等离子显示面板的制造方法

专利名称：等离子显示面板的制造方法
技术领域：
在此所公开的技术涉及一种在显示设备等中使用的等离子显示面板的制造方法。
背景技术：
等离子显示面板(以下称为rop)由前面板和背面板构成。前面板由玻璃基板、形成在玻璃基板的一个主面上的显示电极、覆盖显示电极来发挥电容器的作用的电介质层、以及形成在电介质层上的由氧化镁(MgO)构成的保护层构成。另一方面，背面板由玻璃基板、形成在玻璃基板的一个主面上的数据电极、覆盖数据电极的衬底电介质层、形成在衬底电介质层上的隔壁、以及形成在各隔壁之间的分别发出红色光、绿色光及蓝色光的荧光体层构成。前面板和背面板将电极形成面侧对置而被气密地密封。向被隔壁划分的放电空间 封入氖(Ne)及氙(Xe)的放电气体。放电气体通过选择性地施加在显示电极上的影像信号电压来放电。通过放电产生的紫外线激发各色荧光体层。所激发的荧光体层发出红色光、绿色光、蓝色光。PDP这样实现彩色图像显示(参照专利文献I)。保护层主要具有4个功能。第1，从放电产生的离子冲击中保护电介质层。第2，放射用于产生数据放电的初始电子。第3，保持用于产生放电的电荷。第4，在维持放电时放射二次电子。由于在离子冲击中电介质层受到保护，因此放电电压的上升被抑制。由于初始电子放射数量增加，因此成为图像闪烁的原因的数据放电错误减少。由于能提高电荷保持性，因此可降低施加电压。由于二次电子放射数量增加，因此可降低维持放电电压。为了增加初始电子放射数量，进行了例如在保护层的MgO中添加硅(Si)、铝(Al)等尝试(例如，参照专利文献1、2、3、4、5等)。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2002-260535号公报专利文献2 :日本特开平11-339665号公报专利文献3 日本特开2006-59779号公报专利文献4 :日本特开平8-236028号公报专利文献5 :日本特开平10-334809号公报

发明内容
一种PDP的制造方法，PDP包括背面板、以及在与背面板之间设置放电空间而被密封的前面板。前面板具有电介质层、和覆盖电介质层的保护层。保护层包括形成在电介质层上的衬底层。在衬底层的整个面上分散配置由多个氧化镁的结晶粒子凝集而成的凝集粒子。衬底层至少包含第I金属氧化物和第2金属氧化物。此外，衬底层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。衬底层的峰值位于第I金属氧化物在X射线衍射分析中的第I峰值、与第2金属氧化物在X射线衍射分析中的第2峰值之间。第I峰值及第2峰值表示与衬底层的峰值所示的面取向相同的面取向。第I金属氧化物及第2金属氧化物是从由氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡构成的组中选择的2种化合物。该rop的制造方法包括以下エ艺。在电介质层上形成衬底层。接着，在衬底层上涂布第I有机溶剂，从而形成第I涂布层。接着，在第I涂布层上涂布分散有凝集粒子的第2有机溶剤，从而形成第2涂布层。接着，加热第I涂布层及第2涂布层，从而使第I有机溶剂及第2有机溶剂蒸发，并且在衬底层上分散配置凝集粒子。


图I是表示实施方式所涉及的rop的结构的立体图。图2是表示实施方式所涉及的前面板的结构的剖视图。图3是表示实施方式所涉及的rop的制造エ序的流程图。
图4是表示实施方式所涉及的衬底膜的X射线衍射分析的结果的图。图5是表示实施方式所涉及的其他结构的衬底膜的X射线衍射分析的结果的图。图6是实施方式所涉及的凝集粒子的放大图。图7是表示实施方式所涉及的PDP的放电延迟与保护层中的钙(Ca)浓度之间的关系的图。图8是表示该PDP所涉及的电子放射性能与Vscn点亮电压之间的关系的图。图9是表示实施方式所涉及的凝集粒子的平均粒径与电子放射性能之间的关系的图。图10是表示实施方式所涉及的凝集粒子的平均粒径与隔壁破坏概率之间的关系的图。图11是表示实施方式所涉及的保护层形成エ序的流程图。图12是表示实施方式所涉及的保护层形成エ序的图。
具体实施例方式[I. PDP的基本结构]PDP的基本结构为普通的交流面放电型TOP。如图I所示，PDPl对置配置了由前面玻璃基板3等构成的前面板2、和由背面玻璃基板11等构成的背面板10。前面板2和背面板10的外周部通过由玻璃粉等构成的密封件气密地密封。在被密封的ropi内部的放电空间16中，以53kPa 80kPa的压カ封入了 Ne及Xe等放电气体。在前面玻璃基板3上，彼此平行地分别配置有多列由扫描电极4及維持电极5构成的ー对带状的显示电极6及黑条(black stripe) 7。在前面玻璃基板3上以覆盖显示电极6和黑条7的方式形成起到电容器作用的电介质层8。此外，在电介质层8的表面上形成有由MgO等构成的保护层9。此外，如图2所示，本实施方式中的保护层9包括层叠在电介质层8上的衬底层、即衬底膜91和附着在衬底膜91上的凝集粒子92。扫描电极4及维持电极5分别在由铟锡氧化物(ITO)、ニ氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等导电性金属氧化物构成的透明电极上层叠了含有Ag的总线电扱。在背面玻璃基板11上，在与显示电极6正交的方向上彼此平行地配置了由以银(Ag)为主要成分的导电性材料构成的多个数据电极12。数据电极12被衬底电介质层13覆盖。此外，在数据电极12之间的衬底电介质层13上形成有划分放电空间16的规定高度的隔壁14。在衬底电介质层13上及隔壁14的侧面，按每个数据电极12依次涂布形成有通过紫外线发出红色光的荧光体层15、发出绿色光的荧光体层15及发出蓝色光的荧光体层15。在显示电极6与数据电极12交叉的位置上形成有放电单元。在显示电极6的方向上排列的具有红色、绿色及蓝色的荧光体层15的放电单元是用于进行彩色显示的像素。另外，在本实施方式中，封入到放电空间16中的放电气体包含10体积％以上且30%体积以下的Xe。[2. PDP的制造方法]接着，说明I3DPl的制造方法。 首先，说明前面板2的制造方法。如图3所示，在电极形成工序Sll中，通过光刻法，在前面玻璃基板3上形成扫描电极4、维持电极5和黑条7。扫描电极4及维持电极5具有用于确保导电性的含有Ag的总线电极4b、5b。此外，扫描电极4及维持电极5包括透明电极4a、5a。总线电极4b层叠在透明电极4a上。总线电极5b层叠在透明电极5a上。