轧制铜箔及其制造方法

专利名称：：轧制铜箔及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及轧制铜箔，尤其涉及适用于柔性印刷电路板等可挠性配线部件的具有优良的弯曲特性的轧制铜箔。
背景技术：
：柔性印刷电路板(FlexiblePrintedCircuit,以下称为FPC),由于其具有厚度薄而可挠性优良的优点，因而对电子设备的安装方式的自由度4艮高。因此，现在，FPC广泛地应用于折叠式便携式电话的折弯部、数字式照相机、打印机头等的活动部分，以及硬盘驱动器(HDD-HardDiskDrive)、数字通用光盘(DVD-DigitalVersatileDisk)及压缩盘(CD-CompactDisk)等与光盘相关的设备的活动部分的配线等。作为FPC的导电体，通常使用进行了各种表面处理的纯铜箔或铜合金箔(以下，简称为"铜箔，，)。铜箔根据其制造方法的不同而粗略地分为电解铜箔和轧制铜荡。FPC如上所述，由于被用作反复活动的部分的配线材料，因而，要求其具有优良的弯曲特性(例如，100万次以上的弯曲特性)。作为铜箔，往往z使用轧制铜箔。一般，轧制铜箔的制造按如下方式进行在对作为原材料的反射炉精炼铜(JISH3100C1100)及无氧铜(JISH3100C1020)的铸块进行了热轧后，反复地进行冷轧和中间退火直到规定的厚度。FPC用的轧制铜箔所要求的厚度通常在50jam以下，但最近有进一步减薄到十数iam以下的倾向。FPC的制造工序大致包括以下工序"将FPC用铜箔和由聚亚酰氨等树脂构成的底膜(基体材料)粘贴在一起而形成覆铜叠层(CCL一CopperCladedLaminate)的工序，，，"利用蚀刻等在该CCL上形成电路配线的工序"，"在该电路上进行用于保护配线的表面处理工序，，等。在CCL工序中，有以下两种方法一种是在借助于粘结剂将铜箔和基体材料叠层之后，通过热处理使粘结剂固化而紧密贴合(3层CCL)的方法；另一种是不借助于粘结剂，而将经表面处理的铜箔直接粘贴在基体材料上之后，通过加热、加压而使其一体化(2层CCL)的方法。在此，在FPC的制造工序中，从制造容易性的观点来看，多使用完成冷轧加工(加工硬化后的硬质状态)的铜箔。这是因为，若铜箔处于已退火(已软化)的状态，则在铜箔进行裁断和与基体材料的叠层时，易于产生铜箔的变形(例如，延伸、起皱、折断等)，容易出现制品不良。另一方面，铜箔的弯曲特性通过进行再结晶退火而比完成冷轧加工状态有显著的提高。因此，在用于使上述的CCL工序的基体材料和铜箔紧密贴合或一体化的热处理中，一般都选择同时进行铜箔的再结晶退火的制造方法。并且，这时的热处理条件为180—300。C下1—60分钟(典型的是200。C下30分钟)，铜箔变成调质为再结晶组织的状态。为了提高FPC的弯曲特性，提高作为其原材料的轧制铜箔的弯曲特性是有效的。一般公知的是，立方体织构越发达，再结晶退火后的铜箔的弯曲特性越得到提高。并且，一般所说的"立方体织构越发达"只是指在轧制面中，(200)cu面的占有率高(例如,85%以上)。一直以来，作为弯曲特性优良的轧制铜箔及其制造方法，报导有如下的方法通过提高最终冷轧工序的总压下量(例如，90%以上)，来使立方体织构发达的方法，和规定了再结晶退火后的立方体织构的发达程度的铜荡(例如，轧制面的用X射线衍射求得的(200)面的强度比用粉末X射线衍射求得的(200)面的强度大20倍以上的铜箔)。在最终冷轧工序前的中间退火时预先使立方体织构发达，使最终冷轧工序的总压下量达到93%以上，使再结晶后的立方体织构更加发达的方法。规定了铜箔板厚方向的贯穿晶粒的比例的铜箔(例如，以断面面积率计贯穿晶粒为40%以上的铜箔)。通过添加微量的添加元素控制了软化温度的铜箔(例如，控制为120—150。C的半软化温度的铜箔)。规定了双晶边界长度的铜箔(例如，超过长度5ym的双晶边界每lmm2的单位面积的合计长度为20mm以下的铜箔)。通过添加;f敬量的添加元素控制了再结晶组织的铜箔(例如，通过添加0.01—0.2质量％的Sn，将平均晶粒直径控制在5jum以下，将最大晶粒直径控制在15Mm以下的铜箔)等(例如，参照专利文献1—7)。专利文献1—日本特开2001-262296号公报，专利文献2—日本特许3009383号公报，专利文献3—日本特开2001-323354号公报，专利文献4一日本特开2006-117977号公报，专利文献5—日本特开2000-212661号公报，专利文献6—日本特开2000-256765号公报，专利文献7—日本特开2005-68484号公报。如上所述，现有技术的报导为，最终冷轧工序的总压下量越高，再结晶退火后轧制铜箔的立方体织构越发达，其弯曲性能越得到提高。然而，在冷轧加工中，由于总压下量越高，材料(铜箔)因加工硬化而越硬，因而，对每一道的压下量变得难于控制，存在轧制铜箔的制造效率降低的问题。具体的是，若冷轧的总压下量达到约90%以上(特别是93%以上)，则对每一道的压下量的控制及轧制加工本身都急剧地变得困难。另一方面，近年来，随着电子设备类的小型化、高集成化(高密度实装化)及高性能化的进展，对FPC的高弯曲特性的要求比过去进一步提高。由于FPC的弯曲特性实质上由铜箔的弯曲特性决定的，因而，为了满足该要求必须进一步提高铜箔的弯曲特性。另一方面，也强烈要求对电子零部件的低成本化。
