看出，实施例2(柱B)和实施例3(柱C)中的PDP的延迟时间不仅显著短于比较实施例(柱R)，而且显著短于比较实施例2(柱b)中的PDP和比较实施例3(柱c)中的PDP。〈检测4>在该检测中，检测了相对于检测2的比较实施例、实施例1至3中的PDP以及比较实施例1至3中的PDP的壁电荷损耗。参考图ll，清楚可见的是，实施例l(柱A)中的PDP中的PDP和实施例3(柱C)中的PDP的壁电荷损耗可减少到低于比较实施例(柱R)的50%。此外，还可以清楚可见的是，与比较实施例2(柱b)中的PDP和比较实施例3(柱c)中的PDP相比，实施例2中的PDP(柱B)和实施例3中的PDP(柱C)的壁电荷损耗显著减少。参考检测3和4，比较实施例(柱R)可具有约1100ns的延迟时间和约7V的壁电荷损耗。与比较实施例(柱R)相比，比较实施例1(柱a)中的PDP具有更长的时间延迟，但是具有更小的壁电荷损耗。与比较实施例(柱R)相比，比较实施例2(柱b)中的PDP具有更短的时间延迟，但是具有明显更大的壁电荷损耗。尽管与比较实施例(柱R)相比，在比较实施例3(柱c)中的PDP可以具有较小的壁电荷损耗，但是时间延迟会太长，因此，不能使用FHD单一扫描。因此，清楚可见的是，在包括根据传统方法形成的保护层的传统PDP中，在延迟时间与壁电荷损耗之间存在权衡。与比较实施例(柱R)相比，实施例l(柱A)中的PDP可以具有更长的时间延迟，但是具有显著减少的壁电荷损耗，并且在放电时间延迟和壁电荷损耗的综合性能方面与比较实施例1(柱a)中的PDP相同或优于比较实施例1(柱a)中的PDP。与比较实施例2(柱b)和比较实施例(柱R)中的PDP相比，实施例2(柱B)中的PDP可以具有更短的时间延迟。此外，实施例2(柱B)中的PDP的壁电荷损耗可以与比较实施例(柱R)类似，但是显著小于比较实施例2(柱b)中的PDP。由于负交互作用(negativereciprocalaction)，比较实施例3(柱c)中的PDP可以具有比实施例3(柱C)中的PDP更长的时间延迟，因此，不能确定在壁电荷损耗方面的改进。然而，实施例3(柱C)中的PDP证明，实施例3(柱C)中的PDP可以同时改善延迟时间和壁电荷损耗。根据本发明实施例的保护层可以防止掺杂剂的损耗，因此，可以保持包含掺杂剂的MgO的整体特征。此外，因为根据本发明实施例的保护层可以包括掺杂源层，所以掺杂源层有助于晶核的产生，因此，晶体可以相对更快地生长。由于快速的晶体生长，所以可以获得大晶粒，例如，单独晶化的颗粒。因此，根据本发明实施例的保护层还可以有利于改善生产率。此外，因为根据本发明实施例可以形成且自由设置包含施主掺杂剂的第一掺杂源层和包含受主掺杂剂的第二掺杂源层，所以可以避免施主掺杂剂和受主掺杂剂之间的权衡/冲突。此外，根据本发明实施例的PDP通过具有上述的保护层可以改善放电效率，并且可以减少放电时间。因此，可以实现全高清晰度(FHD)。在此已经公开了本发明的示范性实施例，并且尽管采用了特定的术语，但是它们仅用于且解释为一般的和说明性的意思，而不是用于限制目的。因此，本领域的普通技术人员可以理解的是，可以进行形式上和细节上的各种修改，而不脱离如所附权利要求所述的本发明的精神和范围。权利要求一种用于等离子体显示面板的保护层，该保护层包括掺杂源层，包含至少一种掺杂剂；以及主体层，与该掺杂源层接触，该主体层包括从该掺杂源层扩散的至少一种掺杂剂。2.如权利要求1所述的保护层，其中该掺杂源层包含施主掺杂剂、受主掺杂剂和其混合中的至少一种。3.如权利要求2所述的保护层，其中该施主掺杂剂是Sc、Al、Y、Ga、B、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Si、Cs、F、H和Er中的至少一种。4.