进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法

专利名称：进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法。
背景技术：
随着器件关键尺寸的缩小，对晶片表面玷污的控制变得越来越关键。如果在生产过程中引入了颗粒等污染源，就可能引起电路的开路或断路，因而在半导体工艺制造中，如何在工艺制造中避免对晶片的污染是必须要关注的问题。随着生产中设备自动化程度的提高，人员与产品的交互变少，防止生产中带来颗粒等污染源的重点已更多地放到了生产设备所产生的颗粒上面。如设备长期工作后，其内部各组件上会积累一些附着物，该附着物达到一定厚度后很可能会脱落、转移到晶片上，从而导致对晶片的颗粒玷污，使得生产的成品率降低。
以化学气相沉积(CVD, Chemical Vapor Deposition)设备的颗粒污染问题为例，其通常用于形成氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅等薄膜。沉积时，向沉积室内通入气态的含有形成薄膜所需的原子或分子的化学物质，该化学物质在沉积室内混合并发生反应，最终在晶片表面聚集形成希望形成的固态薄膜和气态产物。
在这一薄膜形成过程中，除了在晶片表面形成薄膜外，必然也会在沉积室的内壁表面积累附着物。因此，在多次沉积后，当内壁上的附着物较厚时，易因其发生脱落，对沉积室和晶片造成玷污，形成晶片上的缺陷，降低产品的成品率。尤其对于低压化学气相沉积(LPCVD)设备，其沉积室通常为石英炉管，属于热壁式的反应过程，会有较多的颗粒沉积在其炉管的内壁上，颗粒污染问题更为严重。
如果在上述薄膜生长过程中产生了颗粒污染，在晶片上形成了颗粒缺陷，则会影响到后续工艺的正常进行。图l为说明现有技术中薄膜上具有颗粒缺陷时的刻蚀结果的器件剖面图，如图l所示，对衬底101上的薄
膜102进行刻蚀时，若晶片表面平整没有缺陷，刻蚀开孔103的边缘整齐，图形完整；但若晶片表面存在颗粒104,则会导致刻蚀开孔105的边缘变形严重，而这一刻蚀图形的变形，会造成器件性能下降，产品的成品率降低。
解决上述问题的传统方法是湿法清洁方法，就是每间隔一段时间将脏的石英炉管由设备中取出，对其进行湿法腐蚀以去除炉管壁上的累积附着物(如，对于生长氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的LPCVD炉管，通常是利用49。/。的HF酸腐蚀液对其进行浸泡，腐蚀去除内壁上的积累物)；去除后，再用大量去离子水对该炉管进行沖洗，并烘干待用。这一传统的湿法清洁方法存在有以下不足
1、 湿法清洁过程较长，且整个清洁过程中该CVD设备无法使用，大大增加了设备的闲置时间，对生产效率不利。
2、 炉管一般是由石英制成的，易受损伤，每次炉管清洁对炉管进行的拆卸运送，都可能会导致炉管因人为因素而受损。
3、 湿法清洁过程中需要将炉管浸泡在腐蚀液中，而该腐蚀液不仅可以腐蚀炉壁上的氧化硅、氧化硅或氮氧化硅附着物，也会对由石英制成的炉管本身有损害，缩短了炉管的使用寿命。
为减少对炉管进行湿法清洁的次凄t,申请号为200310122688.2的中国专利公开了一种减少炉管内微粒的方法，该方法通过在薄膜沉积前后分别加入一步清洁程序，即利用抽气、充气过程将炉管内杂质清除出去的过程，可以减少对炉管进行湿法清洁次数。但是该方法只能将炉管内悬浮的杂质附着物清除，对于在沉积过程中已附着在炉壁上的附着物没有多大效果，对炉管的清洁作用有限，故而能减少的炉管的湿法清洁次数也是相当有限的。并且，这一清洁程序的加入，也会增加薄膜沉积所需的时间，延长生产周期。实际生产中发现，炉管内存在多种产生颗粒污染源的部位，且各部位产生颗粒污染源的严重程度是不同的，如果能分别针对产生颗粒污染源各区域进行颗粒污染的预防，则可以有效降低炉管内的颗粒污染程度，在确保薄膜的形成质量的前提下，减少所需的湿法清洗次数，提高设备的利用率及生产的效率。

