专利名称：发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统的制作方法
技术领域：
实施方案可以涉及一种发光器件、包括这种发光器件的发光器件封装以及照明系统。
背景技术：
由于薄膜生长技术和器件材料的发展，发光器件如使用III-V族或者II-VI族化合物半导体材料的发光二极管和激光二极管可以实现红色、緑色、蓝色和各种颜色的光以及紫外光，并且可以通过荧光材料或者顔色混合实现具有高效率的白光。由于这种技术的发展，这些发光器件不仅已经越来越多地应用于显示装置而且也应用于光通信装置的传输模块、代替组成液晶显示器(LCD)的背光灯的冷阴极荧光灯的发 光二极管背光灯、代替荧光灯或者白炽灯的白色发光二极管照明装置、车辆的前灯以及街灯。
发明内容
因而，实施方案可以提供一种发光器件、包括这种发光器件的发光器件封装、以及照明系统。在一个实施方案中，发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极；设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极；以及设置在所述发光结构上的、具有不规则厚度的低温氧化物膜。低温氧化物膜的表面上可以形成不均勻结构(unevenness)。低温氧化物膜可以包括绝缘材料。低温氧化物膜可以形成为至少两层。低温氧化物膜可以设置在第一导电型半导体层的表面和第二导电型半导体层的表面中的至少其ー上。低温氧化物膜可以包括设置在发光结构上的第一层以及设置在第一层上的第二层。第一层可以设置在发光结构的表面上，第二层可以选择性地设置在第一层的表面上。第一层的厚度可以是I至5微米，而第二层的厚度可以是I至5微米。低温氧化物膜可以包括氧化硅。低温氧化物膜可以在400 450°C沉积。低温氧化物膜可以由透射材料形成。低温氧化物膜的厚度可以是I至10微米。发光器件可以进一歩包括设置在发光结构的侧面上的钝化层，并且，钝化层可以与低温氧化物膜的侧面接触。
在另ー实施方案中，发光器件封装包括封装体；设置在封装体上的第一引线框和第二引线框；上述发光器件，该发光器件设置在待电连接至第一引线框和第二引线框的封装体上；以及环绕发光器件的侧面和顶面的模制部分。低温氧化物膜可以设置在模制部分上。可以进ー步在发光器件上设置涂覆在发光器件上的磷光体层，并且，低温氧化物层可以设置在磷光体层的表面上。可以进一歩提供设置在模制部分上的透镜，并且低温氧化物层可以设置在透镜上。在另ー实施方案中，照明系统包括具有封装体的发光器件封装；设置在封装体上的第一引线框和第二引线框；上述发光器件，该发光器件设置在待电连接至第一引线框和第二引线框的封装体上；电连接至发光器件封装的电路板；以及用于传输从发光器件封装发出的光的光学构件。
可以參照附图对设置和实施方案进行详细描述，在附图中，相似的附图标记指代相似的元件，其中图I是示出根据实施方案的发光器件的剖视图；图2A和2B是示出根据另ー实施方案的发光器件的剖视图；图3A至3D是示出根据实施方案的发光器件封装的剖视图；图4是示出根据另ー实施方案的发光器件封装的剖视图；图5至10是示出制造图I中示出的发光器件的过程的图；图IlA至IlC是示出设置在图I中示出的发光器件中的低温氧化物膜的作用的图；图12是示出包括根据实施方案的发光器件封装的照明系统的立体分解图；以及图13是示出根据ー个实施方案的显示装置的图，所述显示装置包括根据实施方案的发光器件封装。
具体实施方案下文中，将參照附图对实施方案进行描述。会理解，当称元件位于另外的元件“上”或者“下”吋，该元件可以直接位于另外的元件上/下，并且也可以有ー个或更多个中间元件。当称元件处于“上”或者“下”时，基于该元件可以包括“在元件下”以及“在元件上”。可以对附图中示出的每个层的厚度和尺寸进行放大、省略或者示意性地描绘。附图中示出的每个元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。图I是示出根据实施方案的发光器件的剖视图。根据本实施方案的发光器件可以包括设置在金属支撑160上的粘附层150、反射层140、欧姆层130以及发光结构120和低温氧化物膜180。在这些实施方案或者其他实施方案中，发光器件可以是半导体发光器件，例如发光二极管。金属支撑160可以用作第二电极，而具有高导电率的金属材料可以用于金属支撑160。