专利名称：具有射频电源供应单元的双频式真空沉积设备的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种制造半导体组件的设备，且较特别的是，有关于一种用来制造薄膜晶体管-液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)组件的真空沉积设备。
背景技术：
在半导体和TFT-LCD组件的制造装置中，一般使用电浆辅助化学气相沉积(Plasma Enhanced-Chemical Vapor Deposition，简称PE-CVD)或溅射装置(sputtering equipment)当成其真空沉积设备(vacuum depositionequipment)，其中当将射频电源(RF power)施加给位于气密腔(chamber)上的一个溅射目标，以及在气密腔之内的一个下电极(bottom electrode)接地之后，会产生电浆(plasma)，以在半导体基底(substrate)上成形一个薄膜。
然而，因在真空环境中，还未使用移除杂质的清洁工具，将在半导体基底表面所吸收的有机杂质(organic contaminations)或湿气(moisture)清除，所以该设备无法应用于成形薄膜之前，在需要保持高度清洁的半导体基底表面的处理。因此，在此例中，广泛地使用一种双频式真空沉积设备，在真空环境中使用一种背面溅射法(back-sputtering method)，清洁半导体基底表面，并且连续地在半导体基底表面上成形薄膜。
图1绘示一个根据公知技艺具有两个射频电源供应单元的双频式真空沉积设备。请参考图1所示，该双频式真空沉积设备包括一个用来沉积(deposition)的射频电源供应单元10，以及一个用来清洁(cleaning)的射频电源供应单元20。在半导体基底40表面上成形薄膜的范例中，气密腔30的下电极34接地，而且由射频电源供应单元10所提供，用来沉积的射频电源施加到一个上电极(upper electrode)32上，以在半导体基底40表面上成形薄膜。反之，在成形薄膜之前执行清洁处理的范例中，由射频电源供应单元20所提供，用来清洁的射频电源施加到气密腔30的下电极34上，而且上电极32接地，以清洁半导体基底40的表面。
然而，上述公知的双频式真空沉积设备具有以下缺点。
首先，因为需要使用一个用来清洁的额外的射频电源供应单元，所以会增加制造设备成本。
接下来，因为在气密腔之内的下电极必须具有所有的功能，包括加热安置在其上的半导体基底功能、提供射频电源功能、以及接地功能等等，因此该下电极结构复杂，造成设备维护和修理的困难度增加，并且恶化设备的可靠度。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种通过只用一个射频电源供应单元，执行清洁和薄膜沉积，因此可降低制造设备成本，以及简化下电极结构的双频式真空沉积设备。
根据本发明一实施例，本发明所提供具有一个射频电源供应单元的双频式真空沉积设备包括一个用来在半导体组件上成形薄膜的气密腔(airtight chamber)；一个成形在气密腔中的上电极；一个成形在气密腔中，其上安置将接受处理的半导体组件的下电极；一个连接到上电极和下电极的射频电源供应单元；以及一个安装在上电极和下电极以及射频电源供应单元之间的转换开关(conversion switch)。
根据本发明实施例，该半导体组件最好为一个TFT-LCD组件，而且该气密腔最好为电浆辅助化学气相沉积(PE-CVD)或溅射装置的气密腔。
射频电源供应单元最好可包括一个射频电源供应器，以及一个连接到该射频电源供应器的视频调谐器(RF tuner)。
此外，根据本发明实施例，当沉积薄膜时，下电极接地，而且射频电源供应至上电极。当执行清洁动作时，通过切换转换开关，上电极接地，而且射频电源供应至下电极。
根据本发明的双频式真空沉积设备，使用一转换开关，只用一射频电源供应单元，就可执行清洁处理及薄膜沉积处理，借此降低制造设备成本，并且简化气密腔中的下电极结构，因此可提升设备可靠度，并且便利设备维护及修理。
