专利名称：适用于高Mo含量镍基高温合金的热障涂层的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种热障涂层材料，更特别的，是指一种适用于高Mo含量镍基高温合金的热障涂层。
背景技术：
利用陶瓷材料优越的耐高温、抗腐蚀和低导热等性能所制备的高温合金热障涂层可以使高温合金热端部件能够承受更高的使用温度、延长热端部件使用寿命、提高热端部件抗高温氧化腐蚀能力、提高发动机工作温度。
另一方面，为了提高高温合金自身的极限使用温度与高温力学性能，往往在镍(Ni)基、钴(Co)基高温合金基体中加入一定量的高熔点元素钼(Mo)。钼(Mo)元素的加入使得高温合金的高温蠕变与高温持久强度大幅度提高，但是，也导致高温合金的抗高温氧化能力下降，因此，高钼(Mo)元素含量的高温合金在使用时必须有涂层保护。
在热障涂层结构中，粘结层是为了缓解陶瓷涂层和基体的热不匹配、同时也为了提高基体的抗氧化性而在基体和陶瓷涂层之间添加的金属合金涂层(镍、钴、铬、铝、钇(Ni，Co，Cr，Al，Y))。由于粘结层成分对氧化速率、氧化膜成分及完整性以及与基体的结合力等因素有决定作用，而这些因素直接影响热障涂层的寿命；同时，粘结层也对阻止垂直裂纹扩展、提高基体的热疲劳寿命具有重要的作用。因此，粘结层成分的设计及其在涂覆过程中的成分控制对于热障涂层的寿命至关重要。
目前国际上通用粘结层为镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)。这种涂层成分设计对于普通的低钼(Mo)含量的高温合金而言是合理的，但是，对于高钼(Mo)含量的高温合金，由于钼元素在高温下向粘结层中扩散，高温下的钼的氧化物挥发导致粘结层中出现微孔，破坏氧化层的致密性，使得粘结层的抗高温氧化性能劣化，加速粘结层的氧化，使得界面结合强度弱化，被弱化的界面结合强度会导致热障涂层剥落和失效。
研究结果表明，在镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)中加入少量的硅(Si)元素，可以有效地抑制钼(Mo)元素的扩散。但是在镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)中加入硅(Si)元素后，高温下氧化产生的氧化硅具有蠕动性，易造成陶瓷层剥落失效，因此，镍钴铬铝钇硅(Ni，Co，Cr，Al，Y，Si)涂层不适合于单独作为热障涂层的粘结层使用。
发明内容
本发明的目的是提供一种采用电子束物理气相沉积的方法在高Mo含量镍基高温合金与陶瓷层之间制备含硅(Si)元素的粘结层I以及不含硅(Si)元素的粘结层II的复合双层粘结层，有效地抑制高钼(Mo)含量镍基高温合金基体中钼(Mo)元素的扩散，并且在粘结层与陶瓷层界面处不含有硅(Si)元素，从而提高以高钼(Mo)含量镍基高温合金为基体的热障涂层的服役寿命。
本发明是一种适用于高Mo含量镍基高温合金的热障涂层，热障涂层包括粘结层、陶瓷层，所述的粘结层由含硅(Si)元素的粘结层I以及不含硅(Si)元素的粘结层II构成，即复合双层粘结层，粘结层II设在粘结层I和陶瓷层之间；所述的粘结层I材料为镍钴铬铝钇硅(Ni，Co，Cr，Al，Y，Si)合金材料，其重量百分比为18～22％的钴、19～25％的铬、6～8％的铝、0.07～1.0％的钇、0.07～1.0％的硅和余量的镍；所述的粘结层II材料为镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)合金材料，其重量百分比为18～22％的钴、19～25％的铬、6～8％的铝、0.07～1.0％的钇和余量的镍；所述的陶瓷层材料为氧化钇稳定的氧化锆(ZrO2+(6～8wt％)Y2O3)。