发明内容
本发明提供一种进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法，以改善现有薄膜沉积过程中颗粒污染较为严重的现象。
本发明提供的一种进气装置，用于向炉管内通入气体，所述进气装置包括主管，至少两个与外部气路相连的分管，以及连接主管与各所述分管的连接部分，其中，所述主管由炉管之内延伸至炉管之外，所述分管及连接部分均位于炉管之外。
可选地，所述连接部分包括三通管接头。
可选地，所述主管、分管与所述三通管接头间利用软管相连。可选地，各所述分管分别与单向阀相连。可选地，各所述分管由金属材料制成。可选地，所述主管为石英管。
可选地，所述炉管具有炉管底座，在所述主管与所述炉管底座的相交处具有环形垫圈，且所述环形垫圏位于所述炉管底座的外边缘之内。
可选地，所述炉管具有炉管底座，且所述炉管底座内具有冷却装置。此时，在所述主管与所述炉管底座的相交处的环形垫圈与所述冷却装置相邻。
本发明具有相同或相应技术特征的一种低压化学气相沉积设备，包括炉管和炉管底座，所述炉管内还具有进气装置，该进气装置包括主管，至少两个与外部气路相连的分管，以及连接主管与各所述分管的连接部分，其中，所述主管由炉管之内延伸至炉管之外，所述分管及连接部分均位于炉管之外。
可选地，所述连接部分包括三通管接头。
可选地，所述主管、分管与所述三通管接头间利用软管相连。可选地，各所述分管分别与单向阀相连。可选地，各所述分管由金属材料制成。可选地，所述主管为石英管。
可选地，所述炉管底座内还具有冷却装置，且在所述主管与所述炉管底座的相交处具有的环形垫圈与所述冷却装置相邻。
可选地，在所述主管与所述炉管底座的相交处具有环形垫圈，且所述环形垫圈位于所述炉管底座的外边缘之内。
本发明具有相同或相应技术特征的一种化学气相沉积方法，包括步
骤
将衬底放入化学气相沉积设备的炉管内；将各种气体在所述炉管外进行混合后再通入所述炉管内；待薄膜生长完成后，停止所述气体的通入；取出所述衬底。
可选地，在通入各种气体的同时，还对所述炉管底座内的气体通3各进行冷却。
与现有技术相比，本发明具有以下优点
本发明的进气装置及低压化学气相沉积设备，将进气装置中与主管相连的各分管及连接部分移至炉管开口之外。这一改变，使得各分管及连接部分不会处于高温区域， 一方面可以避免通入的各反应气体在与其它反应物相混和之前于分管内或连接部分处发生分解，产生分解颗粒；另 一方面可以避免各反应气体在进入主管前在连接部分发生反应，生成反应物颗粒。有效地减少了设备中的颗粒污染源，提高了产品的成品率。
本发明的进气装置及低压化学气相沉积设备，还将用于密封固定的环形垫圈移至冷却效果更好的位置，防止该环形垫圏在高温下碳化，产
生杂质颗粒；进一步减少了设备中的颗粒污染源。
本发明的进气装置及低压化学气相沉积设备，还可以将传统进气装置的主管与分管间的连接部分改为由金属材料制成，更易拆卸及清洗。
本发明的进气装置及低压化学气相沉积设备，还可以在各分管之前分别加入了单向阀，防止了通入的气体向其它分管倒灌，进一步减少了通入炉管内气体所携带的颗粒数。
本发明的进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法，可以有效降低炉管内的颗粒污染程度，在确保薄膜形成质量的前提下，减少炉管所需的湿法清洗次数，提高设备的利用率及生产的效率。


图1为说明现有技术中薄膜上具有颗粒缺陷时的刻蚀结果的器件剖面图2为采用本发明的进气装置之前的表面存在颗粒缺陷的晶片示意
图3为采用本发明的进气装置前的炉管示意图；图4为本发明第一实施例中的进气装置的结构示意图；图5为采用本发明的进气装置进行薄膜生长后的晶片表面示意图；图6为本发明第二实施例中的低压化学气相沉积设备的示意图。