也可以使用具有高导热性的金属材料，这是因为金属支撑160必须充分地对在发光器件工作时产生的热进行散热。金属支撑160可以由如下材料或合金形成，该材料或合金包括从钥(Mo)、硅(Si)、钨(W)、铜(Cu)和铝(Al)中选择的材料。此外，金属支撑160可以选择性地包括金(Au)、铜合金(Cu合金)、镍(Ni)、铜钨(Cu-W)以及载体晶片(例如GaN、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiGe、SiC、SiGe 和 Ga2O3)。此外，金属支撑160可以具有预定的机械硬度，以防止整个氮化物半导体的翘曲以及通过划刻和折断处理平坦地将半导体作为独立的芯片分离。粘附层150可以使得反射层140能够粘附至金属支撑160。反射层140可以实现粘附层的功能。粘附层150可以由选自金(Au)、锡(Sn)、铟(IN)、铝(Al)、硅(Si)、银(Ag)、镍(Ni)和铜(Cu)或其合金的材料形成。 反射层140可以具有大约2500埃的厚度。反射层140可以是包括铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、钼(Pt)、铑(Rh)或者Al、Pt或Rh的合金的金属层。铝或者银可以有效地反射从有源层124生成的光，从而增强发光器件的光提取效率。发光结构120尤其是第二导电型半导体层126可以具有高接触电阻，这是因为其具有很低的掺杂浓度。由于接触电阻低，发光结构120尤其是第二导电型半导体层126可能没有良好的欧姆性能。为了增强这种欧姆性能，可以形成透明电极作为欧姆层130。欧姆层130可以具有大约200埃的厚度。欧姆层130可以包括ITO (铟锡氧化物)、IZO (铟锌氧化物)、IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGTO (铟镓锡氧化物)、ΑΖ0 (铝锌氧化物)、ΑΤ0 (锑锡氧化物)、GZ0 (镓锌氧化物)、IZON (ΙΖ0氮化物)、AGZO (铝镓锌氧化物)、ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au 和 Hf 中的至少一种。该实施方案可以不受这些材料限制。发光结构120可以包括第一导电型半导体层122、形成在第一导电型半导体层122上以发出光的有源层124、以及形成在有源层124上的第二导电型半导体层126。第一导电型半导体层122可以是其上掺杂有第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体。在第一导电型半导体层122是N型半导体层的情况下，第一导电型掺杂剂可以是N型掺杂剂，包括Si、Ge、Sn和Te。实施方案可以不受这些材料限制。第一导电型半导体层122可以包括具有经验式AlxInyGa(1_x_y)N(0彡χ彡1，O ^ y ^ 1,0 ^ x+y ^ I)的半导体材料。第一导电型半导体层122可以由GaN、InN, AlN,InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP、AlGaP, InGaP, AlInGaP 和InP中的至少ー种形成。有源层124可以是如下层，该层在经由第一导电型半导体层122注入的电子遇到经由第二导电型半导体层126注入的空穴时，发出具有由有源层(发光层)材料的能带确定的能量的光。从有源层124发出的光可以是非可见光范围的紫外线。有源层124可以形成为单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的至少ー种结构。例如，有源层124可以形成为其中注入三甲基镓气体(TmGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和三甲基铟气体(TMIn)的多量子阱结构。本实施方案可以不限于此。有源层124的阱层和势垒层可以形成为包括InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN、GaAs (InGaAs)/AlGaAs 和 GaP (InGaP)/AlGaP 中的至少ー种的成对结构，然而，本实施方案不限于此。阱层可以由具有小于势垒层的带隙的预定带隙的材料形成。可以在有源层124上和/或下形成导电镀层(未示出)。导电镀层可以由AlGaN基半导体形成 ，并且，导电镀层可以比有源层124具有更大的带隙。