专利名称：钨化学机械研磨方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种钨化学机械研磨方法。
背景技术：
由于金属钨具有良好的导电特性，且通过气相沉积形成膜层时也具有良好的阶梯覆盖性，因而常被用来做接触插塞(Contact plug)材料。
在公开号为CN1841701A的中国专利申请文件中，公开了 一种钨插塞的制造方法。图1至图7为所述文件公开的钨插塞的制造方法各步骤相应的结构的剖面示意图。
如图1所示，提供半导体衬底30，在所述半导体衬底30上具有介电层32,在所述介电层32依次形成掩模层34和光刻胶层36。
如图2所示，对所述光刻胶层36进行曝光和显影，形成图案化光刻胶层，利用该图案化光刻胶层作为刻蚀阻挡层来刻蚀掩模层34,形成开口42和图案化硬掩模层38;然后，去除光刻胶层36。
如图3所示，以所述图案化硬掩^^莫层38作为刻蚀掩^t，刻蚀介电层32,形成接触孑L44 ( contact hole)。
如图4所示，与所述半导体衬底30上依次形成阻障层46(即金属阻挡层)和导电层48。所述阻障层46可以是钽、钛等，所述导电层48为钨材料。
如图5所示，利用阻障层46作为停止层进行第一化学才几械研磨(即抛光)工艺，以去除部分的导电层48。
如图6所示，再利用图案化硬掩模38作为停止层进行第二化学机械研磨工艺，以去除部分的阻障层46。
如图7所示，接着，进行第三化学机械研磨工艺，去除图案化硬研磨38。
最后，执行第四化学机械研磨工艺，去除部分所述的介电层32。上述的鵠研磨工艺中，不同阶段的研磨时间一般是不相同的，例如第 一化学机械研磨和第二化学机械研磨工艺的时间之和为tl ，第三化学机
械研磨工艺的时间为t2,第四化学机械研磨的时间为t3。 一般的，t2大于t3。
现有化学机械研磨工艺一般在具有三个研磨垫的研磨设备中进行，将不同的半导体衬底置于不同的研磨垫上，并分别执行不同阶段的研磨。例如上述的研磨工艺中，第一半导体衬底执行第一化学机械研磨工艺和第二化学机械研磨工艺，在第一研磨垫上进行；第二半导体衬底执行第三化学机械研磨工艺，在第二研磨垫上进行；第三半导体衬底执行第四化学机械研磨工艺，在第三研磨垫上进行。完成所有的研磨之后，所有的半导体衬底同时被搬运到下一研磨垫(完成研磨的半导体衬底被拍殳运
至清洗槽中)。
然而，上述的研磨工艺往往使鴒插塞的表面形成凹陷，该凹陷中会聚集颗粒污染物(patricle)或其它污染物，影响后续的第一金属层(Metall)与该鴒插塞的接触，使得钨插塞与第一金属层之间接触电阻增大，进而影响形成半导体器件的电性。
一个可能的解释是由于第四化学机械研磨工艺完成之后，不得不等待第三化学机械研磨工艺的完成(由于t2大于t3)，在该等待的时间中，研磨设备中的水汽会附着在所述的介电层32表面，将两个相邻的钨插塞连接起来，在光的照射下，两个相邻的钨插塞以及连接其的水膜之间发生原电池反应，使得鵠插塞表面的钨被消耗而形成凹陷。
发明内容
本发明提供一种钨化学机械研磨方法，能够改善化学机械研磨后钨金属层表面形成凹陷的问题或消除鴒金属层表面的凹陷。
本发明提供的一种钨化学机械研磨方法，包括提供具有介电层的半导体结构，在所述介电层中具有开口，在所述
开口中和介电层上依次具有金属阻挡层和鵠金属层；
执行第 一阶段化学机械研磨，去除所述介电层上的部分厚度的钨金
6属层；
执行第二阶段化学机械研磨，去除所述介电层上剩余的钨金属层和金属阻挡层；
执行第三阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层；其中，所述第二阶段化学机械研磨时间与所述第三阶段化学机械研磨时间相同。
可选的，所述第二阶段化学机械研磨包括如下步骤第一步，以所述介电层作为终点检测层，研磨至介电层表面露出时为止；
第二步，执行过研磨，至所述介电层上所有的鴒金属层和金属阻挡层全部去除时为止；
