半导体发光器件的制作方法

专利名称：半导体发光器件的制作方法
技术领域：
实施方案涉及半导体发光器件及其制造方法。
背景技术：
III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而广泛用作发光器件例如发光二极 管(LED)或者激光二极管(LD)的主要材料。例如，III-V族氮化物半导体包括组成式为 InxAlyGa1^yN (0≤χ≤1，0≤y≤1，和0≤x+y≤1)的半导体材料。LED是通过使用化合物半导体的特性将电信号转化为红外线或者光来发出信号的 半导体器件。LED也用作光源。使用氮化物半导体材料的LED或者LD主要用于发光器件以提供光。例如，LED或 者LD用作各种产品例如移动电话的小键盘发光部分、电布告板和照明装置的光源。

发明内容
实施方案提供一种半导体发光器件及其制造方法，其能够改善发光效率。根据一个实施方案的一种半导体发光器件包括包括半导体材料的第一载流子阻 挡层的第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层下的有源层；和在所述有源层下的第 二导电半导体层。根据一个实施方案的一种半导体发光器件包括包括半导体材料的第一载流子阻 挡层和在所述第一载流子阻挡层下的第二载流子阻挡层的第一导电半导体层；在所述第一 导电半导体层下的有源层；在所述有源层下的第二导电半导体层；在所述第二导电半导体 层下的电极层；在所述电极层下的导电支撑构件；和在所述电极层周围以及在所述导电支 撑构件上设置的沟道层。一种制造根据实施方案的半导体发光器件的方法，包括形成包括半导体材料的 第一载流子阻挡层的第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层下形成有源层；和在所 述有源层下形成第二导电半导体层。实施方案可扩散电流。实施方案将注入垂直型半导体发光器件的上电极的载流子扩散，由此改善发光效 率和确保器件的可靠性。


图1是显示根据第一实施方案的半导体发光器件的截面图；图2 15是显示制造根据第一实施方案的半导体发光器件的工序的视图；图16是显示根据第二实施方案的半导体发光器件的截面图；图17是显示根据第三实施方案的半导体发光器件的平面图；图18是沿着图17的线A-A截取的截面图；图19是显示根据第四实施方案的半导体发光器件的截面图20是显示根据第五实施方案的半导体发光器件的截面图；图21是显示根据第六实施方案的半导体发光器件的截面图；和图22是显示根据第七实施方案的半导体发光器件的截面图。
具体实施例方式在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或结构称为在另一个衬 底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个垫或另一个图案“之上或者之下”时，其可以“直 接地”或者“间接地”在其它的衬底、层(或膜)、区域、垫、或图案之上或下，或也可存在一 个或多个中间层。层的这种位置参考

。为了方便和清楚的目的，附图中显示的各层的厚度和尺寸可进行放大、省略或者 示意地绘出。此外，元件的尺寸不完全反映实际尺寸。以下，将参考附图描述实施方案。图1是显示根据第一实施方案的半导体发光器件的截面图。参考图1，根据实施方案的半导体发光器件100包括第一导电半导体层110、载流 子阻挡层115、有源层120、第二导电半导体层130、电极层140、导电支撑构件150和第一电 极 161。第一导电半导体层110可包括掺杂有第一导电掺杂剂的n型半导体层。第一导电 半导体层110可包括化合物半导体，例如GaN、InN、A1N、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN。 第一导电掺杂剂是n型掺杂剂。例如，n型掺杂剂可选自Si、Ge、Sn、Se*Te。在第一导电半导体层110上可形成粗糙结构。在这种情况下，可改善外部量子效率。在第一导电半导体层110上形成第一电极161。第一电极161可具有圆形图案或 者多边形图案，以允许载流子有效地注入第一电极161。在第一导电半导体层110中可设置载流子阻挡层115。载流子阻挡层115允许从 第一电极161注入的载流子(即电子)沿水平方向扩散。载流子阻挡层115设置为对应于第一电极161并且具有和第一电极161的尺寸基 本相同的尺寸。即，载流子阻挡层115设置在对应于第一电极161的图案的区域中。在第一导电半导体层110中，载流子阻挡层115相对于第一电极161更靠近有源 层 120。例如，当第一导电半导体层100包括n型掺杂剂时，电子的迁移率很快。结果，当 载流子阻挡层115更靠近第一电极161时，从第一电极161注入的载流子可流向载流子阻 挡层115和有源层120之间的区域。因此，载流子阻挡层115需要相对于第一电极161更靠近有源层120。S卩，载流子 阻挡层115允许从第一电极161注入的载流子(即电子)沿水平方向更好地扩散并防止载 流子在载流子阻挡层115下的有源层120上集中。载流子阻挡层115可包括掺杂有第二导电掺杂剂的半导体层。例如，载流子阻挡 层115可由选自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的一种形成。此外，载流 子阻挡层115可包括未掺杂导电掺杂剂的未掺杂的半导体层。在这种情况下，载流子阻挡 层115可由选自GaN、InN、A1N、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的一种形成。此夕卜，载
