专利名称：：电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法
技术领域：
：本发明是关于一种析出硬化型铜合金，尤其是关于一种适合用于各种电子器械部件的Cu-Ni-Si-Co系铜合金。
背景技术：
：对于连接器、开关、继电器、插脚、端子、引线框等各种电子器械部件所使用的电子材料用铜合金，作为基本特性，要求同时具有高强度及高导电性(或导热性)。近年来，电子部件的高度集成化及小型化、薄壁化迅速发展，与此相应地，对电子器械部件中所使用的铜合金的要求程度也渐渐提高。从高强度及高导电性的观点出发，析出硬化型铜合金的使用量逐渐增加，用其代替以往以磷青铜、黄铜等为代表的固溶强化型铜合金来作为电子材料用铜合金。析出硬化型铜合金通过对经固溶处理的过饱和固溶体进行时效处理，使微细的析出物均匀分散，合金的强度提高，同时减少铜中的固溶元素量，提高导电性。因此，可得到强度、弹性性能等机械性质优异，且导电性、导热性也良好的材料。析出硬化型铜合金中，一般被称为科森(Corson)系合金的Cu-Ni-Si系铜合金，是兼具有较高导电性、强度及弯曲加工性的代表性铜合金，在业界中，为目前正蓬勃进行开发的之一。此铜合金通过使微细的Ni-Si系金属间化合物粒子在铜基质中析出，提高强度与导电率。为了更进一步提高科森合金的特性，添加Ni及Si以外的合金成分，排除会对特性造成不良影响的成分，结晶组织的最优化，析出粒子的最优化等各种技术正处于开发中。例如，已知通过添加Co来提高特性。日本特开平11-222641号公报(专利文献l)中，记载了Co会与Ni同样地，与Si形成化合物而提高机械强度，Cu-Co-Si系当经时效处理时，与Cu-Ni-Si系合金相比，机械强度、导电性都仅稍微变好。而且若成本上允许的话，可以选择Cu-Co-Si系或Cu-Ni-Co-Si系。在曰本特表2005-532477号公报(专利文献2)中，记载了一种锻造铜合金，以重量计，其由镍1%~2.5%、钴0.5~2.0%、硅0.5%~1.5%、以及剩余部分的铜及不可避免的杂质所构成，镍与钴的总含量为1.7%~4.3%，(Ni+Co)/Si比为2:1~7:1，该锻造铜合金具有超过40%IACS的导电性。钴由于与硅组合，限制粒子生长且提高抗软化性，因此形成有助于时效硬化的硅化物。钴含量若少于0.5%,则含有钴的硅化物第2相的析出将会不充分。并且，将0.5%的最小钴含量与0.5%的最小硅含量组合时，固溶后的合金的粒径保持在20微米以下。记载了当钴含量超过2.5%时，过剩的第2相粒子将会析出，导致加工性的降低，以及会使铜合金具有不好的铁磁特性。在国际公开第2006/101172号小册子(专利文献3)中，记载了含有Co的Cu-Ni-Si系合金的强度会在某组成条件下大幅提高。具体而言，记载了一种电子材料用铜合金，含有Ni:约0.5~约2.5质量％、Co:约0.5~约2.5质量Q/。及Si:约0.30~约1.2质量％,剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成，该合金组成中的Ni与Co的总质量与Si的质量浓度比([Ni+Co]/Si比)为约[Ni+Co]/Si^约5,该合金组成中的Ni与Co的质量浓度比(Ni/Co比)为约0.5^Ni/Co^约2。此外，记载了在固溶处理时，若有意识地提高加热后的冷却速度，则更可有效地提高Cu-Ni-Si系铜合金的强度，所以使冷却速度为每秒约l(TC以上来进行冷却是有效的。还已知控制铜基质中的粗大夹杂物是合适的。在日本特开2001-49369号公报(专利文献4)中，记载了在进行完Cu-Ni-Si系合金的成分调整后，根据需要通过使其含有Mg、Zn、Sn、Fe、Ti、Zr、Cr、Al、P、Mn、Ag、Be,且控制、选择制造条件来控制基质中的析出物、结晶物、氧化物等夹杂物的分布，可提供一种适合作为电子材料用铜合金的材料。