具体实施例方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。
本发明的处理方法可以被广泛地应用于各个领域中，并且可利用许多适当的材料制作，下面是通过具体的实施例来加以说明，当然本发明 并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替 换无疑地涵盖在本发明的保护范围内。
其次，本发明利用示意图进行了详细描述，在详述本发明实施例时， 为了便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，不 应以此作为对本发明的限定，此外，在实际的制作中，应包含长度、宽 度及深度的三维空间尺寸。
为有效减少炉管的清洗次数，同时减少对其炉管的清洗次数，需要 分析炉管内可能导致颗粒污染产生的各种原因，并对其进行改造。为此， 首先针对晶片上附着的颗粒缺陷的分布进行了分析。
分析时针对的是利用低压化学气相沉积设备沉积氮化硅薄膜的情
况，其所用的反应气体为氨气与二氯硅烷(DCS, SiH2Cl2)。
图2为采用本发明的进气装置之前的表面存在颗粒缺陷的晶片示意 图，如图2所示，此时晶片201的颗粒缺陷202基本分布于晶片的两侧。通 过对沉积室内的气流进行分析发现，该位置是晶片上最先接触反应气体 流的位置，因而可以认为，该部分颗粒应该是由用于通入反应气体的气 路直接吹至晶片上。
通过对形成氮化硅薄膜后的晶片上的该部分颗粒的进一步的观察 分析，该部分颗粒包括黑色颗粒及白色颗粒，其中的黑色颗粒的主要成
份为多晶硅，而其可以由通入的反应气体之---DCS在一定温度条件
下分解得到。白色颗粒则为氮化硅颗粒。
结合该氮化硅薄膜的生产设备--低压化学气相沉积设备的结构 及工作原理对上述颗粒污染产生的原因进行分析。
图3为采用本发明的进气装置前的炉管示意图，通常低压化学气相沉 积设备的炉管由石英制成。其可以为立式炉管，也可以为卧式炉管，如 图3所示，本图中所示的为立式炉管。该炉管包括炉管壁301，进气装置310、排气口303、置于炉管内的晶舟(Boat) 304，炉管的底座306以及 加热装置320,.其中，进气装置310又包括主管311 (其上开有进气口 319 ), 至少两个与外部气路相连的分管，本图中为两个第一分管312和第二分 管313，以及连接主管311与各分管的连接部分314。
进行化学气相沉积工艺时，先利用将炉管底座306(其与炉管壁301 一起形成沉积室的密闭空间)升入炉管内的方式，将带有晶片的晶舟304 升入炉管内，并利用加热装置320将炉管加热至反应气体发生化学反应 生成薄膜所需的温度；然后，将用于生成薄膜材料的反应气体通过进气 装置310导入炉管壁301内；此时，炉管内的温度已达到反应气体发生 反应所需的温度，该反应气体在炉管内混合后会发生化学反应，在晶片 表面聚集形成希望形成的固态薄膜和气态产物(其中的气态产物可以通 过排气口 303排出)；最后取出晶片，完成晶片上薄膜的生长。
如图3中所示，传统的进气装置中，主管311与第一分管312、第 二分管313之间的连接部分314位于炉管内，与加热装置320 4交近，因 此，当炉管加热温度达到700。C左右时，该连接部分314处的温度也可 达600。C左右。这一温度远远高于了 DCS分解形成多晶硅所需要的温 度(其通常在300°C以上时就会发生分解)。
结合上述分析结果可知图2中所示的由气路中直接吹至晶片表面的 多晶硅颗粒，是因通入的反应气体DCS在进气装置310的连接部分314 处发生分解而产生的(该连接部分314的温度足以令DCS发生分解， 形成多晶硅颗粒)。
另外，利用传统的薄膜形成方法生成的氮化硅薄膜上，还会有少量 的白色颗粒_ —氮化^f圭颗粒。