4流子阻挡层115可包括电阻高于第一导电半导体层110电阻的III-V族化合物半导体。例 如，载流子阻挡层115可具有约5nm 500nm的厚度。在第一导电半导体层110下设置有源层120。有源层120可具有单量子阱结构或 者多量子阱结构。例如，有源层120可具有包括InGaN阱/GaN势垒层的单量子阱结构或者 多量子阱结构。有源层120的量子阱层和量子势垒层的材料可依照光的波段而改变，实施 方案对有源层120的材料没有限制。在有源层120上和/或下可设置覆层。在有源层120下设置第二导电半导体层130。第二半导体层130可包括掺杂有第 二导电掺杂剂的P型半导体层。例如，第二导电半导体层130可包括化合物半导体，例如 GaN、InN、A1N、InGaN、AlGaN、InAlGaN 或者 A1 InN。第二导电掺杂剂是选自 Mg、Be 和 Zn 中 的P型掺杂剂。第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130可构成发光结构，其 中第一导电半导体层110是P型半导体层，第二导电半导体层130是N型半导体层。此外， 在第二导电半导体层130下可设置n型半导体层或者p型半导体层。发光结构可包括N-P 结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的一种。如果第一导电半导体层110为p型半导体层，则载流子阻挡层115是n型半导体层。在第二导电半导体层130下形成电极层140。电极层140可由包括选自Ag、Ni、 Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合中的至少一种的至少一层形成。在电极层140和第二导电半导体层130之间可设置具有欧姆特性的欧姆接触层。 欧姆接触层可具有预定图案。欧姆层可具有矩阵图案、交叉图案、多边形图案或者圆形图 案。欧姆层可由选自IT0(氧化铟锡)、IZ0(氧化铟锌)、IZT0(氧化铟锌锡)、IAZ0(氧化 铟铝锌)、IGZ0 (氧化铟镓锌)、IGT0 (氧化铟镓锡)、AZ0 (氧化铝锌)和AT0 (氧化锑锡) 中的一种形成。即，欧姆层可选择性地采用导电氧化物和金属。例如，欧姆层可通过使用选 自 ITO、IZO、IZTO、IAZ0、IGZO、IGTO、AZO、ATO、IrOx、RuOx、Ru0x/IT0、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au 和 Ni/Ir0x/Au/IT0中的至少一种形成为单层结构或者多层结构。在电极层140下设置导电支撑构件150。导电支撑构件150是基础衬底并且包括 Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W 或者载体晶片(例如 Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、GaN、SiGe 或者 Ga203)。导 电支撑构件150可包括导电板。导电支撑构件150可结合或者制备作为镀敷层。此外，导 电支撑构件150可附着作为导电板。如果对第一电极161和导电支撑构件150施加正向电流，则空穴作为载流子注入 导电支撑构件150，电子作为载流子注入第一电极161。如果不存在载流子阻挡层115，则从第一电极161注入的载流子在位于第一电极 161下的有源层120的局部上集中。因此，在有源层120的载流子集中的局部可产生劣化。然而，根据所述实施方案，在第一导电半导体层110中形成的载流子阻挡层115阻 挡载流子，以使得载流子沿着水平方向扩散。因此，从第一电极161注入的载流子供给至有 源层120的整个区域。以此方式，载流子通过载流子阻挡层115扩散，使得可改善有源层 120的发光效率。图2 15是显示制造根据第一实施方案的半导体发光器件的工序的视图。参考图2 4，在衬底101上形成缓冲层103，在缓冲层103上形成第一下部导电
5半导体层111。