本发明的一种适用于高Mo含量镍基高温合金的热障涂层的制备方法，是采用电子束物理气相沉积方法在高钼(Mo)含量镍基高温合金上沉积粘结层I材料、粘结层II材料和陶瓷层材料，制备工艺步骤为(A)制备陶瓷层材料料棒将氧化钇稳定的氧化锆(ZrO2+(6-8wt％)Y2O3)粉末经烧结2～6hrs，烧结温度1400℃～1600℃，制得电子束物理气相沉积用陶瓷料棒；(B)制备粘结层I材料料棒按比例称取镍钴铬铝钇硅(Ni，Co，Cr，Al，Y，Si)合金元素，熔炼温度1600℃～1800℃，经熔炼制得电子束物理气相沉积用粘结层I材料金属料棒；(C)制备粘结层II材料料棒按比例称取镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)合金元素，熔炼温度1600℃～1800℃，经熔炼制得电子束物理气相沉积用粘结层II材料金属料棒；(D)采用电子束物理气相沉积设备制备涂层①将上述制得的料棒分别放入电子束物理气相沉积设备的坩埚内，并将高钼(Mo)含量镍基高温合金基体安装于基板上；②抽真空至所需真空度～10-3Pa；
③设定旋转基板架的旋转速度10～20rpm；采用电子束加热基板至600～900℃，电子束电压17～19kV；④沉积粘结层I预蒸发粘结层I材料料棒，并调节电子束流1.4～1.8A，料棒上升速率0.8～1.0mm/min，沉积速率1.5～2.0μm/min；拉开挡板，蒸发沉积粘结层I开始，沉积完成后闭合挡板；⑤沉积粘结层II调节旋转基板架至装有粘结层II料棒的第二坩埚上方，调节电子束流1.4～1.8A，料棒上升速率0.8～1.0mm/min，沉积速率1.5～2.0μm/min；拉开挡板，蒸发沉积粘结层II开始，沉积完成后取出，并放入真空热处理炉内进行真空热处理2～6hrs，热处理温度1000～1100℃；⑥沉积陶瓷层将经⑤处理后的高钼(Mo)含量镍基高温合金基体安装于电子束物理气相沉积设备的基板上，并调节旋转基板架至装有陶瓷料棒的第三坩埚上方，调节电子束流1.4～1.8A，料棒上升速率1.2～1.6mm/min，沉积速率2.0～3.0μm/min；拉开挡板，蒸发沉积陶瓷层开始，沉积完成后取出，即热障涂层制备完成。
所述的热障涂层的制备方法，蒸发沉积粘结层I时，粘结层I料棒的上部添加有80～120g铌(Nb)元素。
所述的热障涂层的制备方法，蒸发沉积复合双层粘结层中的粘结层I与粘结层II的厚度之比为1∶1～3，复合双层粘结层与陶瓷层厚度之比为1∶1～5。
所述的热障涂层的制备方法中高钼(Mo)含量镍基高温合金中钼(Mo)含量4～16wt％。
本发明的优点(1)解决了高钼(Mo)含量镍基高温合金中钼(Mo)元素向单层粘结层中的扩散；(2)本发明的热障涂层中粘结层II中不含有硅元素，使得热障涂层服役寿命大幅度提高；(3)采用电子束物理气相沉积工艺和设备，其制备工艺简便，各层材料用量可控；(4)本发明热障涂层具有良好的抗高温氧化与腐蚀性能，有效地提高了热障涂层的服役寿命。
图1是本发明的热障涂层结构示意图。
图2是电子束物理气相沉积设备示意图。
图3(a)是在IC6合金基体上制备的粘结层II+陶瓷层的热障涂层经过30h等温氧化后的断面扫描电镜形貌。
图3(b)是在IC6合金基体上制备的粘结层II+陶瓷层的热障涂层经过300h等温氧化后的断面扫描电镜形貌。
图4(a)是在IC6合金基体上制备的粘结层I+陶瓷层的热障涂层经过60h热循环后的断面扫描电镜形貌。
图4(b)是在IC6合金基体上制备的粘结层I+陶瓷层的热障涂层经过360h热循环后的断面扫描电镜形貌。
图5是在IC6合金基体上制备的粘结层I+粘结层II+陶瓷层的热障涂层经过600h热循环后的断面扫描电镜形貌。
图中 1.真空室 2a.第一坩埚 2b.第二坩埚 2c.第三坩埚3.粘结层II料棒 4.粘结层I料棒 5.陶瓷层料棒 6.挡板 7.旋转基板架8.电子枪9.电子枪 10.基板 11.粘结层I 12.粘结层II13.陶瓷层 14.基体具体实施方式
