成膜装置和发光元件的制作方法

专利名称：成膜装置和发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及在包括发光层的有机层上进行成膜的成膜装置、和具 有包括发光层的有机层的发光元件的制造方法。
背景技术：
近年来，替代在现有技术中使用的CRT (Cathode Ray Tube:阴极
射线管)，能够形成为薄型的平面型显示装置的应用不断进展，例如有 机场致发光元件(有机EL元件)具有自发光、高速响应等特征，因此 作为新一代的显示装置被关注。另外，有机EL元件除了使用于显示装 置以外，也有用作面发光元件的情况。
有机EL元件构成为在阳电极(正电极)和阴电极(负电极)之间 夹持包括有机EL层(发光层)的有机层的结构，在该发光层中，从正 极注入空穴、从负极注入电子，并且使它们再结合，从而使该发光层 发光。
并且，在上述有机层中，根据需要在阳极和发光层之间、或者在 阴极和发光层之间，例如也能够添加空穴输送层、或者电子输送层等 用于使发光效率良好的层。
作为形成上述发光元件的方法的一个例子， 一般采用以下的方法。 首先，在图案形成有由ITO构成的阳电极的基板上，通过蒸镀法形成 上述有机层。所谓蒸镀法，例如是将蒸发或者升华的蒸镀原料蒸镀在 被处理基板上从而形成薄膜的方法。接下来，在该有机层上，通过蒸 镀法形成作为阴电极的Al (铝)。这样的发光元件也被称为所谓的顶阴 极型发光元件。
例如这样，在阳电极和阴电极之间形成有机层，从而形成发光元 件(例如参照专利文献l)
图1是示意性表示现有的蒸镀装置的结构的一个例子的图。 参照图l，该图中所示的成膜装置IO构成为具有在内部构成有
内部空间11A的处理容器11，在该内部空间11A中，设置有蒸镀源12 和与该蒸镀源12相对的基板保持台15。上述内部空间IIA，利用与排 气泵等排气单元(未图示)连接的排气线路14进行排气，保持在规定 的减压状态。
在上述蒸镀源12上设置有加热器13，能够通过该加热器13加热 保持在内部的原料12A，使其蒸发或者升华而作为气体原料。该气体 原料被蒸镀在保持于上述基板保持台15上的被处理基板S上。
使用上述成膜装置10，能够进行例如发光元件的有机层(发光层)、 有机层上的电极等的成膜。
但是，使用现有的蒸镀装置进行成膜的情况下，为了使从处理容 器内的蒸镀源蒸发或者升华的原料在被处理基板上进行成膜，需要进 行使被处理基板的成膜面朝下的所谓倒装(face down)的成膜方法。 因此，在被处理基板变大的情况下基板的处理变得困难，存在成膜装 置的生产率低下的问题。
此外，在现有的蒸镀装置中，从蒸镀源蒸发或者升华的原料也可 能附着在被处理基板以外的部分，由此可能成为微粒的产生源，会产 生除去附着的原料的频率变高，生产率低下的问题。
这样，为了抑制向被处理基板以外的附着，优选使蒸镀源和被处 理基板(保持台)的距离接近。但是，蒸镀源具有通过加热使原料蒸 发或者升华的功能，当蒸鍍源和被处理基板接近时，有可能会产生被 处理基板、被处理基板上的掩模被加热的问题、膜厚的均匀性恶化的 问题。因此，蒸镀源和被处理基板必须分开规定的距离以上地进行设 置。
另一方面，例如利用溅射法的成膜，虽然具有对被处理基板的朝 向等的限制少，生产率良好的优点，但是与蒸镀法相比，存在对成膜 对象的损伤较大的问题。
例如，在有机EL元件等的包括发光层的有机层上进行成膜的情况 下，存在由溅射引起的对有机层的损伤的问题。例如由于通过溅射法 等Al等硬金属的粒子以高速度冲击有机层的情况、伴随等离子体激励 的紫外线照射等，存在有机层受到损伤、发光元件的品质低下的情况。
这样，以在有机层上进行成膜时为例，例如存在以下情况。
