专利名称：具有纹理表面的流动形成的室组件的制作方法
技术领域：
本发明有关于一种制造用于基f反处理室的组件的方法，特别是有关于以流动 形成制造具有紋理表面的组件的方法。
背景技术：
在处理如半导体晶片M示器等^S41时，将一141置于一处理室内并暴露于 一能量化气体中以便在基板上沉积或蚀刻材料。在此处理过程中，会产生处理残 余物且可能沉积于处理室的内表面上。举例而言，在賊镀沉积制程中，由一把材 '减镀出来以沉积在一基板上的材料亦会沉积在处理室中的其它组件表面上，例如 沉积环、阴蔽环、室壁内衬及聚焦环。在后续处理循环中，所沉积的处理残余物 可能自处理室表面r剥离」而掉落并污染J41。为了减少基f反受处理残余物的污 染，可使处理室中的组件表面具有紋理。将处理残余物吸附至紋理表面且可抑制 处理残余物剥落并避免污染处理室中的基板。传统上，在多重步骤制程中制造具有紋理表面的组件。在第一制程步骤中， 制iti且件的外型或整体结构，举例而言，可将一块金属利用计算才A4史字控制(CNC) 切削成所需结构。之后，利用一第二制程处理在切削后的组件上形成紋理表面。 举例而言，表面紋理加工处理可包4舌研磨、J朱喷沙或纟炮光、或上述处理的组合。 在一情形中，名欠形成紋理表面，可通过将一电i兹能光束导向组件的一表面上，以 形成可良好吸附处理沉积物的凹陷及突起。此一表面的其中 一实施例为 LavacoatTM表面，其可见于，如Popiolkowski等人拥有的美国专利公告案 2003-0173526号(2003年9月18日/>^， 2002年3月13日申请)；以及 Popiolkowski等人拥有的美国专利案6,812,471号(2004年"月2日核准)，此 处将二文献整体纳入本文中作为参照。LavacoatTM表面至少包含凹陷及突起，其 可供处理残余物吸附至该处，以^更在基材处理过程中减^J^反的污染。然而，用来制造紋理组件的传统制程通常很昂贵，因为需要多重制程步骤才 能形成该组件及其纟丈理表面。制造成本阻挠了纟丈理组件的大量实作，即便该组件4才是供了许多处理上的优点。传统制造制程的成本至少部份肇因于在这些制程中所 用的复杂的多步骤制程程序，以及昂贵的制造设备。举例而言，组件制造4M成， 例如产生电磁能光束的仪器，非常昂贵且可能大幅增加该紋理组件的制造成本。当用于整修表面紋理组件的洗净制程在数个洗净循环后腐蚀该组件时，组件 的制造时间及成本则成为更进一步的问题。
一旦残余物已累积在紋理组件上时， 通常会执行一洗净处理以移除残余物，并整修该组件以供重新使用。举例而言，以至少包含竭酸(HN03)或氟化氢(HF)的溶液重复洗净紋理组件终将腐蚀组件的 紋理表面，而通常需要以新制成的组件来取代该腐蚀组件。因此，制造新统理表 面组件的成本会不利地增加4喿作处理室的相关成本。因此，需要提出一种制造具有玟理的处理室组件的方法，其相较于传统制造 制程更为廉价且有效率。更需要提出一具有可供处理残余物良好吸附的紋理表面 的组件。
参照阐明本发明实施例的叙述内容、所附申请专利范围以及图式可进一步了 解本发明的上述特征、态样、及优点。然而，可以理解，这些特征的每一个通常 皆可用于本发明中，而不仅限于特定图式中所绘示的情况，且本发明包括这些特 征的任意组合，其中图式如下图1A为部份侧视剖面图，绘示一种用以执行一流动形成制程的装置的具体 实施例；图1B为图1A的装置在流动形成制程中处于不同位置时的另一^L图； 图2为部份侧视剖面图，绘示通过流动形成制程所形成具纹理内表面的组件； 图3为部份前视剖面图，绘示一用于流动形成制程中具纹理表面的心轴具体 实施例；图4为一部4分侧面图式，绘示一利用流动形成制程所形成的屏蔽具体实施例；以及图5为一部4分侧面剖面图，绘示具有一或多个流动形成组件的处理室的具体 实施例。