透明电极4a、5a的材料为了确保透明度和电传导性而使用ITO等。首先，通过溅射法等，在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。接着通过平面印刷法形成规定图案的透明电极 4a、5a。总线电极4b、5b的材料使用含有Ag、用于使Ag粘结的玻璃粉、感光性树脂及溶剂等的白色糊剂。首先，通过丝网印刷法等，在前面玻璃基板3上涂布白色糊剂。接着，通过干燥炉去除白色糊剂中的溶剂。接着，通过规定图案的光掩模，使白色糊剂曝光。接着，白色糊剂被显影，形成总线电极图案。最后，通过烧成炉，在规定的温度下烧成总线电极图案。即，总线电极图案中的感光性树脂被去除。此外，总线电极图案中的玻璃粉熔化。熔化后的玻璃粉在烧成后再次被玻璃化。通过以上工序,形成总线电极4b、5b。黑条7使用含有黑色颜料的材料。采用丝网印刷法等，在显示电极6之间形成黑条7。接着，在电介质层形成工序S12中，形成电介质层8。电介质层8的材料使用含有电介质玻璃粉、树脂及溶剂等的电介质糊剂。首先，通过模涂(die coat method)法等，以规定的厚度覆盖扫描电极4、维持电极5及黑条7的方式在前面玻璃基板3上涂布电介质糊齐U。接着，通过干燥炉，去除电介质糊剂中的溶剂。最后，通过烧成炉，在规定的温度下烧成电介质糊剂。即，电介质糊剂中的树脂被去除。此外，电介质玻璃粉熔化。熔化后的玻璃粉在烧成后再次被玻璃化。通过以上工序S12，形成电介质层8。在此，除了对电介质糊剂进行模涂的方法以外，还可以使用丝网印刷法、旋涂法等。此外，也可以不使用电介质糊剂，而是通过CVD (Chemical Vapor Deposition)法等形成成为电介质层8的膜。电介质层8的详细情况将在后面进行说明。接着，在保护层形成工序S13中，在电介质层8上形成具有衬底膜91及凝集粒子92的保护层9。保护层9的详细情况及保护层形成工序S13的详细情况将在后文进行说明。通过以上工序Sll S13，在前面玻璃基板3上形成扫描电极4、维持电极5、黑条7、电介质层8及保护层9，制作完成前面板2。接着，说明背面板制作工序S21。通过光刻法，在背面玻璃基板11上形成数据电极12。数据电极12的材料使用含有用于确保导电性的Ag、用于使Ag粘结的玻璃粉、感光性树脂及溶剂等的数据电极糊剂。首先，通过丝网印刷法等，数据电极糊剂以规定的厚度被涂布在背面玻璃基板11上。接着，通过干燥炉，去除数据电极糊剂中的溶剤。接着，通过规定图案的光掩模，曝光数据电极糊剂。接着，数据电极糊剂被显影，形成数据电极图案。最后，通过烧成炉，在规定的温度下烧成数据电极图案。即，数据电极图案中的感光性树脂被去除。此外，数据电极图案中的玻璃粉熔化。熔化后的玻璃粉在烧成后再次被玻璃化。通过以上エ序，形成数据电极12。在此，除了对数据电极糊剂进行丝网印刷的方法以外，还可以采用溅射法、蒸镀法等。
接着，形成衬底电介质层13。衬底电介质层13的材料使用含有电介质玻璃粉、树脂及溶剂等的衬底电介质糊剂。首先，通过丝网印刷法等，衬底电介质糊剂以规定的厚度在形成有数据电极12的背面玻璃基板11上被涂布成覆盖数据电极12。接着，通过干燥炉，去除衬底电介质糊剂中的溶剂。最后，通过烧成炉,在规定的温度下烧成衬底电介质糊剂。即，衬底电介质糊剂中的树脂被去除。此外，电介质玻璃粉熔化。熔化后的玻璃粉在烧成后再次被玻璃化。通过以上エ序，形成衬底电介质层13。在此,除了对衬底电介质糊剂进行丝网印刷的方法以外，还可以采用模涂法、旋涂法等。此外，也可以不使用衬底电介质糊剂，而是通过CVD法等形成成为衬底电介质层13的膜。接着，通过光刻法形成隔壁14。隔壁14的材料使用含有填料、用于使填料粘结的玻璃粉、感光性树脂及溶剂等的隔壁糊剂。首先，通过模涂法等，隔壁糊剂以规定的厚度被涂布在衬底电介质层13上。接着，通过干燥炉去除隔壁糊剂中的溶剤。接着，通过规定图案的光掩模，曝光隔壁糊剂。接着，隔壁糊剂被显影，形成隔壁图案。最后，通过烧成炉，在规定的温度下烧成隔壁图案。即，隔壁图案中的感光性树脂被去除。此外，隔壁图案中的玻璃粉熔化。熔化后的玻璃粉在烧成后再次被玻璃化。通过以上エ序，形成隔壁14。在此，除了光刻法以外，还可以采用喷沙法等。接着，形成荧光体层15。荧光体层15的材料使用含有荧光体、粘合剂及溶剂等的突光体糊剂。首先，通过分配法(dispensing method)等,突光体糊剂以规定的厚度被涂布在相邻的隔壁14之间的衬底电介质层13上及隔壁14的侧面上。接着，通过干燥炉，去除荧光体糊剂中的溶剤。最后，通过烧成炉，在规定的温度下烧成荧光体糊剂。即，荧光体糊剂中的树脂被去除。通过以上エ序，形成荧光体层15。在此，除了分配法以外，还可以采用丝网印刷法、喷墨法等。通过以上背面板制作エ序S21，制作完成在背面玻璃基板11上具有规定的构成部件的背面板10。接着，在玻璃料(frit)涂布エ序S22中，通过分配法，在背面板10的周围形成密封件(未图示)。密封件(未图示)的材料使用含有玻璃粉、粘合剂及溶剂等的密封糊剂。接着，通过干燥炉，去除密封糊剂中的溶剂。并且，组装前面板2和背面板10。在校准エ序S31中，以显示电极6与数据电极12正交的方式，对置配置前面板2和背面板10。接着，在密封排气エ序S32中，前面板2和背面板10的周围被玻璃粉密封，放电空间16内被排气。最后，在放电气体供给エ序S33中，向放电空间16封入含有Ne、Xe等的放电气体。通过以上エ序，制作完成PDPl。
[3.电介质层的详细情况]详细说明电介质层8。电介质层8由第I电介质层81和第2电介质层82构成。第I电介质层81的电介质材料包含以下成分。三氧化二铋(Bi2O3)为20重量％ 40重量％。从由氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)及氧化钡(BaO)构成的组中选择的至少I种为O. 5重 量％ 12重量％。从由三氧化钥(MoO3)、三氧化钨(WO3)、氧化铈(CeO2)及二氧化锰(MnO2)构成的组中选择的至少I种为O. I重量％ 7重量％。另外，也可以代替由此03、冊3、0602及胞02构成的组，也可以含有0. I重量％ 7重量％的从由氧化铜(CuO)、三氧化二铬(Cr2O3)、三氧化二钴(Co2O3)、七氧化二钒(V2O7)及三氧化二锑(Sb2O3)构成的组中选择的至少I种。此外，作为上述成分以外的成分，也可以含有O重量％ 40重量％的Ζη0、0重量％ 35重量％的氧化硼(B2O3)、0重量％ 15重量％的二氧化硅(SiO2)、0重量％ 10重量％的氧化铝(Al2O3)等不含铅成分的成分。