例如，在使用有机层和金属电极的发光元件中，存在由于有机层 和电极之间的功函数的差导致发光效率降低的情况。为了抑制这样的 发光效率的降低，存在在有机层和电极之间(即有机层上)，形成例如 包括规定的金属的层(例如金属层、或金属化合物层等)的情况。这 样，在形成用于抑制由有机层和电极之间的功函数的差引起的发光效 率的降低的层(以下也称作功函数调整层)时，存在由于成膜方法(例 如溅射法)而对有机层造成损伤的情况。此外，根据构成功函数调整 层的材料的不同，也存在难以构成溅射的靶材料的材料。
另一方面，当利用现有的蒸镀法形成该功函数调整层时，如先前 所说明的，难以解决应对大型基板较为困难等使生产率降低的问题。
此外，在上述专利文献2中，公开了通过使成膜原料蒸发或者升 华并进行输送从而进行成膜的成膜装置。但是，在上述专利文献2中， 并没有公开在包括发光层的有机层上进行成膜的问题或其解决方法。
专利文献1:日本特开2004-225058号公报
专利文献2: USP 6849241号公报

发明内容
于是，本发明的总体目的在于提供解决上述问题的新型且有用的 成膜装置和发光元件的制造方法。
本发明具体的第一课题为，提供能够以良好的生产率在发光元件 的有机层上形成含有金属的层的成膜装置。
本发明具体的第二课题为，提供以良好的生产率，制造在第一电 极与第二电极之间形成有包括发光层的有机层、在上述有机层与第二 电极之间形成有功函数调整层的发光元件的制造方法。
本发明的第一观点是，提供一种成膜装置，其特征在于，包括 在内部具有保持被处理基板的保持台的处理容器；使含有金属的成膜 原料蒸发或者升华而生成气体原料、且设置在上述处理容器的外部的 气体原料生成部；向上述处理容器内供给上述气体原料的气体原料供 给部；和将上述气体原料从上述气体原料生成部输送至上述气体原料 供给部的输送通路，以在上述被处理基板上的包括发光层的有机层上 形成含有金属的层的方式构成，由此解决上述课题。
本发明的第二观点是，提供一种发光元件的制造方法，其特征在 于，包括在包括发光层的有机层上形成含有金属的层的第一成膜工 序；和在上述含有金属的层上形成电极的第二成膜工序，在上述第一 成膜工序中，成膜原料蒸发或者升华而形成的气体原料，通过输送通 路被供给至上述有机层上并进行成膜，由此解决上述课题。
根据本发明，能够提供能够以良好的生产率在发光元件的有机层 上形成含有金属的层的成膜装置。
并且，能够提供以良好的生产率，制造在第一电极与第二电极之 间形成包括发光层的有机层、在上述有机层与第二电极之间形成功函 数调整层而构成的发光元件的制造方法。


图1是示意性地表示现有的成膜装置的图。 图2是示意性地表示实施例1的成膜装置的图。 图3是示意性地表示实施例2的成膜装置的图。 图4是示意性地表示实施例3的成膜装置的图。 图5A是表示实施例4的发光元件的制造方法的图(其一)。 图5B是表示实施例4的发光元件的制造方法的图(其一)。 图5C是表示实施例4的发光元件的制造方法的图(其一)。 图5D是表示实施例4的发光元件的制造方法的图(其一)。 图5E是表示实施例4的发光元件的制造方法的图(其一)。 图5F是表示实施例4的发光元件的制造方法的图(其一)。 图5G是表示实施例4的发光元件的制造方法的图(其一)。 符号说明
100、 100A、 100B成膜装置
101、 101B处理容器 102保持台
103移动轨道
104、 104A气体原料供给部
105、 105A原料供给部本体
106、 106A整流板
107、 107A过滤板
108输送通路
109气体原料生成部
110原料保持容器110
11 OA成膜原料
111加热单元
112载流气体供给线路
200溅射成膜部
201凹部
202A、 202B耙
203电源
204气体供给单元 205气体流路 206气孔
207气体供给通路
300发光元件
301基板
302阳电极
303引出线
304有机层
304A功函数调整层
305阴电极
