专利名称：导电性薄片、薄板烧结体及陶瓷基片的制造及加工方法
技术领域：
本发明涉及导电性薄片、薄板烧结体及薄膜磁头用的陶瓷基片的制造方法以及导电性薄片的加工方法。
近年来，计算机等的硬盘驱动(HDD)装置和软盘驱动(FDD)装置等的种种磁记录装置，使用薄膜磁头。伴随着薄膜磁头的小型化，作为磁头用基片使用的导电性薄片的厚度正在变薄。为了寻求磁头用基片的高硬度及耐摩损性，目前使用具有Al2O3-Ti系、SiC系及ZrO2系等组分的陶瓷材料。例如，作为磁头用陶瓷基片，目前被广泛使用的ALTIC薄片，是通过烧结和加工矾土(Al2O3)及钛碳化物(TiC)等原料而制造的。虽然厚度1.2mm左右的ALTIC薄片作为磁头用基片被实用化，但还希望开发一种，为了磁记录更高密度化，更薄且光滑的陶瓷基片。
由于陶瓷基片的制造中，烧结工序是不可欠缺的，在烧结时，烧结体的温度分布不均而产生烧结基片「凸凹度」等的变形的现象是很多的。形成的基片的厚度越薄(例如2mm以下)，基片产生的大凸凹度越明显。以往，这种「凸凹度」是通过研磨、平坦化基片表面而被去除的。
由于作为薄膜磁头用基片使用的烧结体具有极高的硬度(威氏硬度2000以上)，其研磨需要很多时间。例如，将厚度2mm的板状的烧结体研磨成1.2mm厚度需要加工数十小时。另一方面，由于形成的烧结体越薄，烧结体具有的刚性越低，烧结体的「凸凹度」越明显。因此，今后需要更薄的陶瓷基片时，用现在的方法形成基片，烧结后需要研磨等的加工工序耗费大量的时间，可以想象生产效率明显低下。这对于薄膜磁头的扩大再生产，无疑是很大的障碍。
还有，「凸凹度」的问题，不仅限于薄膜磁头用陶瓷基片，在形成薄板状烧结体时，也广泛产生此类现象。为此，为消除凸凹度，需要很多时间，存在使生产成本增大的问题，在包括烧成工序的烧结体的制造方法(例如「烧结磁铁的制造方法」中也大量存在上述问题。
本发明鉴于上述各点，其目的在于提供一种，减少烧结体出现的「凸凹度」由此，可缩短需消除「凸凹度」的长研磨加工时间的导电性薄片、薄板烧结体及薄膜磁头用的陶瓷基片的制造方法以及导电性薄片的加工方法。
本发明的烧结体的制造方法，是在形成无凸凹问题的厚度的导电性烧结体之后，切片加工所述烧结体，由此，将所述烧结体切断、分离成2片以上的薄片。
按照本发明的导电性薄片的制造方法包括，形成有实质平行的2个面的导电性烧结体的工序，和沿所述导电性烧结体的所述2个面的大致平行的面切片加工所述导电性烧结体，并将所述导电性烧结体切断分离成2以上的导电薄片的工序。
所述导电性烧结体的切片加工理想的是在放电用铜丝和所述导电性烧结体之间施加电压，同时，通过对所述导电性烧结体相对移动所述铜丝的铜丝放电加工法来进行。
在理想的实施形式中，所述电压是施加脉冲电压。
对所述导电性烧结体的所述铜丝的相对移动速度调整切断分离后的所述导电性薄片的放电加工面的凸面量为50μm以下是理想的。
对所述导电性烧结体的所述铜丝的相对移动速度为500mm2/分以下是理想的。
至少所述导电性烧结体的切断结束之前的1mm开始，对切断结束的所述导电性烧结体的所述铜丝的相对移动速度被设定成比在所述导电性烧结体的切断开始时的所述导电性烧结体的所述铜丝的相对移动速度还低是理想的。
对所述导电性烧结体的切断结束的所述导电性烧结体的所述铜丝的相对移动速度在130mm2/分，以下是理想的。
在理想的实施形式中，所述导电性烧结体是由包含矾土、钛及碳的导电性陶瓷形成的。
按照本发明的薄板烧结体的制造方法包括，形成将原料烧成威氏硬度2000以上烧结体的工序，和通过用铜丝放电加工法切片加工所述导电性烧结体，形成比所述导电性烧结体还薄的2片以上的薄板烧结体的工序。
