专利名称：一种led灯的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种LED灯。
背景技术：
LED (Light Emitting Diode，简称LED，中文名为发光二极管)灯被称为第四代照 明光源或绿色光源，具有节能、环保、体积小、可靠性高等特点，广泛应用于各种指示、显示、 装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。随着LED晶片的整体水平的不断提高，LED灯 整体光效不断提升，使得其照明领域的应用不断得以扩大。目前大功率LED灯的制作趋向是功率做高体积做小。但是现有的LED灯，特别是大 功率LED灯，其封装LED晶片的基座一般是金属制成，虽然金属基座具有极好的散热性，但 是金属基座的膨胀系数高，化学性质不太稳定，长期使用过程中，与LED晶片匹配度不高。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种体积小、导热性 好、与LED晶片匹配度高的、整体性能稳定的大功率LED灯。本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为该LED灯，包括铺有引线电 路的基座，设置在基座上并与引线电路电连接的LED晶片，LED晶片上涂敷有荧光粉层，包 裹在LED晶片及荧光粉层外的基座上封装有硅胶层，其特征在于所述基座包括由硅铝合 金制成的底层基板和固定在底层基板上由硅制成的上层基板，所述引线电路铺设在由硅制 成的上层基板上，并且所述LED晶片也是固化在由硅制成的上层基板上。硅的特性化学性质非常稳定，在常温下，除氟化氢以外，很难与其他物质发生反 应。低膨胀系数与LED晶片相匹配。硅的比热700J/(kg*K)，电导率2.52X10-4/(米欧 姆)，热导率 148ff/(m ‘ K) ο铝硅合金的特性铝硅合金结合了铝和硅两者的特性以质轻、耐磨、耐压、低膨胀 系数和高耐蚀性能等特点。硅改善合金的流动性，降低热裂倾向，减少疏松，提高气密性，具 有中等的强度和硬度。与现有技术相比，本实用新型的优点在于1、将基座由硅铝合金制成的底层基板和固定在底层基板上由硅制成的上层基板 制成，硅和铝硅合金两者膨胀系数差不多，都有良好的导热性，由于硅比较脆所以在硅做在 铝硅合金上不容易碎。2、LED晶片固定在硅片上，晶片与硅的膨胀系数差不多匹配度比金属要好很多。硅 片也具有良好的导热性，可以将晶片的热量散掉。3、LED晶片固晶的位置与晶片尺寸相匹配点完荧光粉后能有效的改善光斑。4、体积较小。
图1为本实用新型实施例中LED灯的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。请参见图1所示的LED灯，其包括由硅铝合金制成的底层基板1和固定在底层基 板上由硅制成的上层基板2，上层基板2上铺有引线电路3，引线电路3中的引线可以采用 镀金线或镀银线，各引线之间的沟槽区域即用来铺设LED晶片4，LED晶片4通过金线5与 引线电路电连接，LED晶片4上涂敷有荧光粉层6，包裹在LED晶片4及荧光粉层6外的基 座上封装有硅胶层7。
权利要求一种LED灯，包括铺有引线电路的基座，设置在基座上并与引线电路电连接的LED晶片，LED晶片上涂敷有荧光粉层，包裹在LED晶片及荧光粉层外的基座上封装有硅胶层，其特征在于所述基座包括由硅铝合金制成的底层基板和固定在底层基板上由硅制成的上层基板，所述引线电路铺设在由硅制成的上层基板上，并且所述LED晶片也是固化在由硅制成的上层基板上。
专利摘要本实用新型涉及一种LED灯，包括铺有引线电路的基座，设置在基座上并与引线电路电连接的LED晶片，LED晶片上涂敷有荧光粉层，包裹在LED晶片及荧光粉层外的基座上封装有硅胶层，其特征在于所述基座包括由硅铝合金制成的底层基板和固定在底层基板上由硅制成的上层基板，所述引线电路铺设在由硅制成的上层基板上，并且所述LED晶片也是固化在由硅制成的上层基板上。与现有技术相比，本实用新型的优点在于晶片与硅的膨胀系数差不多匹配度比金属要好很多，硅片也具有良好的导热性，可以将晶片的热量散掉。
文档编号F21S2/00GK201757305SQ201020273208
公开日2011年3月9日 申请日期2010年7月22日 优先权日2010年7月22日
发明者张庆豪, 张日光, 林胜, 蒋德森 申请人:宁波升谱光电半导体有限公司