306保护膜
具体实施例方式
本发明的成膜装置使成膜原料蒸发或者升华，并在被处理基板上
进行成膜，其特征在于，包括在内部具有保持上述被处理基板的保 持台的处理容器；使上述成膜原料蒸发或者升华而生成气体原料、设 置在上述处理容器的外部的气体原料生成部；向上述处理容器内供给 上述气体原料的气体原料供给部；和将上述气体原料从上述气体原料 生成部输送至上述气体原料供给部的输送通路，以上述成膜原料中含 有金属材料、在上述被处理基板上的包括发光层的有机层上形成含有 金属的层的方式构成。
在上述成膜装置中，成膜原料被蒸发或升华而生成的气体原料通 过输送通路被输送，并被供给至处理容器内的被处理基板附近。由此， 与现有的蒸镀装置相比较，具有供给气体原料的方向的设定自由度高， 对于保持被处理基板的朝向的限制变少的特点。因此，例如能够进行 使被处理基板的成膜面朝上(使成膜面朝向施加重力的方向)的所谓
面朝上(faceup)的成膜，达到使向大型基板的成膜更为容易的效果。 另外，上述成膜装置的特征在于因为具有输送气体原料的输送 通路，所以能够将使成膜原料蒸发或升华的气体原料生成部和将蒸发 或升华而生成的气体原料供给至处理容器内的气体原料供给部分开 (分离)设置。
由此，即使例如在使气体原料供给部靠近被处理基板、保持台的 情况下，被处理基板、保持台也不易受到加热的影响。因此，能够使 气体原料供给部靠近被处理基板而设置。从而能够在抑制被处理基板 以外的部分的成膜量、使原料的利用效率良好的同时，达到降低维护 的频率、提高生产率的效果。
利用上述成膜装置，在具有发光层的有机层上，能够降低对该有 机层的损伤且具有良好的生产率地形成含有金属的层(例如功函数调 整层等)。
接下来，基于附图对本发明的实施例进行具体说明。 实施例1
图2为示意性地表示本发明的实施例1的成膜装置100的截面图。 参照图2，本实施例的成膜装置100包括在内部具有保持被处理基 板W的保持台102的处理容器101。在上述处理容器101的外侧，具 有将成膜原料110A保持在内部的气体原料生成部109。
上述气体原料生成部109使上述成膜原料IIOA蒸发或升华而生成 气体原料。由上述气体原料生成部109生成的气体原料，通过与上述 气体原料生成部109连接的输送通路108内，被输送至设置在上述处 理容器101中的气体原料供给部104。进而，被输送至上述原料供给部 104的气体原料，被供给至上述处理容器101内的上述被处理基板W
的附近，在被处理基板w上进行成膜。
另外，在上述被处理容器101内，通过与例如真空泵等排气单元 (未图示)连接的排气线路114进行排气，能够保持为规定的减压状 态。
上述气体原料生成部109具有原料容器110，在该原料容器110的 内部保持有由液体或固体构成的上述成膜原料110A。在上述原料容器 110的外侧，设置有例如由加热器等构成的加热单元lll，构成为能够 加热上述成膜原料110A，使其蒸发或升华的结构。
另外，上述原料容器110中，连接有供给例如由Ar、 He等惰性气 体构成的载流气体的载流气体供给线路112。在上述原料容器110内生 成的气体原料与该载流气体一起，通过上述输送通路108和上述气体 原料供给部104被供给至上述处理容器101内。
上述原料供给部104具有与上述输送通路108连接的例如圆筒状 或箱体状的供给部本体105，通过该输送通路108向其内部供给气体原 料。
另外，在上述供给部本体105的内部，设置有控制气体原料的流 动的整流板106。该整流板106例如由具有多个气孔的多孔板构成。通 过设置上述整流板106，使得相对被处理基板W的气体原料的供给量 的分布的均匀性良好。而且，也能够设置多个这样的整流板。