电介质材料是通过湿式喷磨机、球磨机粉碎成平均粒径达到O. 5μηι 2. 5μηι来制作出电介质材料粉末。接着，用三辊机(three-roll mill)充分混炼55重量％ 70重量％的该电介质材料粉末、和30重量％ 45重量％的粘合剂成分来制作完成模涂用或印刷用的第I电介质层用糊剂。粘合剂成分为乙基纤维素、或含有I重量％ 20重量％的丙烯酸树脂的萜品醇、或丁基卡必醇乙酸酯。此外，也可以根据需要在糊剂中添加邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯作为增塑剂。此外，也可以添加甘油单油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、homogenoll (Kao Corporation公司产品名)、烧基烯丙基的磷酸酯等作为分散齐U。若添加分散剂，则可提高印刷性。第I电介质层用糊剂覆盖显示电极6，且通过模涂法或丝网印刷法将其印刷在前面玻璃基板3上。所印刷的第I电介质层用糊剂在干燥后在比电介质材料的软化点稍高的温度、即575°C 590°C下被烧成,形成第I电介质层81。接着，说明第2电介质层82。第2电介质层82的电介质材料含有以下成分。Bi2O3为11重量％ 20重量％。从Ca0、Sr0、Ba0中选择的至少I种为I. 6重量％ 21重量％。从MoO3、WO3、CeO2选择的至少I种为0. I重量％ 7重量％。另夕卜，也可以代替MoO3、WO3、CeO2，从 CuO、Cr2O3、Co2O3、V2O7、Sb2O3、MnO2 中选择的至少I种含有O. I重量％ 7重量％。此外，作为除了上述成分以外的成分，也可以含有O重量％ 40重量％的Ζη0、0重量％ 35重量％的民03、0重量％ 15重量％的Si02、0重量％ 10重量％的Al2O3等不含铅成分的成分。电介质材料是通过湿式喷磨机、球磨机被粉碎成平均粒径达到O. 5μπι 2. 5μπι而制作出电介质材料粉末。接着，利用三辊机充分混炼55重量％ 70重量％的该电介质材料粉末、和30重量％ 45重量％的粘合剂成分来制作完成模涂用或印刷用的第2电介质层用糊剂。粘合剂成分为乙基纤维素、或含有丙烯酸树脂I重量％ 20重量％的萜品醇、或丁基卡必醇乙酸酯。此外，也可以根据需要在糊剂中添加邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯作为增塑剂。此外，也可以添加甘油单油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酷、homogenoll (Kao Corporation公司产品名)、烧基烯丙基的磷酸酯等作为分散齐U。若添加分散剂，则印刷性提高。第2电介质层用糊剂是通过丝网印刷法或模涂法被印刷在第I电介质层81上的。所印刷的第2电介质层用糊剂在干燥后，在比电介质材料的软化点稍高的温度即550°C 590°C下被烧成,形成第2电介质层82。另外，关于电介质层8的膜厚，为了确保可见光透过率，优选第I电介质层81和第2电介质层82加起来在41 μ m以下。第I电介质层81为了抑制与总线电极4b、5b的Ag反应,将Bi2O3的含量设为大于第2电介质层82的Bi2O3的含量，即设为20重量％ 40重量％。于是，第I电介质层81的可见光透过率低于第2电介质层82的可见光透过率，因此第I电介质层81的膜厚比第2电介质层82的膜厚薄。 第2电介质层82在Bi2O3的含量小于11重量％时，虽然难以着色，但在第2电介质层82中容易产生气泡。因此，不优选Bi2O3的含量小于11重量％。另ー方面，在Bi2O3的含量超过40重量％吋，容易产生着色，因此可见光透过率减小。因此，不优选Bi2O3的含量超过40重量％。此外，电介质层8的膜厚越小，亮度提高和放电电压降低的效果就越显著。因此，优选的是，只要在绝缘耐压不降低的范围内，则尽可能将膜厚设定得较小。根据以上观点，在本实施方式中，将电介质层8的膜厚设定为41 μ m以下，将第I电介质层81设定为5 μ m 15 μ m,将第2电介质层82设定为20 μ m 36 μ m。如上所述制造的I3DPl即使在显示电极6上使用Ag材料，也能够抑制前面玻璃基板3的着色现象(泛黄)及在电介质层8中产生气泡等，能够实现绝缘耐压性能优异的电介质层8,这一点已得到确认。接着，分析在本实施方式的ropi中通过这些电介质材料能够抑制在第I电介质层81中产生泛黄及气泡的原因。即，公知的是，在含有Bi2O3的电介质玻璃中添加MoO3或WO3,在 5800C 以下的低温下容易生成 Ag2MoO4, Ag2Mo2O7, Ag2Mo4O13^ Ag2WO4,Ag2W2O7,Ag2W4O13 这样的化合物。在本实施方式中，电介质层8的烧成温度为550°C 590°C,因此在烧成中向电介质层8中扩散的银离子(Ag+)与电介质层8中的MoO3、WO3、CeO2、MnO2反应，生成稳定的化合物而稳定化。即，Ag+不会被还原而是被稳定化，因此不会凝集并生成肢体。从而，由于Ag+稳定化，因此伴随Ag的胶体化而产生的氧也減少，因此在电介质层8中产生的气泡也減少。另ー方面，为了有效地获得上述效果，优选的是，在含有Bi2O3的电介质玻璃中将MoO3> WO3> CeO2, MnO2的含量设为O. I重量％以上，更优选在O. I重量％以上且7重量％以下。尤其是若小于O. I重量％，则抑制泛黄的效果减小，若超过7重量％，则容易在玻璃上引起着色，因此不优选。即，本实施方式的I3DPl的电介质层8通过与由Ag材料构成的总线电极4b、5b接触的第I电介质层81抑制泛黄现象和产生气泡，通过在第I电介质层81上设置的第2电介质层82来实现高光透过率。其結果，能够实现电介质层8整体的气泡及泛黄的产生极少的高透过率的rop。[4.保护层的详细情况]保护层9包括衬底层、即衬底膜91和凝集粒子92。衬底膜91至少包括第I金属氧化物和第2金属氧化物。第I金属氧化物及第2金属氧化物是从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选择的2种化合物。此外，衬底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值位于第I金属氧化物在X射线衍射分析中的第I峰值、与第2金属氧化物在X射线衍射分析中的第2峰值之间。