专利名称：伪基板和使用该伪基板的成膜装置的启动方法、成膜条件的维持或变更方法及停止方法
技术领域：
本发明涉及伪基板和使用该伪基板的成膜装置的启动方法、成膜条件的 维持或变更方法及停止方法，更详细地，涉及适用于直列式溅射装置，并能够 以更短的时间更有效且低成本地进行该装置的启动、该装置的成膜条件的维持 或变更及该装置的停止的伪基板，以及使用该伪基板的成膜装置的启动方法、 成膜条件的维持或变更及停止方法，该直列式溅射装置在賊射成膜室中，在保 持基板的移载单元连续移动的状态或静止的状态下，通过賊射法在所述基板的 表面形成化合物薄膜。
本申请基于2007年4月18日在日本申请的专利申请2007-109275号主 张优先权，在此引用其内容。
背景技术：
目前，在液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)等中，为了在大 面积的玻璃基板上以均匀的膜厚大量且连续地形成透明电极、电介质膜、绝 缘膜等薄膜，提出了各种溅射装置。
这些当中有一种直列式'賊射装置。该装置在溅射成膜室内一列地配置有 多个溅射阴极，在将保持基板的托架(移载单元)沿着溅射阴极的排列方向 以一定的速度移动的过程中，从靶击出的靶材沉积在基板上，从而在基板上 形成所需的薄膜，能够在大面积的玻璃基板上大量且连续地形成膜厚均匀的 薄膜(专利文献1 )。
对于该直列式溅射装置，从装置的开启(启动)到生产，出于以下(l) ~(4)的目的，需要同时进行加热、溅射、托架运送等。
(1 )使托架和靶周围的结构物的温度分布稳定。
3(2) 使托架和靶周围的结构物的脱气稳定。
(3) 去除附着在靶的表面的杂质。这通常被称为预賊射。
(4 )靶的放电电力的阶段性上升。这通常被称为斜升(，>， 7°)。 在开启这种装置时，代替用于产品的基板使用与其同样形状的玻璃板作 为伪基才反。
此外，在制造规格不同的产品的情况下，需要变更成膜条件、賊射、托 架运送等。在这种情况下，也代替用于产品的基板使用与其同样形状的玻璃 板作为伪基板。
此外，在对装置进行维护的情况或发生故障的情况等中，需要将装置内 部的被加热的部分冷却到室温程度之后，将该装置的真空区域向大气开放。 其理由是因为，如果将真空区域在100。C以上的温度下向大气开放，真空区
域内的正在加热的部件的表面会氧化，在之后进行溅射的情况下'践射时的环 境变得不稳定。
这样，由于装置的开启和关闭(停止)需要相当的时间，例如，在平常 的生产时，为了在产品用基板的交货延迟、基板向装置的供给中断的情况下， 消除装置的停止以及再开启所需要的时间，迅速地再开始生产，多会维持成 膜条件、溅射、托架运送。
在维持这种装置时，代替产品用基板使用与其同等形状的玻璃板作为伪 基板。近年来，代替玻璃板，也提出了使用铬镍铁合金等镍基合金、镀镍材、
铝等的金属板的伪基板(专利文献2、 3)。
专利文献1:日本专利公开2002-60938号公报
专利文献2:日本专利7>开2003-229369号7>报
专利文献3:日本专利公开平成11-152564号公报
由于在现有的直列式溅射装置中，当装置的开启、关闭、或成膜条件的 维持或变更时使用玻璃板作为伪基板，存在如下的问题。
(1)在装置的开启或维持或变更的情况下，随着向玻璃板的薄膜附着量 的增加，膜的应力变大，因此向该玻璃板的负载增大，其结果是，成膜、托架运送、进行对托架的装卸时存在有可能发生玻璃破裂的问题。这样，在将玻璃 板用作伪基板的情况下，虽然根据装置等的不同使用次数会有一些不同，但通
常使用限度在7 8次左右。
(2)由于装置的开启和关闭各需花费数小时的时间，玻璃破裂等故障 的发生将使得装置长时间停止，不仅使生产率下降，还有可能发生产品的交 货延迟等的问题。