进一步，在上述供给部本体105的面向被处理基板W的一侧，设 置有例如由多孔质的金属材料(金属过滤器)构成的过滤板107。气体 原料通过该过滤板107被供给至上述处理容器101内。由此，气体原 料中所含的微粒被除去，达到使被成膜的膜的品质良好的效果。
另外，上述保持台102构成为能够与成膜(气体原料的供给)相 对应地移动的结构。上述保持台102以能够在设置于上述处理容器101 的底面(与上述气体原料供给部104相对的一侧)的移动轨道103上 平行移动的方式构成。即，通过在成膜时移动上述保持台102，能够使 被处理基板的面内的成膜均匀性良好。
另外，在上述处理容器101上设置有闸阀113。上述闸阀113，被 例如设置在上述处理室101与真空搬送室等搬送单元(未图示)连接 的一侧。通过打开上述闸阀113，能够实现被处理基板W向上述处理
容器IOI内的搬入，或被处理基板W从上述处理容器101内的搬出。
在本实施例的成膜装置100中，上述成膜原料110A被蒸发或升华 而生成的气体原料通过上述输送通路108被输送，并供给至上述处理 容器101内的被处理基板W的附近。因此，与现有的蒸镀装置相比较， 具有供给气体原料的方向的设定自由度高的特征。例如，上述气体原 料供给部104的设置位置、或设置方向(气体原料的供给方向)的自 由度提高。
从而，被处理基板W的朝向，即上述保持台102的设置位置、设 置方向的自由度提高。由此，能够实现例如被处理基板W的成膜面向 上的所谓面朝上的成膜，达到能够容易地对大型基板进行成膜的效果。
另外，本实施例的成膜装置100，具有将气体原料从上述的气体原 料生成部109输送至上述气体原料供给部104的输送通路108。由此， 能够将上述气体原料生成部109与上述气体原料供给部104分开(分 离)设置。在本实施例的情况下，例如上述气体原料生成部109设置 在上述处理容器101的外侧，上述气体原料供给部104在上述处理容 器101的开口部以面向上述处理容器101的内部(被处理基板)的方 式设置，两者分别分开设置。
其结果是，在上述处理容器101内，达到抑制上述处理基板W以 外的部分的成膜量、使原料的利用效率良好、并且降低必需的维护频 率、使成膜装置的生产率良好的效果。
通过本实施例的成膜装置100，能够在例如有机EL元件等的具有 发光层的有机层上，以良好的生产率形成含有金属的层(例如功函数 调整层等)。在这样的有机层上进行成膜时，在利用例如现有的溅射法 的成膜中存在有机层容易受到损伤的问题。另一方面，如果使用上述 成膜装置，则能够降低对有机层的损伤，以更好的生产率进行成膜。
另外，这样的具有发光层的发光元件，例如随着显示装置的大型 化而使用大型基板进行制作。在这样的发光元件的制造中，与现有的 成膜装置相比，能够应对面朝上成膜的本实施例的成膜装置具有更好 的生产率。
另外，在例如制造底部发射型发光元件的情况下，构成形成在上 层的阴电极(顶阴极)的材料，优选使用发光的反射率良好的材料。
例如优选使用Ag。
另外，在阴电极使用Ag的情况下，作为形成在包括发光层的有机 层与电极之间的、用于抑制发光效率的降低的层(功函数调整层)，优 选使用Li。
例如，在对Li进行成膜时，在利用溅射法的成膜中，除去可能对 有机层造成损伤之外，还具有难以形成用于溅射的靶材料的问题。
当例如被放置在大气中，Li的表面很容易变化(例如氮化)，尤其 是存在难以进行形成大型的靶材料、或输送等处理的问题。因此，利 用溅射法难以形成由Li层构成的功函数调整层。
另外，在利用现有的蒸镀法对Li进行成膜的情况下，根据成膜条 件，特别是在处理容器的内部(被处理基板以外的部分)被成膜的量 变多，需要维护装置的时间，从而可能使生产率降低。
另一方面，在本实施例的成膜装置100中，在有机EL元件等的包 括(有机)发光层的有机层上，能够在抑制对有机层的损伤的同时以 良好的生产率形成由Li层构成的功函数调整层。
