专利名称：一种聚焦环的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于对晶圆进行等离子处理的等离子反应腔结构，特别涉及一种反应腔内的聚焦环。
背景技术：
现有技术中，在等离子体蚀刻室中，直接暴露在等离子体中的聚焦环一般会优选高纯度材料制成，例如硅或者硅碳化物等。以SiC为例，采用传统化学气相沉积(Chemical vapor exposition，CVD)工艺制成聚焦环时，SiC材料制成的聚集环整个厚度都由CVD沉积生成，再经过后续加工将靠近加工基片的部分切除，形成最后所需的形状。整个聚焦环加工的时间和材料都和聚焦环整体厚度有关，SiC生长缓慢，且制作成本较高。
实用新型内容为了解决上述问题，本实用新型提供一种聚焦环，能够减少聚焦环的沉积厚度，节省SiC的用量，提高制作聚焦环的效率；大大节约了聚焦环的制作成本。为了实现以上目的，本实用新型是通过以下技术方案实现的一种聚焦环，位于一等离子体蚀刻室中的基座上方的基片的外周侧，所述的基座外周侧设有一支撑环，所述的聚焦环位于所述支撑环的上方，所述的聚焦环包含一主环， 所述的主环包括一上表面；一延伸环，所述的延伸环至少部分地延伸至基片的下表面的边缘以内，所述的延伸环底部与所述支撑环相接触；所述主环厚度小于所述主环上表面到所述支撑环的垂直高度。所述的支撑环上方还设有一覆盖环位于所述聚焦环外周侧，所述覆盖环包括一支撑部，支撑所述主环远离所述基片的一侧。所述的延伸环末端包括一插入环，所述的插入环至少部分的插入至基片的下表面的边缘以内，所述的插入环大致与主环相互平行。所述的主环的厚度为所述主环上表面到所述支撑环的垂直高度的50%。所述的主环的厚度为所述主环上表面到所述支撑环的垂直高度的30%。所述的主环的厚度为所述主环上表面到所述支撑环的垂直高度的70%。所述的主环的厚度与所述主环上表面到所述支撑环的垂直高度的比例可以为 20%-90%。所述的延伸环上表面与插入环上表面的夹角为钝角。所述的聚焦环呈S型。本实用新型与现有技术相比，具有以下优点能够减少聚焦环的沉积厚度，节省 SiC的用量，提高制作聚焦环的效率；大大节约了聚焦环的制作成本。
3[0017]图1为本实用新型一种聚焦环的工作状态剖视图；图2为本实用新型另一实施例的工作状态剖视图。
具体实施方式
以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本实用新型做进一步阐述。如图1所示，一种聚焦环，位于一等离子体蚀刻室中的基座3上方的基片2的外周侧，基座3外周侧设有一支撑环5，所述的聚焦环位于支撑环5的上方，包括一主环11和延伸环13，主环11包括一上表面15 ；延伸环13包括一插入环12，插入环12至少部分地延伸至基片2的下表面的边缘以内，并大致与主环11相互平行。延伸环13底部与支撑环5相接触。支撑环5上方还设有一覆盖环4位于所述聚焦环外周侧，覆盖环4包括一支撑部 6，支撑主环11远离基片2的一侧。主环11的厚度小于主环上表面15到支撑环5的垂直高度，本实施例中，主环11的厚度为主环上表面15到支撑环5的垂直高度的50%，也可以为 20% 或 30%。本实施例中延伸环13的上表面与插入环12的上表面的夹角为钝角，该聚焦环呈 S型，主环11的厚度小于聚焦环的总厚度。如图2所示，一种聚焦环，位于一等离子体蚀刻室中的基座3上方的基片2的外周侧，基座3外周侧设有一支撑环5，所述的聚焦环位于支撑环5的上方，包括一主环11和延伸环13，主环11包括一上表面15 ；延伸环13至少部分地延伸至基片2的下表面的边缘以内，延伸环13底部与支撑环5相接触。支撑环5上方还设有一覆盖环4，位于所述聚焦环外周侧，延伸环13的下表面到覆盖环4之间是空的，主环11的厚度小于主环上表面15到支撑环5的垂直高度，本实施例中，主环11的厚度为主环上表面15到支撑环5的垂直高度的70%，也可以为80%或90%。