一种改善MARK点隐裂的新型MARK点制作图形设计的制作方法

一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计
技术领域
1.本发明涉及mark点制作图形设计领域，具体为一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计。


背景技术：

2.随着晶硅电池科学与技术的发展，perc电池已经逐渐成为市场主流，在未来几年的发展中perc电池及perc叠加新技术电池会逐渐成熟，走向工业化生产，perc叠加选择性发射极(se)技术是一种有效的提升电池效率的技术路径，也是一种容易实现，耗费成本较低的一种技术手段，本专利中se技术是通过激光掺杂技术实现的，其中激光掺杂图形mark点是该技术的一个关键点。
3.在单晶perc叠加选择性发射极技术(se)的工艺流程中，根据丝网印刷工序的抓点定位的需求，选择性发射极技术在制作的过程中，需要制作出丝网印刷所需要的mark点，常规mark点(1)制作时，利用激光雕刻先雕刻出横向绘图线2，后雕刻出纵向绘图线3，从而会形成交叉点4(参见附图1)。
4.现有的常规mark点的制作图形是直接由两条交叉线组成的(参见附图1)，该mark点在利用激光雕刻时，会按照顺序雕刻出“十”字，在“十”字的中心交叉区域会进行两次的激光雕刻，毋庸置疑这个区域损伤会是成倍的，那中心区域的损伤会大大的增加，从而导致此区域的硅片造成隐裂，导致良率下降。


技术实现要素：

5.基于此，本发明的目的是提供一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计，以解决mark点中心区域二次激光雕刻导致mark点区域硅片存在隐裂的技术问题。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计，包括mark点，所述mark点由横向绘图线和纵向绘图线组成，所述横向绘图线和纵向绘图线呈十字形交叉设置。
7.进一步地，所述mark点是电路板设计中pcb应用于自动贴片机上的位置识别点，所述mark点应用于perc叠加选择性发射极技术。
8.通过采用上述技术方案，通过mark点的选用可直接影响到自动贴片机的贴片效率。
9.进一步地，所述横向绘图线和纵向绘图线的长度一致，所述横向绘图线和纵向绘图线的宽度一致。
10.通过采用上述技术方案，以便使得mark点成型后更加规整。
11.进一步地，所述横向绘图线和纵向绘图线的直径均为1mm。
12.通过采用上述技术方案，使得mark点成型后误差更小。
13.进一步地，所述纵向绘图线包括有上纵向绘图线、下纵向绘图线和分段区。
14.通过采用上述技术方案，通过分段区设置，使得在上纵向绘图线和下纵向绘图线
组合成纵向绘图线后与横向绘图线配合，不会出现重复雕刻区域，通过分段式进行绘制图形，可以有效的避免对硅片的二次伤害，大幅度的减少mark点区域的隐裂问题。
15.进一步地，所述上纵向绘图线和下纵向绘图线之间以分段区为中心对称设置。
16.通过采用上述技术方案，使得上纵向绘图线和下纵向绘图线雕刻方式相同，简化雕刻流程。
17.进一步地，所述分段区的宽度与横向绘图线的宽度相适配。
18.通过采用上述技术方案，以便在横向绘图线与上纵向绘图线和下纵向绘图线交错时，不会存在交叉区域。
19.综上所述，本发明主要具有以下有益效果：
20.1、本发明通过设置有纵向绘图线、上纵向绘图线、下纵向绘图线和分段区，通过分段区设置，使得在上纵向绘图线和下纵向绘图线组合成纵向绘图线后与横向绘图线配合，不会出现重复雕刻区域，通过分段式进行绘制图形，可以有效的避免对硅片的二次伤害，大幅度的减少mark点区域的隐裂问题，避免mark点中心区域二次激光雕刻导致mark点区域硅片存在隐裂的情况，从而可以提升良率，此种设计方案在现有激光掺杂设备上都是可以完全兼容，不会增加成本，且工业化生产过程中稳定性好，不会影响正常生产。
附图说明
21.图1为现有mark点制作图形设计图；
22.图2为本发明mark点制作图形设计图。
23.图中：1、mark点；2、横向绘图线；3、纵向绘图线；301、上纵向绘图线；302、下纵向绘图线；303、分段区；4、交叉点。
具体实施方式
24.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
25.下面根据本发明的整体结构，对齐实施例进行说明。
26.一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计，如图2所示，包括mark点1，mark点1由横向绘图线2和纵向绘图线3组成，mark点1是电路板设计中pcb应用于自动贴片机上的位置识别点，mark点1应用于perc叠加选择性发射极se技术，通过mark点1的选用可直接影响到自动贴片机的贴片效率，横向绘图线2和纵向绘图线3的长度一致，横向绘图线2和纵向绘图线3的宽度一致，以便使得mark点1成型后更加规整，横向绘图线2和纵向绘图线3的直径均为1mm，使得mark点1成型后误差更小，横向绘图线2和纵向绘图线3呈十字形交叉设置，纵向绘图线3包括有上纵向绘图线301、下纵向绘图线302和分段区303。
27.参阅图2，纵向绘图线3包括有上纵向绘图线301、下纵向绘图线302和分段区303，上纵向绘图线301和下纵向绘图线302之间以分段区303为中心对称设置，使得上纵向绘图线301和下纵向绘图线302雕刻方式相同，简化雕刻流程，分段区303的宽度与横向绘图线2的宽度相适配，以便在横向绘图线2与上纵向绘图线301和下纵向绘图线302交错时，不会存在交叉区域，通过分段区303设置，使得在上纵向绘图线301和下纵向绘图线302组合成纵向
绘图线3后与横向绘图线2配合，不会出现重复雕刻区域，通过分段式进行绘制图形，可以有效的避免对硅片的二次伤害，大幅度的减少mark点区域的隐裂问题。
28.本实施例的实施原理为：首先，通过分段区303设置，使得在上纵向绘图线301和下纵向绘图线302组合成纵向绘图线3后与横向绘图线2配合时，不会出现重复雕刻区域，通过分段式进行绘制图形，可以有效的避免对硅片的二次伤害，大幅度的减少mark点区域的隐裂问题，避免mark点中心区域二次激光雕刻导致mark点区域硅片存在隐裂的情况，从而可以提升良率，此种设计方案在现有激光掺杂设备上都是可以完全兼容，不会增加成本，且工业化生产过程中稳定性好，不会影响正常生产。
29.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，但本具体实施例仅仅是对本发明的解释，其并不是对发明的限制，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合，本领域技术人员在阅读完本说明书后可在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下，可以根据需要对实施例做出没有创造性贡献的修改、替换和变型等，但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。