另外，本发明的成膜装置并不限定于本实施例的成膜装置。例如， 能够进行如下所示的各种变形、变更。 实施例2
图3为示意性地表示本发明的实施例2的成膜装置的截面图。在 图中，对先前已说明的部分标注同一参照符号，略去说明。另外，没 有特别说明的部分与实施例l具有相同的结构、功能。
参照图3，本实施例的成膜装置100A的特征在于，相当于实施例 1的气体原料供给部104的气体原料供给部104A，沿着上述保持台102 的移动方向排列有多个地进行设置。上述气体原料供给部104A具有分 别相当于实施例1的供给部本体105、整流板106、和过滤板107的供 给部本体105A、整流板106A、和过滤板107A。
上述气体原料供给部104A的大小(沿上述保持台102的移动方向 的长度)小于上述气体原料供给部104。由此，上述气体原料供给部 104A能够沿着上述保持台的移动方向排列多个。因此，能够根据成膜 的膜厚、需要的成膜速度设置多个气体原料供给部。 实施例3
图4为示意性地表示本发明的实施例3的成膜装置的截面图。在 图中，对先前已说明的部分标注同一参照符号，略去说明。另外，没 有特别说明的部分与实施例1具有相同的结构、功能。
参照图4，本实施例的成膜装置IOOB，在实施例1所示结构的基 础上，还具有溅射成膜部200，构成为能够进一步进行溅射法的成膜的 结构。
因此，例如，本实施例的成膜装置IOOB构成为，能够例如在减压 气氛下连续实施下述成膜在实施例1中已说明的使上述成膜原料 IIOA蒸发或升华而进行的成膜(例如功函数调整层的成膜)之后，进 而通过溅射法进行成膜(例如在该功函数调整层上的阴电极的成膜)。
上述溅射成膜部200，以大致收纳在处理容器101B (相当于实施 例1的处理容器101)的凹部201的方式设置在处理容器101B中。在 上述溅射成膜部200中，设置有分别被施加电压的相互相对的电压施 加耙202A、 202B，和在该电压施加靶202A、 202B之间设置的例如供 给Ar等处理气体的气体供给单元204。通过从电源203向该电压施加 靶202A、 202B施加电压，该处理气体被等离子体激励。
上述气体供给单元204具有沿着与上述基板保持台102移动的方 向大致正交的方向延伸的结构，以夹着上述电压施加靶202A、 202B 地与上述基板保持台102相对的方式设置。
另外，上述气体供给单元204具有在内部形成有气体流路205的 管状的中空结构，在该气体流路205中，从设置在上述处理容器101B 的外部的气体供给源(未图示)，通过气体供给通路207供给例如Ar 等处理气体。向上述气体流路205供给的处理气体，从形成在上述气 体供给单元204上的多个气孔206，供给至上述电压施加靶202A、202B 之间的空间。
如下所述进行使用上述成膜装置100B的溅射成膜部200的成膜。 首先，在上述电压施加靶202A、 202B之间的空间中，通过上述 气体供给单元204供给例如Ar等用于等离子体激励的处理气体。此处， 通过从电源203对上述电压施加靶202A、 202B分别施加电力，在该 空间中激发等离子体，生成Ar离子。
利用这样生成的Ar离子，上述靶202A、 202B被溅射，由此在被
保持在上述基板保持台102上的被处理基板W上进行成膜。
在上述成膜装置100B中具有以下特征被处理基板W离开被激 发等离子体的空间(上述电压施加靶202A、 202B之间的空间)，被处 理基板W不易受到伴随等离子体激励的紫外线、Ar离子的冲撞所引起 的损伤的影响。另外，通过溅射产生的用于成膜的粒子，通过在从上 述气体供给单元204朝向上述基板保持台102的方向上形成的处理气 体的流动而被输送，到达上述被处理基板W上。
根据本实施例的成膜装置IOOB，能够连续实施在实施例1中已说 明的使上述成膜原料110A蒸发或升华而进行的第一成膜，和使用上述 溅成膜部200的溅射法的第二成膜。在该情况下，在第一成膜之后， 通过移动上述保持台102，使上述被处理基板W移动至上述溅射成膜 部200的正下方，进行第二成膜。