发明内容因此，本发明的目的在于提供一种适合于柔性印刷电路板(FPC)等的可挠性配线部件，并具有优良的弯曲特性的轧制铜箔。再有，提供一种在最终冷轧工序中即使不实施现有的高的总压下量，也能稳定而有效地(即，以低成本)制造具有高弯曲特性的轧制铜箔的制造方法。本发明的发明人对轧制铜箔的金属结晶学进行了详细的研究后发现，在毛坯退火后最终冷轧工序前的轧制铜箔和最终冷轧工序后再结晶退火前的轧制铜箔的晶粒的方位、取向状态与再结晶退火后的晶粒的取向状态和铜箔的弯曲特性之间具有特定的相关关系。另外，基于发现了可以认为该现象与至今所公认的原理不同的现象，而完成了本发明(详细内容将于后述)。为了达到上述目的，本发明提供的轧制铜箔是在最终冷轧工序后再结晶退火前的轧制铜箔，其特征是，在由以轧制面为基准的X射线衍射极点图测定得到的结果中，存在有在(3角度的至少每个90士5"存在极点图测定的a角度=450的由P扫描得到的铜晶体的(220hu面衍射峰值并表示4次对称性的晶粒。另外，为了达到上述目的，本发明提供的轧制铜箔是在上述本发明的轧制铜箔中，其特征是，表示上述4次对称性的衍射峰值相对于上述由P扫描得到的铜晶体的(220)cu面衍射的最小强度具有1.5倍以上的衍射强度。另外，为了达到上述目的，本发明提供的轧制铜箔是在上述本发明的轧制铜箔中，其特征是，在由以轧制面为基准的X射线衍射极点图测定得到的结果中，在以极点图测定的oc角度为横轴，以各a角度的由P扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值的标准化强度为纵轴用曲线表示时，在a=25—35°之间存在上述标准化强度的极大值P,在a=40—50°之间存在上述标准化强度的极大值Q,在0[=85—90^之间上述标准化强度单调地增加；上述极大值P和上述极大值Q及上述a=9()0的上述标准化强度的值R为"Q《P<R"。另外，为了达到上述目的，本发明提供的轧制铜箔是在上述本发明的轧制铜箔中，其特征是，在由对上述轧制面的X射线衍射26/6测定得到的结果中，铜晶体的衍射峰值强度为"I{200}Cu>I{220}Cu"。为了达到上述目的，本发明提供的轧制铜箔是在最终冷轧工序后实施了再结晶退火后的轧制铜箔，其特征是，从对轧制面的x射线衍射2e/e测定算出的立方体织构的比率[A]、对该立方体织构的晶粒从X射线衍射摆动曲线测定算出的面外取向比率[B]和对上述立方体织构的晶粒从以上述轧制面为基准的X射线衍射极点图测定算出的面内取向比率[C]的积为"[A]x[B]x[C]>0.5"。为了达到上述目的，本发明提供的轧制铜箔的制造方法，是在以最终冷轧工序后再结晶退火前的轧制铜箔的轧制面为基准的由X射线衍射极点图测定得到的结果中，存在有在P角度的每个90土50存在极点图测定的a角度-450的由.P扫描得到的铜晶体的(220hu面衍射峰值并表示4次对称性的晶粒的轧制铜箔的制造方法，其特征是，在上述最终冷轧工序后第二道次以后的轧制道次中，包含具有比紧邻的前一道次压下量大1.1倍以上的压下量的轧制道次一个道次以上。另外，为了达到上述目的，本发明提供的轧制铜箔的制造方法是在上述本发明的轧制铜箔的制造方法中，其特征是，上述最终冷轧工序中的最终道次或最终前的一个道次具有在第二道次以后的轧制道次中大约最大一个道次的压下量。另外，为了达到上述目的，本发明提供的轧制铜箔的制造方法是在上述本发明的轧制铜箔的制造方法中，其特征是，上述最终冷轧工序的总压下量为80%以上90%以下。为了达到上述目的，本发明提供的轧制铜箔的制造方法，是在以最终冷轧工序后再结晶退火前的轧制铜箔的轧制面为基准的由X射线衍射极点图测定得到的结果中，存在有在P角度的至少每个90±50存在极点图测定的0(角度的由P扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值并表示4次对称性的晶粒；在以极点图测定的oc角度为横轴，以各oc角度的由P扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值的标准化强度为纵轴用曲线表示时，在cx-25—35G之间存在上述标准化强度的极大值P，在oc-40—5()n之间存在上述标准化强度的极大值Q，在oc-85—9()Q之间上述标准化强度单调地增加；上述极大值P和上述极大值Q及上述a-90^的上述标准化强度的值R为"Q<P《R";其特征是，在以毛坯退火后上述最终冷轧工序前的轧制铜箔的轧制面为基准的由X射线衍射极点图测定得到的结果中，在以极点图测定的cc角度为横轴，以各oc角度的由P扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值的标准化强度为纵轴用曲线表示时，在"=40。50°之间存在上述标准化强度的极大值Q，在"=20^40°之间存在上述标准化强度的极小值S，将上述极大值Q和上述极小值S之比为"2<Q/S<3"的轧制铜箔用作退火毛坯；上述最终冷轧工序的总压下量为80%以上93%以下。根据本发明，可以提供适合于柔性印刷电路板(FPC)等的可挠性配线部件，并具有优良的弯曲特性的轧制铜箔。再有，可以提供能稳定而有效地(即，以低成本)制造具有高弯曲特性的轧制铜箔的制造方法。图l是表示有关本发明的铜晶体的主晶面的示意图。图2是表示X射线衍射的入射X射线、检测器、试样、扫描轴的关系的简图。图3是在本发明的轧制铜箔中，在最终冷轧工序后且再结晶退火前的状态下，对轧制面进^f亍了X射线衍射26/6测定的结果的一个例子。图4是表示结晶取向性是否良好与衍射峰值的半值宽度、积分宽度的关系的示意图。图5是表示本发明的轧制铜箔的制造工序的一个例子的流程图。图6是对完成最终冷轧工序的轧制铜箔进行了面内取向测定("=45°的(200)cu面的测定)的结果的一个例子，图6(a)是实施例1，图6(b)是比较例1。图7是对比较例1的完成最终冷轧工序的轧制铜箔进行了26/6测定的结果的一个例子。图8是对退火毛坯的轧制面进行了(200)cu面的XRD极点图测定的结果的一个例子，图8(a)是实施例2，图8(b)是实施例3，图8(c)是比较例2，图8(d)是比较例3。图9是对最终冷轧工序过程中的轧制铜箔的轧制面进行了{200}Cu面的XRD极点图测定的结果的一个例子，图9(a)是实施例2，图9(b)是实施例3，图9(c)是比较例2，图9(d)是比较例3。图IO是对完成最终冷轧工序的轧制铜箔进行了(200)cu面的XRD极点图测定的结果的一个例子，图10(a)是实施例2,图10(b)是实施例3，图10(c)是比较例2，图10(d)是比较例3。图11是对完成最终冷轧工序的轧制铜箔进行了26/6测定的结果的一个例子，图11(a)是实施例2，图11(b)是实施例3，图11(c)是比较例2。图12是表示了弯曲特性评价(滑动弯曲试验)的概略的示意图。图中l-铜箔，2—试-睑固定4反，2a—螺丝，3-4展动传递部，4-;敫振驱动体，R-曲率。具体实施例方式图1是表示有关本发明的铜晶体的主晶面的示意图。由于铜的晶体结构是立方体，因而，(200U面与(220U面形成的角度为45、并且，U表示等价的面(参照图1)。