具体而言，记载了一种具有优异的强度及导电性的电子材料用铜合金，其特征在于，含有1.0-4.8wt。/。的Ni及0.2~1.4wt。/。的Si,剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成，而且夹杂物的大小为lOjum以下，且在平行于压延方向的剖面上，510lum的大小的夹杂物个数小于50个/mm2。此外，在该文献中记载了在半连续铸造的铸造时的凝固过程中，由于有时会生成Ni-Si系的粗大结晶物及析出物，因此对此加以控制的方法，即记载了"通过在800。C以上的温度下加热1小时以上后，进行热轧，使结束温度为65(TC以上，将粗大夹杂物固溶于基质中。然而，若加热温度为900。C以上，则会有产生大量的锈皮(scale)、且在进行热轧时会产生龟裂等问题的发生，因此优选使加热温度为800。C以上且低于卯0。C"。日本特开平11-222641号公报日本特表200S532477号公报国际公开第2006/101172号小册子日本特开2001-49369号公报
发明内容如上所述，虽然已知可通过将Co添加到Cu-Ni-Si系合金中来提高强度及导电性，然而本发明人发现，对添加有Co的Cu-Ni-Si系合金的组织进行观察时，与未添加Co时相比，散布许多粗大的第二相粒子。此笫二相粒子主要是由Co的硅化物(钴的硅化物)所构成。粗大的第二相粒子不仅对强度没有帮助，而且还会对弯曲加工性造成不良影响。粗大第二相粒子的生成，若为不含有Co的Cu-Ni-Si系合金，即使在可抑制的条件下进行制造，也无法加以抑制。即，Cu-Ni-Si-Co系合金，即使通过专利文献4所记载的在800°C90(TC的温度下加热1小时以上后再进行热轧，使结束温度为650。C以上的用以抑制粗大夹杂物生成的方法来制造，也无法使以Co硅化物为主体的粗大第二相粒子充分固溶于基质中。并且，即使通过专利文献3所教示的在固溶处理时提高加热后的冷却速度的方法，也无法充分抑制粗大的第二相粒子。因此，本发明的目的在于，提供一种粗大第二相粒子的生成得到抑制的Cu-Ni-Si-Co系合金。此外，本发明的目的在于，提供此Cu-Ni-Si-Co系合金的制造方法。本发明人为了解决上述问题而经潜心研究后，发现通过在特定条件下进行热轧及固溶处理，可抑制粗大第二相粒子的发生。具体而言，发现在Cu-Ni-Si-Co系合金的制造步骤中，通过满足下列两个条件，可抑制至几乎不会对强度或弯曲加工性造成不良影响的程度。(1)在950°C~1050。C下加热1小时以上后，进行热轧，并使热轧结束时的温度为85(TC以上，然后以15°C/s以上的冷却速度进行冷却；(2)在850°C~1050。C下进行固溶处理，然后以15°C/s以上的冷却速度进4于冷却。根据此制造方法，可使粒径超过10pm的第二相粒子消失，且可将粒径为5jum~10jum的第二相粒子抑制在50个/mn^以下。若为这种第二相粒子的分布条件，则几乎不会对强度或弯曲加工性造成不良影响。此外，虽然还已知通过添加Cr可提高强度或导电性，但是若在Cu-Ni-Si-Co系合金中添加Cr,则更加容易生成粗大的第二相粒子。这是因为Cr会形成硅化物而易于粗大化的缘故。因此，例如在专利文献2中，记载了应使铬含量为0.08%以下。然而，若根据本发明的制造方法，则即使添加其数倍的量，也可抑制粗大的Cr硅化物的生成。因此，可使添加Cr实现的正面效果更加突出，且与添加Co实现的效果相结合，可进一步提高科森合金的特性。以上述发现为基础完成的本发明的电子材料用铜合金，为含有Ni:1.0~2.5质量％、Co:0.5~2.5质量％、Si:0.30~1.20质量％,剩余部分包含Cu及不可避免的杂质的电子材料用铜合金，其中，不存在粒径超过10jum的第二相粒子，且在平行于压延方向的剖面上，粒径为5|um~10jum的第二相粒子为50个/mm2以下。本发明的电子材料用铜合金在一实施方式中，在平行于压延方向的剖面上，粒径为5/am-10jum的第二相粒子为25个/mn^以下。