因此，例如在有机EL元件等的包括(有机)发光层的有机层上， 能够在减压气氛下连续实施形成功函数调整层的第一成膜工序，和在 该功函数调整层上形成阴电极(顶阴极)的第二成膜工序。
例如，在形成作为功函数调整层的Li层的情况下，存在Li层的表 面状态改变(例如氮化等)的问题。如果Li层被暴露在常压的通常空 间下，则例如会发生表面氮化而无法得到期望的电特性。
在本实施例的成膜装置中，在形成功函数调整层(例如Li层)之 后，在减压空间内，能够连续地形成例如由Ag构成的阴电极(顶阴极)。 由此，能够有效的抑制功函数调整层的氮化等的影响。
另外，在本实施例中，以使用相互相对的两个靶并通过溅射法进 行成膜的情况为例进行了说明，但本发明并不限定于此。例如，也可 以使用一个靶，通过通常的溅射法进行成膜。 实施例4
接下来，根据图5A 图5G，按顺序说明使用上述成膜装置的本 发明的实施例4的发光元件的制造方法。在以下的图中，对先前已说 明的部分标注同一参照符号，略去说明。
首先，在图5A所示的工程中，在例如由玻璃等构成的透明的基板 301上，形成由ITO等透明的材料构成的阳电极302，和在此后的工序 中形成的阴电极的引出线303，从而准备所谓的带电极的基板。在这种
情况下，例如通过溅射法等形成上述阳电极302 (上述引出线303)。
另夕卜，在上述基板301中也能够组装有例如TFT等控制发光元件 的发光的控制元件。例如，在将由本实施例形成的发光元件应用于显 示装置的情况下，对每个像素组装例如TFT等控制用的元件的情况很 多。
在这种情况下，TFT的源电极与上述阳电极302连接，而且，TFT 的栅电极与漏电极被连接在形成为栅格状的栅极线和漏极线上，进行 对每个像素的显示的控制。在这种情况下，上述引出线303与规定的 控制电路(未图示)连接。这样的显示装置的驱动电路被称作有源矩 阵驱动电路。在本图中省略了这样的有源矩阵驱动电路的图示。
接下来，在图5B所示的工序中，在上述阳电极302、上述引出线 303、和上述基板301上，以覆盖该阳电极302、该引出线303、和该 基板301的露出部的方式，通过蒸镀法形成包括发光层(有机EL层) 的有机层304。
另外，为了使发光层的发光效率良好，也可以在该发光层与上述 阳电极302之间，例如以包括空穴输送层、空穴注入层等的方式形成 有机层304。另外，也可以是省略该空穴输送层、空穴注入层中任一个 或者两者的结构。
同样的，为了使发光层的发光效率良好，也可以在该发光层与在 之后的工序中形成的阴电极305之间，例如以包括电子输送层、电子 注入层等的方式形成有机层304。另外，也可以是省略该电子输送层、 电子注入层中任一个或者两者的结构。
接下来，在图5C所示的工序中，使用实施例1 实施例3所示的 任一个成膜装置，在上述有机层304上，例如使用图案掩模进行图案 形成，从而形成例如由Li层构成的功函数调整层304A。例如，在使用 实施例1 (图2)所示的成膜装置IOO进行成膜的情况下，如下述进行。
首先，在上述气体原料生成部109中，例如由固体的Li构成的成 膜原料IIOA通过上述加热单元111被加热而升华，从而生成气体原料。 该气体原料从上述载流气体供给线路112被供给，例如与由Ar构成的 载流气体一起，通过上述输送通路108被输送至上述气体原料供给部 104。
被输送至上述气体原料供给部104的气体原料，从上述过滤板107 被供给至上述处理容器101内的上述被处理基板W (相当于基板301) 的附近。此处，在形成在该被处理基板W (基板301)上的上述有机 层304上，形成由Li层构成的功函数调整层304A。