第I峰值和第2峰值表示与衬底膜91的峰值所示的面取向相同的面取向。[4-1.衬底膜的详细情况]图4表示构成本实施方式中的I3DPl的保护层9的衬底膜91面的X射线衍射结果。此外，图4中还表示MgO单体、CaO单体、SrO单体及BaO单体的X射线衍射分析的结果。在图4中，横轴为布拉格衍射角(2 Θ )，纵轴为X射线衍射波的强度。衍射 角的单位是以I周为360度的度数来表示的,强度用任意单位(arbitrary unit)来表示。作为特定取向面的结晶取向面是带上括弧来表示的。如图4所示，在(111)的面取向上，CaO单体在衍射角32. 2度处具有峰值。MgO单体在衍射角36. 9度处具有峰值。SrO单体在衍射角30. O度处具有峰值。BaO单体的峰值在衍射角27. 9度处具有峰值。在本实施方式的I3DPl中，保护层9的衬底膜91含有从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选择的至少2种以上的金属氧化物。在图4中表示构成衬底膜91的单体成分为双成分时的X射线衍射结果。A点是作为单体成分使用MgO和CaO的单体而形成的衬底膜91的X射线衍射结果。B点是作为单体成分使用MgO和SrO的单体而形成的衬底膜91的X射线衍射结果。C点是作为单体成分使用MgO和BaO的单体而形成的衬底膜91的X射线衍射结果。如图4所示，A点在(111)的面取向上在衍射角36. I度处具有峰值。作为第I金属氧化物的MgO单体在衍射角36. 9度处具有峰值。作为第2金属氧化物的CaO单体在衍射角32. 2度处具有峰值。即，A点的峰值位于MgO单体的峰值与CaO单体的峰值之间。同样地，B点的峰值是衍射角35. 7度,位于作为第I金属氧化物的MgO单体的峰值与作为第2金属氧化物的SrO单体的峰值之间。C点的峰值也是衍射角35. 4度,位于作为第I金属氧化物的MgO单体的峰值与作为第2金属氧化物的BaO单体的峰值之间。此外，图5表示构成衬底膜91的单体成分为3成分以上时的X射线衍射结果。D点是作为单体成分使用MgO、CaO及SrO而形成的衬底膜91的X射线衍射结果。E点是作为单体成分使用MgO、CaO及BaO而形成的衬底膜91的X射线衍射结果。F点是作为单体成分使用CaO、SrO及BaO而形成的衬底膜91的X射线衍射结果。如图5所示，D点在(111)的面取向上在衍射角33. 4度处具有峰值。作为第I金属氧化物的MgO单体在衍射角36. 9度处具有峰值。作为第2金属氧化物的SrO单体在衍射角30. O度处具有峰值。即，D点的峰值位于MgO单体的峰值与SrO单体的峰值之间。同样，E点的峰值是衍射角32. 8度，位于作为第I金属氧化物的MgO单体的峰值与作为第2金属氧化物的BaO单体的峰值之间。F点的峰值也是衍射角30. 2度,位于作为第I金属氧化物的CaO单体的峰值与作为第2金属氧化物的BaO单体的峰值之间。因此，本实施方式的I3DPl的衬底膜91至少含有第I金属氧化物和第2金属氧化物。此外，衬底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值位于第I金属氧化物在X射线衍射分析中的第I峰值、与第2金属氧化物在X射线衍射分析中的第2峰值之间。第I峰值和第2峰值表示与衬底膜91的峰值所表示的面取向相同的面取向。第I金属氧化物及第2金属氧化物是从由MgO、CaO、SrO及BaO构成的组中选择的2种化合物。另外，在以上说明中，作为结晶的面取向面以(111)为对象进行了说明，但是在以其他面取向为对象的情况下，金属氧化物的峰值的位置也与上述情况相同。CaO、SrO及BaO距离真空能级(vacuum level)的深度与MgO相比位于较浅的区域。因此认为，在驱动I3DPl的情况下，Ca0、Sr0、Ba0的位于能级上的电子向Xe离子的基态迁移时，由于俄歇效应(Auger effect)而放射的电子数与从 MgO的能级迁移时相比更多。此外，如上所述，本实施方式中的衬底膜91的峰值位于第I金属氧化物的峰值与第2金属氧化物的峰值之间。即，衬底膜91的能级位于単体的金属氧化物之间，认为由于俄歇效应而放射的电子数与从MgO的能级迁移时相比更多。其結果，与MgO単体相比，通过衬底膜91能够发挥良好的二次电子放射特性，其结果能够减小维持电压。因此，尤其在为了提高亮度而提高了作为放电气体的Xe分压的情况下，能够减小放电电压，能够实现低电压且高亮度的rop I。表I表示在本实施方式的I3DPl中封入60kPa的Xe及Ne的混合气体(Xe，15% ),并改变衬底膜91的构成时的维持电压的結果。[表 I]
__样品A —样品B —样品C —样品D —样品E 比较例_
维持电压 9087858182100
(a.u.)另外，表I的維持电压是通过将比较例的值设为“100”时的相对值来表示的。样品A的衬底膜91由MgO和CaO构成。样品B的衬底膜91由MgO和SrO构成。样品C的衬底膜91由MgO和BaO构成。样品D的衬底膜91由Mg0、Ca0及SrO构成。样品E的衬底膜91由MgO、CaO及BaO构成。此外，比较例中，衬底膜91由MgO单体构成。在将放电气体的Xe的分压从10%提高到15%的情况下，亮度约上升30%，但是在衬底膜91为MgO单体时的比较例中，维持电压约上升10%。另一方面,在本实施方式的F1DP中，样品A、样品B、样品C、样品D、样品E与比较例相比均能够使维持电压约降低10% 20%。因此，能够设置为通常动作范围内的放电开始电压，能够实现高亮度且低电压驱动的rop。另外，CaO、SrO、BaO在单体的情况下反应性高，因此容易与杂质反应，所以存在电子放射性能下降的课题。然而，在本实施方式中，通过采用它们的金属氧化物的构成，从而降低反应性，由杂质混入及氧缺损少的结晶结构形成。因此，在驱动PDP时过度放射电子的情况被抑制，除了低电压驱动和二次电子放射性能这两方面的效果以外，还能够发挥适度的电子保持特性的效果。该电荷保持特性尤其是在保持初始化期间内所蓄积的壁电荷，在写入期间内防止写入不良来进行可靠的写入放电方面有效。[4-2.凝集粒子的详细情況]接着，详细说明本实施方式中的在衬底膜91上设置的凝集粒子92。如图6所示,凝集粒子92由多个MgO的结晶粒子92a凝集而成。形状能够通过扫描型电子显微镜(SEM)来确认。在本实施方式中，多个凝集粒子92分散配置在衬底膜91的整个面上。凝集粒子92是平均粒径为O. 9μπι 2. 5μπι范围的粒子。