专利名称：一种用于C<sub>f</sub>/SiC复合材料钎焊的钯钴基高温钎料的制作方法
技术领域：
本发明属于焊接技术领域，涉及一种用于Cf/SiC复合材料钎焊的钯钴基高温钎 料。
背景技术：
陶瓷、陶瓷基复合材料是很有应用前途的高温结构陶瓷材料。但由于陶瓷材料的 加工性能差、耐热冲击能力弱，以及制造尺寸大而且形状复杂的零件较为困难等缺点，通常 需要与金属材料组成复合结构来应用，或者通过陶瓷自身的连接来实现复杂构件的制造。国内外关于碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料(Cf/SiC)的连接研究，公开报道的 有使用AgCuTi钎料(见《材料科学与工艺》，vol. 17，增刊1，2009，pl_4，作者陈波，熊华 平，程耀永，毛唯，)；Ni基钎料钎焊Cf/SiC自身，以及采用Ti箔-Cu箔叠层连接Cf/SiC与 Nb合金的研究结果，其中Ni基高温钎料连接Cf/SiC自身接头室温四点弯曲强度只有58MPa 左右(见“Cf/SiC陶瓷复合材料与高温合金的高温钎焊研究”.博士学位论文，作者钢铁 研究总院，张勇.2006年6月)。采用AgCuTi钎料，或者Ti箔-Cu箔叠层连接Cf/SiC，其 接头耐热温度很难超过500°C。
发明内容
本发明的目的正是针对上述现有技术中存在的不足而设计提供一种用于Cf/SiC 复合材料钎焊的钯钴基高温钎料。本发明的技术解决方案是，其成份重量百分比为Co 25. 0 39. 0，Cu 0. 0 4. 0，Ni :0. 0 7. 0，V :4. 5 15. 0，Si :0. 0 2. 6，B :0. 0 2. 5，
Pd余量。其成份及重量百分比还可以为Co 25. 0 39. 0，Cu 0. 0 4. 0，Ni 0. 0 7. 0，
V:4. 5 15. 0，Si 0. 5 2. 0，B :0. 3 2. 0，Pd 余量。其成份及重量百分比还可以为Co 25. 0 39. 0，Ni 0. 0 7. 0，V :4. 5 15. 0， Si 0. 5 2. 0，B :0. 3 2. 0，Pd 余量。其成份及重量百分比还可以为Co 25. 0 39. 0，Cu 0. 0 4. 0，Ni 0. 0 7. 0，
V:4. 5 15. 0, Pd 余量。其成份及重量百分比还可以为:Co 25. 0 39. 0，Ni 0. 0 7. 0，V :4. 5 15. 0，
Pd余量。本发明技术方案的优点是本发明所述钯钴基高温钎料可以用来钎焊Cf/SiC陶瓷 基复合材料，复合材料自身连接接头强度高而且高温(600°C 800°C)性能比较稳定，比 如本发明钎料熔化温度与传统的系列镍基钎料大体处于同一水平，但对应Cf/SiC陶瓷基复 合材料的接头室温三点弯曲强度从传统镍基钎料对应的58MPa提高至110 170MPa ；而相 对于钎焊陶瓷用的传统AgCuTi钎料，本发明钎料的熔化温度提高了 250°C 350°C，其钎 焊Cf/SiC复合材料接头高温性能明显改善，连接接头甚至在传统AgCuTi钎料几乎熔化的 800°C温度下仍维持接头室温强度的85%以上。本发明钎料不仅适于Cf/SiC陶瓷基复合材料、SiC陶瓷、SiCf/SiC陶瓷基复合材料的钎焊，也适于这些陶瓷(或复合材料)与其它陶 瓷材料(或复合材料)或金属材料组合接头的连接。
具体实施例方式钎料的成份重量百分比为Co 25. 0 39. 0，Cu 0. 0 4. 0，Ni 0. 0 7. 0，V 4. 5 15. 0，Si 0. 0 2. 6，B :0. 0 2. 5，Pd 余量。钎料的成份及重量百分比还可以为Co 25. 0 39. 0，Cu 0. 0 4. 0，Ni :0. 0 7. 0，V :4. 5 15. 0，Si :0. 5 2. 0，B :0. 3 2. 0，Pd 余量。钎料的成份及重量百分比还可以为Co 25. 0 39. 0，Ni :0. 0 7. 0，V :4. 5 15. 0，Si 0. 5 2. 0，B :0. 3 2. 0，Pd 余量。钎料的成份及重量百分比还可以为Co 25. 0 39. 0，Cu 0. 0 4. 0，Ni :0. 0 7. 0，V :4. 5 15. 0, Pd 余量。钎料的成份及重量百分比还可以为Co 25. 0 39. 0，Ni :0. 0 7. 0，V :4. 5 15. 0，Pd 余量。制备上述高温钎料的方法是，首先在氩气保护条件下采用电弧熔炼方法将此合金 原料熔炼成合金锭；然后使用下述方法之一制备钎料(1)采用氩气雾化制粉设备制备粉末状钎料；(2)在氩气保护条件下采用急冷态箔材制备设备制备急冷箔带钎料；(3)采用电火花线切割方法从合金锭上切出薄片，再将薄片正反面机械磨光。(4)由合金锭通过多次室温轧制、热处理的工艺直接制成合金带材。