图2是表示X射线衍射(以下，也有用XRD表示的场合)的入射X射线、检测器、试样、扫描轴的关系的简图。下面，用图2说明有关利用XRD对轧制铜箔的晶粒取向状态的评价方法。另外，对图2的三个扫描轴一般将6轴称为试样轴，将a轴称为门轴，将I3轴称为面内旋转轴。另外，本发明的X射线衍射都利用CuKcc线。相对于入射x射线，将在e轴对试样和检测器进行扫描，以e角为试样的扫描角，以26角为检测器的扫描角进行扫描的测定方法称为26/6测定。利用由2e/e测定得到的衍射峰值的强度可以评价在作为多晶体的轧制铜箔的试样面(在本发明中为轧制面)中，哪一个晶面具有优势。着眼于某一个衍射面(hkl)cu，相对于着眼的(hklhu的26值，(固定检测器的扫描角26),将只对试样进行6轴扫描的测定方法称为摆动曲线测定。利用由该测定得到的{hkl}Cu面峰值的半值宽度或积分宽度可评价{hkl}Cu面的轧制面垂直方向的取向度。这时可以说，半值宽度或积分宽度的值越小，与轧制面垂直方向的结晶取向性越佳(以下，将"与轧制面垂直方向的结晶取向性"称为面外取向性)。另外，半值宽度定义为衍射峰值的最大强度的一半强度的峰值宽度，积分宽度定义为以该衍射峰值的最大强度去除衍射峰值的积分强度的结果。利用了极点图测定的特征的评价方法之一有面内取向测定。这种测定方法是，在将与着眼的{hkl}Cu面几何学对应的晶面(h'k'l')cu和该Oikl}Cu面形成的角度设为cc'时，以"a=90-oc'，，的方式进行cc轴扫描(使试样倾斜)，并相对于(h'k'lOcu面的26值(固定检测器的扫描角26),对试样进行p轴扫描(在面内旋转(自转)直到0—360°)。使用由该测定得到的,(h'k'l')cu面峰值的半值宽度或积分宽度，可以评价与{h'rl"Cu面几何学对应的(hklhu面的轧制面内两个轴方向的取向度。这时，与上述同样，可以说，该衍射峰值的半值宽度或积分宽度的值越小，轧制面内方向的结晶取向性越优良。(下面，将"轧制面内方向的结晶取向性"称为"面内取向性")。另外，在本发明的XRD极点图测定中，将与试样面垂直的方向定义为oc-900,并作为测定基准。另外，极点图测定虽有反射法(a=15w90°)和透射法(a=0。15°)，但本发明的极点图测定只考虑反射法(cc=15。90Q)的测定。(本发明的第一实施方式)(面内取向测定)本实施方式的轧制铜箔是在最终冷轧工序后再结晶退火前的轧制铜箔，其特征是，通过以轧制面为基准的X射线衍射极点图测定得到的结果，存在在P角度的至少每个90±5Q存在极点图测定的a角度-450的由P轴扫描得到的铜晶体的(220hu面衍射峰值并显示4次对称性。例如，在将极点图测定的铜箔的轧制方向设为13-0G时，4次对称的衍射峰值的中心分别为P^0Q、90°、180°、2700、3600。在上述面内取向测定的结果中，(220hu面衍射峰值不显示每个90±5°的4次对称性时，则即使实施了再结晶退火也不能得到具有高弯曲特性的轧制铜箔。因此，如上规定。另外，所谓在极点图测定的oc角度-45G时由|3轴扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值的每个90±5°显示4次对称性是指与{220}Cu面结晶几何学地构成45°角度的{200}Cu面在铜箔的轧制面为面内取向。另夕卜，该4次对称性的衍射峰值最好是各自的衍射峰值强度相对于由P轴扫描(在0w360^的面内旋转)得到的铜晶体的(220hu面衍的最小强度具有1.5倍以上。(本发明的第二实施方式)(标准化强度)本实施方式的轧制铜箔是在最终冷轧工序后再结晶退火前的轧制铜箔，其特征是，通过以上述轧制面为基准的X射线衍射极点图测定得到的结果，在以极点图测定的oc角度为横轴，以各a角度的由P轴扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值的标准化强度为纵轴用曲线表示时，在a-25^35G之间存在上述标准化强度的极大值P,在a-40w5(^之间存在上述标准化强度的极大值Q，在"=85。900之间上述标准化强度单调地增加，上述极大值P和上述极大值Q及上述a-9()G的上述标准化强度的值R为"Q《P《R"。在上述的XRD的极点图测定的结果中，当{220}Cu面衍射峰值的标准化强度未显示cc-25w350的极大值P和a=40^50°的极大值Q及a=85w90°的单调地增加，在上述极大值P和上述极大值Q及上述a-9(^的标准化强度的值R未显示"Q《P《R"的关系时，即使进行了再结晶退火，也不能得到具有高弯曲特性的轧制铜箔。因此，如上纟见定。此外，标准化强度Rc是在XRD极点图测定中，将由各a角度的P轴扫描(面内旋转轴扫描)得到的规定的{hkl}Cu衍射峰值进行平均的计数，并可以用下式算出。并且，标准化的计算通常用计算机进行。Rc=Ic/Istd其中，Ic:修正强度(本底修正，吸收修正)Istd:由计算求得的用于标准化的强度。文^^名《RAD系统应用软件织构解析程序操作说明书(说明书编号MJ201RE)》,逮学电机林式会社，p.22^23。文献名《CN9258E101RINT2000系列应用软件正极点操作说明书(说明书编号MJ10102A01)》，理学电机抹式会社，p.8。10。另外，将XRD峰值强度标准化应用的理由是比较而言，为了免受XRD测定时的管电压和管电流等的影响(实质上没有装置依赖性)。(本发明的第三实施方式)(26/6观寸定)本实施方式的轧制铜箔，其特征是，在最终冷轧工序后再结晶退火前的状态下，通过对上述轧制面的x射线衍射2e/e测定得到的结果，铜晶体的衍射峰值的强度I为"I,Cu>I咖Cu"。如上所述，本发明的轧制铜箔在最终冷轧工序后再结晶退火前的状态下，{200)Cu面在铜箔的轧制面内取向。这意味着，在作为多晶体的铜箔的轧制面上存在相当多的(200)cu面取向的晶粒。图3是在本发明的轧制铜箔中，在最终冷礼工序后且再结晶退火前的状态下，对轧制面进行了X射线衍射26/e测定的结果的一个例子。从图3可知，轧制面的(200hu面的衍射强度较强，显示出(200)cu面取向的晶粒大量存在。在铜箔的轧制面上，若(200)cu面没有较强的取向，则即使实施再结晶退火，也不能得到具有高弯曲特性的轧制铜箔。因此，如上规定。