第二导电型半导体层126可以包括掺杂有第二导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体，例如，具有经验式InxAlyGa1IyN (O ^χ^Ι,Ο^γ^Ι,Ο^ x+y彡I)的半导体材料。在第二导电型半导体层126是P型半导体的情况下，第二导电型掺杂剂可以是P型掺杂剂，包括 Mg、Zn、Ca、Sr 和 Ba。或者，第一导电型半导体层122可以包括P型半导体层，而第二导电型半导体层126可以包括N型半导体层。在发光结构120上,换言之,在第一导电型半导体层122的表面上,可以形成低温氧化物膜170。低温氧化物膜170可以由透光材料形成，并且，低温氧化物膜170可以包括作为绝缘材料的氧化硅(SiO2)。低温氧化物层170可以在400至450°C下进行沉积，并且，低温氧化物层170的表面上可以形成不均匀结构。可以在低温氧化物膜170的表面上形成第一电极190。第一电极190可以以单层结构或者多层结构包括铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)和金(Au)中的至少ー种。可以在发光结构120的侧面上形成钝化层180，并且，钝化层180也可以形成在低温氧化物膜170的侧面上。钝化层180可以由隔热材料形成，并且，隔热材料可以是非导电氧化物膜或者氮化物。例如，钝化层180可以包括氧化硅(SiO2)层、氮氧化物层和氧化铝层。在根据本实施方案的发光器件中，可以在发光结构的表面上形成具有非均匀结构的低温氧化物膜。因此，可以增强从发光结构发出的光的提取效率。低温氧化物膜可以具有I微米至10微米的厚度。可以在低温氧化物膜中形成纳米尺寸的不均匀结构，并且，可以通过不均匀结构对光进行折射，从而只基于折射增加发射到外部的光的方向角。图2A和2B是示出了根据另外的实施方案的发光器件的剖视图。图2A示出了水平发光器件。可以对第二导电型半导体层126、有源层124以及第一导电型半导体层122的预定区域进行台面蚀刻，以部分地暴露第一导电型半导体层122。換言之，在衬底110由绝缘材料形成的情况下，必须形成预定的空间，以在该预定的空间中形成电极，并且，可以给第一导电型半导体层122的预定区域提供电流。可以在衬底110和发光结构120之间形成缓冲层115。缓冲层115可以用于减小发光结构120与衬底110之间的材料的晶格失配以及减小发光结构120与衬底110之间的材料的热膨胀系数差。缓冲层115可以由III-V族化合物半导体形成，例如GaN、InN、AlN、InGaN, AlGaN, InAlGaN 和 AlInN 中的至少ー种。低温氧化物膜170可以设置在发光结构120上,而第一电极190可以设置在第一导电型半导体层122的暴露区域上。第一电极190可以以单层结构或者多层结构包括铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)和金(Au)中的至少ー种。可以在低温氧化物膜170上设置第二电极195。在低温氧化物膜170是绝缘材料的情况下，第二电极195可以与第二导电型半导体层126直接接触。
在图2B中示出的实施方案中，低温氧化物膜170可以设置在第一导电型半导体层122的表面上。图3A至3D是示出根据实施方案的发光器件封装的剖视图。图3A中示出的发光器件封装200可以包括具有腔的封装体210 ;安装在封装体210上的第一引线框221和第二引线框222 ;根据上述实施方案的、电连接至第一引线框221和第二引线框222的发光器件100 ;以及形成在腔上的模制部分250。封装体210可以由PPA树脂、硅、合成树脂或者金属形成。虽然没有示出，但是，在封装体210由导电材料如金属形成的情况下，可以在封装体210的表面上涂覆绝缘层，以防止第一和第二引线框221和222之间的电短路。第一引线框221和第二引线框222可以彼此电分开，并且，第一引线框221和第二引线框222可以给发光器件100提供电流。此外，第一引线框221和第二引线框222可以通过反射从发光器件100生成的光来増加照明效率，并且，第一引线框221和第二引线框222 可以将从发光器件100生成的热排出去。发光器件100可以安装在封装体210上，或者安装在第一和第二引线框221和222中的任ー个上。根据该实施方案，第一引线框221和发光器件100可以通过导电粘附层230连接。第二引线框222和发光器件100可以通过线240彼此接合。