第三步，停止研磨，用去离子水冲洗所述半导体结构的表面；
其中，所述第二阶段化学机械研磨时间为所述第一步、第二步和第三步的时间之和。
可选的，通过调整所述第三步的时间使所述第二阶段化学机械研磨时间与第三阶段研磨时间相同。
可选的，在所述介电层上、金属阻挡层下还具有硬掩^f莫层，则所述方法还包括
在第二阶段化学机械研磨之后、第三阶段化学机械研磨之前，执行去除硬掩模层的研磨工艺；
且所述去除硬掩模层的研磨工艺研磨的时间与所述第三化学机械研磨时间相同。
可选的，所述第一阶段化学机械研磨、第二阶段化学机械研磨和第三阶段化学机械研磨在不同或相同的研磨垫上进行。
可选的，通过时间控制所述第三阶段化学机械研磨中去除的介电层的厚度。
可选的，所述第三阶段化学机械研磨与所述第二阶段化学机械研磨的研磨液不同，且根据各自的研磨液的研磨速率确定第三阶段化学机械研磨和第二阶段化学机械研磨时间。
可选的，完成第三阶段化学机械研磨后，对所述半导体结构的表面进行清洗。
本发明还提供一种钨化学机械研磨方法，包括
提供具有介电层的半导体结构，在所述介电层中具有开口，在所述介电层上依次具有硬掩模层、金属阻挡层和钨金属层；在所述开口中沿所述开口侧壁具有金属阻挡层，所述金属阻挡层上具有钨金属层；
执行第一阶段化学机械研磨，去除所述硬掩模层上的钨金属层和金属阻挡层；
执行去除所述硬掩才莫层的化学机械研磨；执行第二阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层；其中，所述的去除硬掩模层的化学机械研磨时间与所述第二阶段化学才几械研磨时间相同。
本发明还提供一种钨化学机械研磨方法，包括
提供具有介电层的半导体结构，在所述介电层中具有开口，在所述开口中和介电层上至少具有钨金属层；
执行第一阶段化学机械研磨，使所述介电层表面露出；执行第二阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层；其中，所述第一阶段化学机械研磨可以一步完成或通过多个步骤完
成；''
若所述第一阶段化学机械研磨一步完成，所述第二阶段化学机械研磨时间与所述第 一 阶段化学机械研磨时间相同；
若所述第一阶段化学机械研磨分为多步完成，则所述第二阶段化学机械研磨时间与所述第 一 阶段化学机械研磨的最后 一步时间相同。
与现有技术相比，上述技术方案中的其中一个具有以下优点
通过使第三阶段化学机械研磨与第二阶段化学机械研磨时间相同，所述第三阶段化学机械研磨与第二阶段化学机械研磨可基本同时完成，以使所述第三化学机械研磨完成之后不必再进行等待，可以进行后续工艺，从而可避免在等待时外部环境对形成的鴒金属层(即插塞)表面的影响，进而可消除所述金属层表面的凹陷或改善该凹陷的问题。
图1至图7为现有的一种鴒插塞的制造方法各步骤相应的结构的剖面示意图8为现有的一种鴒插塞的制造方法的流程图9至图12为本发明的鴒化学机械研磨方法的实施例各步骤相应结构的剖面示意图。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。
化学机械研磨是通过化学和机械相结合的方式将半导体结构表面的材料层去除的一种平坦化方法。研磨工艺一般分为数个阶段，例如，粗磨、细磨等。每一阶段在不同的研磨垫上完成。
一个研磨装置会有数个研磨垫和数个研磨头，通过研磨头吸附半导体结构并使半导体结构上待研磨的材料层朝下压至研磨垫表面，在研磨垫和半导体结构表面之间有研磨液(Slurry),通过研磨垫和研磨头之间的相对转动，使研磨液均勻分布于半导体结构表面材料层上并与所述材料层发生化学反应，生成易被去除的物质，然后通过机械的作用再将所述易被去除的物质去除。
半导体结构表面的材料层要依次经过数个研磨垫才能完成研磨，达
到目标厚度，半导体结构在每一研磨垫上研磨的时间可能是不相同的(也即每一研磨阶段可能是不同的)。数个研磨垫可以同时对不同的半导体结构表面材料进行研磨。