按照本发明的其它的薄板烧结体的制造方法包括，形成将原料烧成威氏硬度2000以上烧结体的工序，和通过切片加工所述烧结体，形成比所述烧结体还薄的2片以上的薄板烧结体的工序。
按照本发明的薄膜磁头用的陶瓷基片的制造方法包括，通过烧结原料后，研磨形成，具有实质的平行的2个面的导电性烧结工序，和沿所述导电性烧结体的所述2个面的大致平行的面切片加工所述导电性烧结体，并将所述导电性烧结体切断分离成2片以上的薄膜磁头用陶瓷基片的工序。
在理想的实施例中还包括研磨所述薄膜磁头用的陶瓷基片的表面，及基片厚度为1.2mm以下的工序，并抑制其研磨量为0.7mm以下。
按照本发明的导电性薄片的加工方法包括，将导电性烧结体安置在铜丝放电加工装置上的工序，和在所述铜丝放电加工装置的铜丝和所述导电性烧结体之间施加电压，同时，对所述导电性烧结体相对移动所述铜丝，切片加工所述导电性烧结体，由此，将所述导电性烧结体切断、分离成凸面量在50μm以下，具有所述导电性烧结体的厚度的一半以下厚度的多个导电性薄片的工序。
在切断分离所述导电性烧结体的工序中，最好用具有弹性的保持构件，在所述铜丝的移动方向沿平行的方向按下所述导电性烧结体的端面。
下面，简要说明附图。
图1是表示陶瓷基片的制造工序的主要顺序的流程图。
图2是表示在本实施例的制造方法的切片加工中所适于使用的铜丝放电加工装置的概略构成图。
图3(a)-(d)是为更详细说明切断加工(切片加工)的状态的图，用铜丝在铜丝垂直的面切下导电性烧结体及铜丝的剖面模式图。
图4是一例表示为保持烧结体所使用的台架的俯视图。
图5(a)是表示切片加工后的薄片的加工面的凸面量C1的剖面图，图5(b)是表示薄烧结体10′的凸面量C2及C3的剖面图，图5(c)是表示薄的烧结体10″的凸面量C4及C5的剖面图。
图6是表示切片后的薄片的切断面(或是放电加工面)的「凸面量」怎样依赖切断速度的曲线图。
图7是表示切片后的薄片的切面(或是放电加工面)的表面光洁度怎样依赖切断速度的曲线图。
图中，10、10′、10″-导电性烧结体；10a、10b-切片后的薄片；12-导电性烧结体的槽；22-铜丝；24a、24b-铜丝保持构件；26a-第1旋转滚筒；26b-第2旋转滚筒；27-贮槽；28-加工用电源；40-基片保持部；50-台架；51-基片插入部；56-按压部；100-烧结体的端面(切断终端面)；102-烧结体的主面；104-薄片切断面；C1～C5-凸面量。
发明的实施例本发明为了解决通过利用如热压形成等的烧结现象的工序例如在形成2mm以下厚度的烧结体时，由于种种原因所产生的「凸凹度」问题，在形成无「凸凹度」问题厚度(例如超过2mm的厚度)的较厚的烧结体之后，将其烧结体切片成2片以上的薄片。
下面，参照附图，说明本发明的实施例。
首先，在参照图1～图3的同时，说明按照本发明的薄膜磁头用陶瓷基片的制造方法。
图1是表示陶瓷基片的制造工序的主要顺序的流程图。用本实施形式，于工序S1准备了矾土及钛碳化物等的原料粉末之后，经混合这些粉末的工序S2及热压成形工序S3，形成厚度约4mm、长100mm、宽100mm的矩形导电性烧结体。本实施例的情况含有形成的烧结体的矾土约70wt％，钛碳化物约30wt％。该烧结体也可以含有MgO等的其它成分。得到的烧结体的威氏硬度是2400-2500左右。如按照以往的制造方法，在得到烧结体之后，为消除烧结体的「凸凹度」，进行长时间的研磨加工(镜面加工等)。但是，用本实施例，由于形成厚度4mm的较厚的烧结体，烧结基片的刚性大，几乎不发生「凸凹度」。还有，通过烧成，形成矾土·钛碳化物的导电性烧结体的详细过程，例如，在特公昭61-50906号公报上公开。该工艺方法本身是使用众所周知的方法进行的。