特别是，在24小时连续运转的生产线等中，需要防止玻璃破裂等故障， 因此为了减少每一片玻璃基板的使用次数，必须要有很多伪基板。
近年来，由于液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)等的面板尺 寸大型化带来的玻璃基板的大型化，伪基板也已经大型化，玻璃破裂等故障 成为了使伪基板的成本增加的主要原因。
此外，即使在现有的使用金属板的伪基板中，虽然没有玻璃破裂等故障， 但由于金属的比重比玻璃板大，因此向托架施加更多的负重。于是，如果要 与玻璃板的重量同等，必须使金属板的厚度非常薄，产生强度不足等新的问 题。
发明内容
本发明为了解决上述课题而产生，其目的在于，提供伪基板以及使用该 伪基板的成膜装置的启动方法、成膜条件的维持或变更方法及停止方法，能够 以比以前更短的时间且有效并低成本地进行通过溅射法形成化合物薄膜的装 置的启动(开启)、成膜条件的维持或变更及装置的停止(关闭)。
本发明人对利用溅射法形成化合物薄膜的直列式溅射装置的运行进行 研究的结果发现，将形成有开口部的金属板作为伪基板使用，利用该伪基板 覆盖托架(移载单元)的与该伪基板的接触部分，则能够以比以前更短的时 间、并有效且低成本地进行该溅射装置的启动(开启)、成膜条件的维持或 变更及装置的停止(关闭)，从而完成了本发明。
即，本发明的伪基板用于下述装置中替代基板而使用，该装置为在将多个用于保持所述基板的移载单元在溅射成膜室中沿着这些基板的表面上的一个方向一列地配置，在使这些移载单元连续移动的状态或静止的状态下利用溅射法在所述基板的表面形成化合物薄膜的装置，该伪基板的特征在于，所述伪基板具有在金属构成的板状体上形成有开口部的主体部，通过该主体部至少覆盖所述移载单元的与所述主体部的接触部分。
在该伪基板中，由于使主体部为形成有开口部的金属构成的板状体，因此即使在装置运行过程中，也不可能发生玻璃破裂等不良情况，提高伪基板的使用次数。
由此，将能够缩短在装置的启动(开启)、成膜条件的维持或变更及装置的停止(关闭)的各情况中的装置的停止时间，装置的运转率将提高。
此外，利用主体部至少覆盖上述移载单元的与上述主体部的接触部分，从而化合物薄膜将不会堆积在该移载单元与上述主体部的接触部分，由于化合物薄膜堆积在该移载单元上产生的异常放电等不良情况将不可能发生。
所述伪基板可以为上述主体部的外周形状为与上述基板同等的形状，并且可以为与上述基板同等的重量。
在该伪基板中，通过使主体部的外周形状为与上述基板同等的形状，并且与上述基板同等的重量，装置的开启、成膜条件的维持或变更及装置的关闭等时候的成膜条件、运转条件等各种条件成为与上述基板相同的条件，不需要再调整上述各种条件等多余的工作。
进一步地，在该伪基板中，金属的比重比玻璃板的比重大，要想为了避免向托架施加过多的负重，设置为与玻璃板同等的重量时，通过使用形成有开口部的金属构成的板状体，从而不需要使金属板的厚度非常薄，不会引起强度不足等问题，能够实现与玻璃板同等的质量。也就是说，通过将开口部设计为合适的大小，能够使该伪基板的主体部的外周形状、质量、还有厚度与上述基板同等。由此，装置的开启、成膜条件的维持或变更及装置的关闭等时候的成膜条件、运转条件等各种条件成为与上述基板相同的条件，不需要再调聱上述各种条件等多余的工作。对于所述伪基板，在所述主体部中，至少与所述移载单元的接触部分的
表面粗糙度Ra可以为3.2(im以下。