技术特征：
1.一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计，包括mark点(1)，其特征在于：所述mark点(1)由横向绘图线(2)和纵向绘图线(3)组成，所述横向绘图线(2)和纵向绘图线(3)呈十字形交叉设置。2.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计，其特征在于：所述mark点(1)是电路板设计中pcb应用于自动贴片机上的位置识别点，所述mark点(1)应用于perc叠加选择性发射极(se)技术。3.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计，其特征在于：所述横向绘图线(2)和纵向绘图线(3)的长度一致，所述横向绘图线(2)和纵向绘图线(3)的宽度一致。4.根据权利要求3所述的一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计，其特征在于：所述横向绘图线(2)和纵向绘图线(3)的直径均为1mm。5.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计，其特征在于：所述纵向绘图线(3)包括有上纵向绘图线(301)、下纵向绘图线(302)和分段区(303)。6.根据权利要求5所述的一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计，其特征在于：所述上纵向绘图线(301)和下纵向绘图线(302)之间以分段区(303)为中心对称设置。7.根据权利要求5所述的一种改善mark点隐裂的新型mark点制作图形设计，其特征在于：所述分段区(303)的宽度与横向绘图线(2)的宽度相适配。

技术总结
本发明公开了一种改善MARK点隐裂的新型MARK点制作图形设计，涉及MARK点制作图形设计领域，本发明包括MARK点1，MARK点1由横向绘图线2和纵向绘图线3组成，横向绘图线2和纵向绘图线3呈十字形交叉设置。本发明通过分段区303设置，使得在上纵向绘图线301和下纵向绘图线302组合成纵向绘图线3后与横向绘图线2配合时，不会出现重复雕刻区域，通过分段式进行绘制图形，可以有效的避免对硅片的二次伤害，大幅度的减少MARK点区域的隐裂问题，从而可以提升良率，避免MARK点中心区域二次激光雕刻导致MARK点区域硅片存在隐裂的情况，此种设计方案在现有激光掺杂设备上都是可以完全兼容，不会增加成本，且工业化生产过程中稳定性好，不会影响正常生产。影响正常生产。影响正常生产。


技术研发人员：曾玉婷 王琳琳 谢耀辉 张鹏 曹其伟
受保护的技术使用者：江西中弘晶能科技有限公司
技术研发日：2022.01.10
技术公布日：2022/4/15