除了引线接合，可以在发光器件100与引线框221和222之间进行倒装芯片接合或者裸片接合。模制部分250可以环绕并且保护发光器件100。也可以在模制部分250中设置磷光体260，并且，磷光体260可以共形涂覆作为独立于模制部分250的层。磷光体260可以对从发光器件100发出的第一波长范围内的光进行激发。之后，第一波长范围内的光会被变换成第二波长范围内的光。低温氧化物膜170可以设置在模制部分250上，并且，低温氧化物膜170的配置如上所述。根据本实施方案的发光器件封装可以包括低温氧化物膜，该低温氧化物膜具有形成在其表面上的不均匀结构。因此，可以增强从发光器件发出的光的照明效率。低温氧化物膜可以具有I 10微米的厚度，并且，可以在低温氧化物膜中形成纳米尺寸的不均匀结构。可以通过由不均匀结构产生的光折射来増加在发光器件封装外部发出的光的方向角。在根据图3B中示出的实施方案的发光器件封装200中，模制部分250的高度可以与封装体210的高度相同，并且，可以设置低温氧化物膜270，使其与封装体210的模制部分250接触。在根据图3C中示出的实施方案的发光器件封装200中，可以涂覆磷光体260，使其与发光器件100接触，并且，可以设置低温氧化物膜270，使其与模制部分250接触。在根据图3D中示出的实施方案的发光器件封装200中，可以涂覆磷光体260，使其与发光器件100接触，并且可以设置低温氧化物膜270，使其与磷光体260接触。可以设置模制部分250，使其与低温氧化物层270接触。在设置在根据图3A至3D中示出的实施方案的发光器件封装200中的发光器件100中，低温氧化物膜可以形成在发光结构的表面上。图4是示出了根据另外的实施方案的发光器件封装的剖视图。根据本实施方案的发光器件封装200与图2中示出的实施方案类似，不同之处在于设置在模制部分250上的透镜280。
透镜280可以使用在光从发光器件100发出之后由于磷光体而在转化的波长范围内产生的光的折射来改变发光通道。更具体地，透镜280可以在发光器件封装用在背光单元中的情况下调整方向角。透镜280可以由具有高透射率的材料形成，例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸脂(PC)、聚こ烯(PE)或者树脂模件。可以在透镜280上设置低温氧化物膜270，透镜280的详细配置和操作与上述相同。根据本实施方案，可以在透镜280的表面上设置具有形成在其表面上的不均匀结构的低温氧化物膜270。因此，可以增强从发光器件发出的光的提取效率。此外，在透镜280的表面处，低温氧化物膜270可以调节发出光的方向角。透镜280可以不必具有不均匀结构，并且低温氧化物膜270可以沿着透镜280的轮廓形成。根据实施方案的多个发光器件封装可以设置在衬底上。可以在发光器件封装的照 明通道中设置导光板、棱镜片和扩散片作为光学构件。这些发光器件封装、衬底和光学构件可以用作照明装置。另ー实施方案可以通过包括根据实施方案的半导体发光器件或者发光器件封装的显示装置、指示器件或者照明系统来实现。例如，照明系统可以包括灯和街灯。图5至10是示出了根据实施方案的、图I中示出的发光器件的制造过程的图。首先，如图5中所示，可以在衬底110上生长缓冲层115以及包括第一导电型半导体层122、有源层124以及第二导电型半导体层126的发光结构120。发光结构120可以基于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)以及氢化物气相外延(MBE)来形成，然而，实施方案不限于此。衬底110可以包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，可以使用蓝宝石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga2O3中的至少ー种。可以在衬底110上形成不均匀结构，然而，本实施方案不限于此。可以对衬底110进行湿法浄化，从而可以从衬底110的表面移除杂质。可以在发光结构和衬底110之间生长缓冲层(未示出)，以减小材料的晶格失配以及材料之间的热膨胀系数差。缓冲层可以由III-V族化合物半导体形成，例如GaN、InN、AIN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN。可以在缓冲层上形成未掺杂的半导体层，然而，实施方案不限于此。