在该伪基板中，通过将上述主体部中，至少与上述移载单元的接触部分的表面粗糙度Ra设置为3.2pm以下，该伪基板与移载单元的接触部分的接触状态变得紧密，该接触部分通过伪基板被气密地覆盖。由此，化合物薄膜不会附着在该接触部分，防止由于化合物薄膜堆积在该移载单元上产生的异常放电等不良情况。
此外，伪基板在移载单元上的装卸能够与上述基板的装卸同样地进行。
本发明的第二方式为 一种使用本发明的伪基板并启动成膜装置的方法，在溅射成膜室中，多个保持所述伪基板的移载单元沿着这些伪基板的表面上的一个方向一列地配置，在使这些移载单元连续移动的状态或静止的状态下使成膜条件变化，之后，稳定在所需的成膜条件。
在该成膜装置的启动方法中，在溅射成膜室中，多个保持本发明的伪基板的移载单元沿着这些伪基板的表面上的一个方向一列地配置，在使这些移载单元连续移动的状态或静止的状态下使成膜条件变化，之后，稳定在所需的成膜条件，从而在装置的启动时的成膜、托架运送、向托架的装卸中的任何一个情况下都不会发生玻璃破裂等不良情况，能够以短时间进行装置的启动。
此外，通过使用本发明的伪基板，提高伪基板的使用次数，削减伪基板本身的成本。
由此，装置的生产率提高，削减与启动相关的成本。本发明的第三方式为使用本发明的伪基板并维持或变更成膜装置的成膜条件的方法，在主溅射后，使所述伪基板保持在用于保持基板的移载单元
上，在';贱射成膜室中，多个保持所述伪基板的所述移载单元沿着这些伪基板的表面上的一个方向一列地配置，在使这些移载单元连续移动的状态或静止的状态下维持或变更成膜条件，之后，将所述伪基板替换为所需的基板，进行主賊射。在该成膜装置的维持或变更方法中，在主溅射后，使上述伪基板保持在用于保持基板的移载单元上，在使该移载单元连续移动的状态或静止的状态下维持或变更成膜条件，之后，将上述伪基板替换为所需的基板，进行主溅射，从而在维持或变更成膜条件时，在成膜、托架运送、向托架的装卸中的任何一个情况下，都不会发生玻璃破裂等不良情况，能够以短时间进行成膜条件的维持或变更。
此外，通过使用本发明的伪基板，提高伪基板的使用次数，削减伪基板本身的成本。
由此，装置的生产率提高，也削减与成膜条件的维持或变更相关的成本。
本发明的第三方式为使用本发明的伪基板并停止成膜装置的方法，在溅射成膜室中，多个保持所述伪基板的移载单元沿着这些伪基板的表面上的一个方向一列地配置，在使这些移载单元连续移动的状态或静止的状态下，将所述賊射成膜室内冷却，之后，停止该成膜装置。
在该成膜装置的停止方法中，通过在使保持伪基板的移载单元连续移动的状态或静止的状态下，将溅射成膜室内冷却，即使在该冷却过程中，伪基板也持续覆盖移载单元与基板的接触部分。因此，残存在溅射成膜室内的物质，特别是化合物薄膜不会堆积在该移载单元与基板的接触部分。
发明效果
根据本发明的伪基板，由于具有在金属构成的板状体上形成有开口部的主体部，即使在装置运行过程中，也不可能发生玻璃破裂等不良情况，能够提高伪基板的使用次数。
因此，能够缩短或消除装置的启动(开启)、成膜条件的维持或变更及装置的停止(关闭)时的装置的停止时间，能够使装置的运转率提高。
此外，由于通过该主体部至少覆盖移载单元的与主体部的接触部分，能
够防止化合物薄膜向该移载单元与主体部的接触部分堆积，因此，能够防止
由该化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况。
根据本发明的成膜装置的启动方法，由于多个保持本发明的伪基板的移载单元沿着这些伪基板的表面上的一个方向一列地配置，在使这些移载单元连续移动的状态或静止状态下使成膜条件变化，之后，稳定在所需的成膜条件，因此能够防止化合物薄膜向移载单元与主体部的接触部分堆积，能够消除由该化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况，能够比以前更短的时间、并有效且低成本地进行装置的启动(开启)。
