专利名称：平行度优于1秒的晶体材料偏心抛光方法
技术领域：
本发明涉及一种晶体材料抛光技术，尤其是平行度优于1秒的晶体材料偏心抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。
本发明技术方案先将晶体的两个对面磨平，使厚度差小于2μm，对表面进行抛光，使平面度小于λ/8，λ是激光干涉仪的激光波长。将晶体抛光成高光圈，光圈就是晶体等厚干涉的同心圆，用激光干涉仪检查，可以看到，除了标准样板与被加工面之间有一组同心圆干涉条纹以外，晶体自身的两个面还有一组不可调的干涉条纹。如果该条纹的圆心不在晶体的几何中心，则说明晶体的四周厚度不相等。干涉条纹圆心偏离晶体几何中心的方向，就是厚的方向，测量出厚度差修正它，由于此时被加工晶体是高光圈，所以要采用降光圈条件，将晶体厚的方向靠近主轴夹具中心的方向，因为是在降圈抛光，所以夹具中心的位置也就是晶体较高的位置研磨的多，而夹具边缘的位置也就是晶体较薄的位置研磨的少。当修磨到干涉条纹的圆心与晶体的几何中心同心时，晶体的四周就没有厚度差了。再将晶体调到与夹具同心的位置，继续降圈抛光，等厚干涉条纹将逐渐扩大，圈数减少，最后将没有干涉条纹，即等厚干涉条纹的带宽大于或等于晶体直径。此时晶体的平行度极好，经计算可知，晶体的平行度小于1”。计算方法为a＝λ/2nd式中a是两表面的夹角，λ是激光器的波长，n是晶体的折射率，d是等厚干涉条纹的宽度。
本发明的有益效果这个方法比用测角仪便于检测，也可提高精度，比用干涉仪观察直条纹修平行度的方法省时、省力，因为只有平行度修磨好时，才能观察直条纹，而用该方法只修一次平行度，不会损伤光洁度，对自重比较轻的晶体也能进行高平行度加工。
权利要求
1.一种平行度优于1秒的晶体材料偏心抛光方法，其特征在于它包括下列步骤1)先将晶体的两个对面磨平，使厚度差小于5μm，再将晶体粘在一个圆形的垫板上，对上表面进行抛光，使平面度小于λ/8；2)在加工第二个面时，用易溶于乙醇的漆片涂抹在第一面上，或是在垫板上放一张镜头纸，再将晶体粘在垫板上抛光成高光圈，用激光干涉仪检查，晶体自身的两个面干涉条纹圆心偏离晶体几何中心的方向，就是厚的方向，测量出厚度差修正它，采用降光圈条件，将晶体厚的方向靠近主轴夹具中心的方向，降圈抛光，修磨到干涉条纹的圆心与晶体的几何中心同心；3)再将晶体调到与夹具同心的位置，继续降圈抛光，等厚干涉条纹将逐渐扩大，圈数减少，直到最后没有干涉条纹；
全文摘要
本发明涉及一种晶体材料抛光技术，尤其是平行度优于1秒的晶体材料偏心抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。在晶体研磨、抛光过程中，如果同时对平行度、平面度和光洁度都有比较高的要求，加工时就很困难。常规方法不行。本发明的技术方案先将晶体的两个对面磨平，进行抛光，将晶体抛光成高光圈，用激光干涉仪检查，利用晶体两对面干涉条纹的圆心与晶体几何中心的偏离，测量出厚度差修正它，采用降光圈条件，降圈抛光，使晶体四周无厚度差。再将晶体调到与夹具同心的位置，继续降圈抛光，等厚干涉条纹将逐渐扩大，圈数减少，最后消失，此时晶体平行度极好。本发明的有益效果比用测角仪方便，精度高。比用干涉仪观察直条纹的方法省时、省力。
文档编号B24B7/20GK1440054SQ0312158
公开日2003年9月3日 申请日期2003年4月2日 优先权日2003年4月2日
发明者陈绍林, 许京军, 孔勇发, 李兵, 孙骞, 黄晖, 张玲, 黄自恒, 李冠告, 张光寅 申请人:南开大学