一种半导体硅片激光软刻字方法、设备、介质及产品与流程

本申请涉及半导体加工领域，尤其涉及一种半导体硅片激光软刻字方法、设备、介质及产品。

背景技术：

1、在半导体制造行业，硅片的标识过程是至关重要的，其完成品质在很大程度上取决于硅片上刻字标识的清晰度。硅片在制造过程的最终阶段需进行软刻字处理，该处理的目的是在硅片上创建有效且快速的识别标记。这些识别标记不仅用于追踪和记录产品信息，还对硅片的后续加工过程，如晶圆的切割和打磨，有着直接影响。

2、随着技术的发展，现代半导体公司广泛采用了高度自动化的刻字设备，以满足高效率和精确度的生产需求。然而，这些设备随着长时间的运行，其性能可能出现衰退和损耗，影响刻字质量。传统的设备和生产过程监控方法主要集中在生产前对样品的点检上，如通过取样读取条码字符的中心点来评判断刻字机的工作状态。但这种方法存在一定的局限性，特别是在硅片放置位置不理想时，如放置在中心吸盘不水平，可能导致刻字深度的左右不一致，从而影响整个硅片的出品质量。

技术实现思路

1、本申请的一个目的是提供一种半导体硅片激光软刻字方法、设备、介质及产品，至少用以解决刻字深度左右不一致导致影响硅片出品质量的问题。

2、为实现上述目的，本申请的一些实施例提供了以下几个方面：

3、第一方面，本申请的一些实施例还提供了一种半导体硅片激光软刻字方法包括：在激光软刻字目标区域获取三个激光定位点，得到第一定位点、第二定位点和第三定位点的深度值；根据所述第二定位点的深度值x2和预设的标准刻字深度值t，得到中心差值xm；根据所述第一定位点的深度值x1和第三定位点的深度值x2，得到边缘差值ym；根据所述第一定位点的深度值x1、第二定位点的深度值x2和第三定位点的深度值x3与所述标准刻字深度值t，得到总差值zm；根据所述中心差值xm、边缘差值ym和总差值zm，调整激光刻字机的操作参数和硅片的摆放位置。

4、第二方面，本申请的一些实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括：一个或多个处理器；以及存储有计算机程序指令的存储器，所述计算机程序指令在被执行时使所述处理器执行如上所述方法的步骤。

5、第三方面，本申请的一些实施例还提供了一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令可被处理器执行以实现如上所述的方法。

6、第四方面，本申请的一些实施例还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序/指令，该计算机程序/指令被处理器执行时实现如上所述方法的步骤。

7、与相关技术相比，本申请实施例提供的方案中，半导体硅片激光软刻字方法通过对样片取样刻字的三点测试，并通过三个目标值的差值进行判断刻字码机器是否工作正常来加强日常监控，还能对产品刻字的硅片或者刻字样张来判断产品的制程能力的水平。

技术特征：

1.一种半导体硅片激光软刻字方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中心差值xm＝t-x2；根据所述中心差值判断所述激光刻字机的中心聚焦度，当所述中心据角度超出设定的标准中心聚焦范围时，调整所述激光刻字机的激光功率和聚焦参数。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述边缘差值ym＝x3-x2；根据所述边缘差值判断所述硅片摆放位置的水平程度，当所述水平程度超出设定的标准水平程度范围时，调整所述硅片的摆放位置。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述总差值zm＝t-(x1+x2+x3)/3；根据所述总差值判断所述硅片激光软刻字的刻字准确度，当所述刻字准确度超出设定的标准刻字准确范围时，调整所述激光刻字机的操作参数和硅片的摆放位置。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于，所述激光刻字机的操作参数包括激光功率、聚焦参数、脉冲频率以及扫描速度；所述激光刻字机通过激光测定仪获取所述第一定位点、第二定位点和第三定位点的深度值；基于至少一个所述中心差值、边缘差值和总差值的反馈结果，调整所述激光刻字机的操作参数。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硅片通过机械组件调整摆放位置，使所述硅片相对水平于所述激光刻字机；所述机械组件包括吸盘、托盘或机械爪。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在进行批量半导体硅片激光软刻字前，进行硅片样片进行取样点检，根据所述中心差值xm、边缘差值ym和总差值zm，调整激光刻字机的操作参数和硅片的摆放位置；当调整后的所述中心差值xm、边缘差值ym和总差值zm满足刻字标准后，根据当前激光刻字机的操作参数和硅片的摆放位置，对后续硅片进行批量刻字。

8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：

9.一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序/指令，其特征在于，所述计算机程序/指令被处理器执行时实现权利要求1至7中任意一项所述方法的步骤。

10.一种计算机程序产品，包括计算机程序/指令，其特征在于，该计算机程序/指令被处理器执行时实现权利要求1至7中任意一项所述方法的步骤。

技术总结
本申请实施例涉及半导体加工领域，公开了一种半导体硅片激光软刻字方法、设备、介质及产品。在激光软刻字目标区域获取三个激光定位点，得到第一定位点、第二定位点和第三定位点的深度值；根据所述第二定位点的深度值和预设的标准刻字深度值，得到中心差值；根据所述第一定位点的深度值和第三定位点的深度值，得到边缘差值；根据所述第一定位点的深度值、第二定位点的深度值和第三定位点的深度值与所述标准刻字深度值，得到总差值；根据所述中心差值、边缘差值和总差值，调整激光刻字机的操作参数和硅片的摆放位置。可以用以解决软刻字过程中刻字码出现左右刻字深度不匀的技术问题。

技术研发人员：翁剑峰
受保护的技术使用者：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/6/26