主要组件符号说明20 内表面22组件24预型体26心轴28紋理表面30a倒像特征30b突起34图案36组件壁40第一端42尾座44纵轴46加压装置48压力滚轮50外表面52装置56轴承58表面图案60浮凸突起60凹陷62交互的^62凹陷64 凹陷66转角64相对应^^70空心内部区賴104絲105表面106处理室109处理区112气体运送系统114_&^反支撑件116气体能量化器118外罩壁120屏蔽122排气装置124賊镀輩}輔边缘126盖环128沉积环130支撑环132绝缘环134上表面135气体通电线圈137线圈支撑件139处理套组141 夹合屏蔽164侧壁166下壁168顶壁170电极172电源供应174气体来源176导管178阀180气体分配器182气体出口 186排气导管 190排气泵184排气埠 188节流阀 192 电源供应194控制器具体实施方式
基板处理室至少包含可用以在能量化气体中处理基板的多个组件。所述组件 其中 一或多个包含一紋理表面，使得在基板处理过程中产生的处理沉积物能够吸 附至该组件表面，以减j氐处理的基板受处理沉积物的污染。吸附至处理室组件的 故理表面的处理沉积物可包括^^金属沉积物，例如包含下列至少 一个的沉积物 钽、氮化钽、钛、氮化钛、铝、铜、钨及氮化鴒。所选处理室组件22的紋理表面20以及组件本身的外型是通过一种适用于紋 理表面组件的流动形成装置及制程来形成的，例如，图1A及1B中所示的装置与 制程。该流动形成装置对预型体24施加压力，以便将该预型体的材料塑性变形并 流过心轴26，以提供组件22所需的整体外型。可依需要来调整心轴26,以便在 与心轴26接触的预型体24的表面20上形成一预定紋理图案。举例而言，心轴 26可能包含一故理表面28。在所施加的压力下，組件材料的塑性变形可才莫塑该 预型体24的表面20,以符合心轴表面28的紋理，因此可将至少一部份的心轴表 面图案转移至最终处理室组件22上。通过提供一种特制成用以创造所需表面紋理 图案34的心轴26,流动形成制程可有效并重复形成不仅具有所需整体外型且具 有所需表面纟丈理图案34的组件22。预型体24具有预先选4奪的尺寸及外型，该外型可形成所需要的最终组件22。 适用于一流动形成制程的预型体外型可以是，例如圆锥形、圆柱形、似管状及其 它形状，其可在心轴26上;^塑并顺形。传统上，预型体具有圆形对称的轴，该轴 和心轴26的对称轴对齐。预型体24的壁36制造得够厚，因而在经过流动形成 制程所造成的塑性变形后，组件22的壁能够得到理想的最终厚度。举例而言，预 型体壁36的厚度比组件壁厚度多出一计算量，举例而言，至少5%，以达到最终 组件22的壁的理想最终厚度。预型体24是由具有相对较高a性的金属所制成， 其可在压力下塑性变形，且M上不^St成金属破裂或裂痕。合适的金属可至少包含，如下列至少一个铝、铜、不锈钢、钛、及相关合金。形成预型体24的方 法可包括深压成型、沖压成型、CNC切削、压型加工、以及习知技艺人士已知的 其它金属外型制造方法。在流动形成制程中，预型体24至少包含一内表面20，其可贴附至少一部份 心轴26的玟理表面28,且可放置于心轴26的表面28上。心轴26为流动形成 装置52的一组件，该流动形成装置52至少包含适用于组件22的流动形成的其 它部份。预型体24的第一端40可能是封闭或半封闭端，其可由一轴承56和/或 尾座42握持，该轴承56和/或尾座42能够施加一液压以便将预型体24保持在 适当位置。心轴26通常会绕其纵轴44旋转，举例而言，通过一马达(此处未显 示)来同步旋转心轴26与预型体24。可将一加压装置46,例如压力滚轮48, 作用于预型体24的外表面50上，以将预型体材料塑性变形并沿着心轴26的表 面28轴向流动。