如权利要求2所述的保护层，其中该受主掺杂剂是Li、Na、K、Ag、Cu、Ni、Ca、Sr、Ba、V、Zn、Cr、In、Hf、Zr、Ge和C中的至少一种。5.如权利要求1所述的保护层，其中该掺杂源层包括包含施主掺杂剂的第一掺杂源层和包含受主掺杂剂的第二掺杂源层。6.如权利要求5所述的保护层，其中该施主掺杂剂是Sc、Al、Y、Ga、B、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Si、Cs、F、H和Er中的至少一种。7.如权利要求5所述的保护层，其中该受主掺杂剂是Li、Na、K、Ag、Cu、Ni、Ca、Sr、Ba、V、Zn、Cr、In、Hf、Zr、Ge和C中的至少一种。8.—种制造等离子体显示面板的保护层的方法，该方法包括在第一电介质材料层上形成包含至少一种掺杂剂的掺杂源层；干燥该掺杂源层；以及在该掺杂源层上沉积主体层。9.如权利要求8所述的方法，还包括在该基板上形成电介质材料层。10.如权利要求8所述的方法，其中形成该掺杂源层包括采用喷涂、印刷、浸渍、旋涂和喷墨方法中的至少一种将包含该至少一种掺杂剂和溶剂的溶液施加到该基板上。11.如权利要求8所述的方法，还包括烘烤该掺杂源层。12.如权利要求8所述的方法，其中沉积该主体层包括在该掺杂源层上沉积Mg0，并且晶化该掺杂源层上的该Mg0。13.如权利要求12所述的方法，还包括在晶化该Mg0时将至少一种掺杂剂从该掺杂源层扩散到该MgO。14.一种等离子体显示面板，包括彼此面对的第一基板和第二基板；阻挡肋，在该第一基板和该第二基板之间，通过划分在该第一基板和该第二基板之间的放电空间而限定多个放电单元；放电电极对，设置为越过该多个放电单元；第一电介质材料层，形成在该放电电极对上；保护层，形成在该第一电介质材料层上；寻址电极，设置为交叉该放电电极对；第二电介质材料层，形成在该寻址电极上；以及荧光材料层，设置在该多个放电单元的每一个中，其中该保护层包括掺杂源层，包含至少一种掺杂剂；以及主体层，与该掺杂源层接触，并且包括从该掺杂源层扩散的该至少一种掺杂剂。15.如权利要求14的等离子体显示面板，其中该放电电极对包括维持电极和扫描电极，其中每个维持电极和扫描电极都包括透明电极和总线电极。16.如权利要求14的等离子体显示面板，其中该掺杂源层包括施主掺杂剂和受主掺杂剂中的至少一种。17.如权利要求14的等离子体显示面板，其中该掺杂源层包括包含施主掺杂剂的第一掺杂源层和包含受主掺杂剂的第二掺杂源层。18.如权利要求17的等离子体显示面板，其中该第一掺杂源层形成在部分第一电介质材料层上，该部分第一电介质材料层在设置透明电极的区域上方，并且该第二掺杂源层形成在部分第一电介质材料层上，该部分第一电介质材料层在成对透明电极之间的放电间隙区域上方。19.如权利要求18的等离子体显示面板，其中该第二掺杂源层的宽度小于该放电电极对的透明电极之间的放电间隙的宽度。20.如权利要求19的等离子体显示面板，其中该第二掺杂源层的宽度为0.01iim至70um。21.如权利要求14的等离子体显示面板，其中该主体层包括MgO，接触该掺杂源层的MgO区域的结晶尺寸大于接触该第一电介质材料层的MgO区域的结晶尺寸。全文摘要本发明提供一种保护层及其制备方法以及包括该保护层的等离子体显示面板，PDP的保护层包括掺杂源层和主体层，掺杂源层包含至少一种掺杂剂，主体层接触掺杂源层并且包括从掺杂源层扩散的至少一种掺杂剂。该保护层能减少掺杂剂的损耗，且避免施主掺杂剂和受主掺杂剂之间的权衡/冲突。文档编号H01J17/04GK101752163SQ200910253809公开日2010年6月23日申请日期2009年12月8日优先权日2008年12月8日发明者徐光钟,李玟锡申请人:三星Sdi株式会社