其产生的原因在于传统的薄膜生长过程中常需要先通入一种反应 气体，然后再通入第二种反应气体的情况，如在利用氨气与二氯硅烷 (DCS )反应形成氮化硅薄膜的过程中， 一方面由于DCS的燃点较低，遇空气易自燃，较为危险；另一方面也是为了形成较好的薄膜质量，需 要在晶片表面形成负氮状态；常需要利用 一个分管向炉管内先通入一段 时间的氨气，再利用另一个分管通入DCS气体。
如图3所示，氮化硅薄膜生长过程中，先通过第一分管312 (或第 二分管313 )通入一段时间的氨气(约3至5分钟)，由于此时的第二分 管313 (或第一分管312)内未通入任何气体，氨气会同时充盈于该第 二分管313内。
图3所示的传统的进气装置中，第一分管312与第二分管313的交 接处位于炉管内的底部，当炉管加热至沉积所需温度，如600至700。C 之间时，该第一分管312与第二分管313交接处的温度至少也在400至 500。C之间，在这一温度下，通入的反应气体也会发生部分化学反应。
这样，当开始由第二分管313通入另一反应气体DCS时，在第一 分管312与第二分管313交接处，两种反应气体会发生混和，且其所处 的温度也达到了其反应所需的度数，结果在该交接处发生化学反应，生 成了氮化硅。且因第一分管312与第二分管313较为狭窄，该处产生的 氮化硅生成物易积累至一定厚度，分管内的气流量较大，该处的生成物 也易发生脱落。因此，在沉积室(炉管)仍未达到需清洗的时间时，就 会有部分于该处产生的氮化硅颗粒随着反应气体到达炉管内，并在晶片
表面形成了白色的氮化硅颗粒缺陷。
为解决图2中所示的多晶硅及氮化硅颗粒污染的问题，本发明对低 压化学气相沉积设备的进气装置进行了改进，有效地减少了在进气装置 的连接部分产生的分解产物及反应产物，提高了薄膜的形成质量及生产 的成品率。
第一实施例
本实施例介绍了 一种改进后的进气装置，该进气装置改变了主管与 各分管间的连接位置，解决了因反应气体发生分解或提前发生反应而导致的颗粒污染问题。
图4为本发明第 一 实施例中的进气装置的结构示意图，如图4所示， 该进气装置与化学气相沉积设备的炉管相连(图中401、 402属于炉管 的底座部分)，用于向炉管内通入各种反应气体或载气体，其包括主管 411，至少两个与外部气路相连的分管412与413，以及连"l妄主管411 与各所述分管412、 413的连接部分(414及415)，其中，所述主管411 由炉管之内延伸至炉管之外，所述分管412、 413及连接部分(414及 415)均位于炉管之外。
注意到，传统的进气装置的主管、连接部分及部分分管均位于炉管 内，而本实施例中进气装置的主管411延伸到了炉管之外，连接部刺414 及415)及各分管412、 413则均安置于了远离炉管加热装置的炉管底座 之外。
这可以有效降低进气装置的连接部分(414及415)及各分管412、 413的温度。通常该位置的温度在100°C以下，该温度低于大部分的反 应气体(如生长氮化硅薄膜时所用的反应气体DCS)所需的分解温度， 可以有效地避免反应气体在高温下的分解，也就避免了分解物进入炉管 在晶片上形成颗粒缺陷的问题。
另外，将该连接部分(414及415)的位置设置于炉管之外，令其 温度更低，也可以避免多种反应气体在各分管或连接部分发生混和，进 而发生反应(其生成物颗粒进入炉管内，会在晶片上形成颗粒缺陷，如 本实施例中为氮化硅颗粒缺陷)，进一步提高了薄膜的形成质量。
为了防止出现前面所述的先通入的气体由一个分管及连接部分进 入另一个分管(出现气体倒灌)，本实施例中，还在各分管412、 413上 靠近连接部分之处安装了单向阀416,其可以进一步减少薄膜上的颗粒 污染数。
本实施例中，用于连接主管411及分管412、 413的连4妄部分包括三通管接头414。该三通管接头414可以是由石英制成，也可以是由金 属制成。 .