下面将结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。
本发明是一种适用于高Mo含量镍基高温合金的热障涂层，热障涂层由陶瓷层和复合双层粘结层(粘结层I+粘结层II)构成，粘结层II设在粘结层I和陶瓷层之间。其中，粘结层I材料为镍钴铬铝钇硅(Ni，Co，Cr，Al，Y，Si)合金材料，其重量百分比为18～22％的钴、19～25％的铬、6～8％的铝、0.07～1.0％的钇、0.07～1.0％的硅和余量的镍；粘结层II材料为镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)合金材料，其重量百分比为18～22％的钴、19～25％的铬、6～8％的铝、0.07～1.0％的钇和余量的镍；陶瓷层材料为氧化钇稳定的氧化锆(ZrO2+(6～8wt％)Y2O3)。在本发明中，若非特指，粘结层I含硅(Si)元素，粘结层II不含硅(Si)元素。
本发明的设计思想为先将双层结构的复合双层粘结层通过在粘结层I材料中添加硅(Si)元素来抑制高钼基高温合金基体中钼(Mo)元素的扩散，同时，也为了解决在高温条件下粘结层I与基体表面易生成氧化硅造成陶瓷层剥落失效，在沉积陶瓷层之前，再沉积一层不含硅(Si)元素的粘结层II来缓解钼(Mo)元素向热障涂层中扩散。
在本发明中，采用电子束物理气相沉积方法在高钼(Mo)含量镍基高温合金基体上沉积粘结层I材料、粘结层II材料和陶瓷层材料，制备热障涂层的工艺步骤为(A)制备陶瓷层材料料棒将氧化钇稳定的氧化锆(ZrO2+(6-8wt％)Y2O3)粉末经烧结2～6hrs，烧结温度1400℃～1600℃，制得电子束物理气相沉积用陶瓷料棒；
(B)制备粘结层I材料料棒按比例称取镍钴铬铝钇硅(Ni，Co，Cr，Al，Y，Si)合金元素，熔炼温度1600℃～1800℃，经熔炼制得电子束物理气相沉积用粘结层I材料金属料棒；(C)制备粘结层II材料料棒按比例称取镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)合金元素，熔炼温度1600℃～1800℃，经熔炼制得电子束物理气相沉积用粘结层II材料金属料棒；(D)采用电子束物理气相沉积设备制备涂层①将上述制得的料棒分别放入电子束物理气相沉积设备中的3个坩埚内，在装有粘结层I料棒的第一坩埚内放入80～120g铌(Nb)元素，并将高钼(Mo)含量镍基高温合金基体安装于基板10上；②抽真空至所需真空度～10-3Pa；③设定旋转基板架7的旋转速度10～20rpm；采用电子束加热基板10至600～900℃，电子束电压17～19kV；④沉积粘结层预蒸发粘结层I材料料棒，并调节电子束流1.4～1.8A，料棒上升速率0.8～1.0mm/min，沉积速率1.5～2.0μm/min；拉开挡板6，蒸发沉积粘结层11开始，沉积完成后闭合挡板6；⑤沉积粘结层II调节旋转基板架7至装有粘结层II料棒的第二坩埚2b上方，调节电子束流1.4～1.8A，料棒上升速率0.8～1.0mm/min，沉积速率1.5～2.0μm/min；拉开挡板6，蒸发沉积粘结层II12开始，沉积完成后取出，并放入真空热处理炉内进行真空热处理2～6hrs，热处理温度1000～1100℃；⑥沉积陶瓷层将经⑤处理后的钼基高温合金基体安装于电子束物理气相沉积设备的基板10上，并调节旋转基板架7至装有陶瓷料棒的第三坩埚2c上方，调节电子束流1.4～1.8A，料棒上升速率1.2～1.6mm/min，沉积速率2.0～3.0μm/min；拉开挡板6，蒸发沉积陶瓷层13开始，沉积完成后取出，即热障涂层制备完成。