衬底101 可包括选自 A1203、GaN、SiC、ZnO, Si、GaP、InP, GaAs 和导电衬底中的一 种。在衬底101上可生长氮化物半导体。在这种情况下，生长设备可选自电子束蒸发器、 PVD (物理气相沉积)、CVD (化学气相沉积)、PLD (等离子体激光沉积)、双型热蒸发器、溅射 和MOCVD(有机金属化学气相沉积)的设备。然而，实施方案对生长设备没有限制。缓冲层103可减小后续将生长的半导体层和衬底101之间的晶格失配。缓冲层 103可包括选自GaN、InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN和AlInN中的至少一种。在缓冲层 103上可形成未掺杂的半导体层。未掺杂的半导体层可包括未掺杂第一或者第二导电掺杂 剂的未掺杂的GaN层。此外，在衬底101上可不形成缓冲层103和/或未掺杂的半导体层。第一下部导电半导体层111可包括掺杂有第一导电掺杂剂的N型半导体层。例 如，第一下部导电半导体层111可包括化合物半导体，例如GaN、InN, A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN或者AlInN。第一导电掺杂剂是选自Si、Ge、Sn、Se和Te中的η型掺杂剂。参考图5 7，在除了后续将形成载流子阻挡层115的区域117之外的第一下部导 电半导体层111上形成掩模层116。然后，在区域117上形成载流子阻挡层115。区域117布置于与后续将形成的第一电极图案的图案区域相同的图案区域中，并 且具有大于或者小于第一电极图案的尺寸。此外，区域117可以与一部分第一电极图案相 同。载流子阻挡层115可包括与第一下部导电半导体层111相同的半导体材料。因此， 可防止当载流子阻挡层115包括与第一下部导电半导体层111不同的材料时所导致的晶体 品质劣化。此外，载流子阻挡层115在第一下部导电半导体层111上具有约5nm 500nm
的厚度。当载流子阻挡层115形成时，移除掩模层116。参考图8 11，在第一下部导电半导体层111和载流子阻挡层115上形成第一上 部导电半导体层113。第一上部导电半导体层113可包括掺杂有与第一下部导电半导体层 111中掺杂的掺杂剂相同的掺杂剂类型的半导体。即，第一上部导电半导体层113可包括化 合物半导体，例如 GaN、InN, AlN, InGaN、AlGaN、InAlGaN 或者 Al InN。第一下部导电半导体层111和第一上部导电半导体层113可构成第一导电半导体 层 110。载流子阻挡层115可包括掺杂有第二导电掺杂剂或未掺杂导电掺杂剂的III-V族 半导体材料。换言之，载流子阻挡层115是掺杂有第二导电掺杂剂的半导体层或者未掺杂 的半导体层。载流子阻挡层115可由选自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中 的一种形成。此外，载流子阻挡层115可包括电阻高于第一导电半导体层110电阻的III-V 族化合物半导体。在第一导电半导体层110上依次形成有源层120和第二导电半导体层130。有源 层120可具有单量子阱结构或者多量子阱结构，有源层120的材料可依照光的波段而改变。第二半导体层130可包括掺杂有第二导电掺杂剂的P型半导体层。例如，第二导电 半导体层130可包括化合物半导体，例如GaN、ΙηΝ、Α1Ν、InGaN、AlGaN、InAlGaN或者Al InN。 第二导电掺杂剂是选自Mg、Be和Zn中的ρ型掺杂剂。第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130可构成发光结构，在该发光结构上和/或下可形成其它半导体层。此外，发光结构可包括N-P结结构、P-N结结 构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的至少一种。在第二导电半导体层130上可形成电极层140，在电极层140上可形成导电支撑构 件 150。
电极层140可在第二导电半导体层I30的部分或者整个区域上形成。电极层140 可包括籽金属或者具有反射性金属性能的材料。例如，电极层140可由包括选自Ag、Ni、Al、 Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其组合中的至少一种的至少一层形成。在电极层140和第二导电半导体层130之间可设置具有预定图案的欧姆接触层。 该欧姆层可具有矩阵图案、交叉图案、多边形图案或者圆形图案。欧姆层可由选自ITO(氧 化铟锡)、IZO (氧化铟锌)、IZTO (氧化铟锌锡)、IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓锌)、 IGTO(氧化铟镓锡)、AZO(氧化铝锌)和ATO(氧化锑锡)中的一种形成。即，欧姆层可选 择性地采用导电氧化物和金属。