根据本发明的成膜装置的成膜条件的维持或变更方法，由于在主溅射后，使本发明的伪基板保持在移载单元上，在溅射成膜室中，多个保持上述伪基板的上述移载单元沿着这些伪基板的表面上的一个方向一列地配置，在使这些移载单元连续移动的状态或静止的状态下维持或变更成膜条件，因此能够防止化合物薄膜向移载单元与主体部的接触部分堆积，能够消除由该化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况，能够以比以前更短的时间、并有效且低成本地进行成膜条件的维持或变更。
根据本发明的成膜装置的停止方法，由于在溅射成膜室中，多个保持本发明的伪基板的移载单元沿着这些伪基板的表面上的一个方向一列地配置，在使这些移载单元连续移动的状态或静止的状态下，将上述溅射成膜室内冷却，因此即使在该冷却过程中，伪基板也持续覆盖移载单元与上述基板的接触部分，从而能够防止残存在賊射成膜室内的物质，特别是化合物薄膜堆积在该移载单元与伪基板的接触部分，能够防止由化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况。其结果是，能够使装置的生产率提高。
图1为表示本发明一个实施方式的直列式反应性溅射装置的模式图2为表示本发明一个实施方式的直列式反应性溅射装置的托架的俯视
图3为表示本发明一个实施方式的直列式反应性溅射装置的托架的夹紧件的剖-见图4为表示本发明一个实施方式的直列式反应性溅射装置的托架的基板托件的主视图； 、图5为表示本发明一个实施方式的伪基板的主视图6为表示本发明一个实施方式的伪基板的变形例的主视图。
符号说明
1賊射装置，2前室，3'賊射成膜室，4后室，5入口侧区域，6'减射区域， 7出口侧区域，ll真空泵，12托架，13伪基板，14賊射阴极，15靶，16惰性 气体导入管，17反应性气体导入管，21主体，22开口， 23夹紧件，24基板托 件，25保持架主体，31夹紧件主体，31a前端部，32轴，33承载部，34挤压 部，41凹部，42承载部，43螺才全，44^反簧，51主体，52金属一反，53开口部， 54吸附区域，61伪基板，62板条
具体实施例方式
以作为成膜装置的 一种的直列式反应性溅射装置为例，说明用于实施本发 明的伪基板和使用该伪基板的成膜装置的启动方法、成膜条件的维持或变更方 法及成膜装置的停止方法的最佳方式。
该方式是为了能够更好地理解发明的主旨的具体的说明，除特别指定之外， 并不限定本发明。
此外，用于以下说明的各附图中，为了使各部件为能够识别的大小，适宜 地变更了各部件的比例。
图1为表示应用本发明一个实施方式的伪基板的直列式反应性溅射装 置的模式图。
该濺射装置1由前室2、溅射成膜室3和兼反转室的后室4构成，该溅 射成膜室3由入口侧区域5、溅射区域6和出口侧区域7三个区域构成，在 该入口侧区域5、溅射区域6和出口侧区域7的宽度方向的中心位置，设置 有用于将这些区域区分为前往通路(图l中下侧)和返回通路(图l中上侧) 两个系统的隔才反8。
在该溅射装置l中，在返回通路的情况下，前室2担当后室的功能而后 室4担当前室的功能，但在此为了方便，以前往通路的情况作为基准，称作前室2和后室4。
该前室2、賊射成膜室3的入口侧区域5和出口侧区域7、后室4中分 别设有真空泵11，多个用于运送基板的托架(移载单元)12连续地分别配 置在这些区域2 4内的前往通路和返回通3各中，并能够沿该配置方向(图1 中的左右方向)在这些区域2 4内移动且能够保持在指定的位置。在这些托 架12的指定位置上，成为产品的玻璃基板(图示省略)、伪基板13在略垂 直地立起的状态下被保持。