本发明的电子材料用铜合金在一实施方式中，进一步含有Cr最多0.5质量％。本发明的电子材料用铜合金在另一实施方式中，进一步含有选自Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag中的至少1种合金元素总计最多2.0质量％。本发明还是一种用以制造上述铜合金的制造方法，该方法包括依次进行下述步骤-将具有所需组成的铸锭熔融铸造的步骤；國在950°C~1050。C下加热1小时以上后进4亍热轧，使热轧结束时的温度为85(TC以上，且使冷却至400。C的平均冷却速度为15。C/s以上来进行冷却的步骤；-冷轧步骤；-在850°C~105(TC下进行固溶处理，且4吏冷却至400"C的平均冷却速度为15°C/s以上来进行冷却的的步骤；-任意的冷轧步骤；-时效处理步骤；及-任意的冷轧步骤。本发明还是一种使用上述铜合金的伸铜品(伸銅品)。本发明还是一种使用上述铜合金的电子部件。根据本发明，由于可抑制粗大第二相粒子的生成，因此可提供一种受到粗大第二相粒子的生成影响小的Cu-Ni-Si-Co系合金。即，由于可控制因添加Co、进而Cr所造成的负面影响，因此对合金的特性提高的正面效果是支配性的。具体而言，例如可不牺牲导电性或弯曲加工性下而提高强度。具体实施方式[第二相粒子的分布条件]若为科森系合金，则可通过实施适当的热处理，使以金属间化合物为主体的微细第二相粒子析出，且不会使导电率变差，并可实现高强度化。然而，若添加Co、进而Cr，则第二相粒子容易粗大化。粒径为1nm以上的粗大第2相粒子不仅对强度没有帮助，且会使弯曲加工性降低。特别是粒径超过lOjum的第二相粒子，由于会明显使弯曲加工性降低，因此必须要使上限为lOjum。，粒径为5jum10]um的第二相粒子，只要为50个/mm2以内的话，就不会损害强度、弯曲力口工性。根据本发明，可充分抑制以Co硅化物、Cr硅化物为代表的第二相粒子的粗大化，且可满足第二相粒子的分布的上述条件。第二相粒子行SEM^观察来P进行测定一。在本发明中:i'2相粒子的粒径是指;该条件下进行SEM观察时的环绕该粒子的最小圆的直径。因此，本发明的一个实施方式中，不存在粒径超过10jum的第二相粒子，且在平行于压延方向的剖面上，粒径为5lum10nm的第二相粒子为50个/mn^以下。本发明的一个优选实施方式中，不存在粒径超过lOium的第二相粒子，且在平行于压延方向的剖面上，粒径为5jLim10jum的第二相粒子为25个/mn^以下。本发明的一个更优选的实施方式中，不存在粒径超过10pm的第二相粒子，且在平行于压延方向的剖面上，粒径为5jum~lOjum的第二相粒子为20个/mm2以下。本发明的一个更优选的实施方式中，不存在粒径超过10jum的第二相粒子，且在平行于压延方向的剖面上，粒径为5jum~10jum的第二相粒子为15个/mn^以下。在本发明中，第二相粒子主要是指硅化物，但并不限于此，也可指在熔融铸造的凝固过程中所产生的结晶物和在之后的冷却过程中所产生的析出物、在热轧后的冷却过程中所产生的析出物、在固溶处理后的冷却过程中所产生的析出物、以及在时效处理过程中所产生的析出物。Ni、Co及Si,可通过实施适当的热处理来形成金属间化合物，且不会使导电率变差，并可实现高强度化。Ni、Co及Si的各添加量，若Ni小于1.0质量0/0,Co小于0.5质量％,Si小于0.3质量。/。，则无法得到所需的强度，相反地，若Ni超过2.5质量％，0)超过2.5质量％,Si超过1.2质量。/。，则虽可实现高强度化，但导电率却会明显降低，并且热加工性也会变差。因此，使Ni、Co及Si的添加量为Ni:1.0~2.5质量％，Co:0.5~2.5质量％，Si:0.30~1.2质量％。优选为Ni:1.5~2.0质量％,Co:0.5~2.0质量%，Si:0.5~1.0质量％。Cr可通过实施适当的热处理，4吏Cr单独或以其与Si的化合物即Cr硅化物的形式在铜母相中析出，不会损害强度，并可谋求导电率的提高。