当采用化学气相沉积(Chemical vapor exposition，CVD)工艺制作聚焦环时，由于主环11以及延伸环的厚度均小于聚焦环的总高度，因而在一次沉积形成过程中所需的 SiC材料大大减少，制成聚焦环的速度也就大大提高，不仅提高了生产效率，而且大大节约了制作成本。在形成本实用新型所描述的聚焦环时在沉积腔内放置与本发明聚焦环下方形状相匹配的模块，沉积到达主环厚度后再经过少量加工就可形成所需的聚集环部件。本实用新型聚焦环在节省大量制造时间和材料的同时，仍然能达到现有技术聚焦环的使用要求，当使用时，主环11可防止离子溅射，并不影响聚焦环的功能。尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本实用新型的保护范围应由所附的权利要求来限定。
权利要求1.一种聚焦环，位于一等离子体蚀刻室中的基座(3)上方的基片(2)的外周侧，所述的基座(3)外周侧设有一支撑环(5)，所述的聚焦环位于所述支撑环(5)的上方，其特征在于， 所述的聚焦环包含一主环(11)，所述的主环(11)包括一上表面；一延伸环(13)，所述的延伸环(13)至少部分地延伸至基片(2)的下表面的边缘以内， 所述的延伸环底部与所述支撑环相接触；所述主环(11)厚度小于所述主环上表面到所述支撑环(5)的垂直高度。
2.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于所述的支撑环(5)上方还设有一覆盖环 (4 )位于所述聚焦环外周侧，所述覆盖环(4 )包括一支撑部(6 )，支撑所述主环远离基片(2 ) 的一侧。
3.根据权利要求1或2所述的聚焦环，其特征在于所述的延伸环(13)末端包括一插入环(12)，所述的插入环(12)至少部分的插入至基片(2)的下表面的边缘以内，所述的插入环(12)大致与主环(11)相互平行。
4.根据权利要求3所述的聚焦环，其特征在于，所述的插入环(12)上表面与延伸环 (13)上表面的夹角为钝角。
5.根据权利要求4所述的聚焦环，其特征在于，所述的聚焦环呈S型。
6.根据权利要求3所述的聚焦环，其特征在于所述的主环(11)的厚度为所述主环上表面到所述支撑环的垂直高度的50%。
7.根据权利要求3所述的聚焦环，其特征在于所述的主环(11)的厚度为所述主环上表面到所述支撑环的垂直高度的30%。
8.根据权利要求1或2所述的聚焦环，其特征在于所述的主环(11)的厚度为所述主环上表面到所述支撑环的垂直高度的70%。
9.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于所述的主环(11)的厚度与所述主环上表面到所述支撑环的垂直高度的比例可以为20%-90%。
专利摘要本实用新型公开了一种聚焦环，设置于一等离子体蚀刻室中的基座上方的基片的外周侧，所述的基座外周侧设有一支撑环，所述的聚焦环位于所述支撑环的上方，所述的聚焦环包含一主环和一延伸环，所述的主环包括一上表面；所述的延伸环至少部分地延伸至基片的下表面的边缘以内，所述的延伸环底部与所述支撑环相接触；所述主环厚度小于所述主环上表面到所述支撑环的垂直高度。本实用新型提供的聚焦环由于主环的厚度小于聚焦环的总厚度，因而所需的SiC材料大大减少，制成聚焦环的速度也就大大提高，不仅提高了生产效率，而且大大节约了制作成本。
文档编号H01J37/32GK202307790SQ20112042585
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月1日 优先权日2011年11月1日
发明者倪图强 申请人:中微半导体设备(上海)有限公司