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图1绘示一个根据公知技术具有两个射频电源供应单元的双频式真空沉积设备的方块图。
图2和图3绘示根据本发明具有一个射频电源供应单元的双频式真空沉积设备的方块图。
图式标记说明10射频电源供应单元12视频调谐器
14射频电源供应器20射频电源供应单元22视频调谐 24射频电源供应器30气密腔32上电极34下电极40半导体基底100气密腔 102上电极104下电极 110射频电源供应单元112视频调谐器 114射频电源供应器120半导体基底 130转换开关具体实施方式
以下将参考本发明所附图式，详细说明本发明实施例。
图2和图3绘示根据本发明具有一个射频电源供应单元的双频式真空沉积设备的方块图。
请参考图2所示，根据本发明具有一个射频电源供应单元的双频式真空沉积设备包括一个用来在半导体组件上成形薄膜的气密腔；一个成形在气密腔中的上电极；一个成形在气密腔中，其上安置将接受处理的半导体组件的下电极；一个连接到上电极和下电极的射频电源供应单元；以及一个安装在上电极和下电极以及射频电源供应单元之间的转换开关。
其中，射频电源供应单元110和开关130执行本发明特点的主要组件。换言之，通过只用一个射频电源供应单元110，取代两个射频电源供应单元，使用转换开关130，交替地执行清洁处理及薄膜沉积处理，借此可降低制造设备成本，简化下电极结构，提升设备可靠度，并且便利设备维护及修理。
图2绘示当在半导体基底120表面上成形薄膜时，让由射频电源供应单元110所输出的射频电源供应至气密腔100中的上电极102，而且下电极104接地的范例。
图3绘示当在真空环境中，清洁半导体基底表面所吸收的有机杂质、湿气、等等时，藉由切换转换开关130，让由射频电源供应单元110所输出的射频电源供应至下电极104，而且上电极102接地的范例。
如上所述，根据本发明，首先使用一转换开关，只用一射频电源供应单元，就可执行清洁处理及薄膜沉积处理，藉此降低制造设备成本。接下来，因可简化气密腔中的下电极结构，所以可提升设备可靠度，并且便利设备维护及修理。
虽然本发明已以一较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神与范围内，当可作些许之更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求
1.一种具有一射频电源供应单元的双频式真空沉积设备，其特征在于，包括一气密腔，用来在一半导体组件上成形一薄膜；一上电极，成形在该气密腔中；一下电极，成形在该气密腔中，其上安置将接受处理的该半导体组件；一射频电源供应单元，连接到该上电极和该下电极；以及一转换开关，安装在该上电极和该下电极以及该射频电源供应单元之间。
2.如权利要求1所述的双频式真空沉积设备，其特征在于，该半导体组件为一薄膜晶体管-液晶显示器组件。
3.如权利要求1所述的双频式真空沉积设备，其特征在于，经过该转换开关，该下电极接地，而且该射频电源供应至该上电极。
4.如权利要求1所述的双频式真空沉积设备，其特征在于，经过该转换开关，该上电极接地，而且该射频电源供应至该下电极。
5.如权利要求1所述的双频式真空沉积设备，其特征在于，该射频电源供应单元包括一射频电源供应器，以及一连接到该射频电源供应器的射频调谐器。
6.如权利要求1所述的双频式真空沉积设备，其特征在于，该气密腔为一电浆辅助化学气相沉积或溅射装置的气密腔。
全文摘要
本发明提供一种具有一个射频电源供应单元的双频式真空沉积设备。为简化气密腔中的下电极结构，在该双频式真空沉积设备中，只安装一个射频电源供应单元。此外，通过使用一个开关，从射频电源供应单元所输出的射频电源，可交替地供应至上电极及下电极，因此可轻易执行清洁处理及薄膜沉积处理。
文档编号C23F1/02GK1480556SQ0314971
公开日2004年3月10日 申请日期2003年8月6日 优先权日2002年8月20日
发明者金东吉 申请人:显像制造服务株式会社