对由烧成得到的上述导电性烧结体的表面施行了简单的研磨处理等的前处理之后，进行为将该烧结体剪切成2片薄片的切片加工工序S4。用本实施例，由于非加工物是由具有导电性的高硬度陶瓷材料形成的，所以用放电加工技术进行薄片切片。由1片烧结体所切片的2片薄片，例如，各具有1.6-1.8μm左右的厚度。对这些薄片，进行使用金刚石料浆(平均粒径1μm左右)镜面加工等的研磨加工工序S5，形成最终厚1.2mm(表面光洁度Ra＝200nm以下)的薄片。用以往的方法研磨厚度为2mm的烧结体，加工厚度1.2mm时，研磨量是0.8mm，如按照本实施例能够做到研磨量为0.7mm以下。
对这样得到的薄片，按后面的需要，一边用激光等进行标识，一边进行用溅射法在薄片的表面形成绝缘被膜等的附加工序。
图2表示恰当使用本实施例的制造方法的切片加工的铜丝放电加工装置20的概略构成。图2的装置20是在矩形的导电性烧结体10和接近该位置配置的导电性铜丝(直径约为0.1-0.35φmm)22之间施加高电压脉冲，由此，在导电性烧结体10和铜丝22之间引起电晕放电这样的结构。通过该放电，切取接近铜丝22的导电性烧结体10的一部分，进行切断加工(切片加工)。图2表示烧结体10被加工过程中，各阶段的配置关系。通过放电由导电性烧结体10切削下来的粉状物(切屑)通过沿铜丝22喷出的水流，迅速地被冲向非放电区域，使之不会成为二次放电的原因。水流是通过图中没有示出的泵将贮槽27供给的水在铜丝保持构件24a的附近喷出而形成的。导电性烧结体10在用纯度较高的水(电阻率ρ约为105Ω·cm以上)中浸泡的状态下受到放电加工处理，由铜丝保持构件24a的附近喷出的水，能够在导电性烧结体10的被加工部件的附近形成强水流。
铜丝22是由合适的黄铜形成。铜丝22由于放电经一定时间的摩损，在用铜丝保持构件24a和24b保持的同时，由第1旋转滚筒26a向第2旋转滚筒26b卷绕。向铜丝22提供某种程度的张力的结果，是大致伸展为直线状的状态下使用，稍微的挠度是不可避免的。铜丝保持构件24a和24b固定在无图示的支架上，支架通过电动机等的驱动机构(无图示)随着保持构件24a及24b和铜丝22，沿箭头A的方向(切断方向或是切片方向)水平方向驱动。用该装置20，对固定了位置的被加工物(烧结体10)，移动铜丝22，或者与此相反，也可固定铜丝22的位置，移动被加工物。导电性烧结件10，安装在后面详细说明的台架内，通过台架上的基片保持部40等被保持和固定。
下面，参照图3(a)至(d)，详细说明放电切断加工(切片加工)的情况。图3(a)至(d)表示用铜丝22在铜丝22垂直的面剪切薄板状的导电性烧结体10及铜丝22的剖面模式。
首先，如图3(a)所示，在导电性烧结体10的一端面附近配置铜丝。由于用图1的加工用电源28在铜丝22和导电性烧结体10之间施加高电压，在铜丝22和导电性烧结体10的空间产生放电。通过放电，切取导电性烧结体10的一端面的中央部，沿铜丝22形成延续直线状的槽12。该槽12的深度(沿图中的箭头A的方向计测的值)随着向箭头A方向移动铜丝22而增大，如图(b)所示，亦即在烧结体10上形成深的断开处。铜丝22向位于图中左侧的烧结体的端面(终端面)100将烧结体10一分为二。如图3(c)所示那样铜丝22在到达终端面100的附近(离端面1～2mm)之后，铜丝22如图3(d)所示那样，将烧结体10完全分离成二部分(薄片)10a和10b。这样，将1片烧结体10切成(切片)2片薄片10a和10b。切断分离后的各薄片10a及10b的厚度，此时约为1.8mm。不用说，各薄片10a及10b的厚度，当然依靠切片加工所使用的烧结体的厚度10和铜丝22的直径变化。因此，也可将厚度3mm左右的烧结体切片成厚度为1.2mm～1.4mm左右的2片薄片。