采用电子束物理气相沉积方法制备了具有粘结层I+粘结层II+陶瓷层的热障涂层(结构如图1所示，表面形貌如图5所示)。具体制备工艺如下粘结层I 11镍钴铬铝钇硅(Ni，Co，Cr，AL，Y，Si)合金材料按重量百分比为20％的钴、22％的铬、8％的铝、0.7％的钇、0.5％的硅和余量的镍，经真空感应熔炼后制成直径70mm、长200mm的合金料棒；粘结层II 12镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)合金材料按重量百分比组份为20％的钴、22％的铬、8％的铝、0.7％的钇和余量的镍，经真空感应熔炼后制成直径70mm、长200mm的合金料棒；陶瓷层13将氧化钇稳定的氧化锆经烧结制成直径70mm，长200mm的料棒；基体14为高钼(Mo)含量镍基高温合金，合金中钼(Mo)含量14wt％，即IC6合金基体。
在真空度为5×10-3Pa，基板10旋转速度为15rpm，基板10温度750℃；合金料棒上升速率为0.8mm/min、电子束电流为1.6A蒸发厚度约为50μm的粘结层I 11；以镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)合金料棒上升速率为0.6mm/min、电子束电流为0.7A蒸发沉积厚度约为10μm的粘结层II 12；以陶瓷料棒上升速率为1.4mm/min、电子束电流为1.5A蒸发沉积厚度约为150μm的陶瓷层13。
本发明热障涂层可以表征为粘结层I+粘结层II+陶瓷层的结构形式(如图1所示)，在采用电子束物理气相沉积方法实施制备过程中，将粘结层I料棒放入第一坩埚2a中，并在粘结层I料棒材料的上部添加120g的铌(Nb)元素，利用铌(Nb)元素的高熔点与低蒸汽压，在蒸发源的上部形成热池，使得钇(Y)、硅(Si)元素能够按所需成份蒸发；再将粘结层II料棒放入第二坩埚2b中，再将陶瓷层料棒放入第三坩埚2c中。准备就绪后，蒸发沉积制备热障涂层开始，制备得到的本发明热障涂层经热循环600小时的扫描电镜形貌如图5所示。
为了进一步的说明热障涂层中各层的具体材料组份以及各层中在热障涂层中的影响，下面将列举实例进行对照说明。
(一)基体+粘结层II+陶瓷层基体材料为IC6合金基体，粘结层II材料为NiCrAlY，组份的重量百分比为23％的铬、8％的铝、0.5％的钇和余量的镍，陶瓷层材料为氧化钇稳定的氧化锆。沉积厚度粘结层II60μm，陶瓷层200μm。
表1 IC6合金基体的化学成分(wt.％)Ni Al Mo B平衡量 7～814 0.03～0.04设备乌克兰UE205电子束物理气相沉积设备(设备结构如图2所示)采用上述所说的电子束物理气相沉积方法的制备工艺，在IC6合金基体上先沉积粘结层II〔镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)〕，再沉积陶瓷层〔氧化钇稳定的氧化锆(ZrO2+(6～8wt％)Y2O3)〕，将制备得到的热障涂层在1100℃高温后，并经过等温氧化后，其断面扫描电镜形貌如图3a所示。从图中可以看到，经过30h等温氧化之后，粘结层II和IC6合金基体之间发生明显的扩散，粘结层II各点化学成分分布如表2所示，可以看出元素Mo从基体中扩散至粘结层II中。经过300h等温氧化之后，涂层开始剥落，粘结层II和基体间的界面模糊不清，如图3b所示，粘结层II各点化学成分分布如表3所示，粘结层II与陶瓷层界面处的钼(Mo)元素的含量高达7％以上。
由此可见，由于在IC6中Mo含量较高，Mo在高温过程中，扩散到粘结层II中，易形成(MoO3，MoO2)等氧化物，使得界面结合强度弱化，导致热障涂层剥落和失效。为了更好的提高热障涂层的寿命，必须能够抑制Mo的扩散。
表2 粘结层II+陶瓷层热障涂层等温氧化30h之后化学成分分布(wt.％).
Al Cr Co Ni Y Mo1 6.1115.8925.9852.02-- --2 6.0215.5624.3152.53-- 1.583 5.8714.3823.2054.58-- 1.974 6.5613.6412.6065.97-- 4.23表3 粘结层II+陶瓷层热障涂层等温氧化300h之后化学成分分布(wt.％).