另一方面，在賊射区域6内的两侧壁上，沿着托架12的前往通路和返 回通路各自的移动方向上设有多个溅射阴极14，这些溅射阴极14上安装有 作为化合物薄膜的溅射材料的靶15。这些靶15被定位为，与安装在托架12 的指定位置上的玻璃基板(图示省略)、伪基板13的表面间隔指定的距离 ^目面3于。
在该溅射阴极14的附近，朝向托架12配置有用于导入Ar等惰性气体 的惰性气体导入管16,以及用于导入02等反应性气体的反应性气体导入管 17。
此外，前室2和后室4也设有惰性气体导入管16和反应性气体导入管17。
关于托架12,如图2所示，在铝制的矩形板状框体构成的主体21的中 央部，设有同样为矩形板状的框体构成的钛制的保持架主体25。此外，形 成有用于保持成为产品的玻璃基板(图示省略)、伪基板13的开口22，在 该主体21的开口 22侧的边缘部上，相隔指定的间隔设有多个(图2中为 16个)用于保持玻璃基板、伪基板13的作为保持工具的一种的夹紧件23, 进一步地，保持架主体25的下部的开口 22侧的边缘部上，夹着内侧的两个 夹紧件23而设有多个基板托件24 (图2中为4个)。
关于夹紧件23,如图3所示，在保持架主体25的前端部25a上，设置
有以轴32为中心旋转自如的金属构成的夹紧件主体31。在前端部25a上，
设有用于保持玻璃基板、伪基板13的硬质树脂构成的承载部33,夹紧件主体31的前端部31a上也设有用于挤压并保持玻璃基板、伪基板13的硬质树 脂构成的^^压部34。
在该夹紧件23中，在使夹紧件主体31以轴32为中心向外侧旋转使得 挤压部34远离保持架主体25的前端部25a的状态下，将玻璃基板、伪基板 13放置在承载部33上，接下来，使夹紧件主体31以轴32为中心向保持架 主体25的前端部25a侧旋转，利用挤压部34纟齐压玻璃基板、伪基板13， /人 而能够将玻璃基板、伪基板13保持在指定位置上。此外，通过使夹紧件主 体31以轴32为中心向外侧旋转，使玻璃基板、伪基板13从夹紧件23释放， 并能够从托架12取下。
关于基板托件24，如图4所示，通过移动自如地安装在主体21的长孔 (图示省略)中的螺栓43以及板簧44,硬质树脂构成的正方形板状的承载 部42被安装在形成在保持架主体25的下部的开口 22侧的边缘部的凹部41 中。该承载部42能够沿着朝向开口 22的方向(图4中的上下方向)移动。
关于伪基板13，如图5所示，其主体51的外周形状与成为产品的玻璃 基板的形状同等，并且，具有与该玻璃基板同等的重量。
在此，所谓具有与玻璃基板同等的重量，是指重量在相对于玻璃基板的 重量的±50%的范围内。
通过使伪基板13的重量与玻璃基板的重量同等，能够使托架12稳定地 移动。
该伪基板13由形成有与矩形的金属板52相似形状的开口部53的矩形 板状的框体构成，也就是呈所谓框状的形状。通过该主体51，覆盖托架12 的接触部分。
作为构成该主体51的金属，优选具有与玻璃基板的线膨胀系数近似的 线膨胀系数的金属。在此，所谓与玻璃基板的线膨胀系数(3.0xl(rV。C ~4.0xl(T6/°C )近似的线膨胀系数，是指线膨胀系数在相对于玻璃基板的线 膨胀系数的± 400%的范围内。
此外，该金属的比重虽然没有特别限定，但考虑到是框体且在操作时不受到风的吹动，能够在产品玻璃基板的比重的1.6倍范围内承受。