由于主管411、分管412及413与三通管接头414之间具有较大的 应力，直接相连易损坏，为减少其连接间的应力，本实施例中，还采取 了利用软管615分别连接主管411、分管412及413与三通管接头414
本实施例中，主管411延伸至炉管内，需要由石英材料制成，但位 于炉管外的各分管412、 413的温度较低，则可以由金属材料制成，其 相对而言，更易于拆卸及清洗。
除此之外，本实施例中所用的进气装置还可以有效避免因垫圈碳化 而产生的颗粒污染。
炉管内的主管(在传统装置中为分管，其位于炉管内，通常也由石 英材料制成)穿过炉管底座与外气路相连，在其与炉管底座相接触之处， 需要对其进行密封固定。本实施例中，用于密封固定主管的装置可以包 括环形垫圈(或说"O"型垫圈)421,固定接口 422，密封套423。
传统的进气装置中，该环形垫圏位于炉管底座内，其温度大约在 300。C左右，虽然该垫圏通常会采用耐热材料，但其可容忍的温度通常 也就在300。C左右，因此，采用传统的进气装置时，该环形垫圈仍不可 避免地会被碳化形成颗粒，该颗粒进入炉管后，即形成了新的颗粒污染 源。
为此，本实施例中对该垫圈的位置进行了调整，如图4所示，图中 的炉管底座包括炉管盖401与下底座402,本实施例中，将环形垫圈421 (或者说主管411与炉管底座间的密封固定处)移至了炉管底座的外边 缘之内(具体地，可以在靠近下底座402下端的外边缘的内侧)，使其 尽量远离高温的炉管，以达到降低环形垫圈421温度，避免因其碳化而 产生颗粒污染的问题。在本发明的其它实施例中，也可以令主管411与炉管底座间的密封
固定处与安装于炉管底座的下底座402内的冷却装置相邻，进一步降低 环形垫圈421的温度，以有效防止其的碳化，避免了因其而产生颗粒污 染。
图5为釆用本发明的进气装置进行薄膜生长后的晶片表面示意图， 如图5所示，晶片501表面的颗粒缺陷502明显减少了，颗粒缺陷问题 有了明显的改善。
采用本实施例的进气装置，可以有效降低炉管内的颗粒污染程度， 在确保薄膜形成质量的前提下，减少炉管所需的湿法清洗次数，提高设 备的利用率及生产的效率。
第二实施例
本发明的第二实施例提出了一种低压化学气相沉积设备，图6为本 发明第二实施例中的低压化学气相沉积设备的示意图，如图6所示，该
i殳备包括炉管600和炉管底座的冷却装置603,所述炉管内还具有进气 装置，该进气装置包括主管611,至少两个与外部气路相连的分管(612、 613)，以及连接主管611与各所述分管(612、 613)的连接部分(614 及615),其中，所述主管611由炉管600之内延伸至炉管600之外，所 述分管(612、 613)及连接部分(614及615)均位于炉管600之外。
本实施例中的低压化学气相沉积设备，可以有效降低进气装置的连 接部分(614及615)及各分管612、 613的温度，避免了分解物及分管 或连接部分内的反应颗粒进入炉管在晶片上形成颗粒缺陷的问题，进一 步提高了薄膜的形成质量。
本实施例中，还在各分管612、 613上靠近连接部分之处分别安装 了单向阀416,其可以防止出现气体倒灌，进一步减少薄膜上的颗粒污 染数。
本实施例中，用于连接主管611及分管612、 613的连接部分包括三通管接头614。该三通管接头614可以是由石英制成，也可以是由金 属制成。
由于主管611、分管612及613与三通管接头614之间具有较大的 应力，本实施例中，还采取了在主管611、分管612及613与三通管接 头614之间利用软管615相连的措施。
本实施例中，主管611延伸至炉管内，需要由石英材料制成，但位 于炉管外的各分管612、 613的温度较低，则可以由金属材料制成，其 相对而言，更易于拆卸及清洗。
除此之外，本实施例中还将用于密封固定主管611与炉管底座间的 环形垫圈的位置进行了调整。
如图6所示，本实施例中，用于密封固定主管的装置可以包括环形 垫圈621,固定接口 622及密封套623;炉管底座包括炉管盖601与下 底座602,且在下底座602内具有冷却装置603。本实施例中将主管611 与炉管底座间的密封固定处(或者说环形垫圏621)移至了炉管底座的 外边乡彖之内，该位置一方面远离高温的炉管，另一方面也与冷却装置603 相邻。以达到降低环形垫圏621温度，避免因其碳化而产生颗粒污染的 目的。
本发明的上述实施例仅例举了具有两个分管的情况，在本发明的其 它实施例中，本发明的方法还可以适用于具有两个以上分管的情况，其 具体实施步骤与思路均和本实施例相似，在本发明具体实施例的启示 下，这一应用的延伸对于本领域普通技术人员而言是易于理解和实现 的，在此不再赘述。
本发明的上述实施例仅例举了形成氮化硅薄膜的情形，在本发明的 其它实施例中，还可以将本发明的设备用于形成其它多种薄膜的生长， 如氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、碳化硅薄膜等，其采用本发明的改进后 的进气装置或低压化学气相沉积设备后，均可以达到减少薄膜上颗粒污染，提高薄膜形成质量的目的,
骤:
其包括步
将衬底放入化学气相沉积设备的炉管内； 将各种气体在所述炉管外进行混合后再通入所述炉管内； 待薄膜生长完成后，停止所述气体的通入； 取出所述衬底。