在所示具体实施例中，压力滚轮48朝向预型体24的第一端40移动，以将 预型体材料朝向远离预型体24的第一端40的方向按压而在心轴26上移动。施 加高于其屈服强度的压力下，压缩并塑形该预型体材料，以沿着心轴26的表面 28轴向流动该材料。因此，压力滚轮48通过沿着心轴26流动该预型体材料，以 减低预型体24的壁36的厚度并延长预型体24的壁36的长度。施加至外表面 50的压力够高足以塑性变形并流动该预型体材料，且基本上不^St成材料破裂或 裂痕。所施加压力会随着正在形成的材料特性而改变。心轴及滚轮相距一界定距 离而作配置，该距离可为恒定距离或可变距离，以建立该完成部份的内及外表面 间的关系。在一种态样中，压力滚轮48可至少包含外型为圓形的滚轮，其适合通 过一马达(此处未显示)以与心轴26的S走转方向平行或反平4于的方向来旋转，且 因此可在预型体24的外表面50上施加一径向力。压力滚轮48亦可至少包含一 前斜边54，其可在预型体24的外表面50上施加一轴向力，以驱使预型体材料于 轴向方向上经过心轴26的表面28。在一态样中，在预型体24的外围上间隔放置 数个压力滚轮48，且所述压力滚轮48亦可轴向及径向M^目间隔，以便在预型体 外表面50的数个不同区域上施加压力。该用于流动形成制程的心轴26可才艮据意愿加以调整以4是供最终流动形成组 件22所需的蒼体外型a面紋理图案34。举例而言，心轴26可至少包含适用于组件壁36的所需长度的轴长。心轴26亦可视需要而包含紋理表面28,其适合形 成一组件22的内表面20所需的表面紋理图案34。举例而言，心轴26可至少包 含一紋理表面28，其具有一心轴表面图案58,该图案为处理室组件22所需的表 面紋理图案34的倒傳减镜像。形成于组件22的表面20上的表面纟丈理图案34为 在流动形成制程过程中施加压力所产生的结果，该压力将预型体材料按压于心轴 表面28上，使得组件22的内表面基本上呈现心轴表面28的轮廓。举例而言， 对于包含浮凸突起60a及凹陷60b的心轴表面28，可将预型体材料按压并流动 至心轴表面28中的凹陷60b内，以在组件22的表面上形成包含突起30b在内的 相对应倒像特征30包含的，如图2中所示般。该预型体材料亦可沿着心轴表面 28上的突起60a流动，以在组件表面20中形成包含凹陷30a的相对应倒像特征 30。可根据所需的表面紋理图案34来选择提供于心轴表面28的特征60，且其 可包含例如突起60a及凹陷60b，所述^60a及凹陷60b包含下列至少一个 卩f^、孑L洞、波紋(ridge)、凹槽、^J且件表面20可能需要的其它特征。在一态样 中，心轴26甚至包含在该心轴表面28 —区域内的突起60a及凹陷60b的尺寸与 分布(spacing)不同于该心轴表面28 —不同区域中突起60a及凹陷60b的尺寸及 分布。在心轴26上流动形成组件22允许形成具有预定尺寸及，外型的组件22 的表面20,且可在该组件22的表面上同时形成一所需的表面紋理图案34，因此 提供了 一种有效且改良的处理室组件22制造方式。在一态样中，通过在一具有交错的突起62a及凹陷62b的心轴26上流动形 成一组件22以提供一种改良的表面紋理图案34，该心轴例如图3中所示。该交 错的突起62a及凹陷62b在组件22的表面20中形成一倒像表面故理图案34， 该倒像表面紋理图案34包含相对应突起64a及凹陷64b,以允许将J^f反104处 理过程中产生的处理残余物吸附至紋理组件22的表面20，以减低残余物造成的 J41104污染。心轴表面28中的突起62a可至少包含，举例而言，墩丘或l^i, 其高度由心轴表面28的一平均表面高度/ 测量起，至少约为0.005至0.050英 寸。