作为这种金属，可以列举出例如纯钛(比重4.51g/cm3,线膨胀系数 8.40x 10-6/。C,以下同)、钬合金(比重4.43g/cm3，线膨胀系数8.80 x 1(rV。C) 、 42合金等镍基合金(比重:8.15g/cm3，线膨胀系数4.50xlO'V 。C )、重合金HAX1等钨合金(比重18.1g/cm3，线膨胀系数4.90 xl(T6/ 。C ) 、 SUS405等不锈钢(比重:7.7g/cm3，线膨胀系数10.40 x l(T6/°C )、 铁或铁基合金(比重9g/cm3,线膨胀系数11.20 x 1(T6/°C )、铝或铝基合 金(比重2.68g/cm3，线膨胀系数23.80 x l(T6/°C )、镁合金(比重1.78g/cm3， 线膨胀系数28.80 x 10-6/。C )、铬(比重7.19g/cm3,线膨胀系数6.20 xlO-6/°C)、钒(比重6.1g/cm3，线膨胀系数8.30 x l(T6/°C )。此外， 也可以使用虽然是非金属但是半导体材料的硅(比重2.33g/cm3，线膨胀系 数5.00 x 10-6/。C )。
其它还可以使用4L、镝、铽、锗、镨、镧、锆等。
在该主体51的边缘部上，托架12的吸附垫(图示省略)接触的吸附区 域54对应着该吸附垫的位置而形成在多处地方(图5中为38个)。
该伪基板13由于使用与产品基板用的移载机(机器人)相同规格的移 载机(机器人)进行向托架的装卸，因此伪基板的重量优选在产品基板的重 量的80~120%的范围内。 上述机器人的手上的吸附垫(有多个)吸附该伪基板13的吸附区域54 的表面粗4造度Ra优选在3.2pm以下，更加优选在0.5nm以下。
在此，将吸附区域54的表面粗糙度Ra限定在3.2pm以下的原因是， 如果表面粗糙度Ra在3.2jmi以下，则与托架12的吸附才几构的接触状态将变 得紧密，伪基板13与托架12的吸附机构之间的吸附力升高到指定的吸附力 以上，确保真空吸附的可靠性。此外，为了伪基板13不损伤树脂制的吸附 塾。
例如，假设托架12的吸附垫的直径为32mm,其表面粗糙度Ra为3.2pm 时，该p及附区^或54的直径为50mm。 t此外，如果考虑操作时风的吹动及吸附垫的风化等，吸附垫的吸附力的余度可以作为相对玻璃基板的全重量的安全系数来表示。例如，假设伪基板
13的重量为约13kg,玻璃基板的重量为约12kg时，吸附垫整体的吸附力为30.156kg。因此，该吸附垫整体的吸附力的余度能够作为相对玻璃基板的总重量的安全系数2.5来表示。
在托架中，基板下部由树脂制的基板托件支撑。为了防止该基板托件的损伤，伪基板的外周(至少在托架下侧被基板托件支撑的外周部分)的端部优选形成为半圆形。
图6为表示本发明的伪基板的变形例的俯视图，该伪基板61与上述伪基板13的不同点在于在开口部53上设有交叉的板条62。该伪基板61也能够起与上述伪基板13完全相同的效果。此外，在图6中该板条62为倾斜交叉的一对板条，但并不特别限于这种形状，可以在向伪基板61的板条62的薄膜附着量增加时，在能够允许膜的应力导致的伪基板61的变形等不良情况的范围内可以进行各种改变。
如以上说明所述，由于根据该伪基板13,形成有与矩形的金属板52相似形状的开口部53，在賊射装置运行过程中，也不可能发生玻璃破裂等不良情况，能够大幅提高伪基板的使用次数。
因此，能够缩短或消除装置的启动(开启)、成膜条件的维持或变更及停止(关闭)时的装置的停止时间，能够提高装置运行率。
此外，由于通过该主体51，覆盖托架12的与主体51的接触部分，能够防止化合物薄膜向该托架12的接触部分堆积。因此，能够防止由该化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况。
以下对使用该伪基板13的直列式反应性溅射装置的启动方法以前往通路为例进行说明。