另外，其还可以在通入各种气体的同时，对所述炉管底座内的气体 通路进行冷却。
以提高薄膜的形成质量，还可以在无需增加额外的工艺步骤的情形下， 减轻设备的颗粒污染问题，减少设备所需的湿法清洗次数，提高了设备 的利用率和生产效率。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明， 任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能 的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的 范围为准。
权利要求
1、一种进气装置，用于向炉管内通入气体，所述进气装置包括主管，至少两个与外部气路相连的分管，以及连接主管与各所述分管的连接部分，其特征在于所述主管由炉管之内延伸至炉管之外，所述分管及连接部分均位于炉管之外。
2、 如权利要求1所述的进气装置，其特征在于所述连接部分包括三通管接头。
3、 如权利要求2所述的进气装置，其特征在于所述主管、分管与所述三通管接头间利用软管相连。
4、 如权利要求1或3所述的进气装置，其特征在于各所述分管分别与单向阀相连。
5、 如权利要求1或3所述的进气装置，其特征在于各所述分管由金属材料制成。
6、 如权利要求1或3所述的进气装置，其特征在于所述主管为石英管。
7、 如权利要求1所述的进气装置，其特征在于所述炉管具有炉管底座，在所述主管与所述炉管底座的相交处具有环形垫圏，且所述环形垫圈位于所述炉管底座的外边纟彖之内。
8、 如权利要求1所述的进气装置，其特征在于所述炉管具有炉管底座，且所述炉管底座内具有冷却装置。
9、 如权利要求8所述的进气装置，其特征在于在所述主管与所述炉管底座的相交处具有环形垫圈，且所述环形垫圏与所述冷却装置相邻。
10、 一种低压化学气相沉积设备，包括炉管和炉管底座，所述炉管内还具有进气装置，该进气装置包括主管，至少两个与外部气路相连的分管，以及连接主管与各所述分管的连接部分，其特征在于所述主管由炉管之内延伸至炉管之外，所述分管及连接部分均位于炉管之外。
11、 如权利要求10所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于所述连接部分包括三通管接头。
12、 如权利要求11所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于所述主管、分管与所述三通管接头间利用软管相连。
13、 如权利要求10或12所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于各所述分管分别与单向阀相连。
14、 如权利要求10或12所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于各所述分管由金属材料制成。
15、 如权利要求10所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于所述主管为石英管。
16、 如权利要求10所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于所述炉管底座内还具有冷却装置。
17、 如权利要求16所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于在所述主管与所述炉管底座的相交处具有环形垫圏，且所述环形垫圈与所述冷却装置相邻。
18、 如权利要求10所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于在所述主管与所述炉管底座的相交处具有环形垫圈，且所述环形垫圏位于所述炉管底座的外边缘之内。
19、 一种化学气相沉积方法，其特征在于，包括步骤将衬底放入化学气相沉积设备的炉管内；将各种气体在所述炉管外进行混合后再通入所述炉管内；待薄膜生长完成后，停止所述气体的通入；取出所述衬底。
20、 如权利要求19所述的化学气相沉积方法，其特征在于，在通入各种气体的同时，还对所述炉管底座内的气体通路进行冷却。
全文摘要
本发明公开了一种进气装置，该进气装置可以用于向炉管内通入气体，所述进气装置包括主管，至少两个与外部气路相连的分管，以及连接主管与各所述分管的连接部分，其中，所述主管由炉管之内延伸至炉管之外，所述分管及连接部分均位于炉管之外。本发明还提供了应用该进气装置的低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法。采用本发明的进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法后，可以减少薄膜生长的颗粒污染数，提高薄膜的形成质量，减少炉管所需的湿法清洗次数，提高设备的利用率及生产的效率。
文档编号C23C16/44GK101457350SQ200710094540
公开日2009年6月17日 申请日期2007年12月13日 优先权日2007年12月13日
发明者李春龙, 星 赵, 赵金柱 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司