一种等离子处理装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：真空处理室；第一电极，位于所述真空处理室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，其中第一射频源大于第二射频源频率的2倍，所述第一射频电源的频率大于50MHz，所述第二射频源频率小于25MHz；非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于所述真空处理室内的与所述第一电极相对设置的位置。另外，所述非电介质材料层的电阻率范围为60欧姆/厘米到100欧姆/厘米，所述非电介质料层为圆柱形、圆台形、圆锥形、台阶形。
【专利说明】一种等离子处理装置【技术领域】
[0001]本发明涉及一种处理装置，尤其是涉及一种等离子处理装置。
【背景技术】
[0002]随着科学技术的发展，人们生产生活水平的不断提高，人类对电子产品的精细度的要求日益增加，但是电子产品的制造过程中还存在一些问题或缺陷，例如目前在对半导体器件等的制造过程中，通常使用电容耦合式的等离子体处理装置产生气体的等离子体与晶圆表面进行反应，实现对晶圆进行相应工艺，但是在实践制造过程中发现，采用现有的等离子体处理装置处理后晶圆的均匀度不能满足工艺要求，迫切需要一种具有较长使用寿命的电池。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种等离子体处理装置，包括:
[0004]真空处理室；
[0005]第一电极，位于所述真空处理室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，其中第一射频源大于第二射频源频率的2倍，所述第一射频电源的频率大于50MHz，所述第二射频源频率小于25MHz ；
[0006]非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；
[0007]第二电极，位于`所述真空处理室内的与所述第一电极相对设置的位置。
[0008]另外，所述非电介质材料层的电阻率范围为60欧姆/厘米到100欧姆/厘米，所述非电介质料层为圆柱形、圆台形、圆锥形、台阶形。
【具体实施方式】
[0009]下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
[0010]实施例1
[0011]该等离子体处理装置，包括:真空处理室；第一电极，位于所述真空处理室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，所述第一射频电源的频率为60MHz，所述第二射频源频率为20MHz ；非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于所述真空处理室内的与所述第一电极相对设置的位置，所述非电介质材料层的电阻率范围为60欧姆/厘米，所述非电介质料层为圆柱形。
[0012]实施例2
[0013]该等离子体处理装置，包括:真空处理室；第一电极，位于所述真空处理室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，所述第一射频电源的频率大于70MHz，所述第二射频源频率小于15MHz ;非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于所述真空处理室内的与所述第一电极相对设置的位置，所述非电介质材料层的电阻率范围为100欧姆/厘米，所述非电介质料层为圆台形。
[0014]实施例3
[0015]该等离子体处理装置，包括:真空处理室；第一电极，位于所述真空处理室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，其中所述第一射频电源的频率为80MHz，所述第二射频源频率为15MHz ;非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于所述真空处理室内的与所述第一电极相对设置的位置，所述非电介质材料层的电阻率范围为70欧姆/厘米，所述非电介质料层为圆锥形。
[0016]实施例4
[0017]该等离子体处理装置，包括:真空处理室；第一电极，位于所述真空处理室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，其中所述第一射频电源的频率为90MHz，所述第二射频源频率为IOMHz ;非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率；第二电极，位于所述真空处理室内的与所述第一电极相对设置的位置。另外，所述非电介质材料层的电阻率范围为80欧姆/厘米，所述非电介质料层为台阶形。
【权利要求】
1.一种等离子体处理装置，包括: 真空处理室； 第一电极，位于所述真空处理室内，所述第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，所述第一电极与两个射频电源电连接，所述第一电极为圆柱形，其中第一射频源大于第二射频源频率的2倍，所述第一射频电源的频率大于50MHz，所述第二射频源频率小于25MHz ； 非电介质材料层，位于所述第一电极与放置待处理晶圆的平台之间，所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率； 第二电极，位于所述真空处理室内的与所述第一电极相对设置的位置。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述非电介质材料层的电阻率范围为60欧姆/厘米到100欧姆/厘米。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述非电介质料层为圆柱形、圆台形、圆锥形、台阶形。
【文档编号】H01J37/32GK103745903SQ201310745000
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年12月23日 优先权日:2013年12月23日
【发明者】任知良, 王明刚, 王雪梅 申请人:青岛润鑫伟业科贸有限公司