Al Cr Co Ni Y Mo1 6.538.26 13.0065.24-- 7.292 5.258.39 11.9167.99-- 6.343 5.537.51 11.2069.43-- 6.814 6.538.26 13.0065.24-- 7.29(二)基体+粘结层I+陶瓷层基体材料为IC6合金基体，粘结层I材料为镍钴铬铝钇硅(Ni，Co，Cr，Al，Y，Si)，组份的重量百分比为23％的铬、8％的铝、0.5％的钇、0.5％的硅和余量的镍，陶瓷层材料为氧化钇稳定的氧化锆。沉积厚度粘结层I60μm，陶瓷层200μm。
采用上述所说的电子束物理气相沉积方法的制备工艺，在IC6合金基体上先沉积粘结层I镍钴铬铝钇硅(Ni，Co，Cr，Al，Y，Si)，再沉积陶瓷层〔氧化钇稳定的氧化锆(ZrO2+(6～8wt％)Y2O3)〕，将制备得到的热障涂层在1100℃高温后，并经过热循环后，其断面扫描电镜形貌如图4a所示。图中看出，经过60h热循环后，粘结层I和IC6合金基体之间的界面变宽，表明粘结层I中的元素与IC6合金基体中的元素发生了互扩散，其元素分布如表4所示，可以看出，与粘结层II为NiCoCrAlY的热障涂层相比较，由于Si的加入，Mo的扩散量明显减少。经过360h热循环之后，粘结层I和基体之间的界面消失，如图4b所示，其化学成分分布如表5所示，可以看出，虽然Si的加入可以有效地抑制Mo向粘结层中的扩散，但经过360h热循环后热障涂层失效。这主要是由于粘结层I与陶瓷层的界面处存在有一定量的硅(Si)元素，在高温下易形成氧化硅(SiO2)，增加高温时氧化膜的蠕动性以及低温时氧化膜的脆性，导致热障涂层的热循环寿命下降。
表4 粘结层I+陶瓷层热障涂层热循环60h之后的化学成分分布(wt.％).
Al Cr Co Ni Y Mo Si1 27.144.476.44 14.536.68 -- --2 7.69 6.269.16 75.79-- 0.550.553 7.33 6.7413.12 69.55-- 2.430.514 5.39 5.2111.85 71.90-- 4.960.095 9.64 0.733.54 76.44-- 10.81 --6 5.66 1.440.44 81.54-- 11.34 --表5 粘结层I+陶瓷层热障涂层热循环360h之后的化学成分分布(wt.％).
Al Cr Co Ni Y Mo Si1 37.570.080.23 1.57 7.04 0.170.242 15.280.310.53 2.28 -- 0.660.313 4.83 8.3113.62 66.54-- 6.250.354 2.83 5.6312.38 71.23-- 4.230.455 5.18 5.8710.37 73.45-- 4.600.116 6.93 0.380.06 79.68-- 13.63 --(三)基体+粘结层I+粘结层II+陶瓷层图5为本发明热障涂层结构，该热障涂层经热循环600小时的扫描电镜形貌，相应的成份分布如表6所示。可以看出，复合双层粘结层的热障涂层热循环寿命比上述两种单一粘结层的热障涂层提高了1倍以上。
表6 粘结层I+粘结层II+陶瓷层热障涂层热循环600h化学成分分布(wt.％).