突起62a在其二分之一高度处的宽度可介于约0.07至0.070英寸间。心轴表 面28的凹陷62b的深度包含低于该平均表面高度/ 至少约0.005至0.050英寸， 且凹陷62b在其二分之一深度处的宽度介于约0.002至0.130英寸间。在流动形 成组件22的表面20中形成的突起64b及凹陷64a的尺寸^上对应于心轴突起62a及凹陷62b的尺寸。在一态样中，纹理表面28至少包含一基本上欠缺锐角及锐边的表面横切面， 例如图3中所示者。该正弦曲线横切面至少包含一类似正弦波的横切面轮廓，且 具有根据所需的组件特性而选出的正弦曲线横切面的波长及振幅。该正弦曲线横 切面提供一种平滑变化的表面并具有交错的突起62a及凹陷62b以增进吸附处理 残余物，并减低沉积残余物可能因尖锐或突然表面转换而发生的裂痕或断裂。合 适的正弦曲线表面横切面中，相邻突起62a间的波峰至波峰距离介于约0.015至 0.180英寸，JLA振幅介于约0.005至0.050英寸。在一态样中，心轴表面28至 少包含一第一正弦曲线横切面与一第二正弦曲线横切面，该第一正弦曲线横切面 围绕包覆着至少一部份的该心轴26的轴44，如图3中所示，该第二正弦曲线横 切面沿着该心轴26的轴44纵向延伸，如图1中所示。在理想的情形中，紋理表 面28基本上现欠缺锐角66以及锐边，且取而代的的是其基本上包含圆角66及 圓边。亦可特制地i殳计心轴26,用以形成复杂JL&本上非线性的表面紋理图案34, 以便在基板104的处理中提供改良的结果。此种复杂的表面图案使得在流动形成 制程之后，难以自心轴26移除该流动形成组件22。举例而言，对于不允许组件 22由心轴26滑动或扭转的表面图案34,自心轴26移开组件22就非常具有挑战 性。此种本身不易将组件22由心轴26扭转或滑动的表面图案34是包含交错突 起64b及凹陷64a的表面图案34,因为心轴AI且件突起62a、 64b可锁定至心轴 及组件凹陷62b、 64a中。 一般而言，表面图案34若未包含延伸至组件22至少 一端40的线性或螺旋凹陷30a，则将其自心轴26上移除时都可能面临挑战。在 一态样中，借着使心轴26可至少部份可折迭，而适用于制造此种复杂表面图案， 4吏卩得在流动形成制程后，可轻易自心轴26上移除组件22。举例而言，心轴26 可至少包含一空心内部区段70,在流动形成制程之后，可将心轴26的部份折迭 于该空心内部区,殳70中，以提供一种较小的心轴圓周并改善由心轴26移除组件 22的简易性。举例而言，可将心轴26铰接或以其它方式建构，而4吏得心轴可在 其本身上收折。在又一态样中，心轴26的表面28上的突起60a,例如正弦曲线 横切面狄62a，能够在流动形成之后，将其收回至心轴的空心内部区段70中， 以便由心轴表面28 「松脱」组件22。因此，该改良的心轴26得以在组件22上形成实质欠缺沿着内组件22的内表面20长度延伸的线性或螺旋凹陷的复杂表面 图案34,且不限于实质线形或螺旋的表面图案。在另一态样中，可通过一种适当热源加热该组件，而将该流动形成组件22 自心轴26移除。组件22的膨胀至足以使得其内表面20脱离心轴26上的突起 64b与凹陷64a的高度，而呈解开状态，而得以由心轴26移除组件22。所需的 热量随着心轴26上突起64b及凹陷64a的深度以Ai且件材料的热胀是数而不同。图4绘示一种由流动形成制程所制造的组件22的实施例。组件22至少包含 一屏蔽120，举例而言其适用于一沉积室106。由一预型体24形成组件22,预 型体24至少包含圓柱形侧壁36，可在流动形成制程中将圓柱形侧壁36按压至所 需的屏蔽壁长度M度。具有屏蔽120的组件22的内表面20包含所需的表面紋 理图案34(此处未显示)，以供处理残余物吸附至该处以减^^j"已处理基板104 的污染。