(本发明的第四实施方式)(综合取向比率)本实施方式的轧制铜箔是在最终冷轧工序后再结晶退火前的轧制铜箔，其特征是，从对轧制面的X射线衍射26/6测定算出的立方体织构的比率[A]，和就该立方体织构的晶粒从X射线衍射摆动曲线测定算出的面外取向比率[B]，以及就上述立方体织构的晶粒从以上述轧制面为基准的X射线衍射极点图测定算出的面内取向比率[C]之积为"[A]x[B]x[c]>0.5"。在本发明中，将[A]x[B]x[C]定义为综合取向比率。综合取向比率若小于0.5([A]x[B]x[C]<0.5),则不能得到高的弯曲特性。将综合取向比率设定在0.5以上。更优选O.55以上，进一步优选O.6以上。其次，对立方体织构的比率[A]、立方体织构的面外取向比率[B]、立方体织构的面内取向比率[C]进行说明。立方体织构的比率[A]定义为，对在最终冷轧工序后实施了再结晶退火的轧制铜箔的轧制面进行X射线衍射26/6测定，并利用下式算出呈现立方体织构的{200}cu面的衍射峰值对全部衍射峰值的比率。立方体织构的比率[A]-I,Cu/(IUll)cu+I{200}Cu+I{220}Cu+I{311}cu)其中I{lll}Cu:(111hu面的书f射峰值强度I{200}Cu:{200}Cu面的衍射峰值强度I{220}Cu:{220}Cu面的衍射峰值强度I{311}Cu:(311hu面的衍射峰值强度。立方体织构的面外取向比率[B]定义为，对在最终冷轧工序后实施了再结晶退火的轧制铜箔的轧制面的{200}Cu面进行X射线衍射摆动曲线测定，并利用下式算出该{200)Cu面衍射峰值的半值宽度和积分宽度的比率。立方体织构的面外取向比率[B]-△6fwhm/A6iw其中A6fwhm:{200}Cu面衍射峰值的最大强度的一半强度的峰值宽度，△6iw:用(200U面衍射峰值的最大强度去除该衍射峰值的积分强度的值。立方体织构的面内取向比率[C]定义为，对在最终冷轧工序后实施了再结晶退火的轧制铜箔以轧制面为基准进行ct角度=45°的{220}cu面的测定X射线衍射极点图测定，并利用下式算出由(3轴扫描得到的4次对称的{220}Cu面的衍射峰值中，任何一个的衍射峰值的半值宽度和积分宽度的比率。立方体织构的面内取向比率[(:]=APfwhm/APiw其中APfwhm:{220}Cu面衍射峰值的最大强度的一半强度的峰值宽度，△Piw:用(220hu面衍射峰值的最大强度去除该衍射峰值的积分强度的值。在此，对在面外取向比率[B]和面内取向比率[C]中，采用衍射峰值的半值宽度和积分宽度的比率的意思。图4是表示结晶取向性是否良好与衍射峰值的半值宽度、积分宽度的关系的示意图。若在结晶取向性低的轧制铜箔中进行摆动曲线测定及面内取向测定，如图4(a)所示，则容易得到峰值中心附近虽然比较陡峭、但尾部分较大(曲线底部较宽)的衍射峰值形状。另一方面，若对结晶取向性高的轧制铜箔进行摆动曲线测定及面内取向测定，如图4(b)所示，则可得到衍射峰值集中在峰值中心附近的形状。当对这些衍射峰值评价各自的半值宽度及积分宽度时，判断为在结晶取向性低的场合(图4(a))，半值宽度及积分宽度中产生较大的差；在结晶取向性高的场合(图4(b))，半值宽度及积分宽度的差变小。而且，这样的差异可以认为是源于衍射峰值形状的尾部分的大小(尾部分在衍射峰值形状中所占的大小)。于是，通过采用衍射峰值的半值宽度及积分宽度之比，与分别比较半值宽度及积分宽度相比，能更明确地判断轧制铜箔的结晶取向性的优劣。下面，参照图说明本发明的轧制铜箔的制造方法。图5是表示本发明的轧制铜箔的制造工序的一个例子的流程图。首先，准备作为原材料的反射炉精炼铜(JISH3100C1100)及无氧铜(JISH3100C1020)等的金属锭(铸块)(工序a)。其次，进行了实施热轧的热轧工序(工序b)。在热轧工序后，通过适当地反复进行实施冷轧的冷轧工序(工序c)和緩和因冷轧导致的加工硬化的中间退火工序(工序d)，制造被称为"毛坯"的铜条。接着，进行毛坯退火工序(工序d')。在毛坯退火工序中，最好充分地消除此前的加工应变(例如，大致完全退火)。其后，对已退火的"毛坯，，(称为退火毛坯)实施最终冷轧工序(工序e,也有称为"精轧工序"的情况)，制造规定厚度的铜箔轧制。最终冷轧工序后的轧制铜箔可根据需要进行表面处理等(工序f)，供给FPC制造工序(工序g)。如上所述，再结晶退火(工序g')往往在工序g中(例如，CCL工序)进行。在本发明中，"最终冷轧工序"是指工序e,"再结晶退火"工序g'是指在工序g中进行的工序。在这里，本发明的轧制铜箔的制造方法之一的特征是，在上述最终冷轧工序的第二道次以后的轧制道次中，具有比紧邻的上一轧制道次的压下量大1.1倍以上的压下量的轧制道次包含l道次以上。由此，在该冷轧加工的最终阶段增强了{220}Cu面取向的轧制织构的形成，进而可以在该轧制织构中迅速地形成立方体组织的种晶。而且，可以认为，该立方体组织的种晶有助于经再结晶退火的立方体织构的高取向成长(详细情况将于后述)。更优选的是，"具有比紧邻的上一轧制道次的压下量大1.15倍以上的压下量的轧制道次包含1道次以上。"，特别优选的是"具有比紧邻的上一轧制道次的压下量大1.2倍以上的压下量的轧制道次包含1道次以上。"。就脱离上述规定的"具有比1.1倍小的压下量的轧制道次，，而言，在轧制织构中形成立方体组织的种晶是困难的。另外，最好是最终冷轧工序中的最终道次或紧邻最终之前的一个道次在第2道次以后的轧制道次中，具有最大的一个道次左右的压下量。由此，可以抑制在轧制织构中形成的立方体组织的种晶伴随着轧制工序的进行而向其它方位旋转(详细情况将于后述)。另外，通过将最终冷轧工序的总压下量控制在80%以上90%以下，除了能够减少轧制工序的总道次数外，还可以避免因过度的加工硬化引起的控制轧制加工的困难，并能促进制造成本的降低。另外，代替上述制造方法的本发明的轧制铜箔的其它制造方法是通过至少控制毛坯退火工序(工序d')而按以下方式调整退火毛坯的制造方法。在毛坯退火(工序d')之后最终冷轧工序(工序e)之前的轧制铜箔(退火毛坯)中，其特征是，利用以轧制面为基准的X射线衍射极点图测定得到的结果中，在以极点图测定的a角度为横轴，以各cx角度的由p轴扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值的标准化强度为纵轴用曲线表示时，在a-40。