例如，对于半导体结构上鴒金属层研磨、形成鵠接触插塞的工艺需要如图8所示的三个阶段S200，将所述半导体结构在第一研磨垫上进行第一阶段研磨，研磨时间为T!;
9S210，完成第一阶4殳研磨后，将所述半导体结构送入第二研磨垫进
行第二阶段研磨，研磨时间为丁2;
S220,完成第二阶段研磨后，将所述半导体结构送入第三研磨垫进行第三阶段研磨，研磨时间为Tg;
在上述研磨过程中，三个研磨垫可以同时对不同的半导体结构进行研磨，如，半导体结构A在第一研磨垫上执行第一阶段研磨的同时，半导体结构B可以同时在研磨垫上执行第二阶段研磨(半导体结构B已经完成了第一阶段研磨)，半导体结构C同时在第三研磨垫上执行第三阶段研磨(半导体结构C已经完成了第一阶段和第二阶段研磨)，由于三阶段研磨的时间1V T2和丁3不同，例如T^T户T3;且凄t个研磨头固定在一个转动轴上，只有在每一个研磨垫上的半导体结构都完成相应的研磨后，才能同时移动将研磨头及研磨头上的半导体结构移至下一阶段的研磨垫上或将半导体结构移出研磨垫。
然而，当半导体结构A在所述第三研磨垫上完成T3时间第三阶段研磨后，不得不等待第二研磨垫上半导体结构B继续完成第二阶段研磨，从而造成第三研磨垫上的半导体结构A容易受到外部环境的影响，使得形成的钨接触插塞表面具有凹陷。本发明的方法中，调整第二阶段
和第三阶段的时间，使得丁2和T3相同，避免半导体结构A表面被外部环境影响，例如污染或腐蚀。
也就是说，本发明的钨化学机械研磨方法中，通过使最后阶段的研磨时间与该阶段之前的阶段或步骤研磨时间相同，以减少最后阶段的研磨工艺完成后的等待时间，从而减少外部环境对研磨完的钨接触插塞表面的影响(例如，外部环境的水汽附着在半导体结构的表面，使得相邻鵠接触插塞以及所述水汽之间发生原电池反应)，从而减少或消除凹陷的产生。
下面结合附图对本发明的鴒化学机械研磨方法进行详细描述。图9至图12为本发明的鴒化学机械研磨方法的实施例各步骤相应结构的剖面示意图。
本发明的钨化学机械研磨方法的实施例中，首先提供一半导体结构，该半导体结构具有介电层，在所述的介电层中具有开口，在所述开口中和介电层上至少具有一钨金属层。
作为具体的实施例，所述的半导体结构的剖面图可以如图9所示，半导体结构100具有介电层102,在所述介电层102中具有开口 103，在所述开口 103内壁和所述介电层102上具有金属阻挡层104,在所述金属阻挡层104上具有鴒金属层106,鵠金属层至少填满所述的开口103。在其它的实施例中，在所述介电层102上、金属阻挡层104下面还可以具有硬掩模层，所述的硬掩模层可以是氮化硅，这里不在赘述。
其中，所述半导体结构100中具有半导体衬底(图未示)和位于所述半导体衬底上的半导体器件(图未示)；所述半导体衬底的材质可以
是单晶硅、多晶硅、非晶硅中的一种，也可以是硅锗化合物，还可以具有绝缘层上硅(Silicon On Insulator, SOI)结构或硅上外延层结构；所述半导体器件可以是具有栅极、源极和漏极的金属氧化物半导体器件。
所述介电层102为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧硅化合物、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃等介质材料中的一种。
所述开口 103为接触孔或连接插塞(via)，若所述开口 103为接触孔，则所述开口 103的底部露出金属氧化物半导体器件的源极或栅极或漏极；若所述开口 103为连接孔，则所述开口 103的底部露出该介电层102下层的金属互连线，该金属互连线可以是铜或铝或铝铜合金。
形成所述开口 103的方法为光刻刻蚀工艺，其步骤可以如下在介电层102上旋涂光刻胶层(图未示)，图形化所述光刻胶层形成开口图案；刻蚀所述开口图案底部的介电层102,将所述开口图案转移到介电层102中，形成开口 103;去除所述光刻胶层。