因此，该流动形成方法能够在一单一处理步骤中，提供具有所需的整体 外型及表面紋理的组件22，因而提供了 一种更有效率且可重复形成组件22的方 式。将由流动形成方法所形成的不同态样的具紋理表面20组件22用于一基板处 理室106中，图5中显示了勤反处理室的示范性实施例。处理室106为一多处理 室平台(此处未显示)的一部份，多处理室平台具有由一积4成手臂机构互相连结 的处理室所构成的群集设备， 一机械手臂机构可在所述处理室106的间输送J^反 104a。在所示的实施例中，处理室106至少包含一賊镀沉积室，亦称为一种物理 气相沉积或PVD处理室，其能够将材料賊镀沉积于一基板104a上，例如下列的 一或更多个材料钽、氮化钽、钛、氮化钬、铜、钨、及氮化鴒、及铅等。处理 室106至少包含外罩壁118其可圈围出一处理区109且外罩壁118包括多个侧 壁164、 一下壁166及一顶壁168。可在所述侧壁164及顶壁168间放置一支撑 环130,以支撑顶壁168。其它处理室壁可包括一或多个屏蔽120以便将外罩壁 118与贼镀环境隔绝开来。处理室106至少包含一基板支撑件114，以支撑'减镀沉积室106中的J4反。 !41支撑件114可电子漂浮或可包含一电极170,其可由例如RF电源供应等电 源供应172进行偏压。基板支撑件114亦可支撑其它晶片104例如一可移动挡片 (shutter disc)104b，当J^反104a不存在时，其可保护支撑件114的上表面134。ii在操作时，经由位于处理室106的一侧壁164中的一基板栽入口 (此处未显示) 将基板104a引入处理室106中，并将基板104a放置于支撑件114上。在输送 基敗104a进出处理室106的过程中，可由支撑升降伸缩装置来抬高或低该支撑 件114,且可利用一升降指部组件(此处未显示)将1^反抬高或降低至支撑件114 上。支撑件114亦可包含一或多个环，例如一盖环126或沉积环128,其可覆盖 支撑件114的上表面134的至少一部份，以抑制支撑件114的腐蚀。在一态样中， 沉积环128至少部份环绕该基板104a,以保护支撑件114未#^板104a所覆盖 住的部份。盖环126环绕并覆盖至少一部份的沉积环128,且可减低粒子在沉积 环128及下方支撑件114 二者上的沉积。经由一气体运送系统112将一处理气体，例如一'减镀气体，导入处理室106 中，气体运送系统112包括一处理气体供应，其包含一或多个气体来源174，所 述气体来源174个别可馈送至一导管176,该导管176具有一气体流动控制阀 178，例如一质量流动控制器，以便在其中传送一设定流动速率的气体。导管176 可将气体馈送至一混合歧管(此处未显示)，气体可在其中混合以形成一所需的处理气体组成。该混合歧管可馈送气体至一气体分配器180其在处理室106中具 有一或多个气体出口 182。该处理气体可包含一惰性气体，例如氩或氙，其能够 积极沖击一单&#并自革&#溅镀出#&#材料。处理气体可亦至少包含一反应性气体， 例如下列的一或更多个含氧气体及一含氮气体，其能够和賊镀的材料反应，以 便在基板104a上形成一膜层。可经由一排气装置122将使用过的处理气体及副 产品由处理室106排出，该排气装置包括一或多个排气埠184其可接收使用过的 处理气体并将该4吏用过的气体传送到一排气导管186，其中有一节流阀188用以 控制处理室106中气体的压力。排气导管186可馈入一或多个排气泵190。传统 上，将处理室106中的賊镀气体的压力设定为低于大气压程度。贼镀处理室106至少更包含一溅镀耙材124,把材124面对基板104a的一 表面105且至少包含将賊镀至^S^反104a上的材料，材料例如，下列至少一个 钽、氮化钽。