5(^之间存在标准化强度的极大值Q,在a-20w40"之间存在标准化强度的极小值S，将上述极大值Q和上述极小值S之比为"2<Q/S<3"的轧制铜箔用作向最终冷轧工序的退火毛坯。进而，对这样的退火毛坯实施总压下量为80%以上93%以下的最终冷轧工序(工序e)。此外，作为毛坯退火条件，优选例如在60()G以上700°以下(铜箔的实态温度)保温1一30分钟的条件。更优选温度为650°以上700°以下。这样，在最终冷轧工序(工序e)之后再结晶退火(工序g')之前的礼制铜箔的利用以轧制面为基准的X射线衍射极点图测定得到的结果中，存在在(3角度的至少每个90±5°存在极点图测定的a角度二45^的由(3扫描得到的铜晶体的(220)cu面衍射峰值并显示4次对称性的晶粒；此外，在以极点图测定的a角度为横轴，以由P扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值的标准化强度为纵轴用曲线表示时，在a-25w35n之间存在标准化强度的极大值P，在oc=40^50°之间存在标准化强度的极大值0，在"=85。90°之间标准化强度单调地增加，得到极大值P和极大值Q及oc-9(^的标准化强度的值R为"Q<P<R"的本发明的轧制铜箔。如上所述，铜晶体的(220hu面和(200)cu面在几何学上存在450(两个结晶面形成的角度为(45°)的关系。因此，可以认为，在(1=40。50°之间存在标准化强度的极大值Q与在轧制铜箔的轧制面上(200)cu面的晶粒面内取向的程度相关。换言之，本发明的特征在于，在毛坯退火(工序d')之后最终冷轧工序(工序e)之前的毛坯中，在轧制面上存在的(200)cu面取向且面内取向的晶粒经过最终冷轧工序(工序e)存在关系为"Q<P《R"的程度。另外，通过将最终冷轧工序的总压下量控制在80%以上93%以下与现有的高压下量的轧制铜箔相比较，除了能够减少轧制工序的总道次数外，还可以避免因过度的加工硬化引起的控制轧制加工的困难，并能促进减少制造设备的负荷和制造成本的降低。(高弯曲特性的机理的考察)下面，对本发明的实施方式的轧制铜箔的高弯曲特性的机理进行说明。当对金属晶体施加应力时，沿着晶体的滑移面容易产生晶体中的位错移动。然而，晶粒边界一般成为对位错移动的障碍物。在作为多晶体的轧制铜箔中，当位错因弯曲运到而聚集在晶粒边界等时，则在聚集之处容易产生裂紋，可以认为是引起所谓金属疲劳。换言之，只要能在金属多晶体中抑制位错的聚集，就能期待提高弯曲特性。本发明的实施方式的轧制铜箔显示出可通过控制退火毛坯和/或最终冷轧工序后的晶粒取向状态就能控制再结晶退火后的立方体织构。可以认为，只要能通过再结晶而得到作为铜晶体的面心立方构造特有的滑移面的(lll)cu面的取向(即，对齐滑移方向)跨越晶粒边界且得到良好控制的立方体织构，由此就能提高在弯曲运到时位错引起交叉滑移的概率，其结果，便能得到高的弯曲特性。即，要点在于如何形成晶粒彼此为三维取向(总取向比率高)的立方体织构。另一方面，在轧制加工时对对象物施加的应力可以设想分解为对对象物的"压缩应力成分"和"拉伸应力成分"。另外，在对铜箔的冷轧加工中，铜箔中的铜晶体由于轧制加工时的应力而引起旋转现象，随着加工的*而形成轧制织构。这时，由应力方向引起的晶体的旋转方位(在轧制面上取向的方位)一般是压缩应力的场合为{220}Cu面，拉伸应力的场合为{311}Cu面或(211)cu面。可以认为，伴随这些旋转现象的加工应变的累积成为再结晶时形成立方体织构的驱动力。在现有的轧制铜箔中，从上述观点来看，目的在于通过将最终冷轧工序的总压下量设定得较高(例如，93%以上)而提高压缩应力，从而提高(220hu面取向(轧制织构)和加工应变的累积。此外，如上所述，作为立方体织构，只着眼于提高(200hu面在轧制面中的占有率(在垂直于轧制面方向的一维取向)，而对在轧制面内的取向状态(即，晶粒彼此的三维取向)不予特别考虑。但是，因为随着轧制加工的进行材料(铜箔)因加工硬化而越变硬，因而可以想到，一般，随着轧制加工的进4亍每一个道次的压下量变小。然而，这样的轧制规范可以认为与下述现象相关，即由于高压下量的道次(每一道次的压下量大的轧制道次)一旦形成(220)cu面取向的晶粒的一部分由于其后的低压下量的道次而开始向(311)Cu面取向及(21lhu面取向旋转。这是因为，可以认为，对于每一道次的压下量大的轧制道次，其"压缩应力成分"占优势；而对于每一道次的压下量小的轧制道次，其"拉伸应力成分"占优势。对此，本发明的轧制铜箔的制造方法之一是在最终冷轧工序的第二道次以后的轧制道次中，采用了具有比紧邻的上一轧制道次的压下量大1.1倍以上的压下量的轧制道次包含l道次以上这样的轧制规范。具体的可以列举例如，在轧制规范的后半部分实行在第二道次以后的轧制道次中的每一道次具有最大的压下量的道次的构成以及每一道次的压下量在第二道次以后逐渐增大这样的构成。这样的轧制加工方法成为与现有的方法轧制规范相反的构成。另夕卜，在最终冷轧工序的第二道次以后(特别是在轧制规范的后半部分)，通过实行每一道次的压下量高的轧制道次，从而判明在轧制加工中途产生局部的再结晶现象等，在轧制织构中形成立方体组织的种晶((220)cu面取向的晶粒)。并且，可以认为，该立方体组织的种晶有利于再结晶退火的立方体织构的高取向成长。另一方面，本发明的轧制铜箔的其它制造方法有下述方法，即控制向最终冷轧工序(工序e)供给的退火毛坯，在最终冷轧工序(工序e)的轧制织构((220hu面取向)的形成过程中，使该轧制织构残存有适量的("Q<P<R"的关系成立的程度)的立方体组织((220)cu面取向)的晶粒。并且，可以认为，具有分散并残存在累积了加工应变的轧制织构中的立方体组织的晶粒通过作为再结晶退火的立方体织构形成的种晶发挥作用而有利于高取向成长(特别是三维取向)。再有，轧制铜箔的该制造方法，可以认为，其最终冷轧工序的总压下量在80%以上93%以下，在残存上述立方体组织的晶粒(不产生结晶面的旋转现象的晶粒)的同时，对铜箔的加工应变的累积比现有技术的轧制铜箔(例如，93%以上的总压下量)少得多。这与再结晶退火时的原子重新排列的驱动力小相关，可以抑制再结晶晶粒的长大(晶粒的粗大化)。