因此，可在本发明的Cu-Ni-Si-Co系合金中添加Cr最多0.5质量％。，若小于0.03质量％，则该效果小，若超过0.5质量％，则由于会形成对强化没有帮助的未固溶粒子，损害加工性，因此优选添加0.03~0.5质量％,更优选添加0.1~0.3质量％。[其它的添加元素]通过进一步添加规定量的Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag,表现出各种效果，可彼此补其不足之处，不仅改善强度、导电率，还具有改善弯曲加工性、镀敷性及受铸块组织微细化影响的热加工性等制造性的效果，因此可根据所要求的特性，将一种以上的上述元素适当添加到本发明的Cu-Ni-Si-Co系合金中，在该种情形下，其总量最多为2.0质量％，优选为0.001~2.0质量％,更优选为0.01~1.0质量％。相反地，若这些元素的总量小于0.001质量％,则无法得到所需的效果，若超过2.0质量％,则导电率将会明显降低，且制造桥也会显著变差，所以不优选。科森系铜合金的一般制造步骤中，首先使用大气熔化炉，将电解铜、Ni、Si、Co等原料熔化，得到所需组成的熔融金属。接着，将此熔融金属铸造成铸锭。然后，进行热轧，并反复进行冷轧与热处理，精加工成具有所需厚度及特性的条、箔。热处理存在固溶处理与时效处理。固溶处理中，在约700-约1000。C的高温下进4t加热，4吏Ni-Si系化合物、Co-Si系化合物固溶于Cu基质中，同时使Cu基质重结晶。有时固溶处理也可通过热轧来进行。时效处理中，是在约350~约550。C的温度范围内加热1小时以上，使经固溶处理固溶的Ni和Si的化合物及Co和Si的化合物以微细粒子的形态析出。通过此时效处理可提高强度与导电率。为了得到更高的强度，有时会在时效前及/或时效后进行冷轧。此外，在时效后进行冷轧时，有时会在冷轧后进行去应变退火(低温退火)。在上述各步骤之间，适当时可进行用以去除表面氧化锈皮的研磨、抛光、喷砂酸洗等。本发明的铜合金虽然经过上述制造步骤，但为了防止第二相粒子的粗大化，严格控制热轧与固溶处理的进行是重要的。在铸造时的凝固过程中，会不可避免地生成粗大的结晶物，在其冷却过程中则会不可避免地生成粗大的析出物。因此，在之后的步骤中，必须将这些第二相粒子固溶于母相中，而若在950°C~1050。C下保持1小时以上后再进行热轧，并使热轧结束时的温度为850。C以上的话，则即使添加有Co、进而Cr时，也可将其固溶于母相中。950。C以上的温度条件，与其它科森系合金的情况相比，为较高的温度设定。若热轧前的保持温度低于950°C，则固溶将会不充分，若超过105(TC,则材料有可能熔化。此外，若热轧结束时的温度低于850°C,则由于所固溶的元素会再度析出，因此无法得到高强度。即使使上述第二相粒子固溶，若热轧结束后的冷却过程中冷却速度慢，则也会导致Cr及/或Co的硅化物容易析出。若在其后的步骤中，以此种组织进行以提高强度为目的的热处理(时效处理)，则由于在冷却过程中，将会以析出的析出物为核，生长为对强度没有帮助的粗大析出物，因此无法得到高强度。然而，若提高冷却至硅化物析出显著的40(TC的平均冷却速度，具体而言，若使该平均冷却速度为15。C/s以上的话，则可以抑制该硅化物的析出。在固溶处理时也相同，可通过4吏固溶处理温度为850°C~1050。C来固溶第二相粒子。固溶处理后的冷却也如上述理由，必须使其快速，冷却至40(TC的平均冷却速度同样必须为15°C/s以上。若不管理热轧后的冷却速度，而仅对固溶处理后的冷却速度加以控制，也无法通过之后的时效处理来充分抑制粗大的第二相粒子。热轧后的冷却速度以及固溶处理后的冷却速度必须都加以控制。上。作为使冷却快速的方法，水冷为最有效的方法。但是，由于因水冷所用的水的温度会使冷却速度改变，因此可通过管理水温来4吏冷却更加快速。若水温为25。C以上，则有时会无法得到所需的冷却速度，因此优选保持在25。