在本实施形式中，烧结体10是板状，有实质平行的2个面(主面)102。沿各面大致平行的面在其2个面102的大致中央，边移动铜丝22，边实行放电加工。移动铜丝22由于加工面与烧结体10的2个平面102大致平行，得到的2片薄片10a及10b，具有大致均一的厚度。如果，移动的铜丝22，与加工面和烧结体10具有的2个面102有稍微倾斜角那样的配置时，根据地点，也可得到变化厚度的薄片。并且，不仅烧结体10的2个面的主面102的大致中央，如沿偏向任何面的面移动铜丝22，也可同时形成相互不同厚度的2片薄片。例如，也可将厚度约3.5mm的平板烧结体，切成厚度0.8mm的薄片的厚度1.2mm的薄片。
下面，说明在放电加工时，为插入和保持烧结体的台架。图4表示本实施例使用的台架50的结构。该台架50具有沿箭头B方向配置的多个基片插入部51使之能够同时安装，保持多个烧结体(基片)10。基片状的烧结体10插入用虚线表示轮廓的区域。所插入的各烧结体10通过基片保持部40用与箭头C平行的力被按压，并固定·保持在其处。基片保持部40由于有弹性，可用适当的力在与烧结体10的主面平行的方向(纵向)按压烧结体10，由此，防止烧结体10的破裂。基片保持部40是由挟住放电铜丝22的二个构件构成，在切片加工时移动铜丝22的区域中，形成必要的空间(例如宽幅1mm左右的空间)。围绕基片保持部40的孔部分52在开始切片加工时，相当配置铜丝22之处。孔部分52能够通过铜丝22那样，贯通在图垂直方向的基片保持部40。另一方面，在切片加工结束时，在铜丝22的移动停止之处，形成其他的孔部分54。该孔部分54，形成接触台架50的面的烧结体10的其他端面。在该面，没有提供特别高的弹性，可配置基片保持部40那样的具有弹性的构件。通过基片保持部40和基片插入部51的一侧面(形成孔部分54的区域)挟持烧结体10。基片保持部40由于具有弹性，不增加烧结体10不需要的应力。
在台架50中，为了其他的烧结体10的位置不偏移箭头B方向而设置第1按压部56及第2按压部57。第2按压部57具有沿箭头B方向可移动的前端部和驱动其前端部的构件，第2按压部57的前端是可按压从图4的左侧各烧结体10的左侧主面中央部那样构成的。虽然第2按压部分57仅图4中的1处标注，但是实际按各基片插入部51的数全都配置。通过操作向台架外侧突出的构件，调整第2按压部57的位置，在轻按烧结体10的一主面位置，移动和固定第2按压部57。其结果，由于用第1按压部56及第2按压部57挟持烧结体10，在切片加工时，不会产生烧结体10的移位。还有，烧结体10的保持方法不限于本实施例说明的方法。另外，也可采用按照烧结体10的形状和尺寸，适宜的保持机构。
将保持1片或1片以上的烧结体10的台架50如图2所示那样。固定在铜丝放电加工装置上，进行所述的切片加工。由铜丝放电装置的加工用电源28，通过配线及基片保持部40，向烧结体10供给电压。例如，用1～2微秒的脉冲宽度，在铜丝22和烧结体10之间流过300-400A的电流时(约投入170W的功率时)、对于铜丝22，烧结体10位于正电位。还有，对通过同时移动多个铜丝的多个烧结体10，如同时进行切片加工，可显著提高薄片制造效率。
下面，定义为评价「凸凹度」程度的「凸面量」。首先，参照图5(a)至(c)。图5(a)至(c)所表示的C1～C5都表示特定面的「凸面量」。在本申请的说明书中，所谓「凸面量」意味着特定面的凸部顶点(或凹部最低点)与基准面之间的距离。「基准面」定义为，在不产生凸凹度时，应位于「特定面」位置所规定的面(图中用虚线表示的面)。