接下来，在图5D所示的工序中，在上述有机层304上，例如通过 使用图案掩模的溅射进行图案形成，从而形成例如由Ag构成的阴电极 305。
例如，当使用例如实施例3 (图4)所示的成膜装置100B进行图 5C 图5D的工序时，如上所述，在形成功函数调整层(例如Li层) 304A之后，能够在减压空间内连续地形成例如由Ag构成的阴电极 305，因此能够有效的抑制功函数调整层304A的氮化等的影响，是合 适的。
接下来，在图5E所示的工序中，以在图5D所示的工程中形成的、 已形成图形的上述阴电极305作为掩模，通过例如等离子体蚀刻对上 述有机层304进行蚀刻，从而进行该有机层304的图案形成。在该工 序中，通过蚀刻将上述有机层304的需要剥离的区域(例如上述引出 线303上、其他不需要发光层的区域)除去，进行该有机层304的图 案形成。
由此，通过以阴电极305作为掩模的蚀刻，进行有机层的图案形 成，能够避免利用掩模蒸镀法对有机层进行图案形成而引起的各种问 题。例如，能够避免由在蒸镀时的掩模的温度上升引起的掩模变形所 导致的蒸镀膜(有机层304)的图案形成精度降低的问题，是合适的。 另外，能够抑制掩模的安装、脱卸所引起的微粒的产生，所以优选。
接下来，在图5F所示的工序中，通过例如使用图案掩模的溅射进 行图案形成，从而形成电连接上述阴电极305与上述引出线303的连 接线305a。
接下来，在图5G所示的工序中，以覆盖上述阳电极302的一部分、 上述引出线303的一部分、上述有机层304、上述阴电极305、和上述 连接线305a的方式，通过使用图案掩模的CVD法，在上述基板301 上形成例如由氮化硅(SiN)构成的绝缘性的保护膜306。
由此，在上述基板301上，能够在上述阳电极302与上述阴电极
305之间形成上述有机层304，进一步在上述有机层304与上述阴电极 305之间形成功函数调整层304A，从而形成发光元件300。上述发光 元件300也被称作有机EL元件。
上述发光元件300采用下述结构通过在上述阳电极302与上述 阴电极305之间施加电压，在上述包括有机层304的发光层上，从上 述阳电极302注入空穴、从上述阴电极305注入电子，并使它们再结 合，从而进行发光。
该发光层，例如能够使用多环芳烃、异质芳香族化合物、有机金 属络合物等材料构成。
例如，上述发光层例如能够使用喹啉铝络合物(aluminoquinolinol complex compound) (Alq3)作为主体材料，使用红荧烯作为掺杂材料 而形成，但并不限于此，能够使用各种材料而形成。
例如，上述阳电极302的厚度形成为100nm 200nm，上述有机层 303的厚度形成为50nm 200nm，上述阴电极304的厚度形成为 50nm 300nm，上述功函数调整层304A的厚度形成为0.1m 10nm。
另外，例如上述发光元件300能够应用于显示装置(有机EL显示 装置)、面发光元件(照明、光源等)中，但并不限定于此，也能够应 用于各种电子设备。
根据以上说明的本实施例的发光元件的制造方法，能够以良好的 生产率制造上述发光元件300。
例如，在上述图5C的工序中，成膜原料被蒸发或升华而生成的气 体原料通过输送通路被供给到上述有机层304上，从而进行上述功函 数调整层304A的成膜，因此能够达到实施例1所述的效果。
例如，在上述制造方法中，供给气体原料的方向的设定自由度变 高，保持被处理基板的方向的限制变少，能够进行所谓的面朝上的成 膜，能够达到容易对大型基板进行成膜的效果。
另外，在抑制被处理基板以外的部分的成膜量、提高原料的利用 效率的同时，能够达到降低成膜装置的维护频率、提高生产率的效果。
另外，在上述制造方法中，能够在抑制对有机层造成的损伤的影 响的同时，进而以良好的生产率在有机层上形成通过现有的溅射法难 以形成的由Li层构成的功函数调整层。