C以下。若将材料放进储存有水的槽内进行水冷，则由于水的温度易上升至25。C以上，因此优选喷雾成雾状(喷淋状或雾气状)使材料在一定的水温(25。C以下)下冷却，或是以一直有冷水流到水槽中的方式来防止水温上升。此外，也可通过增设水冷喷嘴、增加每单位时间的水量来提高冷却速度。本发明中，"冷却至40(TC的平均冷却速度"，是指计测材料从热轧结束温度或固溶处理温度冷却至40(TC的时间，以"(固溶温度-400)(。C)/冷却时间(s)，，算出的值(。C/s)。此外，时效处理的条件，只要有助于析出物的微细化，以平常所惯用进行的条件即可，但需注意设定温度及时间以使析出物不粗大化。时效处理的条件的一例是在350~550°C的温度范围内进行1~24小时，更优选为在400-50(TC的温度范围内进行1-24小时。而且，时效处理后的冷却速度几乎不会对析出物的大小造成影响。本发明的Cu-Ni-Si-Co系合金可加工成各种伸铜品，例如板、条、管、棒及线，并且，本发明的Cu-Ni-Si-Co系铜合金，可用于引线框、连接器、插脚、端子、继电器、开关、二次电池用箔材等电子部件等中。以下对本发明的实施例和比4支例进行i兌明，但是这些实施例，4又是为了更加了解本发明及其优点而提供的，并非用以限定本发明。用高频熔化炉，在130(TC下将表1所记载的各种成分组成的铜合金加以熔炼，铸造成厚度30mm的铸锭。接着，将此铸锭加热至1000。C后，以各种最后温度(热轧结束温度)进行热轧至板厚为10mm,迅速地以各种冷却速度冷却至40(TC,最终为IO(TC以下。然后，为了去除表面的锈皮，实施平面切削至厚度为9mm后，通过冷轧制成厚度为0.3mm的板。接着在950。C下进行120秒的固溶处理，然后马上以各种冷却速度将其冷却至400°C,最终为IO(TC以下。之后进行冷轧至0.15mm,最后在50(TC下用3小时在惰性环境气体中实施时效处理，制得试验片。对以上述方式所制得的各试验片，以下述方式进行析出物的分布、强度、导电性及弯曲加工性的特性评价。第二相粒子，是通过使用直径为lnm的金刚石研磨粒的机械研磨，将材料平行于压延方向的剖面精加工成镜面之后，在2(TC、47°Be(波美)的氯化铁水溶液中，进行搅拌的同时浸渍2分钟。通过此蚀刻处理将Cu基质加以溶解，使第二相粒子残留而出现。使用FE-SEM〔场发射型扫描电子显微镜，PHILIPS公司制〕，在IOOO倍的倍率(观察一见野100x120lum)下，对此剖面任意观察10个部位，计数粒径5~10nm的析出物的个数、及粒径超过10jum的析出物的个数，然后算出每lmn^的个数。可通过使用FE-SEM的EDS〔能散X射线分析〕分析其代表形态者，来确认第二相粒子为硅化物。关于强度，可进行压延平行方向的拉伸试-睑来测得0.2%屈服点(YS:MPa)。关于导电率(EC;%IACS)，可通过惠斯登电桥所测得的体积电阻率来求得。弯曲加工性的评〗介，以Badway(弯曲轴的方向与压延方向相同)的W弯曲试验，使用W字型模具，在试样板厚与弯曲半径之比为1的条件下进行90。弯曲加工。评价是以光学显微镜观察弯曲加工部表面，将未观察到裂痕的情形判断为实用上没有问题，表示为O，有裂痕的情形则为x。结果示于表1。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>表l中，作为热轧后的冷却条件的水冷3，是浸渍于相对试验片体积(100000mm3)为50倍的水量的水槽中的情形，水冷2是与水冷3相比增加10。/。水量的情形，水冷1则是与水冷3相比增加20%水量，且使用流水将水槽中的水温管理在25。C以下的情形。空气冷却是放置在空气中冷却的情形。作为固溶处理时的冷却条件的水冷3,是浸渍于相对试^r片体积(2500mm3)为50倍的水量的水槽中的情形，水冷2是与水冷3相比增加10%水量的情形，水冷1则是与水冷3相比增加20%水量，且使用流水将水槽中的水温管理在25。