首先，将作为化合物薄膜的溅射材料的靶15安装在溅射区域6的溅射阴极14上。该靶15根据形成的化合物薄膜从例如锡铟合金靶、锑锡合金靶、钛靶、镁靶等中酌情选择。 .另一方面，将伪基板13安装到托架12上，使该托架12经由前室2移动到入口侧区域5，在该入口侧区域5中将托架12在其行进方向上紧密排列，使邻接的托架12的端面之间成为靠近的状态。
然后，利用真空泵11将包含入口侧区域5的溅射成膜室3内减压至指定的真空度，使用惰性气体导入管16和反应性气体导入管17,向该賊射成膜室3内导入Ar等惰性气体及02等反应性气体，使包含该入口侧区域5的溅射成膜室3内与前室2内同样地，成为指定压力的惰性气体和反应性气体的混合气体气氛。
然后，使该靠近的托架12移动到溅射区域6，在该溅射区域6内连续移动，并使施加于靶15的电力阶段性上升(放电功率的阶段性投入)，在到达所需的电力的阶段使其稳定化(斜升)，并通过调整溅射区域6内的温度，进行托架12和靶15的周围结构物的温度分布的稳定化、从托架12和靶15的周围结构物的脱气的稳定化。
同时，进行靶15的表面附着物的去除(预溅射)。
通过以上，能够以比以前更短的时间、并有效且低成本地进行装置的启动(开启)。
此外，由于能够防止化合物薄膜向托架12与主体51的接触部分上堆积，能够防止由该化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况。其结果是，能
够使直列式反应性溅射装置的生产率提高。
以下，对使用该伪基板13的直列式反应性溅射装置的成膜条件的维持或变更方法进行说明。
首先，对成膜条件的维持方法进行说明。
主賊射之后，将伪基板13安装到托架12上，使该托架12经由前室2移动到入口侧区域5，在该入口侧区域5中将托架12在其行进方向上紧密排列，使邻接的托架12的端面之间成为靠近的状态。
然后，使该靠近的托架12移动到溅射区域6，在该溅射区域6内连续移动，并调整该溅射区域6内的Ar等惰性气体的分压以及02等反应性气体的分压，维持指定压力的惰性气体和反应性气体的混合气体气氛。
此外，维持施加于靶15的电力，并通过调整溅射区域6内的温度，进行托架12和靶15的周围结构物的温度分布的稳定化、/人托架12和耙15的周围结构物的脱气的稳定化。
之后，在有必要进行主溅射时，将伪基板13替换为所需的基板，进行主溅射。
此外，对于变更成膜条件，如上述使托架12移动到溅射区域6之后，使托架12在溅射区域6内连续移动，并调整该溅射区域6内的Ar等惰性气体的分压以及02等反应性气体的分压，变更为所需压力的惰性气体和反应性气体的混合气体气氛。
此外，变更施加于靶15的电力，并通过调整溅射区域6内的温度，进行托架12和靶15的周围结构物的温度分布的稳定化、/人托架12和耙15的周围结构物的脱气的稳定化。
之后，在有必要进行主溅射时，将伪基板13替换为所需的基板，进行主賊射。
通过以上，能够以比以前更有效且低成本地进行主溅射的成膜条件的维持或变更。
此外，由于能够防止化合物薄膜向托架12的堆积，能够防止由该化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况。其结果是，能够使直列式反应性溅射装置的生产率提高。
以下，对使用该伪基板13的直列式反应性溅射装置的停止方法进行说明。
主賊射后，将伪基板13安装到托架12上，使该托架12经由前室2移动到入口侧区域5，在该入口侧区域5中将托架12在其行进方向上紧密排列，使邻接的托架12的端面之间成为靠近的状态。
然后，使该靠近的托架12移动到溅射区域6，在该溅射区域6内连续移动，并停止施加于靶15的电力，使包含该溅射E域6的溅射成膜室3内
16冷却。