例如，欧姆层可通过使用选自ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤ0、ΙΑΖ0、IGZ0、 IGT0、AZ0、AT0、Ir0x、Ru0x、Ru0x/IT0、Ni、Ag、Ni/Ir0x/Au 和 Ni/Ir0x/Au/IT0 中的至少一种 形成为单层结构或者多层结构。导电支撑构件150是基础衬底并且包括Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W或者载体晶片(例如 5土、66、6&八8、2110、5士(、6&15士66或者6&203)。导电支撑构件150可包括导电板。导电支 撑构件150可结合或者制备作为镀敷层(plated sheet)。此外，导电支撑构件150可附着 作为导电板。参考图12 14，导电支撑构件150设置于衬底101下，衬底101设置于导电支撑 构件150上。在这种状态下，移除衬底101。衬底101可通过物理方法移除。例如，衬底101可通过LLO(激光剥离)方法移除。 艮口，将具有预定波段的激光照射到衬底101上以移除衬底101。衬底101和缓冲层103可通过使用湿的蚀刻剂移除。例如，在未移除衬底101的 状态下，湿蚀刻剂注入缓冲层103的以移除缓冲层103，由此移除衬底101。移除衬底101 之后，第一导电半导体层110的表面通过ICP/RIE (感应耦合等离子体/反应性离子蚀刻) 方法蚀刻。参考图14和15，对芯片之间的边界区(即沟道区域)实施台面蚀刻。对第一导电 半导体层Iio的外周部实施台面蚀刻直至暴露导电支撑构件150的顶表面。台面蚀刻可为 干蚀刻或者湿蚀刻。在第一导电半导体层110上形成第一电极161。第一电极161设置为对应于载流 子阻挡层115并且具有和载流子阻挡层115的尺寸基本相同的尺寸。根据第一实施方案，在对应于第一电极161的第一导电半导体层110中形成载流 子阻挡层115。因此，载流子阻挡层115可引导从第一电极161注入或者导向第一电极161 的载流子，以使载流子沿水平方向扩散。因此，可改善在有源层120处的发光效率。根据第一实施方案，第一导电半导体层110再生长以形成载流子阻挡层115。然 而，根据另一个实施方案，生长第一导电半导体层110之后，将用于载流子阻挡层115的区 域蚀刻。在这种状态下，第一导电半导体层110在经蚀刻的区域中局部再生长。图16是显示根据第二实施方案的半导体发光器件的截面图。在以下描述中，与 第一实施方案相同的元件将利用相同的附图标记进行表示，并将其详细描述省略以避免重M- ο参考图16，根据第二实施方案的半导体发光器件IOOA包括第一导电半导体层 110A、载流子阻挡层115、有源层120、第二导电半导体层130、电极层140、导电支撑构件150 和第一电极161。在第一导电半导体层IlOA下设置载流子阻挡层115。载流子阻挡层115的底表面 与有源层120接触。在第一导电半导体层IlOA中提供载流子阻挡层115。
载流子阻挡层115可使得作为注入第一导电半导体层IlOA的电子的载流子在有 源层120周围沿水平方向扩散。图16是显示根据第三实施方案的半导体发光器件的平面图，图18是沿着图17的 线A-A截取的截面图。在以下描述中，与第一实施方案相同的元件将利用相同的附图标记 进行表示，并将其详细描述省略以避免重复。参考图17和18，根据第三实施方案的半导体发光器件100B包括第一导电半导 体层110、载流子阻挡层115A、115B和115C、有源层120、第二导电半导体层130、电极层 140、导电支撑构件150和第一电极161A、161B和161C。第一电极161A、161B和161C在第一导电半导体层110上以十字图案排列。位于 中心的第一电极图案161A可用作电极垫，由第一电极图案161A分支出来的第二和第三电 极图案161B和161C可用作子电极。第一电极161A、161B和161C在实施方案的技术范围 内可具有各种图案。载流子阻挡层115A、115B和115C设置在第一导电半导体层110中，同时形成与第 一电极161A、161B和161C的图案相同的图案。载流子阻挡层115A、115B和115C可具有大 于第一电极161A、161B和161C的尺寸，但是实施方案不限于此。例如，第一电极161B和161C的宽度T2可小于载流子阻挡层115B和115C的宽度 Tl，但是实施方案不限于此。注入第一电极161A、161B和161C的载流子通过载流子阻挡层 115AU15B和115C沿水平方向扩散。图19是显示根据第四实施方案的半导体发光器件的截面图。在以下描述中，与 第一实施方案相同的元件将利用相同的附图标记进行表示，并将其详细描述省略以避免重