所述金属阻挡层104为钛、氮化钽、钛和氮化钛、钽、氮化钽、钽和氮化钽中的一种或组合。所述金属阻挡层104用于阻止后续在开口103中沉积的金属钨向所述介电层102中扩散，并提高金属钨与介电层102之间的粘附性。
形成所述金属阻挡层104的方法为物理气相沉积。所述鴒金属层106至少填满所述开口 103。形成所述钨金属层106的方法可以为低压化学气相沉积。在所述介电层102上的钨金属层106的厚度为Hi，具体的，所述Hi为3000埃。
接着，请参考图10,执行第一阶段化学机械研磨，去除所述介电层102上部分厚度的钨金属层，并在所述介电层102上保留H2厚度的钨金属层106a。
其中，可以通过研磨时间来控制所述鴒金属层被去除的厚度，在其中的一个实施例中，研磨时间为30至45s。
其中，保留的厚度H2不能太厚，太厚了会增大后续的第二阶段化学机械研磨的时间，使得后续的第二阶段和第三阶段的研磨时间相差过于悬殊，增大调整第二阶段和第三阶段研磨时间使其相同的难度。在其中的一个实施例中，所述H2小于或等于所述&的二分之一。
然后，请参考图11，对所述剩余的钨金属层106a和金属阻挡层104执行第二阶段化学机械研磨，去除所述介电层102上剩余的钨金属层106a和金属阻挡层104。
去除所述介电层102上剩余的鴒金属层106a和金属阻挡层104后，保留所述开口 103中的金属阻挡层104a和钨金属层106b，形成包含金属阻挡层104a和鴒金属层106b的鴒插塞，该插塞可以是连接插塞或接触插塞。
其中，所述的第二阶段化学机械研磨可以一步完成，也可以分为多个步骤完成，下面以分为多个步骤完成为例说明该第二阶段化学机械研磨
第一步，以所述金属阻挡层104下面的膜层作为研磨终点检测层，研磨至所述金属阻挡层104下面的膜层露出被露出时为止；其中，所述金属阻挡层104下面的膜层可以是介电层或硬掩模层，本实施例中以介电层102为例进行说明；
第二步，执行过研磨，至所述介电层102上所有的钨金属层106a和金属阻挡层104全部^皮去除为止；其中，该过研磨可以以研磨时间来
12进行控制，也可以通过本领域技术人员所习知的对研磨速率的检测信号的变化来进行控制，这里不再赘述。
第三步，停止过研磨，用去离子水冲洗所述半导体结构的表面，该冲洗为原位清洗工艺，即所述半导体结构还在上述的过研磨工艺时的研磨盘上进行的清洗工艺。该清洗工艺用于清除第二阶段研磨产生的研磨颗粒以及剩余的研磨液。
其中，所述第二阶段化学机械研磨时间包括所述第一步、第二步和第三步的时间之和。
所述第二阶段化学机械研磨和第 一 阶段化学机械研磨的研磨液可以相同，该研磨液对钨金属层和金属阻挡层具有相近或相同的研磨速率，
此外，所述第二阶段化学机械研磨和第一阶段化学机械研磨可以在相同或不同的研磨垫上进行。下面以在不同的研磨垫上研磨为例进行说
明首先，提供具有第一研磨垫和第二研磨垫的研磨设备，将半导体结构100置于第一研磨垫的上的第一研磨头上，第一研磨头吸附所述半导体结构100的背面，并向下施加压力，使得钨金属层106向下接触第一研磨垫的表面，在所述钨金属层106表面和第一研磨垫之通入研磨液，旋转所述第一研磨头和第一研磨垫，通过研磨液研磨所述鵠金属层106,通过研磨液的中颗粒的机械作用以及研磨液中化学成分的腐蚀作用，使得所述鵠金属层106的厚度减小，通过控制研磨速率和研磨时间来控制所述介电层102上钨金属层106所要剩余的厚度；
完成第一阶段化学机械研磨后，由第一研磨头携带该半导体结构100至第二研磨垫上，对所述剩余鵠金属层106a和金属阻挡层104执行第二阶段化学机械研磨；同时，第二研磨头携带另外的半导体结构至所述的第一研磨头上，并开始执行第一阶段化学机械研磨。
通过所述的第二阶,殳化学机械研磨，可去除所述介电层102上的钨金属层106和金属阻挡层104,使得所述介电层102表面被露出；若所述介电层102上还具有硬掩模层，则通过所述的第二阶段化学机械研磨之后，所述硬掩模层表面被露出。完成所述的第二阶段化学机械研磨之后，执行第三阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层，如图12所示。