C以下的情形。空气冷却是放置在空气中冷却的情形。以下i兌明各试4t片。No.l~No.22为本发明的实施例。可知强度、导电性及弯曲加工性都达到高水平。No.23为未添加Co及Cr的例子。可知在此情形下，即使不严格管理热轧后、固溶处理时的冷却条件，也可抑制粗大的析出物。从No.24可知，即使仅添加少量的Co,若不管理冷却条件及最后温度，则会产生相当量的析出物，即Co很容易产生析出物。No.25是在No.24的试验片中进一步添加有微量Cr的例子，析出物的量进一步増加。由此可知，Cr特别容易产生析出物。No.26及No.27为热轧后的冷却条件适当，但最后温度及固溶处理时的冷却条件不适当的例子。No.28为最后温度适当，但是热轧后及固溶处理时的冷却条件不适当的例子。No.29为最后温度及固溶处理时的冷却条件适当，但是热轧后的冷却条件不适当的例子。No.30为组成条件适当，但是冷却条件及最后温度都不适当的例子。No.31为组成条件适当，但是冷却条件及最后温度都不适当的例子。No.32为固溶处理时的冷却条件适当，但最后温度及热轧后的冷却条件不适当的例子。No.33与No.31相同，为冷却条件及最后温度都不适当的例子，并且是使热轧后的冷却速度更慢的例子。No.34为相对于No.33,进一步4吏固溶处理后的冷却速度更'隄的例子。No.35为Co的量过剩，且冷却条件及最后温度都不适当的例子。No.36为在No.35的试^r片中进一步添加有微量Cr的例子。权利要求1.一种电子材料用铜合金，其含有Ni1.0～2.5质量％、Co0.5～2.5质量％、Si0.30～1.20质量％，剩余部分包含Cu及不可避免的杂质，其中，不存在粒径超过10μm的第二相粒子，且在平行于压延方向的剖面，粒径为5μm～10μm的第二相粒子为50个/mm2以下。2.如权利要求1所述的铜合金，其中，在平行于压延方向的剖面，粒径为5|um~10jum的第二相粒子为25个/mm2以下。3.如权利要求1或2所述的铜合金，其中，进一步含有Cr最多0.5质量％。4.如权利要求1~3中任意一项所述的铜合金，其中，进一步含有选自Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及Ag中的至少1种合金元素总计最多2.0质量％。5.权利要求1~4中任意一项所述的铜合金的制造方法，包括依次进行下述步骤-将具有所需组成的铸锭熔融铸造的步骤；-在950°C~1050。C下加热1小时以上后进4亍热轧，4吏热轧结束时的温度为85(TC以上，且使冷却至40(TC的平均冷却速度为15。C/s以上来进行冷却的步骤；-冷轧步骤；-在850°C~1050。C下进行固溶处理，且使冷却至400。C的平均冷却速度为15°C/s以上来进行冷却的步骤；-任意的冷轧步骤；-时效处理步骤；及-任意的冷轧步骤。6一种伸铜品，使用权利要求1~4中任意一项所迷的铜合金。7一种电子部件，使用权利要求i~4中任意一项所述的铜合金。全文摘要本发明提供一种粗大第二相粒子的生成得到抑制的Cu-Ni-Si-Co系合金。在Cu-Ni-Si-Co系合金的制造步骤中，(1)热轧是在950℃～1050℃下加热1小时以上后进行，使热轧结束时的温度在850℃以上，以15℃/s以上的冷却速度进行冷却，且(2)固溶处理在850℃～1050℃下进行，然后以15℃/s以上的冷却速度进行冷却。根据本发明，可提供一种电子材料用铜合金，其含有Ni1.0～2.5质量％、Co0.5～2.5质量％、Si0.30～1.20质量％，剩余部分包含Cu及不可避免的杂质，其中，不存在粒径超过10μm的第二相粒子，在平行于压延方向的剖面上，粒径为5μm～10μm的第二相粒子为50个/mm<sup>2</sup>以下。文档编号C22C9/06GK101646791SQ20088001017公开日2010年2月10日申请日期2008年3月28日优先权日2007年3月30日发明者桑垣宽申请人:日矿金属株式会社