图5(a)是表示切片加工后的薄片的加工面的凸面量C1的样式。图5(b)是表示薄的烧结体10′的面106及108的凸面量C2及C3。图5(c)是表示薄的烧结体10″的面110及112的凸面量C4及C5。
下面，参照图6，说明放电加工时的切断速度(铜丝和导电性烧结体之间规定的相对移动速度比率)对放电加工面产生怎样的影响。还有，在本实施例中，根据每单位时间放电加工的烧结体的面积，定义「切断速度」。图6是表示在切片后的薄片10a的切断面(或是放电加工面)104的「凸面量」对切断速度怎样变化的曲线图。由图6的曲线得知，伴随加大切断速度(切片速度)，凸面量也增大。可以认为这是由于，伴随加大切断速度，产生来自烧结体10的大量削末(切屑)，由于不能顺利地进行去除，在铜丝22和「切屑」之间产生二次放电所造成的。切断速度快时的加工面，如所述的图5(a)所示那样，中央部呈塌陷形状。将薄片10a用于薄膜磁头用基片时，刚切片之后的凸面量C1最好是在50μm以下。当凸面量C1超过50μm时，需要切削凸面状凸起部分的格外工序；失去了实施本发明的制造方法的优点。当切片加工面的凸面量为50μm以下时，切断速度为500mm2/分以下。因此，切断速度最好是在500mm2/分以下。图7表示切片后的薄片10a的切断面(或是放电加工面)104的表面光洁度按切断速度怎样变化的曲线图。从图7的曲线中得知，伴随切断速度的加快，表面光洁度也增大。从缩短以后所进行的研磨工序时间的观点出发，表面光洁度在30μm以下是理想的。因此，从该观点出发，希望切断速度在340mm2/分以下。
图6及图7所表示的数据，是按以下条件得出的。
放电脉冲宽度1-2微秒(μS)铜丝直径典型的是0.25φmm放电加工功率约170W被加工物的种类矾土·钛碳化物被加工物的尺寸4mm×100mm×100mm凸面量及表面光洁度的测定是使用接针式光洁度测定仪进行的。
图6及图7的数据，是用一定的切断速度进行切片时得到的，但是，在实际的制造工序中不需要维持一定的切断速度。例如，在图3(a)至(c)所示的阶段中，切断速度为130mm2/分以上，500mm2/分以下，在图3(c)至(d)所表示的阶段中，最好设定切断速度为不到130mm2/分。这是由于在切断速度超过130mm2/分的状态下，铜丝22横切烧结体终端面100时，在终端面100产生破裂。为防止烧结体10的破裂，在由图3(a)至(d)的全过程，虽然也可使切断速度不足130mm2/分，但是该种情况，存在切片工序需要的处理时间过长的弊端。因此，如前所述，铜丝22从终端面100开始到如1～2mm以内的接近距离为止，用较快的速度(例如240mm2/分左右的速度)进行切断，铜丝22在由终端面100开始到接近2mm以内的距离之后，将切断速度减慢到不足130mm2/分是有效率的。切断速度的切换，可按照铜丝22的移动距离(送)，用自动执行那样的装置，程序执行。至少象这样的切断速度分2段变化，当作为切片加工对象的材料的硬度高时(例如切片加工威氏硬度为2000以上的烧结体时)具有特别好的效果。这是因为切片加工材料的硬度越高，烧结体越容易产生破裂。
如按照本实施例的方法，例如，得到厚度1.2mm的薄片所需要的作业时间，与用以往的方法，形成厚度2.0mm的烧结体之后经研磨得到1.2mm的薄片时相比较，缩短60-70％左右的时间。还有，切片加工需要的时间，充其量30～40分左右。如按照本实施例，由于将1片烧结体效率地切出2片薄片，节省了浪费的材料，有效利用了资源。