抑制再结晶晶粒的过度长大关系到能够解决在FPC制造工序中最近成为问题的"碟状凹陷现象"。所谓"碟状凹陷现象"是指在FPC制造工序中对铜荡进行半腐蚀时，由于存在以晶粒单位腐蚀的倾向而呈现粒径大的晶粒优先被腐蚀、铜箔表面成为弧坑状的现象。在工序a中，对熔化及铸造方法没有限制，另外，对材料的尺寸也没有限制。在工序b、工序c和工序d中也没有特别的限制，可以是通常的方法和条件。另外，FPC用的轧制铜箔的厚度一般在50iam以下，本发明的轧制铜箔的厚度只要在50jam以下均可，没有特别限制，但特别优选20jim以下。使用上述实施方式的轧制铜箔，利用通常采用的制造方法，可以得到柔性印刷电路板。另外，对轧制铜箔的再结晶退火既可以采用通常的在CCL工序中进行的热处理，也可以采用另外的工序。[实施方式的效果]采用上述本发明的实施方式，可以取得如下的效果。(1)可以得到具有比现有技术优良的弯曲特性的轧制铜箔。(2)可以稳定而高效(即，低成本)地制造具有比现有技术优良的弯曲特性的轧制铜箔。(3)可以得到具有比现有技术优良的弯曲特性的柔性印刷电路板(FPC)等的可挠性布线。(4)不只限于柔性印刷电路板(FPC)，也可以应用于要求高弯曲特性(弯曲寿命)的其它导电部件(例如，需要乃振动性的汽车用的锂离子电池的负极材料等)。下面，根据实施例更详细地说明本发明，但本发明不受这些实施例的限制。[实施例](制作顺序)开始，作为原材料反射炉精炼铜(含氧量为150ppm)，制造了厚度为200mm、宽度为650mm的铸块。其后，按照图5记载的流程进行热轧直到10mm的厚度之后，适当答反复进行冷轧和中间退火(包括毛坯退火)，制成具有0.2mm和O.lmm厚度的退火毛坯。作为退火毛坯，分别进行了以下处理在约700。C的温度保温约1分钟的热处理(实施例1和比较例1),在约650。C的温度保温约2分钟的热处理(实施例2),在约690。C的温度保温约1分钟的热处理(实施例3),在约550。C的温度保温约2分钟的热处理(比较例2)，在约800。C的温度保温约1分钟的热处理(实施例3)。另外，毛坯的退火温度不是退火炉的设定温度，而是铜箔的实际温度。随后，通过对上述退火毛坯在表1或表2所示的条件下进行最终冷轧工序，制成厚度为16jum的轧制铜箔(实施例1—3和比较例1—3)。(接下页)表l最终冷轧工序的条件<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>(对轧制铜箔的XRD评价)对轧制铜箔(毛坯退火后，最终冷轧工序过程中，最终冷轧工序后，再结晶退火后)的XRD评价如下。另外，在各种XRD测定(26/6测定，摆动曲线测定，极点图测定，面内取向测定)中，使用了x射线衍射装置(林式会社i;力'夕剩，型号RAD-B)。对阴极(靶子)使用铜，管电压和管电流分别为49kV、30mA。并且，供XRD测定的试样的大小为约15x15mm2。xrd2e/e测定的条件使用一般的广角测角镜在2e=40—100°的范围内测定。26/6测定的狭缝条件是发散狭缝为1°，受光狭缝为0.15mm,散射狭缝为1Q。另外，XRD摆动曲线测定将检测器固定在由XRD26/e测定得到的(200)cu面衍射峰值的26值对试样在6=15^35^范围内进行扫描测定。此外，摆动曲线测定的狭缝条件与2e/e测定相同。XRD极点图测定和面内取向测定的条件使用一般的舒尔茨反射法在cc=15w9(A垂直于轧制面的方向为90"范围内一边对P角度进行0—360"3描(自转)，一边测定(220hu面的衍射强度(用26^74°,26值使用了对每个试样预备测定的结果)。这知的狭缝条件是发散狭缝为1°，散射狭缝=7隱，受光狭缝为7mm和舒尔茨狭缝(狭缝高度为lmm)。另外，面内取向测定固定在00=456进行。(实施例1和比4交例1)(完成最终冷轧工序的轧制铜箔)对如上所述制成的实施例1和比较例1的完成轧制加工的状态(最终冷轧工序后再结晶退火前)的各轧制铜箔(厚度为16ym)进行了XRD测定。图6是对完成最终冷轧工序的轧制铜箔进行了面内取向测定(cc-45"220)cu面的测定)的结果的一个例子。图6(a)是实施例1,图6(b)是比较例1。如图6所表明的，可以认为，实施例1的轧制铜箔每个90±5°存在4次对称性的衍射峰值(以黑箭头表示)。另外，该衍射峰值相对于由P扫描得到的{220}"面衍射的最小强度具有1.5倍以上的衍射强度。这意味着在铜箔的轧制面中(220)cu面具有良好的面内取向性。相对于此，就比较例1的轧制铜箔而言，虽然能在P^0°(360Q)、180°见到弱的衍射峰值，但在P^900、270°却几乎见不到衍射峰值。图7是对比较例1的完成最终冷轧工序的轧制铜箔进行了26/6测定得到的结果的一个例子。另外，图3是实施例1的26/e测定结果的一个例子。如上所述，图3所示的实施例1的轧制铜箔显示在轧制面上存在大量(200hu面取向的晶粒。在将图3的(200U面的衍射峰值强度I(200k,设为IOO的场合，(220)"面的衍射峰值强度I(220)"为48。此外，当考虑到铜晶体粉末的{200}Cu面和(220L面的X射线衍射强度比约为2:1时，可以认为，图3的轧制铜箔在其轧制面上{200}&面取向的晶粒和{220}eu面取向的晶粒存在大致相同程度的面积比。另一方面，图7所示的比较例1的轧制铜箔在将(220hu面的衍射峰值强度1(220k设为IOO的场合，(200U,面的衍射峰值强度I(200U为76，{220}&面取向的晶粒在铜箔的轧制面上占压倒的优势。换言之，意味着作为种晶的{200}"面取向的晶粒非常少。当综合考虑上述的面内取向测定和2e/e测定的结果时可知，在实施例i的轧制铜箔中可靠地存在作为形成立方体织构的种晶的三维取向的铜晶体。相对于此，在比较例i的轧制铜箔中，相对于轧制面虽然存在(200hu面取向的晶粒，但它们的面内取向性很差，预示着几乎不存在三维取向的种晶。(退火毛坯)对如上所述制作的四种退火毛坯(毛坯退火之后最终冷轧工序前，厚度为0.2mm和0.lmm)，进行了XRD极点图测定。图8是对退火毛坯的轧制面进行了(220hu面的XRD极点图测定的结果的一个例子。图8(a)是实施例2，图8(b)是实施例3，图8(c)是比较例2,图8(d)是比较例3。