Μ. ο参考图19，根据第二实施方案的半导体发光器件100C包括第一导电半导体层 110、载流子阻挡层115和115D、有源层120、第二导电半导体层130、电极层140、导电支撑 构件150和第一电极161。载流子阻挡层115和115D可在第一导电半导体层110中的不同的层水平中排列。 例如，与第一实施方案相类似，第一载流子阻挡层115在对应于第一电极161的区域中排列 以引导载流子，使得载流子沿水平方向扩散。同时，第二载流子阻挡层115D在第一导电半 导体层110和有源层之间的界面处形成以引导载流子，使得载流子在传输至有源层120之 前沿水平方向扩散。第二载流子阻挡层115D的宽度可等于或者小于第一载流子阻挡层115的宽度。第 一和第二载流子阻挡层115和115D可具有约5nm 500nm的厚度。第一和第二载流子阻 挡层115和115D可具有相同厚度，或者第二载流子阻挡层层115D可比第一载流子阻挡层 115 薄。
此外，可提供彼此间隔开预定距离的多个第二载流子阻挡层115D，同时与第一载 流子阻挡层115间隔开预定距离。第二载流子阻挡层115D可在第一载流子阻挡层115周 围排列，以使得已经通过第一载流子阻挡层115沿水平方向扩散的载流子进一步扩散。第 二载流子阻挡层115D与有源层120接触。此外，第二载流子阻挡层115D可不与有源层120 接触。第二载流子阻挡层115D可比第一载流子阻挡层115更靠近有源层120。 第一和第二载流子阻挡层115和115D可包括掺杂有第二导电掺杂剂的半导体。例 如,第一和第二载流子阻挡层115和IlOT可包括选自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN 和AlInN中的一种。此外，载流子阻挡层115和115D可包括电阻高于第一导电半导体层 110电阻的III-V族化合物半导体。图20是显示根据第五实施方案的半导体发光器件的截面图。在以下描述中，与 第四实施方案相同的元件将利用相同的附图标记进行表示，并将其详细描述省略以避免重复
当与第四实施方案比较时，根据第五实施方案的半导体发光器件100D在第二载 流子阻挡层115E中具有独特特征。如图20所示，根据第五实施方案，两个第二载流子阻挡 层115E设置于第一载流子阻挡层115下。即，第二载流子阻挡层115E与第一载流子阻挡 层115在垂直方向上交叠。第二载流子阻挡层115E与有源层120接触。图21是显示根据第六实施方案的半导体发光器件的截面图。在以下描述中，与 第四实施方案相同的元件将利用相同的附图标记进行表示，并将其详细描述省略以避免重复当与第四实施方案比较时，根据第六实施方案的半导体发光器件100E在第二载 流子阻挡层115F中具有独特特征。如图21所示，根据第六实施方案，两个第二载流子阻挡 层115F设置于第一载流子阻挡层115下。即，第二载流子阻挡层115F与第一载流子阻挡 层115在垂直方向上交叠。第二载流子阻挡层115F设置为使得它们不与有源层120接触。 第二载流子阻挡层115F比第一载流子阻挡层115更靠近有源层120。图22是显示根据第七实施方案的半导体发光器件的截面图。在以下描述中，与 第一实施方案相同的元件将利用相同的附图标记进行表示，并将其详细描述省略以避免重复第七实施方案与第一实施方案的不同在于根据第七实施方案的半导体发光器件 100F还包括沟道层170。沟道层170在电极层140周围排列。沟道层170在导电支撑构件 150上形成。沟道层170可包括导电透射性材料，例如ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、 ΑΖ0, ATO0此外，沟道层170可包括金属氧化物，例如TCO(透明导电氧化物)。此外，沟道 层170可包括绝缘材料，例如Si02、SiOx, SiOxNy, Si3N4Ul2O3或者Ti02。这种沟道层170也 适用于第二至第六实施方案。根据实施方案的载流子阻挡层可在垂直型半导体发光器件中有效地扩散电流，并 且可用于水平型半导体发光器件以及垂直型半导体发光器件。根据实施方案的半导体发光器件可应用于各种器件例如发光器件封装、背光单元 和照明装置。发光器件封装可包括主体、第一引线电极、第二引线电极、根据实施方案的半导体 发光器件和模制件。
第一引线电极和第二引线电极可设置于主体中。半导体发光器件可电连接至第一引线电极和第二引线电极。模制件可设置为模制半导体发光器件。主体可形成为包括例如硅材料、合成树脂或者金属材料，并且在半导体发光器件 周围可形成倾斜表面。第一引线电极和第二引线电极可彼此电断开，并且可对半导体发光 器件供电。而且，第一引线电极和第二引线电极可反射由半导体发光器件发出的光，由此提 高发光效率。而且，第一引线电极和第二引线电极可用于排出由半导体发光器件产生的热。半导体发光器件可设置在主体上，或者可设置在第一引线电极或者第二引线电极 上。半导体发光器件可通过例如导线电连接至第一引线电极，并且例如在芯片键合结构中 可连接至第二引线电极。模制件可模制半导体发光器件以保护半导体发光器件。而且，在模制件中可包括 荧光物质以改变由半导体发光器件发出的光的波长。根据实施方案的半导体发光器件可封装在例如半导体衬底、绝缘衬底或者陶瓷衬 底(例如树脂材料或者硅)中。根据实施方案的半导体发光器件可用于背光单元。