另外，在本实施方式中，平均粒径是指体积累积平均直径(D50)。此外，在测量平均粒径时使用激光衍射式粒度分布测量装置ΜΤ-3300(日机装株式会社制造)。凝集粒子92不是作为固体通过强结合力而结合的。凝集粒子92是由多个一次粒子通过静电、范德华力等聚合而成的。此外，凝集粒子92是通过其一部分或全部能够因超声波等外力而分解为一次粒子的状态的程度的力结合的。作为凝集粒子92的粒径，约为Iym左右，作为结晶粒子92a，具有14面体、12面体等具备7面以上的面的多面体形状。此夕卜，结晶粒子92a能够通过以下所示的气相合成法或前体烧成法的任意方法来制造。在气相合成法中，在充满了惰性气体的环境下，加热纯度为99. 9%以上的镁(Mg)金属材料。进一步，向环境中导入少量的氧并加热，从而直接使Mg氧化。由此制作出MgO 的结晶粒子92a。另一方面，在前体烧成法中，通过以下方法制作结晶粒子92a。在前体烧成法中，在7000C以上的高温下均匀地烧成MgO的前体。并且，烧成后的MgO逐渐被冷却而得到MgO的结晶粒子92a。作为前体，可以选择例如镁醇盐(Mg(OR)2)、乙酰基丙酮镁(Mg(acac)2)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸镁(MgCO2)、氯化镁(MgCl2)、硫酸镁(MgSO4)、硝酸镁(Mg(NO3)2)、草酸镁(MgC2O4)中的任意I种以上的化合物。另外，根据所选择的化合物，通常还会取水合物的形态，但也可以使用这种水合物。这些化合物被调整为烧成后获得的MgO的纯度达到99. 95%以上，优选达到99. 98%以上。这是因为，若在这些化合物中混有一定量以上的各种碱金属、B、Si、Fe、Al等杂质元素，则在热处理时产生无用的粒子间粘连及烧结，难以得到高结晶性的MgO的结晶粒子92a。因此，需要通过进行杂质元素的去除等来预先调整前体。通过调整前体烧成法的烧成温度及烧成环境，能够控制粒径。烧成温度可在700°C左右到1500°C左右的范围内进行选择。当烧成温度在1000°C以上时，能够将一次粒径控制为O. 3 2 μ m左右。在前体烧成法的生成过程中以多个一次粒子彼此凝集的凝集粒子92的状态得到结晶粒子92a。MgO的凝集粒子92通过本发明人的实验确认了主要抑制写入放电中的放电延迟的效果、和改善放电延迟的温度依赖性的效果。因此，在本实施方式中，利用凝集粒子92与衬底膜91相比初始电子放射特性非常优异的性质，作为放电脉冲上升时所需的初始电子供给部来配置。放电延迟的主要原因认为是，在放电开始时，作为触发的初始电子从衬底膜91表面向放电空间16中放射的量不足。因此，为了辅助向放电空间16稳定地供给初始电子，将MgO的凝集粒子92分散配置在衬底膜91的表面上。由此，放电脉冲上升时在放电空间16中存在大量电子，实现放电延迟的解除。因此，通过这种初始电子放射特性，即使在TOPl为闻精细的情况等下，也能够实现放电响应性良好的闻速驱动。另外，在衬底I旲91的表面上配置金属氧化物的凝集粒子92的结构中，除了主要抑制写入放电时的放电延迟的效果以夕卜，还能够获得改善放电延迟的温度依赖性的效果。如上所述，在本实施方式的ropi中，通过起到低电压驱动及电荷保持这两个效果的衬底膜91、和起到放电延迟的防止效果的MgO的凝集粒子92构成，从而作为I3DPl整体，即使是高精细的rop，也能够以低电压进行高速驱动，并且能够实现抑制了点亮不良的高品质的图像显示性能。[4-3.实验 I]图7是表示本实施方式的rop I中使用由MgO和CaO构成的衬底膜91时的放电延迟与保护层9中的钙(Ca)浓度之间的关系的图。作为衬底膜91，由MgO和CaO构成，衬底膜91被设成在X射线衍射分析中峰值位于产生MgO的峰值的衍射角与产生CaO的峰值的衍射角之间。另外，图7表示保护层9仅是衬底膜91的情况、和在衬底膜91上配置了凝集粒子92的情况，放电延迟以衬底膜91中不含Ca的情况为基准来表示。根据图7可知，在仅是衬底膜91的情况、与在衬底膜91上配置了凝集粒子92的情况中，在仅是衬底膜91的情况下，随着Ca浓度的増加，放电延迟増大，而通过在衬底膜91 上配置凝集粒子92，能够大幅减小放电延迟，即使Ca浓度增加，放电延迟也几乎不会増大。[4-4.实验 2]接着，说明为了确认本实施方式的具有保护层9的TOPl的效果而进行的实验结
果O首先，试制了具有不同结构的保护层9的ropi。试制品I为仅形成有MgO的保护层9的ropi。试制品2为形成有掺杂了 Al、Si等杂质的MgO的保护层9的TOP1。试制品3为在MgO的保护层9上仅散布由MgO构成的结晶粒子92a的一次粒子并使其附着的I3DPl。另ー方面，试制品4为本实施方式的ropi。试制品4为在MgO的衬底膜91上的整个面上分布凝集粒子92来使其附着的rop I，该凝集粒子92使具有相同粒径的MgO的结晶粒子92a彼此凝集而成。作为保护层9，使用上述样品A。即，保护层9包括由MgO和CaO构成衬底膜91、以及凝集了结晶粒子92a的凝集粒子92，该凝集粒子92以大致均匀地分布在整个面上的方式附着在衬底膜91上。另外，衬底膜91在衬底膜91面的X射线衍射分析中，在构成衬底膜91的第I金属氧化物的峰值与第2金属氧化物的峰值之间具有峰值。即，第I金属氧化物为MgO，第2金属氧化物为CaO。并且，MgO的峰值的衍射角为36. 9度，CaO的峰值的衍射角为32. 2度，衬底膜91的峰值的衍射角位于36. I度上。对具有上述4种保护层结构的ropi测量电子放射性能和电荷保持性能。另外，电子放射性能是其值越大则表示电子放射量越多的数值。电子放射性能表现为放电的表面状态、气体种类及根据状态決定的初始电子放射量。初始电子放射量能够通过向表面照射离子或电子束并测量从表面放射的电子电流量的方法来測量。但是，难以通过非破坏的方式来实施。因此，使用了日本特开2007-48733号公报中所记载的方法。即，测量了放电时的延迟时间中被称为统计延迟时间的作为放电容易产生的基准的数值。通过对统计延迟时间的倒数进行积分，成为与初始电子的放射量线性对应的数值。放电时的延迟时间是指，从写入放电脉冲上升开始到写入放电延迟产生为止的时间。放电延迟的主要原因认为是产生写入放电时的触发、即初始电子难以从保护层表面被放射到放电空间中。此外，电荷保持性能作为其指标使用在制作ropi时抑制电荷放射现象所需的向扫描电极施加的电压(以下称为Vscn点亮电压)的电压值。即，Vscn点亮电压低表不电荷保持能力高。若Vscn点亮电压低，则能够以低电压驱动TOP。