以上，对本发明的优选实施例进行了说明，但是本发明并不限定 于上述的特定实施例，在专利申请的范围所记载的主旨内，能够进行 各种变形、变更。 产业上的可利用性
根据本发明，能够提供能够以良好的生产率在发光元件的有机层 上形成含有金属的层的成膜装置。
另外，能够提供以良好的生产率，制造在第一电极与第二电极之 间形成包括发光层的有机层、在上述有机层与第二电极之间形成功函 数调整层而构成的发光元件的制造方法。
本国际申请主张基于2006年2月22日提出的日本专利申请 2006-045343号的优先权，在本国际申请中引用2006-045343号的全部 内容。
权利要求
1. 一种成膜装置，其特征在于，包括在内部具有保持被处理基板的保持台的处理容器；使含有金属的成膜原料蒸发或者升华而生成气体原料、且设置在所述处理容器的外部的气体原料生成部；向所述处理容器内供给所述气体原料的气体原料供给部；和将所述气体原料从所述气体原料生成部输送至所述气体原料供给部的输送通路，以在所述被处理基板上的包括发光层的有机层上形成含有金属的层的方式构成。
2. 如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于 所述含有金属的层是在所述有机层和向该有机层施加电压的电极之间形成的功函数调整层。
3. 如权利要求l所述的成膜装置，其特征在于 所述含有金属的层是Li层。
4. 如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于所述电极由Ag构成。
5. 如权利要求l所述的成膜装置，其特征在于所述保持台与成膜相对应地相对所述被处理基板相对移动。
6. 如权利要求l所述的成膜装置，其特征在于排列有多个所述气体原料供给部。
7. 如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于 还具有被施加电压的电压施加靶和处理气体的供给单元， 通过对所述处理气体进行等离子体激励，能够通过溅射法进行成
8. 如权利要求7所述的成膜装置，其特征在于所述电压施加靶包括相互相对的第一电压施加靶和第二电压施加靶。
9. 如权利要求7所述的成膜装置，其特征在于能够连续地实施使所述成膜原料蒸发或者升华而进行的第一成 膜、和利用所述溅射法的第二成膜。
10. —种发光元件的制造方法，其特征在于，包括 在包括发光层的有机层上形成含有金属的层的第一成膜工序；和在所述含有金属的层上形成电极的第二成膜工序， 在所述第一成膜工序中，成膜原料蒸发或者升华而形成的气体原 料，通过输送通路被供给到所述有机层上并进行成膜。
11. 如权利要求IO所述的发光元件的制造方法，其特征在于所述含有金属的层为Li层。
12. 如权利要求10所述的发光元件的制造方法，其特征在于所述电极由Ag构成。
13. 如权利要求10所述的发光元件的制造方法，其特征在于在所述第二成膜工序中，通过使用相互相对的两个靶的溅射法形 成所述电极。
14. 如权利要求IO所述的发光元件的制造方法，其特征在于，还包括以所述电极作为掩模，对所述有机层进行蚀刻的蚀刻工序。
全文摘要
本发明提供一种成膜装置和发光元件的制造方法。上述成膜装置的特征在于，包括在内部具有保持被处理基板的保持台的处理容器；使含有金属的成膜原料蒸发或者升华而生成气体原料、且设置在上述处理容器的外部的气体原料生成部；向上述处理容器内供给上述气体原料的气体原料供给部；和将上述气体原料从上述气体原料生成部输送至上述气体原料供给部的输送通路，以在上述被处理基板上的包括发光层的有机层上形成含有金属的层的方式构成。
文档编号C23C14/06GK101390450SQ200780006400
公开日2009年3月18日 申请日期2007年2月20日 优先权日2006年2月22日
发明者渡边伸吾, 野泽俊久 申请人:东京毅力科创株式会社