背光单元可适应于显示器例如液晶显示器以对显示器提供光。背光单元可包括光 供给部、光引导板和光板。根据实施方案的发光器件封装可适应于光供给部。背光单元可 不使用光引导板。 根据实施方案的半导体发光器件可用于照明装置。照明装置可包括外壳和光供给模块。光供给模块可设置在外壳中。根据实施方案 的发光器件封装可适用于光供给模块。虽然已经参考大量说明性实施方案描述了实施方案，但是应理解本领域技术人员 可设计很多的其它改变和实施方案，这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更具体 地，在公开、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结构中可 能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而言， 可替代的用途也会是显而易见的。
权利要求
一种半导体发光器件，包括包括半导体材料的第一载流子阻挡层的第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层下的有源层；和在所述有源层下的第二导电半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一载流子阻挡层包括掺杂有第 二导电掺杂剂的半导体或者未掺杂的半导体。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一载流子阻挡层的底表面设置 为与所述有源层的顶表面接触。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括至少一个第二载流子阻挡层，所述 第二载流子阻挡层设置在所述第一导电半导体层中并且比所述第一载流子阻挡层更靠近 所述有源层。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括在所述第二载流子阻挡层下的电极 层和在所述电极层下的导电支撑构件。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括设置在对应于所述第一载流子阻挡 层的所述第一导电半导体层上的第一电极。
7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中所述第一载流子阻挡层具有与所述第 一电极的图案相同的图案。
8.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中所述第一载流子阻挡层具有与所述第 一电极的图案的至少一部分相同的图案。
9.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中所述第一载流子阻挡层设置在所述第 一导电半导体层中并且比所述第一电极更靠近所述有源层。
10.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述第一和第二载流子阻挡层包括 掺杂有第二导电掺杂剂或者未掺杂导电掺杂剂的GaN、InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN和 AlInN中的一种。
11.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述第一载流子阻挡层具有与所述 第二载流子阻挡层的厚度相同的厚度。
12.根据权利要求5所述的半导体发光器件，还包括设置在所述电极层周围和设置在 所述导电支撑构件上的沟道层。
13.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中在所述第一载流子阻挡层下提供多 个第二载流子阻挡层，并且所述多个第二载流子阻挡层与所述第一载流子阻挡层在垂直方 向上交叠。
14.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中在所述第一载流子阻挡层下提供多 个第二载流子阻挡层，并且所述多个第二载流子阻挡层不与所述第一载流子阻挡层在垂直 方向上交叠。
15.一种包括根据权利要求1至14中任一项所述的半导体发光器件的照明装置。
全文摘要
本发明公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括包括半导体材料的第一载流子阻挡层的第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层下的有源层；和在所述有源层下的第二导电半导体层。
文档编号F21S2/00GK101807642SQ20101012158
公开日2010年8月18日 申请日期2010年2月20日 优先权日2009年2月16日
发明者朴炯兆 申请人:Lg伊诺特有限公司