可通过一环状绝缘环132将耙材124与处理室106电性隔离开来， 并该把材124是连4妄至一电源供应192。把材124可至少包含一耙材背衬板，该 輩巴材背衬板具有暴露于处理室106中的一輩巴材边缘125。賊镀处理室106亦具有一屏蔽120以保护处理室106的一壁118不致接触'减镀的材料。屏蔽120可至 少包含一似壁圆柱形外型，其具有上方及下方屏蔽部份120a、 120b，可防护处 理室106的上方及下方区域。在图4所示的实施例中，屏蔽120具有装配至该支 撑环130的一上方部份120a以及装配至盖环126的下方部份120b。亦可提供一 夹合装置屏蔽(clamp shield)141，其至少包含一夹环，以便将上方及下方屏蔽部 份120a、 b夹合在-"^。亦可利用替代性屏蔽组态，例如内部及外部屏蔽。在一 态样中，电源供应192、耙材124A^蔽120的其中一者或多个可作为能够能量 化该賊镀气体以自耙材124溅击出材料的气体能量化器116。相对于屏蔽120， 电源供应192可施加一偏压给耙材124。在处理室106中由所施加的电压产生的 电场能够能量化该賊镀气体以形成一电浆，该电浆能够积极沖击并撞击l巴材124 以便将材料自爽材124賊镀下来并转移到基板104a上。具有电极170及支撑电 极电源供应172的支撑件114亦可作为气体能量化器116的一部份，其可能量化 由耙材124溅击下来的离子化材料并使的加速朝向基板104a。此外，可提出一气 体能量化线圈135，其是由一电源供应192供电且是置于处理室106中，以提供 经强化的能量化气体棒l"生，例如改良的能量化气体密度。可由连接至一屏蔽120 或处理室106中的另一壁的一线圏支撑件137来支撑气体能量化线圈135。可由一控制器194来控制处理室106，该控制器至少包含 一具有指令集的 程序代码，用以操作处理室106的多个组件于该处理室106中处理该基板104a。 举例而言，控制器194可至少包含一14反定位指令集，其可操作基板支撑件114 ;5^^反运输装置的一或多个以将基板104a定位于处理室106中； 一气体流动控 制指令集，其可操作流动控制阀178以设定'减镀气体流动至处理室106; —气体 压力控制指令集，其可操作排气节流阀188以维持处理室106中的一压力； 一气 体能量化器控制指令集，其可操作气体能量化器116以设定一气体能量化的电量 程度； 一温度控制指令集，其可用于控制处理室106中的温度；以及一处理监控 指令集，其可用于监控处理室106中的制程。具紋理表面20的处理室组件22可至少包含，例如，气体运送系统112、基 板支撑件114、处理套组139、气体能量化器116、处理室外罩壁118M蔽120、 或处理室106的气体排气装置122等不同工艺领域。举例而言，具紋理表面20 的处理室组件22可包括一处理室外罩壁118、 一处理室屏蔽120、 一,巴材124、一輩e射边缘125、 一处理套组139的一组件(例如一盖环126及一沉积环128至 少一个)、 一支撑环130、绝缘环132、 一线圏135、线圏支撑件137、挡片104b、 夹合屏蔽141、及一部份的14l支撑件114。举例而言，具紋理表面的组件可包 括应用材料公司的产品编号0020~50007 、 0020-50008 、 0020-50010 、 0020-50012、 0020-50013、 0020-48908、 0021—23852、 0020^8998、 0020—52149、 0020—51483、 002049977、 0020-52151、 0020~48999 、 0020^48042及0190~14818，来自Applied Materials, Santa Clara, California。 