使用上述高温钎料进行钎焊的方法是 (1)装配，根据连接接头的要求进行Cf/SiC陶瓷基复合材料之间的装配，在复合材 料/复合材料的连接界面、或复合材料/金属接头中陶瓷与相邻金属缓释层之间加入本发 明粉末状钎料、急冷箔带钎料、或合金粉末状钎料，或从合金锭上切出的钎料薄片，或轧制 而成的钎料合金带材；(2)加热，焊件装配后连同夹具一起放入真空加热炉中，保温后再随炉冷却至室 温，或者气体保护感应加热，保温后冷却。以下将结合实施例对本发明技术方案作进一步地详述表1给出了本发明技术方案所述高温钎料的实施例及其每一个实施例中的成份 及重量百分比组成。 上述实施例所述的高温钎料按如下工艺路线制备(1)选择纯度不低于99. 0%的高纯Pd、Co、Ni、Cu、V，Si、B，其中Si、B元素在有条 件的情况下可以以Ni-Si、Ni-B的形式添加，并按重量配比称量；(2)在氩气保护条件下采用电弧熔炼方法将此合金熔炼成合金锭。(3)采用下述方法之一制备钎料A、采用氩气雾化制粉设备制备合金粉末状钎料；B、在氩气保护条件下采用急冷态箔材制备设备制备急冷态箔带钎料。对于单辊法 快速凝固过程，单辊需以1000 lOOOOr/min的高速度旋转，钎料锭块熔化形成液态后冷却 速率介于IO3 106K/s之间。C、从合金锭上采用电火花线切割方法切出薄片再正反面机械磨光后使用。D、由两三种成分简单的合金薄带轧制成具有设计成分的钎料合金复合带。E、由合金锭通过多次室温轧制、热处理的工艺直接制成合金带材。本发明钎料也可以以合金块体或由高纯度元素按配比混合后直接使用。根据连接 接头的要求进行Cf/SiC陶瓷基复合材料/钎料/Cf/SiC陶瓷基复合材料(或金属)的装配，在复合材料/复合材料的连接界面、以及复合材料/金属接头中复合材料与相邻金属缓 释层之间加入本发明急冷态箔带钎料、或合金粉末状钎料，或从合金锭上切出的钎料薄片， 或钎料合金复合轧制带，装配后连同夹具一起放入真空加热炉中，或气体保护的感应加热 室中，按工艺要求保温后再冷却至室温。 采用表1所示的实施例1 25的成分钎料，分别以合金粉末状钎料形式、钎料合 金复合轧制带、急冷箔带、从钎料合金锭上切出钎料薄片、钎料合金带材使用，在IlliTC 1250°C的钎焊温度下进行了 Cf/SiC陶瓷基复合材料自身接头的连接，对应钎焊接头的室温 三点弯曲强度达110 170MPa，明显高于传统镍基钎料对应的Cf/SiC陶瓷基复合材料接头 室温三点弯曲强度58MPa。而且本发明钎料高温性能好，其对应Cf/SiC接头在600°C测试条 件下可维持接头室温强度的95%以上，在700°C测试条件下可维持接头室温强度的90% 95%，在800°C下可维持接头室温强度的85%以上。
权利要求
一种用于Cf/SiC复合材料钎焊的钯钴基高温钎料，其特征在于，其成份重量百分比为Co 25.0～39.0，Cu 0.0～4.0，Ni0.0～7.0，V4.5～15.0，Si0.0～2.6，B0.0～2.5，Pd余量。
2.根据权利要求1所述的一种用于Cf/SiC复合材料钎焊的钯钴基高温钎料，其特征 在于其成份及重量百分比为Co 25. 0 39. 0，Cu 0. 0 4. 0，Ni 0. 0 7. 0，V :4. 5 15. 0，Si 0. 5 2. 0，B :0. 3 2. 0，Pd 余量。
3.根据权利要求1所述的一种用于Cf/SiC复合材料钎焊的钯钴基高温钎料，其特征 在于其成份及重量百分比为:Co 25. 0 39. 0，Ni 0. 0 7. 0，V :4. 5 15. 0，Si 0. 5 2. 0，B :0. 3 2. 0，Pd 余量。
4.根据权利要求1所述的一种用于Cf/SiC复合材料钎焊的钯钴基高温钎料，其特征 在于其成份及重量百分比为Co 25. 0 39. 0，Cu 0. 0 4. 0，Ni 0. 0 7. 0，V :4. 5 15. 0，Pd 余量。
5.根据权利要求1所述的一种用于Cf/SiC复合材料钎焊的钯钴基高温钎料，其特征在 于其成份及重量百分比为:Co 25. 0 39. 0，Ni 0. 0 7. 0，V :4. 5 15. 0，Pd余量。
全文摘要
本发明是一种用于Cf/SiC复合材料钎焊的钯钴基高温钎料，其成份及重量百分比组成为Co 25.0～39.0，Cu 0.0～4.0，Ni0.0～7.0，V4.5～15.0，Si0.0～2.6，B0.0～2.5，Pd余量。本发明钎料在1110℃～1250℃的钎焊温度下获得Cf/SiC陶瓷基复合材料连接接头，对应钎焊接头的室温三点弯曲强度达110～170MPa。本发明钎料不仅适于Cf/SiC陶瓷基复合材料、SiC陶瓷、SiCf/SiC陶瓷基复合材料的钎焊，也适于这些陶瓷(或复合材料)与其它陶瓷材料(或复合材料)或金属材料组合接头的连接。
文档编号B23K35/30GK101920408SQ20101026668
公开日2010年12月22日 申请日期2010年8月31日 优先权日2010年8月31日
发明者李晓红, 毛唯, 熊华平, 陈波 申请人:中国航空工业集团公司北京航空材料研究院