Al Cr Co Ni Mo Si1 5.81 14.29 15.75 63.940.21--2 6.58 13.49 15.37 63.660.750.153 6.83 14.31 15.27 60.822.420.354 7.19 14.38 15.38 58.074.640.415 6.78 8.8710.37 69.004.840.146 6.93 0.380.0679.0813.55 --
权利要求
1.一种适用于高Mo含量镍基高温合金的热障涂层，热障涂层包括粘结层、陶瓷层，其特征在于所述的粘结层由含硅(Si)元素的粘结层I以及不含硅(Si)元素的粘结层II构成，即复合双层粘结层，粘结层II设在粘结层I和陶瓷层之间；所述的粘结层I材料为镍钴铬铝钇硅(Ni，Co，Cr，Al，Y，Si)合金材料，其重量百分比为18～22％的钴、19～25％的铬、6～8％的铝、0.07～1.0％的钇、0.07～1.0％的硅和余量的镍；所述的粘结层II材料为镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)合金材料，其重量百分比为18～22％的钴、19～25％的铬、6～8％的铝、0.07～1.0％的钇和余量的镍；所述的陶瓷层材料为氧化钇稳定的氧化锆(ZrO2+(6～8wt％)Y2O3)。
2.根据权利要求1所述的热障涂层的制备方法，其特征在于采用电子束物理气相沉积方法在高钼(Mo)含量镍基高温合金上沉积粘结层I材料、粘结层II材料和陶瓷层材料，制备工艺步骤为(A)制备陶瓷层材料料棒将氧化钇稳定的氧化锆(ZrO2+(6-8wt％)Y2O3)粉末经烧结2～6hrs，烧结温度1400℃～1600℃，制得电子束物理气相沉积用陶瓷料棒；(B)制备粘结层I材料料棒按比例称取镍钴铬铝钇硅(Ni，Co，Cr，Al，Y，Si)合金元素，熔炼温度1600℃～1800℃，经熔炼制得电子束物理气相沉积用粘结层I材料金属料棒；(C)制备粘结层II材料料棒按比例称取镍钴铬铝钇(Ni，Co，Cr，Al，Y)合金元素，熔炼温度1600℃～1800℃，经熔炼制得电子束物理气相沉积用粘结层II材料金属料棒；(D)采用电子束物理气相沉积设备制备涂层①将上述制得的料棒分别放入电子束物理气相沉积设备的坩埚内，并将高钼(Mo)含量镍基高温合金基体安装于基板上；②抽真空至所需真空度～10-3Pa；③设定旋转基板架的旋转速度10～20rpm；采用电子束加热基板至600～900℃，电子束电压17～19kV；④沉积粘结层I预蒸发粘结层I材料料棒，并调节电子束流1.4～1.8A，料棒上升速率0.8～1.0mm/min，沉积速率1.5～2.0μm/min；拉开挡板，蒸发沉积粘结层I开始，沉积完成后闭合挡板；⑤沉积粘结层II调节旋转基板架至装有粘结层II料棒的第二坩埚上方，调节电子束流1.4～1.8A，料棒上升速率0.8～1.0mm/min，沉积速率1.5～2.0μm/min；拉开挡板，蒸发沉积粘结层II开始，沉积完成后取出，并放入真空热处理炉内进行真空热处理2～6hrs，热处理温度1000～1100℃；⑥沉积陶瓷层将经⑤处理后的高钼(Mo)含量镍基高温合金基体安装于电子束物理气相沉积设备的基板上，并调节旋转基板架至装有陶瓷料棒的第三坩埚上方，调节电子束流1.4～1.8A，料棒上升速率1.2～1.6mm/min，沉积速率2.0～3.0μm/min；拉开挡板，蒸发沉积陶瓷层开始，沉积完成后取出，即热障涂层制备完成。
3.根据权利要求2所述的热障涂层的制备方法，其特征在于蒸发沉积粘结层I时，粘结层I料棒的上部添加有80～120g铌(Nb)元素。
4.根据权利要求2所述的热障涂层的制备方法，其特征在于蒸发沉积复合双层粘结层中的粘结层I与粘结层II的厚度之比为1∶1～3，复合双层粘结层与陶瓷层厚度之比为1∶1～5。
5.根据权利要求2所述的热障涂层的制备方法，其特征在于所述的高钼(Mo)含量镍基高温合金中钼(Mo)含量4～16wt％。
6.根据权利要求1所述的热障涂层，其特征在于服役寿命提高了1倍。
全文摘要
本发明公开了一种适用于高Mo含量镍基高温合金的热障涂层，是采用电子束物理气相沉积的方法在高Mo含量镍基高温合金与陶瓷层之间制备含硅(Si)元素的粘结层I以及不含硅(Si)元素的粘结层II的复合双层粘结层，有效地抑制高钼(Mo)含量镍基高温合金中钼(Mo)元素的扩散，从而提高钼基高温合金为基体的热障涂层的服役寿命。
文档编号C23C14/16GK1621557SQ20041010270
公开日2005年6月1日 申请日期2004年12月28日 优先权日2004年12月28日
发明者徐惠彬, 宫声凯 申请人:北京航空航天大学