确认该溅射成膜室3内处于指定温度以下之后，停止供给Ar等惰性气
体和02等反应性气体。
通过以上，即使在停止该溅射装置时，伪基板13也持续覆盖与托架12的接触部分，从而能够防止残存于賊射成膜室3内的物质特别是化合物薄膜堆积到该托架12与基板的接触部分上，能够防止由化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况。其结果是，能够使装置的生产率提高。
另外，在本实施方式中，以直列式反应性溅射装置作为应用了本发明的伪基板的溅射装置为例进行了说明，但显然也能够应用于反应性溅射装置以外的賊射装置。
产业上的利用可能性
根据本发明的伪基板以及使用该伪基板的成膜装置的启动方法、成膜条件的维持或变更方法及停止方法，能够以比以前更短的时间、并有效且低成
本地进行利用賊射法形成化合物薄膜的装置的启动(开启)、该装置的成膜条件的维持或变更及该装置的停止(关闭)。
权利要求
1、一种伪基板，在下述装置中替代基板而使用，该装置为在将多个用于保持所述基板的移载单元在溅射成膜室中沿着这些基板的表面上的一个方向一列地配置，在使这些移载单元连续移动的状态或静止的状态下利用溅射法在所述基板的表面形成化合物薄膜的装置，该伪基板的特征在于，所述伪基板具有在金属构成的板状体上形成有开口部的主体部，通过该主体部至少覆盖所述移载单元的与所述主体部的接触部分。
2、 根据权利要求1所述的伪基板，其中，所述主体部的外周形状为与 所述基板同等的形状，并且为与所述基板同等的重量。
3、 根据权利要求1所述的伪基板，其中，在所述主体部中，至少与所 述移载单元的接触部分的表面粗糙度Ra为3.2fim以下。
4、 一种使用权利要求1所述的伪基板并启动成膜装置的方法，在溅射 成膜室中，多个保持所述伪基板的移载单元沿着这些伪基板的表面上的一个 方向一列地配置，在使这些移载单元连续移动的状态或静止的状态下使成膜 条件变化，之后，稳定在所需的成膜条件。
5、 一种使用权利要求1所述的伪基板并维持或变更成膜装置的成膜条 件的方法，主濺射后，使所述伪基板保持在用于保持基板的移载单元上， 在溅射成膜室中，多个保持所述伪基板的所述移载单元沿着这些伪基板 的表面上的一个方向一列地配置，在使这些移载装置连续移动的状态或静止 的状态下维持或变更成膜条件，之后，将所述伪基板替换为所需的基板，进 行主賊射。
6、 一种使用权利要求1所述的伪基板并停止成膜装置的方法，在溅射 成膜室中，多个保持所述伪基板的移载单元沿着这些伪基板的表面上的一个 方向一列地配置，在使这些移载单元连续移动的状态或静止的状态下，将所 述溅射成膜室内冷却，之后，停止该成膜装置。
全文摘要
一种伪基板，为应用于直列式反应性溅射装置的伪基板，其主体由在矩形金属板上形成有相似形状的开口部的矩形板状的框体构成，通过该主体，覆盖托架的与主体的接触部分。由此，即使在溅射装置运行过程中，也不会发生玻璃破裂等不良情况，能够大幅地提高伪基板的使用次数。此外，通过伪基板持续覆盖与托架的接触部分，能够防止残存于溅射成膜室内的物质，尤其是化合物薄膜堆积在该托架与基板的接触部分上，能够防止由于化合物薄膜的堆积引起的异常放电等不良情况。结果是，能够以比以前更短的时间、并且有效而低成本地进行通过溅射法形成化合物薄膜的装置的启动(开启)、该装置成膜条件的维持或变更及该装置的停止(关闭)。
文档编号C23C14/34GK101657563SQ20088001235
公开日2010年2月24日 申请日期2008年4月16日 优先权日2007年4月18日
发明者中村肇, 松田麻也子, 石野耕司, 菊地幸男, 进藤孝明 申请人:株式会社爱发科