因此，作为电源及各电气部件，能够使用耐压及容量小的部件。在现有的产品中，用于向面板依次施加扫描电压的MOSFET等半导体开关元件一直使用了耐压为150V左右的元件。作为Vscn点亮电压，考虑到随温度的变动，期望抑制在120V以下。从图8可知，试制品4在电荷保持性能的评价中能够将Vscn点亮电压设置为120V以下，另外与仅是MgO的保护层时的试制品I相比，电子放射性能能够获得非常良好的特性。一般情况下，PDP的保护层的电子放射能力与电荷保持能力相反。例如，变更保护层的成膜条件、或向保护层中掺杂Al、Si、Ba等杂质来成膜，从而能够提高电子放射性能。但是，作为副作用，Vscn点亮电压也会上升。在本实施方式的具有保护层9的PDP中，作为电子放射能力，能够获得8以上的特 性，作为电荷保持能力，能够获得Vscn点亮电压为120V以下的特性。即，能够获得具有能够应对由于高精细化而具有扫描线数增加且单元尺寸减小的趋势的rop的电子放射能力和电荷保持能力这两者的保护层9。[4-5.实验 3]接着，详细说明在本实施方式的TOPl的保护层9中所使用的凝集粒子92的粒径。另外，在以下说明中，粒径表示平均粒径，平均粒径是指体积累积平均直径(D50)。图9表示在保护层9中改变MgO的凝集粒子92的平均粒径来分析电子放射性能的实验结果。在图9中，凝集粒子92的平均粒径是通过对凝集粒子92进行SEM观察来测量的长度。如图9所示，若平均粒径减小至O. 3μπι左右，则电子放射性能下降，若为大致O. 9 μ m以上，则能够获得高电子放射性能。为了增加放电单元内的电子放射数量，优选保护层9上的每单位面积的结晶粒子数量多。根据本发明人的实验，若在与紧密接触于保护层9的隔壁14的顶部相当的部分中存在结晶粒子92a，则有时会破坏隔壁14的顶部。此时，认识到了由于破损的隔壁14的材料落在荧光体上等，相应的单元中产生无法正常点亮或灭灯的现象。隔壁破损的现象在结晶粒子92a不存在于与隔壁顶部对应的部分时难以发生，因此若附着的结晶粒子数量大，则隔壁14的破损发生概率就会升高。图10表示改变凝集粒子92的平均粒径来分析隔壁破坏概率的实验结果。如图10所示，若凝集粒子92的平均粒径增大到2. 5μπι左右，则隔壁破损的概率急剧升高，若小于2. 5 μ m，则隔壁破损的概率能够被抑制得比较小。如上所述，在本实施方式的具有保护层9的TOPl中，作为电子放射能力，能够获得8以上的特性，作为电荷保持能力，能够获得Vscn点亮电压为120V以下的特性。另外，在本实施方式中，作为结晶粒子，利用MgO粒子进行了说明，但是即使是其他单晶粒子的情况下，使用与MgO同样具有高电子放射性能的Sr、Ca、Ba、Al等金属氧化物的结晶粒子，也能够获得同样的效果，因此粒子种类不限于MgO。[5.保护层形成工序S13的详细情况]接着，利用图11及图12说明本实施方式的保护层形成工序S13。如图11所示，保护层形成工序S13在电介质层形成工序S12之后包括衬底膜形成工序S131、第I涂布层形成工序S132、第2涂布层形成工序S133及烧成工序S134。[5-1.衬底膜形成工序S131]如图12所示，在衬底膜形成工序S131中，通过真空蒸镀法，在电介质层8上形成衬底膜91。真空蒸镀法中所使用的原材料为混合有MgO、CaO、SrO体及BaO的材料的颗粒(pellet)。此外,也可以使用MgO、CaO、SrO体及BaO的材料单体的颗粒。除了真空蒸镀法以外，也可以使用溅射法、离子镀覆法等。另外，在衬底膜形成エ序S131中，也可以在形成衬底膜91之后，烧成衬底膜91。并且，形成有衬底膜91的前面玻璃基板3立即进入第I涂布层形成エ序S132。[5-2.第I涂布层形成エ序S132]在第I涂布层形成エ序S132中，在衬底膜91上涂布第I有机溶剤。由此，在衬底膜91上形成第I涂布层93。第I有机溶剂适用与衬底膜91的亲和カ高的材料。此外，第I有机溶剂适用蒸发速度慢的材料。优选的是，第I有机溶剂的蒸发速度比醋酸丁酷的蒸发速度慢。一般情况下，有机溶剂的相对蒸发速度是以醋酸丁酷的蒸发速度为基准来测量的。这是因为，若第I有机溶剂的蒸发速度比醋酸丁酷的蒸发速度慢，则第I涂布层93即使被放置于大气中也不易干燥。此外，优选的是，在第I有机溶剂中含有树脂。这是因为，通过在第I有机溶剂中含有树脂，即使第I有机溶剂干燥，在衬底膜91上也会残留树脂。 第I有机溶剂使用例如ニ甲基甲氧基丁醇、松油醇、丙ニ醇或苯甲醇等。第I涂布层93是在衬底膜91上以雾气方式喷涂气化的第I有机溶剂来形成的。第I有机溶剂是在衬底膜形成エ序S131中经过了蒸镀室的前面玻璃基板3滞留在冷却室或取出室时以雾气方式喷出的。在衬底膜形成エ序S131之后在10分以内形成第I涂布层93。另外，作为在衬底膜91上涂布第I涂布层93的方法，也可以使用例如丝网印刷法、喷雾法、旋涂法，模涂法、狭缝涂布法等。此外，第I涂布层93的平均膜厚是考虑第I有机溶剂以及直到后述的第2涂布层形成エ序S133为止的滞留时间来确定的。第I涂布层93的平均膜厚优选为I μ m以上且IOym以下。若第I涂布层93的平均膜厚比10 μ m厚，则后述的烧成エ序S134中的烧成时间延长。若延长烧成时间，则操作时间变长，导致制造成本増加。通过不均匀地混合第I涂布层93和第2涂布层94，凝集粒子92的分散性下降。此外，若第I涂布层93的平均膜厚比I μ m薄，则第I涂布层93立即蒸发，衬底膜91会露出。通过在衬底膜91上形成第I涂布层93，即使衬底膜91暴露于大气中，也能够抑制衬底膜91与大气中的CO系的杂质产生反应。因此，衬底膜91能够抑制二次电子放射能力减小。因此，本实施方式的ropi的制造方法能够抑制衬底膜91的变质，能够制造出降低了维持电压的rop I。在此，说明现有的rop的制造方法。在现有的rop的制造方法下的保护层形成エ序中，在衬底I吴形成エ序之后，进彳丁凝集粒子糊剂涂布エ序。在凝集粒子糊剂涂布エ序中，作为凝集粒子糊剂，分散有凝集粒子92的有机溶剂被涂布在衬底膜91上。但是，由于制造设备的问题及结构上的问题，在从衬底膜形成エ序结束到凝集粒子糊剂涂布エ序开始为止的期间内，存在形成有衬底膜91的前面玻璃基板3滞留2小时以上的情況。在此期间，前面玻璃基板3在大气环境下，在储料器(Stocker)中滞留2小时以上。由于前面玻璃基板3滞留在储料器中，从而衬底膜91暴露于大气中。衬底膜91由于暴露于大气中，容易与CO系的杂质反应而容易变质。由于衬底膜91的表面与CO系的杂质反应，在衬底膜91的表面上形成碳酸盐。