可以基于气相沉积方法如金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)来生长发光结构。第一导电型半导体层122的配置与上述相同，并且，可以基于CVD、MBE、溅射或者HVPE形成η-GaN。第一导电型半导体层122也可以通过在室中注入具有N型杂质的硅烷气体(SiH4)来形成，如三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和硅(Si)。有源层124的配置与上述相同。例如，可以注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和三甲基铟气体(TMIn)，接着，可以形成多量子阱结构。实施方案不限于此。第二导电型半导体层126的配置可以与上述相同。可以通过在室中注入具有P型杂质的双こ烷基环戊ニ烯基镁(EtCp2Mg) (Mg(Cp2H5C5H4)2)如三甲基镓气体(TmGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和镁(Mg)来形成P-GaN层，然而，该实施方案不限于此。
如图6中所示，可以在发光结构120上形成欧姆层130和发射层140。欧姆层130和反射层140的配置与上述相同，并且，欧姆层130和反射层140可以基于溅射或者离子束沉积来形成。如果在有源层124发出紫外光的情况下将ITO用于欧姆层130，则紫外光的透射效率可能不是很好。欧姆层130可以由Ni/Au形成。因此，如图7中所示，可以在反射电极140上形成粘附层150和金属支撑160。可以将使用共晶金属的电化学金属沉积或者键合用于形成金属支撑160，或者可以形成另外的粘附层160。因此，如图8中所示，可以分离衬底110。可以基于使用准分子激光器的激光剥离或者基于干法蚀刻和湿法蚀刻来进行衬底110的分离。 在作为示例的激光剥离中，将具有预定的波长范围的准分子激光对准衬底110。之后，将热能集中在发光结构120的边缘上，从而将该边缘分成镓分子和氮分子。衬底110暂时沿着激光通过的区域与缓冲层115分离，同吋，将边缘分为镓分子和氮分子。因此，如图9中所示，可以将发光结构切成器件单元。之后，可以在发光结构120的表面上沉积低温氧化物膜170。可以基于低压化学气相沉积(LPCVD)在较低的温度下沉积低温氧化物膜170，如400 450°C。LPCVD方法使用扩散来形成薄的氧化物膜。因此，可以在氧化物膜的表面上产生粗糙结构，并且，可以从而形成具有不均匀结构的低温氧化物膜。因此，如图10中所示，可以在低温氧化物膜170的表面上形成第一电极190，并且，可以在发光结构120的侧面上形成钝化层180。图IlA至IlC是示出了图I中示出的发光器件中的低温氧化物膜的作用的图。可以在低温氧化物膜170的表面上形成粗糙结构或者不均匀结构，并且，可以如參照箭头示出的那样对传输至表面的光进行折射。因此，可以增强光的提取效率，并且，具有不均匀结构的低温氧化物膜可以有助于增加发光器件封装中的方向角。根据图Ilb中示出的实施方案，低温氧化物膜170可以包括如图IlA中示出的两个层，其中，第一层172可以设置成与发光结构接触并且具有预定的厚度U1),而第二层174可以设置在第一层172的表面上并且具有不规则的厚度(t2)。在这种情况下，第一层172的厚度U1)可以是I至5微米，而第二层174的厚度(t2)可以是I至5微米。第一层172的厚度U1)可以不同于第二层174的厚度(t2)。根据图IlC中示出的实施方案，低温氧化物膜170可以包括与发光结构接触的第ー层172以及设置在第一层172的表面上的第二层174。低温氧化物膜可以包括在标记为图IlC中示出的“B”的区域中的第一层172和第二层174，并且，低温氧化物膜可以仅包括在标记为“C”的区域中的第一层172。下面，将描述照明器件和背光装置，作为包括设置在其中的发光器件封装的发光系统的实施方案。图12是示出了根据实施方案的发光器件的立体分解图。根据实施方案的发光器件可以包括用于发出光的光源600、用于将光源600容置在其中的壳400、用于对光源600的热进行散热的散热部分500以及用于将光源600和散热部分500耦接至壳400的夹持器700。