通过第三阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层102,通过第三阶段化学机械研磨，还可使鴒金属层106b和介电层102具有更为平坦的表面。
在所述第三阶段化学机械研磨工艺中，通过研磨时间控制去除的介电层102的厚度。在其中的一个实施例中，所述第三阶段的化学机械研磨的时间为50s至60s。
其中，所述第三阶段化学机械研磨与所述第二阶段化学机械研磨时间相同，所述第三阶段化学机械研磨与第二阶段化学机械研磨可基本同时完成，以使所述第三化学机械研磨完成之后不必再进行等待，就可以进行后续的清洗工艺，可避免在等待时外部环境(包括研磨设备中和研磨设备外部)对所述鴒金属层106b表面的影响，例如，外部环境中的水汽附着在所述介电层102表面，连接相邻的钨金属层106b，在光(包括可见光)的照射下，相邻钨金属层106b之间可借由附着在介电层102表面的水汽发生原电池反应，使得钨金属层106b表面的钨被消耗而产生凹陷，而所述第三阶段化学机械研磨和第二阶段化学机械研磨时间相同，便可消除或减少水汽在所述钨金属层106b表面的附着，进而可消除所述鴒金属层106b表面的凹陷或改善该凹陷的问题。
当所述第二阶段化学机械研磨分为三步进行，通过调整所述第三步的时间(例如减少第三步的时间)使所述第二阶段化学机械研磨与第三阶段研磨时间相同；可消除所述鴒金属层106b表面的凹陷或改善该凹陷的问题。
在另外的实施中，在所述介电层上、金属阻挡层下还具有硬掩模层，例如氮化硅层，因而在完成第二阶段化学机械研磨后，还需要通过化学机械研磨去除该硬掩模层，然后再执行第三阶段化学机械研磨工艺，此时，所述第三阶段化学机械研磨时间与去除该硬掩模层的时间相同。这里不再赘述。
此外，所述第三阶段化学研磨与第二阶段研磨可以在相同的研磨垫上进行或在不同的研磨垫上进行。所述第三阶段化学机械研磨与所述第二阶段化学机械研磨的研磨液可以不同，且根据各自的研磨液的研磨速率确定第三阶段化学机械研磨时间和第二阶段化学机械研磨时间。通过选用不同的研磨液使得所述第三阶段化学机械研磨时间和第二阶段化学机械研磨时间相同
完成第三阶段化学机械研磨后，对所述半导体结构的表面进行清洗。
在另外的实施中，还提供一种钨化学机械研磨方法，该方法如下步
骤包括
提供具有介电层的半导体结构，在所述介电层中具有开口，在所述
开口中和介电层上至少具有鵠金属层；执行第一阶段化学机械研磨，使
所述介电层表面露出；执行第二阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层；其中，所述第一阶段化学机械研磨可以一步完成或通过多个步骤完成；
若所述第一阶段化学机械研磨一步完成，所述第二阶段化学机械研磨时间与所述第一阶段化学机械研磨时间相同；若所述第一阶段化学机械研磨分为多步完成，则所述第二阶段化学机械研磨时间与所述第一阶段化学机械研磨的最后一步时间相同。这里不再赘述。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1、一种钨化学机械研磨方法，其特征在于，包括提供具有介电层的半导体结构，在所述介电层中具有开口，在所述开口中和介电层上依次具有金属阻挡层和钨金属层；执行第一阶段化学机械研磨，去除所述介电层上的部分厚度的钨金属层；执行第二阶段化学机械研磨，去除所述介电层上剩余的钨金属层和金属阻挡层；执行第三阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层；其中，所述第二阶段化学机械研磨时间与所述第三阶段化学机械研磨时间相同。