此组件清单仅为例示，且其它组件或来自其它类型处理室的组件亦可具有纹理表 面；因此，本发明不应限于所列或此处所示的组件。此处参照本发明的某些较佳具体实施例来描#发明；然而亦可能有其它实 施例。举例而言，流动形成组件可用于其它类型的应用中，例如，习知技艺人士 可轻易了解其可作为蚀刻室的组件。亦可利用其它的流动形成装置组态，且亦可 提出除了此处具体所述的图案以外的心轴表面图案。此外，习知技艺人士可轻易 了解到，亦可参照所述实施例的参lt来运用和本文所述流动形成方法等效的替代 性步骤。因而，权利要求的精神及范围不应限于此处所述的较佳具体实施例的描 述。
权利要求
1.一种制造用于一基板处理室的一组件的方法，该方法至少包含(a)提供一具有内表面及外表面的预型体；(b)提供一具纹理表面的心轴，该纹理表面的纹理特征图案至少包含多个循环且交错的突起及凹陷(c)将该预型体的内表面和该心轴的纹理表面接触；以及(d)施加一压力至该预型体，该压力够高而足以塑性变形该预型体并导致该预型体的内表面在心轴的纹理表面上流动，以形成一具纹理内表面的组件，该纹理内表面包含一纹理特征图案。
2. 如权利要求1所述的方法，其中上述的(d)步骤包含形成一具紋 理内表面的组件，且该紋理内表面欠缺沿着该紋理内表面的长度延伸的线 性或螺旋凹陷。
3. 如权利要求1所述的方法，其中上述的(b)步骤包含提供一具有 交错突起与凹陷的图案的心轴，所述突起与凹陷具有至少 一下列特征(i) 所述突起的高度约介于0.005至0.050英寸；(ii) 所述突起在二分之一高度处的宽度约介于0.007至0.070英寸；(iii) 所述凹陷的深度约介于0.005至0.050英寸；(iv) 所述凹陷在二分之一深度处的宽度约介于0.002至0.130英寸；以及(v )所述突起及凹陷构成的图案包含一正弦曲线横切面。
4. 如权利要求1所述的方法，其中上述的(b)步骤包含提供一心轴， 其具有至少一下列特征(i)一紋理表面，其包含多个紋理特征，所述紋理特征基本上不具有 4兌角及4兌边；以及(ji)该心轴至少部份可折迭。
5. 如权利要奉1所述的方法，其中上述的(a)步骤包含提供一预型 体，其具有圆柱形侧壁且该圓柱形侧壁包含该内表面及外表面。
6. 如权利要求1所述的方法，其中在上述(d)步骤中，通过加热该 组件并使得该组件的内表面膨胀超过该心轴的突起的高度，以便自该心轴 移除该组件。
7. 如权利要求1所述的方法，其中上述的(d)步骤至少包含通过在
8. 如权利要求1所述的方法，其中上述的预型体至少包含下列至少一 个铝、铜、不锈钢、钛及前述材料的合金。
9. 一种如权利要求1所述方法所形成用于一基板处理室的组件，其中 该组件包含下列至少一个 一处理室外罩壁、 一处理室屏蔽、 一乾材、一 靶材边缘、 一处理套组的一组件、 一盖环、 一沉积环、 一支撑环、 一绝缘 环、 一线圈、 一线圈支撑件、 一挡片、 一夹合屏蔽及一基板支撑件。
全文摘要
一种制造用于基板处理室的组件的方法，其涉及提供一具有内表面及外表面的预型体，及提供一心轴，该心轴具有一纹理表面且其纹理特征图案至少包含突起及凹陷。该预型体组件的内表面和心轴的纹理表面接触，且对预型体的外表面施加一压力。该压力高到足以将该预型体塑性变形而覆盖在心轴的纹理表面，以形成具纹理内表面的组件，其纹理内表面至少包含纹理特征的图案，该纹理特征图案的外型及尺寸是设计成可吸附基板处理中产生的处理残余物。
文档编号B21D53/00GK101263243SQ200680033049
公开日2008年9月10日 申请日期2006年9月11日 优先权日2005年9月9日
发明者A·韦斯希, J·F·萨莫斯, J·蒂勒, M·O·施韦策, S·E·阿布尼, S·迪克森 申请人:应用材料股份有限公司