并且，由于衬底膜91的表面变质，衬底膜91的二次电子放射能力减小。其结果，在现有的PDP的制造方法中，存在PDP的维持电压上升的情况。形成在衬底膜91的表面上的碳酸盐由于是化合物，因此在制造工序中无法较容易地去除。例如，在形成有碳酸钙的情况下，通过加热分解来从衬底膜91的表面去除是需要825°C以上的温度，因此需要加热以外的工序。因此，本实施方式的I3DPl的制造方法在衬底膜形成工序S131之后立即进行第I涂布层形成工序S132。第I涂布层93优选衬底膜形成工序S131之后，在2小时以内在衬底膜91上涂布第I有机溶剂。更优选的是，在衬底膜形成工序S131之后，在I小时以内涂布第I有机溶剂。发明人从实验得出了如下的见解衬底膜91的表面在刚刚暴露于大气之后就会开始变质，经过约2时间表面整体的变质结束。通过在衬底膜形成工序S131之后2小时以 内进行第I涂布层形成工序S132，初始维持电压降低IV 8V左右。此外，通过在衬底膜形成工序S131之后I小时以内进行第I涂布层形成工序S132，从而初始维持电压降低5V 8V左右。此外，通过在衬底膜形成工序S131之后在不暴露于大气的情况下进行第I涂布层形成工序S132，初始维持电压降低约8V左右。并且，在第I涂布层形成工序S132之后，进行第2涂布层形成工序S133。[5-3.第2涂布层形成工序S133]在第2涂布层形成工序S133中，首先，制作分散有凝集粒子92的第2有机溶剂。之后，第2有机溶剂被涂布在第I涂布层93上，从而形成平均膜厚8 μ m 20 μ m左右的第2涂布层94。作为将第2有机溶剂涂布在第I涂布层93上的方法，使用例如丝网印刷法、喷雾法、旋涂法、模涂法、狭缝涂布法等。第2有机溶剂适用与凝集粒子92的亲和力高且凝集粒子92的分散性高的材料。第2有机溶剂形成在由第I有机溶剂构成的第I涂布层93上，因此可以不考虑衬底膜91的亲和力。作为第2有机溶剂，使用例如甲基甲氧基丁醇、松油醇、丙二醇或苯甲醇等。另外，优选第2有机溶剂的比重在第I有机溶剂的比重以下。这是因为，若第2有机溶剂的比重大于第I有机溶剂的比重，则在第2涂布层形成工序S134中，会不均匀地混合第I涂布层93和第2涂布层94。通过不均匀地混合第I涂布层93和第2涂布层94，凝集粒子92的分散性下降。此外，第2有机溶剂也可以使用与第I有机溶剂相同的材料。这是因为，若是相同材料，则凝集粒子92的分散性得到维持。此外，在第2有机溶剂中也可以含有树脂。如上所述，在现有的rop的制造方法中，不存在第I涂布层形成工序S132，不形成第I涂布层93。并且，第2涂布层94直接被涂布在衬底膜91上。因此，第2有机溶剂选择与衬底膜91及凝集粒子92的亲和力高且凝集粒子92的分散性也高的材料。无法选择凝集粒子92的分散性高但与衬底膜91的亲和力低的有机溶剂。但是，本实施方式的I3DPl的制造方法包括第I涂布层形成工序S132。在第I涂布层形成工序S132中，第2有机溶剂形成在由第I有机溶剂构成的第I涂布层93上。因此，第2有机溶剂能够选择凝集粒子92的分散性高但与衬底膜91的亲和力低的有机溶剂。因此，由于凝集粒子92被均匀地分散在第2有机溶剂中，所以凝集粒子92均匀地分散配置在衬底膜91上。由此，本实施方式的ropi的制造方法能够制造亮度均匀的ropi。
并且，在第I涂布层93上形成有第2涂布层94的前面玻璃基板3进入烧成エ序S134。[5_4·烧成エ序 Sl34]接着，在烧成エ序S134中，通过加热在衬底膜91上形成的第I涂布层93及第2涂布层94，从而使第I有机溶剂及第2有机溶剂蒸发。此外，凝集粒子92分散配置在衬底膜91上。首先，向烧成炉传送在第I涂布层93上形成有第2涂布层94的前面玻璃基板3。并且，烧成炉在内部被排气的状态下直接升温。前面玻璃基板3被升温至达到例如370°C左右。并且，前面玻璃基板3在该温度下保持10分钟 20分钟左右。由此，使第I有机溶剂及第2有机溶剂蒸发。通过第I有机溶剂及第2有机溶剂的蒸发，在衬底膜91上分散配置凝集粒子92。在此，在第I有机溶剂及第2有机溶剂中含有树脂的情况下，树脂也会燃烧。另外，在烧成エ序S134中，在衬底膜形成エ序S131中形成的未烧成的衬底膜91 也与第I涂布层93及第2涂布层94同时被烧成。此外，也可以在烧成エ序S134之前进行干燥エ序。通过进行干燥エ序，烧成炉的维护负担得以轻減。这是因为，烧成エ序S134中的第I有机溶剂及第2有机溶剂等的蒸发量会減少。在干燥エ序中，第I涂布层93及第2涂布层94被干燥。并且，通过使第I有机溶剂及第2有机溶剂的蒸发，在衬底膜91上分散配置凝集粒子92。此时，第I有机溶剂及第2有机溶剂不会全部蒸发，会残留在衬底膜91上。作为干燥方法，优选减压干燥。具体而言，真空室内的压カ经过2分钟左右减压到IOPa左右，从而第I涂布层93及第2涂布层94被快速干燥。通过该方法，不会产生在加热干燥中显著的膜内的対流。因此，能够使凝集粒子92更均匀地附着在衬底膜91上。其中，作为干燥方法，也可以使用加热干燥。此外，烧成エ序S134也可以与图3所示的密封排气エ序S32同时进行。此时，在密封排气エ序S32中加热前面板2及背面板10时，第I涂布层93及第2涂布层94同时被加热，从而使第I有机溶剂及第2有机溶剂等蒸发。[5-5.实验 4]接着，说明为了确认本实施方式的TOPI的制造方法的效果而进行的实验結果。发明人准备了改变衬底膜91的组分及保护层形成エ序S13而制造的rop的3种样品。发明人对上述样品测量了初始维持电压。样品I的PDP是在未进行第I涂布层形成エ序S132的情况下制造的。在衬底膜形成エ序S131中，形成MgO单体的衬底膜91。样品2的PDP也是在未进行第I涂布层形成エ序S132的情况下制造的。在衬底膜形成エ序S131中，形成上述样品A的衬底膜91。即，样品2的衬底膜91由MgO和CaO构成。样品3的PDP是进行第I涂布层形成エ序S132后制造的。在衬底膜形成エ序S131中，形成了上述样品A的衬底膜91。在衬底膜形成エ序S131结束起10分种以内进行第I涂布层形成エ序S132。此夕卜，第I有机溶剂及第2有机溶剂使用松油醇。并且，样品I及2的PDP在从衬底膜形成エ序S131结束起到第2涂布层形成エ序S133开始为止在大气环境下滞留3小时左右。样品3的PDP在从第I涂布层形成エ序S132结束起到第2涂布层形成エ序S133开始为止在大气环境下滞留3小时左右。对上述样品I 3測量初始维持电压，測量以样品I为基准的相对维持电压。