在本实施例中，使用1根铜丝，将1片烧结体切成2片薄片，但是如铜丝的数量为n根(n≥2)，也可将1片烧结体同时切出n+1片薄片，可大为增加作业效率。但是，为实现这点，需要减细铜丝的直径，充分加大切片加工前的烧结体的厚度。当加厚形成烧结体时，由于在烧结体的内部产生烧结不完全现象，因此，形成厚烧结体时需要改善烧结方法。即使实行用1根铜丝对1片烧结体的多次切片加工，也可将1片烧结体切出3片以上的薄片。
在这样的本实施例中，作为薄膜磁头用基片，针对今后要求越来越薄的薄片的状况，特意形成厚的烧结体之后，对其烧结体进行切片加工，采用了新方法。并且，以该种情况的烧结体具有导电性为着眼点，通过采用了铜丝放电加工，得到效率好的希望的厚度的薄片是成功的。而且，发现加工速度(切断速度)和凸面量、表面光洁度的关系，通过在合适的条件进行放电加工，切出具有薄膜磁头用基片所要求的高平整性的高成品率的多片薄片。这样的本实施例的方法，对将来的增大存储容量及扩大再生产，在高经济效率下，使提供一种即薄又高强度且高性能的薄膜磁头用的陶瓷基片成为可能，在产业上具有极高的实用性。
以上，说明了关于本发明的薄膜磁头用的陶瓷基片的制造方法，但是，本发明的适用对象不限于此。因为是在通过烧结工序，形成薄板状的构件(薄板)时，产生「凸凹度」问题。因此，即使对通过烧成过程形成小型磁铁时，本发明的制造方法也是有效的。磁铁的用途广泛，根据用途，其尺寸也日益小型化，也需要成为凸凹度问题的薄板状(薄壁)磁铁。为此，本发明期待在包括这些烧结磁铁的广泛的领域的应用也能很好地奏效。
还有，即使用铜丝放电加工以外的方法也能切片加工。例如，即使使用磨料及铜丝的钢丝锯技术和使用小型的切片锯技术，也能进行烧结体的切片加工。这种情况下，由于不利用放电现象，烧结体不需要具有导电性。这里，所谓的「具有导电性」意味着放电加工具有可实行程度低的电阻率ρ。例如，具有2×10-3Ω·m以下的电阻率称为烧结体具有导电性。
另外，切片加工的烧结体的形状也不需要非是矩形。也可根据要求的薄片形状，形成圆盘状的烧结体。并且，烧结体的厚度也不仅限于4mm左右。在「凸凹度」较少的状态，可形成厚度2～3mm左右的烧结体时，实施烧结体形成后的切片工序，也可形成那样的具有烧结体的厚度的一半以下厚度(0.5～1.2mm)的薄板烧结体。即使这种情况，如与以往的方法相比较，也能够用较高的生产效率形成薄板烧结体。
而且，受到切片加工处理的烧结体，不限定具有平板形状。例如，烧结体即使是块状的，也可通过切片加工形成需要厚度的薄片(或是基片)。
如按照本发明，可提供一种形成具有不存在「凸凹度」问题厚度的烧结体之后，切片加工该烧结体，由此，将上述导电性烧结体切断分离成2片以上的导电性薄片，缩短研磨等的成形加工时间，并且，在最大限度抑制材料的浪费的同时，高效率生产希望薄度的薄片。特别是，如用铜丝放电加工法进行烧结体的切片加工，也能够高精度加工高硬度的陶瓷材料，极其实用。
通过调整铜丝放电加工的切断速度，能够降低加工薄片的凸凹度和表面光洁度到理想的水平，大大缩短其后的研磨工序时间。另外，在烧结体的切断将结束之前，通过较低设定切断速度，能够防止烧结体的破裂。
权利要求
1.一种薄板烧结体的制造方法，其特征在于，在形成无凸凹问题的厚度的导电性烧结体之后，切片加工所述导电性烧结体，由此，将所述导电性烧结体切断、分离成2片以上的薄片。
2.一种导电薄片的制造方法，其特征在于包括，形成有实质平行的2个面的导电性烧结体的工序，和沿所述导电性烧结体的所述2个面的大致平行的面，切片加工所述导电性烧结体，将所述导电性烧结体切断、分离成2片以上的导电薄片的工序。