壳400可以包括耦接至电气插座(未示出)的插座耦接部分410 ;以及，连接至插座耦接部分410以将光源600安装在其中的壳体部分420。可以穿过壳体部分420形成单个通气孔430。可以在壳400的壳体部分420中设置多个通气孔430。可以沿着图12中示出的径向方向设置单个通气孔或者布置多个通气孔。除 了径向布置，也可以有通气孔的其他各种布置。光源600可以包括设置在电路板610上的多个发光模块650。在此，电路板610可以形成为能够插入到壳400的开ロ中的形状，并且，电路板610可以由具有导热性的材料形成，以将热传给将在之后详细描述的散热部分500。夹持器700可以设置在光源下面，并且，夹持器700可以包括框和另外的通气孔。虽然在附图中未示出，但是可以在光源600下面设置光学构件，以扩散、散射或者收集从光源600的发光模块发出的光。图13是示出了根据实施方案的、包括有布置在其中的发光器件封装的显示装置的图。如图13中所示，根据本实施方案的图像显示装置800可以包括光源模块830和835、设置在底盖810上的反射板820、设置在反射板820的前面以将光从光源模块引导至图像显示装置的前部的导光面板840、设置在导光面板840的前面的第一棱镜片850和第二棱镜片860、设置在第二棱镜片860前面的显示面板870、连接至显示面板870以给显示面板870提供图像信号的图像信号输出电路872、以及设置在显示面板870前面的滤色器880。光源模块可以包括设置在电路板830上的上述发光器件封装835。在此，可以将PCB用作电路板830，并且，发光器件封装835可以与參照图13描述的相同。底盖810可以容置设置在图像显示装置800中的元件。反射板820可以设置为如图14中示出的分离的元件，或者，反射板820可以通过用具有高反射率的材料涂覆导光面板840的背面或者底盖810的正面来提供。在此，反射板820可以由可以超薄型使用的、具有高反射率的材料如聚对苯ニ甲酸こニ酯(PET)中来形成。导光面板840可以散射从发光器件封装模块发出的光，以在液晶显示装置的整个屏幕上均匀地分布光。因此，导光面板840可以由具有高折射率和高透射率的材料如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸脂(PC)或者聚こ烯(PE)来形成。另外，还可以设置其中省略了导光面板840而光在反射板820上方的空间中传输的气导型显不装置。第一棱镜片850可以由具有弹性的透光聚合物形成在支承膜的表面上。聚合物可以具有棱镜层，该棱镜层具有重复地形成在其上的多个三维结构。在此，多个图案可以形成为具有波峰和波谷的带型。形成在第二棱镜片860的支承膜的表面上的波峰和波谷的方向可以与形成在第一棱镜片850的支承膜的表面上的波峰和波谷的方向垂直。这可以用于沿着面板870的所有方向均勻地分布从光源模块和反射板820传输的光。虽然第一棱镜片850和第二棱镜片860组成本实施方案中的光学片,但是,光学片可以包括另外的組合，例如，微透镜阵列、扩散片和透镜阵列的组合、或者棱镜片和透镜阵列的组合。
可以设置液晶显示面板作为面板87，或者可以设置需要光源的其他种类的显示装置而非液晶显示面板作为面板87。面板870可以具有如下结构液晶层位于玻璃本体之间，并且具有分别安装在玻璃本体上的极化板，以利用光的极化。在此，液晶层可以具有液体和固体之间的中间属性，其中，可以规则地设置具有如液体的流动性的有机分子，即液晶。面板可以使用由于外部电场而变化的分子布置来显示图像。图像显示装置中使用的液晶显示面板可以形成为有源矩阵，并且，图像显示装置中使用的液晶显示面板可以将晶体管用作开关来调节提供给每个像素的电压。可以在面板870的正面上设置滤色器880。滤色器880可以仅传输来自由面板870每ー个像素投射的光的红光、绿光和蓝光，以仅显示图像。虽然已经參照大量示意性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，本领域技术人员可以在本公开内容的原理的精神和范围内设计出大量其他的修改和实施方案。更具体地，可以在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内对主题组合设置的部件和/或设置 进行各种变化和修改。除了部件和/或设置方面的变化和修改，替选用途对于本领域技术人员来说也是明显的。
权利要求
1.一种发光器件，包括 发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层； 设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极； 设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极；和 设置在所述发光结构上并且具有不规则厚度的低温氧化物膜。