在将样品I的PDP的维持电压设为O (V)时，样品2的PDP的相对维持电压为-21. 6 (V)。由此可知，与样品I的PDP相比，样品2的PDP的维持电压大幅下降。这是因为，样品2的rop的衬底膜91由MgO和CaO构成。即，样品2的PDP的衬底膜91由2种金属氧化物构成，因此能够降低维持电压。此外，样品3的rop的相对维持电压在将样品I的rop的维持电压设为O(V)时是-29. 7(V)。由此可知，与样品I的PDP相比，样品3的TOP的维持电压大幅下降，而且与样品2的PDP相比，样品3的PDP的维持电压也大幅下降。这是通过第I涂布层形成工序S132在衬底膜91上形成了有机溶剂的第I涂布层93的效果。通过在衬底膜91上形成第I涂布层93，即使暴露于大气中，也能够抑制CO系的杂质附着在衬底膜91的表面上。因此，样品3的TOPl能够抑制衬底膜91的变质，并能够降低维持电压。此外，在本实施方式的I3DPl的制造方法中，在第I涂布层形成工序S132中形成第I涂布层93，从而不需要将衬底膜91形成后的前面玻璃基板3的传送环境设置为真空或氮、氮和氧的混合气体、或稀有气体等气体环境，能够实现生产设备的简化。此外，即使形成衬底膜91后的前面玻璃基板3在衬底膜形成工序S131之后滞留在储料器中，也能够抑制衬底膜91的变质，并能够降低维持电压。
[6.总结]本发明所公开的技术是ropi的制造方法。ropi包括背面板 ο、以及与背面板 ο对置地配置的前面板2。前面板2具有电介质层8、和覆盖电介质层8的保护层9。保护层9包括形成在电介质层8上的衬底层、即衬底膜91。在衬底膜91的整个面上分散配置有由多个氧化镁的结晶粒子凝集而成的凝集粒子92。衬底膜91至少包含第I金属氧化物和第2金属氧化物。此外，衬底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。衬底膜91的峰值位于第I金属氧化物在X射线衍射分析中的第I峰值、与第2金属氧化物在X射线衍射分析中的第2峰值之间。第I峰值及第2峰值表示与衬底层的峰值所示的面取向相同的面取向。第I金属氧化物及第2金属氧化物是从由氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡构成的组中选择的2种化合物。并且，本实施方式的I3DPl的制造方法包括以下工艺。在电介质层8上形成衬底膜91。接着，在衬底膜91上涂布第I有机溶剂，从而形成第I涂布层93。接着，在第I涂布层93上涂布分散有凝集粒子92的第2有机溶剂，从而形成第2涂布层94。接着，通过加热第I涂布层93及第2涂布层94，从而使第I有机溶剂及第2有机溶剂蒸发，并且在衬底膜91上分散配置凝集粒子92。通过以上工艺，本实施方式的rop I的制造方法能够抑制衬底膜91的变质，能够制造降低了维持电压的ropi。此外，本实施方式的ropi的制造方法能够制造提高了亮度的均勻性的PDPl。(工业上的可利用性)如以上所述，本实施方式所公开的技术在实现具有高精细且高亮度的显示性能且消耗电力低的PDP方面是有用的。符号说明I PDP2前面板3前面玻璃基板4扫描电极
4a、5a透明电极4b、5b总线电极5维持电极6显示电极7黑条8电介质层9保护层10背面板 11背面玻璃基板12数据电极13衬底电介质层14隔壁15荧光体层16放电空间81第I电介质层82第2电介质层91衬底膜92凝集粒子92a结晶粒子93第I涂布层94第2涂布层
权利要求
1.一种等离子显示面板的制造方法，其中， 上述等离子显示面板包括背面板、以及与上述背面板对置地配置的前面板， 上述前面板具有电介质层、和覆盖上述电介质层的保护层， 上述保护层包括形成在上述电介质层上的衬底层， 在上述衬底层的整个面上分散配置由多个氧化镁的结晶粒子凝集而成的凝集粒子， 上述衬底层至少包含第I金属氧化物和第2金属氧化物，并且， 上述衬底层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值， 上述峰值位于第I金属氧化物在X射线衍射分析中的第I峰值、与第2金属氧化物在X射线衍射分析中的第2峰值之间， 上述第I峰值及上述第2峰值表示与上述峰值所示的面取向相同的面取向， 上述第I金属氧化物及上述第2金属氧化物是从由氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡构成的组中选择的2种化合物， 在上述等离子显示面板的制造方法中， 在上述电介质层上形成上述衬底层， 接着，通过在上述衬底层上涂布第I有机溶剂，从而形成第I涂布层， 接着，在上述第I涂布层上涂布分散有上述凝集粒子的第2有机溶剂，从而形成第2涂布层， 接着，加热上述第I涂布层及上述第2涂布层，从而使上述第I有机溶剂及上述第2有机溶剂蒸发，并且在上述衬底层上分散配置上述凝集粒子。
2.根据权利要求I所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 在形成衬底层之后，在2小时以内形成上述第I涂布层。
3.根据权利要求2所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 在形成衬底层之后，在I小时以内形成上述第I涂布层。
4.根据权利要求I所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 上述第I有机溶剂含有树脂， 加热第I涂布层及第2涂布层，从而使上述树脂、上述第I有机溶剂及上述第2有机溶剂蒸发，并且在上述衬底层上分散配置上述凝集粒子。
5.根据权利要求I所述的等离子显示面板的制造方法，其中， 上述第2有机溶剂的比重为上述第I有机溶剂的比重以下。
全文摘要
本发明提供一种等离子显示面板的制造方法。包括含有金属氧化物的衬底层和、分散配置在衬底层上的凝集粒子的等离子显示面板的制造方法包括以下工艺。在电介质层上形成衬底层。接着，在衬底层上涂布第1有机溶剂，从而形成第1涂布层。接着，在第1涂布层上涂布分散有凝集粒子的第2有机溶剂，从而形成第2涂布层。接着，加热第1涂布层及第2涂布层，从而使第1有机溶剂及第2有机溶剂蒸发，且在衬底层上分散配置凝集粒子。
文档编号H01J9/02GK102834893SQ20118001569
公开日2012年12月19日 申请日期2011年3月16日 优先权日2010年3月26日
发明者武田英治, 辻田卓司, 桥本润, 后藤真志 申请人:松下电器产业株式会社