3.根据权利要求2所述的导电性薄片的制造方法，其特征在于，所述导电性烧结体的切片加工，在放电用铜丝和所述导电性烧结体之间施加电压，同时，通过对所述导电性烧结体相对移动所述铜丝的铜丝放电加工法而进行的。
4.根据权利要求3所述的导电性薄片的制造方法，其特征在于，所述电压是施加脉冲电压。
5根据权利要求3或权利要求4所述的导电性薄片的制造方法，其特征在于，对所述导电性烧结体的所述铜丝的相对移动速度，调整切断、分离后的所述导电性薄片的放电加工面的凸面量为50μm以下。
6.根据权利要求3至5中任何1项所述的导电性薄片的制造方法，其特征在于，对所述导电性烧结体的所述铜丝的相对移动速度为500mm2/分以下。
7.根据权利要求3至6中任何1项所述的导电性薄片的制造方法，其特征在于，至少所述导电性烧结体的切断结束之前的1mm开始，对切断结束的所述导电性烧结体的所述铜丝的相对移动速度被设定成比在所述导电性烧结体的切断开始时的所述导电性烧结体的所述铜丝的相对移动速度还低。
8.根据权利要求7所述的导电性薄片的制造方法，其特征在于，相对于所述导电性烧结体的切断结束时的所述导电性烧结体的所述铜丝的相对移动速度为130mm2/分以下。
9.根据权利要求2至8中任何1项所述的导电性薄片的制造方法，其特征在于，所述导电性烧结体是由含矾土、钛及碳的导电性陶瓷形成的。
10.一种薄板烧结体的制造方法，其特征在于包括，形成将原料烧成威氏硬度2000以上的烧结体的工序，和通过用铜丝放电加工法切片加工所述导电性烧结体，形成比所述导电性烧结体还薄的2片以上的薄板烧结体的工序。
11.一种薄板烧结体的制造方法，其特征在于包括，形成将原料烧成威氏硬度2000以上的烧结体的工序，和通过切片加工所述烧结体，形成比所述烧结体还薄的2片以上的薄板烧结体的工序。
12.一种薄膜磁头用的陶瓷基片的制造方法，其特征在于包括，烧结原料通过研磨，形成具有实质的平行的2个面的导电性烧结体工序，和沿所述导电性烧结体的所述2个面的大致平行的面，切片加工所述导电性烧结体，将所述导电性烧结体切断、分离成2片以上的薄膜磁头用陶瓷基片的工序。
13.根据权利要求12所述的薄膜磁头用陶瓷基片的制造方法，其特征在于，研磨所述薄膜磁头用陶瓷基片的表面，因此，还包括基片厚度为1.2mm以下的工序，抑制其研磨量在0.7mm以下。
14.一种导电性薄片的加工方法，其特征在于包括，将导电性烧结体安置在铜丝放电加工装置上的工序，和在所述铜丝放电加工装置的铜丝和所述导电性烧结体之间施加电压，同时，对所述导电性烧结体相对移动所述铜丝，切片加工所述导电性烧结体，由此，将所述导电性烧结体切断、分离成凸面量在50μm以下，具有所述导电性烧结体的厚度的一半以下厚度的多个导电性薄片的工序。
15.根据权利要求14所述导电性薄片的加工方法，其特征在于，通过切断、分离所述导电性烧结体的工序的具有弹性的保持构件，在所述铜丝的移动方向沿平行方向，按压所述导电性烧结体的端面。
全文摘要
一种导电性薄片的制造加工方法是在形成将原料烧成具有实质平行的2个面凸凹度少的导电性烧结体10之后,用铜丝放电加工,沿其导电性烧结体10的2个面大致平行的面,切片加工导电性烧结体,从导电性烧结体10切断分离成2片以上的薄膜磁头用陶瓷烧结体10a及10b。在较短的时间研磨陶瓷烧结体10a及10b的表面,使基片厚度在1.2mm以下。该方法是用高生产效率制造一种凸凹度少的光滑的薄膜磁头用基片。
文档编号B23H7/02GK1243052SQ99102769
公开日2000年2月2日 申请日期1999年3月2日 优先权日1998年7月29日
发明者福田诚, 竹马正则 申请人:住友特殊金属株式会社