2、 如权利要求1所述的钨化学机械研磨方法，其特征在于，所述 第二阶段化学机械研磨包括如下步骤第一步，以所述介电层作为终点检测层，研磨至介电层表面露出时 为止；第二步，执行过研磨，至所述介电层上所有的钨金属层和金属阻挡 层全部去除时为止；第三步，停止研磨，用去离子水沖洗所述半导体结构的表面；其中，所述第二阶段化学机械研磨时间为所述第一步、第二步和第 三步的时间之和。
3、 如权利要求2所述的钨化学机械研磨方法，其特征在于通过 调整所述第三步的时间使所述第二阶段化学机械研磨时间与第三阶段 研磨时间相同。
4、 如权利要求1所述的钨化学机械研磨方法，其特征在于，在所 述介电层上、金属阻挡层下还具有硬掩模层，则所述方法还包括在第二阶段化学机械研磨之后、第三阶段化学机械研磨之前，执行 去除硬掩模层的研磨工艺；且所述去除硬掩模层的研磨工艺研磨的时间与所述第三化学机械研磨时间相同。
5、 如权利要求1至4任一权利要求所述的钨化学机械研磨方法， 其特征在于所述第一阶段化学机械研磨、第二阶段化学机械研磨和第 三阶段化学机械研磨在不同或相同的研磨垫上进行。
6、 如权利要求1至4任一权利要求所述的钨化学机械研磨方法， 其特征在于通过时间控制所述第三阶段化学机械研磨中去除的介电层 的厚度。
7、 如权利要求1所述的钨化学机械研磨方法，其特征在于所述 第三阶段化学机械研磨与所述第二阶段化学机械研磨的研磨液不同，且 根据各自的研磨液的研磨速率确定第三阶段化学机械研磨和第二阶段 化学机械研磨时间。
8、 如权利要求1至4任一权利要求所述的钨化学机械研磨方法， 其特征在于完成第三阶段化学机械研磨后，对所述半导体结构的表面 进行清洗。
9、 一种鴒化学机械研磨方法，其特征在于，包括提供具有介电层的半导体结构，在所述介电层中具有开口，在所述 介电层上依次具有硬掩模层、金属阻挡层和钨金属层；在所述开口中沿 所述开口侧壁具有金属阻挡层，所述金属阻挡层上具有钨金属层；执行第 一 阶段化学机械研磨，去除所述硬掩模层上的钨金属层和金 属阻挡层；执行去除所述硬掩模层的化学机械研磨； 执行第二阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层；其中，所述的去除硬掩模层的化学机械研磨时间与所述第二阶段化 学机械研磨时间相同。
10、 一种鴒化学机械研磨方法，其特征在于，包括提供具有介电层的半导体结构，在所述介电层中具有开口，在所述 开口中和介电层上至少具有钨金属层；执行第一阶段化学机械研磨，使所述介电层表面露出；执行第二阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层；其中，所述第一阶段化学机械研磨可以一步完成或通过多个步骤完成；若所述第一阶段化学机械研磨一步完成，所述第二阶段化学机械研 磨时间与所述第一阶段化学才几械研磨时间相同；若所述第一阶段化学机械研磨分为多步完成，则所述第二阶段化学 机械研磨时间与所述第 一 阶段化学机械研磨的最后 一 步时间相同。
全文摘要
一种钨化学机械研磨方法，包括提供具有介电层的半导体结构，在所述介电层中具有开口，在所述开口中和介电层上依次具有金属阻挡层和钨金属层；执行第一阶段化学机械研磨，去除所述介电层上的部分厚度的钨金属层；执行第二阶段化学机械研磨，去除所述介电层上剩余的钨金属层和金属阻挡层；执行第三阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介电层；其中，所述第二阶段化学机械研磨时间与所述第三阶段化学机械研磨时间相同。本发明能够改善化学机械研磨后钨金属层表面形成凹陷的问题或消除钨金属层表面的凹陷。
文档编号B24B1/00GK101590615SQ20081011406
公开日2009年12月2日 申请日期2008年5月30日 优先权日2008年5月30日
发明者邓永平 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司