2.根据权利要求I所述的发光器件，其中在所述低温氧化物膜的表面上形成不均匀结构。
3.根据权利要求I所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜包括绝缘材料。
4.根据权利要求I所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜形成为至少两层。
5.根据权利要求I所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜设置在所述第一导电型半导体层的表面和所述第二导电型半导体层的表面中的至少ー个表面上。
6.根据权利要求I至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜包括设置在所述发光结构上的第一层和设置在所述第一层上的第二层。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一层设置在所述发光结构的表面上，并且所述第二层设置在所述第一层的一部分表面上。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一层的厚度是I微米至5微米。
9.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第二层的厚度是I微米至5微米。
10.根据权利要求I至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜包括绝缘材料。
11.根据权利要求I至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜包括氧化硅。
12.根据权利要求I至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜在400°C至450°C下沉积。
13.根据权利要求I至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜包括透射材料。
14.根据权利要求I至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜的厚度为I微米至10微米。
15.根据权利要求I至5中的一项所述的发光器件，还包括 设置在所述发光结构的侧表面上的钝化层。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述钝化层与所述低温氧化物膜的侧表面接触。
17.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述钝化层包括绝缘材料。
18.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述钝化层包括选自ニ氧化硅(SiO2)层、氮氧化物层、氧化铝层和氮化物层中的至少ー种。
19.根据权利要求15所述的发光器件，其中构成所述钝化层的材料与构成所述低温氧化物膜的材料不同。
20.—种照明系统,包括 根据权利要求I至5中的一项所述的发光器件；和 环绕所述发光器件的侧表面和顶表面的模制部分。
21.根据权利要求20所述的照明系统，其中所述低温氧化物膜设置在所述模制部分上。
22.根据权利要求20所述的照明系统，还包括 设置在所述发光器件上的磷光体层， 其中所述低温氧化物膜设置在所述磷光体层的表面上。
23.根据权利要求20所述的照明系统，还包括 设置在所述模制部分上的透镜， 其中所述低温氧化物膜设置在所述透镜上。
全文摘要
本发明提供一种发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电半导体层；设置在第一导电型半导体层上的第一电极；设置在第二导电型半导体层上的第二电极；以及设置在发光结构上并且具有微米厚度的低温氧化物膜。
文档编号F21K99/00GK102856461SQ20121002045
公开日2013年1月2日 申请日期2012年1月29日 优先权日2011年6月30日
发明者金信 申请人:Lg伊诺特有限公司