如图8所表明的，在全部试样中在a-40—5()G之间存在标准化强度的极大值Q，在cc-20一4()G之间存在标准化强度的极小值S。在此，当取极大值Q和极小值S之比为Q/S时，可知，实施例2和实施例3的值分别为2.2、2.6，在"2Q/S3"的范围内，相对于此，比较例2和比较例3的该值分别为3.1、1.5，在上述范围之外。(最终冷轧工序过程中的轧制铜箔)对使用了上述四种毛坯的最终冷轧工序过程中的轧制铜箔进行了XRD极点图测定。图9是对最终冷轧工序过程中的轧制铜箔的轧制面进行了{220}Cu面的XRD极点图测定的结果的一个例子。图9(a)是实施例2，图9(b)是实施例3,图9(c)是比较例2,图9(d)是比较例3。如图9所表明的，在各试样中在oc-25—350之间存在标准化强度的极大值P(或者见到其苗头)，在a-40—5()0之间存在标准化强度的极大值Q，在cc-85—90°之间上述标准化强度单调的增加。另外，分别与图8(a)—图8(d)比较，极大值Q的标准化强度随之减少。这样的变化可以认为是源于由上述的轧制加工时应力引起的铜晶体的旋转现象。(完成最终冷轧工序的轧制铜箔)对如上所述制作的完成轧制加工状态(最终冷轧工序后再结晶退火前)的轧制铜箔(厚度为16jim)进行了XRD测定。图IO是对完成最终冷轧工序的轧制铜箔进行了{220}"面的XRD极点图测定的结果的一个例子。图10(a)是实施例2,图10(b)是实施例3，图10(c)是比较例2，图10(d)是比较例3。如图10所表明的，实施例2和实施例3的轧制铜箔存在"Q<P<R"的关系，但比较例2的轧制铜箔则为"Q〉P,Q〉R"，对比较例3的轧制铜箔几乎未检测到极大值Q。所谓"Q《P<R"的关系可以认为是指面内取向的立方体组织的种晶以适当的量存在，而累积了加工应变的轧制织构以必需的足够的量存在。相对于此，几乎未检测到极大值Q的比较例3预示着几乎没有面内取向的立方体组织的种晶。另外，对于"Q〉P,Q〉R"的比较例2虽可以认为存在面内取向的立方体组织的种晶，但预示着累积了加工应变的轧制织构的形成不充分。图11是对上述完成最终冷轧工序的轧制铜箔进行了26/6测定的结果的一个例子。图11(a)是实施例2，图11(b)是实施例3，图11(c)是比较例2。如图11所表明的，实施例2和实施例3的轧制铜箔显示在轧制面存在大量(200)"面取向的晶粒。相对于此，比较例2的轧制铜箔在轧制面存在大量(200hu面取向的晶粒，另一方面，也存在大量(111U面取向的晶粒，但咖"面取向的晶粒很少。另外，比较例3得到与图7大致相同的结果，成为种晶的(200hu面取向的晶粒非常少，(220hu面取向的晶粒占优势。当综合考虑上述的极点图测定和26/6测定的结果时可知，在实施例2—3的轧制铜箔中以适当的量残存有成为立方体织构形成的种晶三维取向的铜晶粒。相对于此，比较例3的轧制铜箔虽然存在对轧制面为{200}"面取向的晶粒，但它们都缺乏面内取向性，预示着几乎不存在三维取向的种晶。另夕卜，在比较例2中，可以认为，虽然可的确残存立方体组织的{200}"面取向的晶粒，但成为立方体组织形成的驱动力的"累积了加工应变的轧制织构"的形成不充分。(再结晶退火后的轧制铜箔)对如上所述制作的各轧制铜箔(厚度为16jim,完成最终冷轧工序)在实施了于温度180'C保温60分钟的再结晶退火后进行了XRD测定，平价了综合取向比率[A]x[B]x[c]。表3表示立方体织构的比率[A]的结果，表4表示面外取向比率[B]和面内取向比率[C]的结果，表5表示综合取向比率[A]x[B]x[C]的结果。另外，如上所述，[A]、[B]、[C]分别用下式算出。立方体织构的比率[A]-I{200}Cu/(I{111}Cu+1{200}Cu+I{220}Cu+I{311}Cu)立方体织构的面外取向比率[Bh△6fwhm/A6iw立方体织构的面内取向比率[C]-△(3fwhm/A13iw表3以(200hu面的衍射强度为100时的相对强度和[A]的结果Ull}Cu,Cu{220}Cu{311}Cu[A]实施例14100310.92实施例22100310.94实施例351001030.85比较例15100540.88比较例23100320.92比较例3101003590.65表4面外取向比率[B]和面内取向比率[C]的结果△6fwhm△6ivr间△Pfwhm△Piw[c]实施例16.87.90.866.58.00.81实施例27.47.70.967.07.50.93实施例36.900.866.57.90.82比较例16.99.40.736.79.10.74比较例26.99.60.726.59.20.71比较例36.79.50.717.19.60.76表5综合取向比率[A]x[B]x[C]的结果[B][c][A]x间x[C]实施例10.920.860.810.64实施例20.940.960.930.84实施例30.850.860.820.60比较例10.880.730.740.48比寿交例20.920.720.710.47比净交例30.650.720.760.35如表5的结果所表明的，实施例1—3的轧制铜箔其综合取向比率[A]x间x[c]比0.5高得多，而比较例l一3的轧制铜箔其综合取向比率却低于0.5。这可以认为是在完成最终冷轧工序的轧制铜箔中，源于是否存在成为立方体织构形成的种晶三维取向的铜晶粒，和/或累积了加工应变的轧制织构形成的程度。(再结晶退火后的轧制铜箔的弯曲特性)对如上所述制作的各轧制铜箔(实施例1—3和比较例1一3,厚度为16inm,再结晶退火后)的弯曲特性的平价如下进行。图12表示了弯曲特性评价(滑动弯曲试验)的概略的示意图。滑动弯曲试验装置使用信越工程抹式会社制，型号SEK-31B2S的装置，R=2.5mm，振幅行程40mm,频率-25Hz(振幅速度=1500次/分钟)，试样宽度=12.5mm,试样长度-220mm，以试样片的长度方向为轧制方向进行了测定。分别对IO个试样进行了测定。结果示于表6。表6再结晶退火后的轧制铜箔的滑动弯曲试验结果<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>如表6的结果所表明的，可知实施例l一3的轧制铜箔与比较例l一3相比具有2倍以上的弯曲寿命次数(高弯曲特性)。