激光加工方法和激光加工装置与流程

文档序号:34538947发布日期:2023-06-27 14:37阅读:52来源:国知局
激光加工方法和激光加工装置与流程

本公开涉及激光加工方法和激光加工装置。


背景技术:

1、在专利文献1中记载有如下的激光加工方法:通过在对象物的表面形成吸收激光的吸收材料层,并且对吸收材料层照射激光,来向对象物赋予压缩残余应力。在专利文献1所记载的激光加工方法中,为了向对象物赋予均匀的压缩残余应力,以吸收材料层的厚度成为规定的厚度的方式形成吸收材料层。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开平8-112681号公报


技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、然而,如专利文献1所记载的激光加工方法那样,仅通过以吸收材料层的厚度成为规定的厚度的方式形成吸收材料层,难以沿着对象物的表面的对象区域向对象物赋予均匀的压缩残余应力。

3、本公开的目的在于,提供一种能够抑制沿着对象物的表面的对象区域向对象物赋予的压缩残余应力不均匀的激光加工方法和激光加工装置。

4、用于解决课题的手段

5、本公开的一方面的激光加工方法是通过向对象物的表面中的对象区域照射激光,沿着对象区域向对象物赋予压缩残余应力的激光加工方法,包括:加工步骤,一边增大每单位面积的激光的强度的移动平均值,一边对对象区域扫描激光的照射光斑。

6、在该激光加工方法中,通过对对象物的表面中的对象区域扫描激光的照射光斑,来沿着对象区域向对象物赋予压缩残余应力。以实验方式确认了存在以下倾向:在激光的照射光斑的扫描中,如果将每单位面积的激光的强度设为恒定,则扫描激光的照射光斑的区域在对象区域中越增加,越难以赋予压缩残留应力。因此,一边增大每单位面积的激光的强度的移动平均值,一边对对象区域扫描激光的照射光斑。由此,与将每单位面积的激光的强度设为恒定的情况相比,抑制向对象物赋予的压缩残余应力降低。由此,根据该激光加工方法,能够抑制沿着对象物的表面中的对象区域向对象物赋予的压缩残余应力不均匀。

7、在本公开的一方面的激光加工方法中,可以是:在加工步骤中,通过实施使激光的照射光斑分别沿着在第一方向上延伸且在与第一方向垂直的第二方向上排列的多条线移动的处理,来对对象区域扫描激光的照射光斑,在加工步骤中,通过按多条线中的至少一条线增大每单位面积的激光的强度,来增大激光的强度的移动平均值。由此,能够简便且容易地实施激光的照射光斑的扫描以及每单位面积的激光的强度的控制。

8、在本公开的一方面的激光加工方法中,在加工步骤中,作为上述处理,可以交替地实施使激光的照射光斑从第一方向上的一侧向另一侧移动的处理以及使激光的照射光斑从第一方向上的另一侧向一侧移动的处理。由此,能够对对象区域高效地扫描激光的照射光斑。

9、在本公开的一方面的激光加工方法中,在加工步骤中,可以通过沿着与对象区域交叉的方向移动激光的聚光斑的位置,来增大激光的强度的移动平均值。由此,即使不调整激光的输出,也能够增大每单位面积的激光的强度的移动平均值。

10、在本公开的一方面的激光加工方法中,可以是:还包括准备步骤,一边使每单位面积的激光的强度恒定,一边对样品的表面中的样品区域扫描激光的照射光斑,获得沿着样品表面向样品赋予的压缩残余应力,在加工步骤中,基于向样品赋予的压缩残余应力,增大每单位面积的激光的强度的移动平均值。由此,能够更可靠地抑制向对象物赋予的压缩残余应力不均匀。

11、本公开的一方面的激光加工装置是通过向对象物的表面中的对象区域照射激光,沿着对象区域向对象物赋予压缩残余应力的激光加工装置,包括:支承对象物的支承部;向对象区域照射激光的照射部;和控制支承部和照射部中的至少一个的动作的控制部,控制部控制支承部和照射部中的至少一个的动作,使得一边使每单位面积的激光的强度的移动平均值变大,一边对对象区域扫描激光的照射光斑。

12、根据该激光加工装置,与上述的激光加工方法同样地,能够抑制沿着对象物的表面的对象区域向对象物赋予的压缩残余应力不均匀。

13、发明效果

14、根据本公开,能够提供一种能够抑制沿着对象物的表面赋予的对象物的压缩残余应力不均匀的激光加工方法和激光加工装置。



技术特征:

1.一种激光加工方法,其中,

2.根据权利要求1所述的激光加工方法,其中,

3.根据权利要求2所述的激光加工方法,其中,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的激光加工方法,其中,

5.根据权利要求1~4中任一项所述的激光加工方法,其中,

6.一种激光加工装置,其中,


技术总结
本发明的一种激光加工方法是通过向对象物的表面中的对象区域照射激光,沿着对象区域向对象物赋予压缩残余应力的激光加工方法。该激光加工方法具备:加工步骤,一边增大每单位面积的激光的强度的移动平均值,一边对对象区域扫描激光的照射光斑。

技术研发人员:壁谷悠希,栗田隆史,吉村凉,渡利威士
受保护的技术使用者:浜松光子学株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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