该结果可以认为是源于实施例1—3的立方体织构的高综合取向比率(参照表5)。权利要求1.一种轧制铜箔，是在最终冷轧工序后再结晶退火前的轧制铜箔，其特征在于，在由以轧制面为基准的X射线衍射极点图测定得到的结果中，存在有在β角度的至少每个90±50存在极点图测定的α角度＝450的由β扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值并表示4次对称性的晶粒。2.如权利要求1所述的轧制铜箔，其特征在于，表示上述4次对称性的衍射峰值相对于上述由|3扫描得到的铜晶体的(220ku面彩f射的最小强度具有1.5倍以上的衍射强度。3.如权利要求1或2所述的轧制铜箔，其特征在于，在由以轧制面为基准的X射线衍射极点图测定得到的结果中，在以极点图测定的a角度为横轴，以各a角度的由卩扫描得到的铜晶体的(220)cu面衍射峰值的标准化强度为纵轴用曲线表示时，在c^25—35G之间存在上述标准化强度的极大值P,在a-40—5()G之间存在上述标准化强度的极大值Q，在a=85—9()G之间上述标准化强度单调地增加；上述极大值P和上述极大值Q及上述a-卯G的上述标准化强度的值R为4.如权利要求1或2所述的轧制铜箔，其特征在于，在由对上述轧制面的x射线衍射2e/e测定得到的结果中，铜晶体的衍射峰值强度为"1{200}0^1{220}0;，。5.如权利要求3所述的轧制铜箔，其特征在于，在由对上述轧制面的x射线衍射2e/e测定得到的结果中，铜晶体的衍射峰值强度为"l(200)a^l(220〉cu"。6.—种轧制铜箔，是对权利要求1、2、5中任何一项所述的轧制铜箔实施了再结晶退火后的轧制铜箔，其特征在于，从对上述礼制面的X射线衍射20/e测定算出的立方体织构的比率[A]、对该立方体织构的晶粒从X射线衍射摆动曲线测定算出的面外取向比率[B]和对上述立方体织构的晶粒从以上述轧制面为基准的X射线衍射极点图测定算出的面内取向比率[c]的积为"[a]x[b]x[c]20.5"。7.—种轧制铜箔，是对权利要求3所述的轧制铜箔实施了再结晶退火后的轧制铜箔，其特征在于，从对上述轧制面的x射线衍射2e/e测定算出的立方体织构的比率[a]、对该立方体织构的晶粒从x射线衍射摆动曲线测定算出的面外取向比率[b]和对上述立方体织构的晶粒从以上述轧制面为基准的x射线衍射极点图测定算出的面内取向比率[c]的积为"[a]x[b]x[c]^0.5"。8.—种轧制铜箔，是对权利要求4所述的轧制铜箔实施了再结晶退火后的轧制铜箔，其特征在于，从对上述轧制面的x射线衍射20/0测定算出的立方体织构的比率[a]、对该立方体织构的晶粒从x射线衍射摆动曲线测定算出的面外取向比率[b]和对上述立方体织构的晶粒从以上述轧制面为基准的x射线衍射极点图测定算出的面内取向比率[c]的积为"[a]x[b]x[cpo.5"。9.一种轧制铜箔，是在最终冷轧工序后实施了再结晶退火后的轧制铜箔，其特征在于，从对轧制面的x射线衍射2e/e测定算出的立方体织构的比率[a]、对该立方体织构的晶粒从x射线衍射摆动曲线测定算出的面外取向比率[b]和对上述立方体织构的晶粒从以上述轧制面为基准的x射线衍射极点图测定算出的面内取向比率[c]的积为"[a]x[b]x[c]^0.5"。10.—种轧制铜箔的制造方法，是在以最终冷轧工序后再结晶退火前的轧制铜箔的轧制面为基准的由x射线衍射极点图测定得到的结果中，存在有在卩角度的每个90士5G存在极点图测定的a角度-45G的由卩扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值并表示4次对称性的晶粒的轧制铜箔的制造方法，其特征在于，在上述最终冷轧工序后第二道次以后的轧制道次中，包含具有比紧邻的前一道次压下量大1.1倍以上的压下量的轧制道次一个道次以上。11.如权利要求io所述的轧制铜箔的制造方法，其特征在于，上述最终冷轧工序中的最终道次或最终前的一个道次具有在第二道次以后的轧制道次中大约最大一个道次的压下量。12.如权利要求10或11所述的轧制铜箔的制造方法，其特征在于，上述最终冷轧工序的总压下量为80%以上90%以下。13.—种轧制铜箔的制造方法，在以最终冷轧工序后再结晶退火前的轧制铜箔的轧制面为基准的由X射线衍射极点图测定得到的结果中，存在有在卩角度的至少每个90士5G存在极点图测定的a角度-45G的由(3扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值并表示4次对称性的晶粒；在以极点图测定的a角度为横轴，以各a角度的由卩扫描得到的铜晶体的{220}Cu面衍射峰值的标准化强度为纵轴用曲线表示时，在a-25—35^之间存在上述标准化强度的极大值P,在c^40—5()G之间存在上述标准化强度的极大值Q，在a-85—9()G之间上述标准化强度单调地增加；上述极大值P和上述极大值Q及上述a—0Q的上述标准化强度的值R为"QSP^R";其特征在于，在以毛坯退火后上述最终冷轧工序前的轧制铜箔的轧制面为基准的由X射线衍射极点图测定得到的结果中，在以极点图测定的a角度为横轴，以各a角度的由J3扫描得到的铜晶体的(220)cu面衍射峰值的标准化强度为纵轴用曲线表示时，在01=40-5()G之间存在上述标准化强度的极大值Q，在01=20-40Q之间存在上述标准化强度的极小值S，将上述极大值Q和上述极小值S之比为"25Q/S^3"的轧制铜箔用作退火毛坯；上述最终冷轧工序的总压下量为80%以上93%以下。全文摘要本发明涉及轧制铜箔及其制造方法。为了满足对柔性印刷电路板等的可挠性配线部件更高的弯曲特性的要求，本发明提供一种具有优良的弯曲特性而且成本低的轧制铜箔。本发明的轧制铜箔是在最终冷轧工序后再结晶退火前的轧制铜箔，其特征是，在由以轧制面为基准的X射线衍射极点图测定得到的结果中，存在在β角度的至少每个90±5°存在极点图测定的α角度＝45°的由β扫描得到的铜晶体的{220}_Cu面衍射峰值并显示4次对称性的晶粒。文档编号C22C9/00GK101481760SQ20091000160公开日2009年7月15日申请日期2009年1月5日优先权日2008年1月8日发明者佐佐木元,室贺岳海,山本佳纪申请人:日立电线株式会社