专利名称：：化学机械研磨用水系分散体、电路基板及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及用于制造电路基板的化学机械研磨用水系分散体、使用该水系分散体的电路基板的制造方法、电路基板及多层电路基板。
背景技术：
：近年来，电子装置的小型化不断进展，对于构成电子装置的半导体装置、用于安装该半导体装置的电路基板，要求进一步的微细化及多层化。多层电路基板(被多层化的电路基板)一般层叠有多个形成有配线图案的电路基板，具有三维的配线结构。如果多层电路基板或电路基板的厚度不均匀、平坦性不充分，则有时在安装半导体装置时会发生接触不良的缺陷。因此，构成多层电路基板的各层电路基板必须以如下方式形成使得在层叠各层电路基板而制成多层电路基板时，不发生凹凸、弯曲，使其具有均匀的厚度且表面平坦。作为损害电路基板的平坦性的原因之一，可举出配线图案的凹凸。这样的凹凸在制造电路基板时多有发生。作为具有配线图案的电路基板的制造方法，例如有如下方法在基板的表面形成与所期望的配线图案相对应的凹部，在该表面整体上用镀覆来形成导电层后，研磨基板的表面侧，仅使凹部残留有导电层。在这样的制造方法中，对于镀覆工序而言，有时配线图案的线宽越细，则该部分的镀覆厚度会变得越厚；另夕卜，有时因配线图案的配线粗密而产生镀覆时的电流分布，因该分布，厚度会变得不均匀。因此，初期的镀覆厚度的不均匀会影响后面的研磨工序，结果有时损害电路基板的平坦性。另外，通过研磨来形成电路基板时，有时会产生凹陷(f<fy、》》y)现象，即，形成于电路基板的配线图案的研磨面成为凹状。上述研磨工序例如通过软皮(戸7)研磨进行。在专利文献1中公开了使用软皮磨光辊的研磨方法，使用了用粘合剂结合硬的研磨磨料形成的筒状软皮磨光辊。因此，对于这样的研磨方法而言，有如下缺点电路基板的厚度容易产生不均匀，进而，导电层的表面容易产生伤痕(平坦性受损)。另外，在软皮研磨中，还提出了使用浆料的方法(例如参照专利文献2)。但是，该方法也因被研磨面的材质而导致研磨速度差大，未达到能够得到像在多层电路基板中使用的电路基板那样极高度的厚度均匀性、表面平坦性的技术水准。专利文献1:日本特开2002-134920号公报专利文献2:日本特开2003-257910号公报
发明内容通过化学机械研磨进行研磨工序时，与其它研磨方法相比，平坦性良好。然而，以往的化学机械研磨的研磨速度小。特别是为了形成电路基板而应除去的配线材料的量多，因而有必要大幅提高化学机械研磨的研磨速度。这样，作为用于化学机械研磨电路基板的化学机械研磨用水系分散体的性能，不仅要求提高被研磨面的平坦性，还同时要求提高研磨速度。本发明的目的之一是提供一种化学机械研磨用水系分散体，其很好地用于形成在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板，研磨铜或铜合金的速度非常高，且得到的电路基板的平坦性良好。本发明的目的之一是提供一种平坦性良好的电路基板的制造方法，包含进行化学机械研磨的工序，在该工序中的研磨速度非常高。本发明的目的之一是提供一种平坦性良好的电路基板、及层叠多个该电路基板的平坦性良好的多层电路基板。本发明是为解决上述课题中的至少一部分而完成的，可以以下述方式或适用例来实现。在适用例1中，所述(Al)成分可以为甘氨酸。适用例4在适用例1中，所述(Bl)成分可以为选自十二烷基笨璜酸、十二烷基^t酸钾和十二烷基M酸铵中的至少1种。在适用例10中，所述(C2)氧化剂可以为过氧化氢。[适用例15在适用例10中，所述(D2)磨料可以为选自氧化珪粒子、碳酸钩粒子、有机聚合物粒子和有机无机复合粒子中的至少l种。本发明的电路M的一种方式为，具有使用适用例10~15中任一例的化学机械研磨用水系^L体进行化学机m磨的工序。[适用例17本发明的电路^41的一种方式为，是用适用例16的制造方法制造的。适用例181本发明的多层电路M的一种方式为，层叠有多个适用例17的电路基板。根据上述化学机械研磨用水系分散体，可以将在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板研磨为整个电路基板厚度均匀且表面平坦。进而，根据上述化学机械研磨用水系分散体，可以极大提高铜或铜合金的研磨速度至jim/分钟的级别。另外，根据上述电路基板的制造方法，可以平坦且高产量地制造电路基板。另外，上述电路基板和上述多层电路基板在整个基板上具有均匀的厚度，且具有平坦的表面。根据本发明的化学机械研磨用水系分散体，可以容易地提供在安装半导体装置等时难以发生接触不良等问题的电路基板或多层电路基板。图l是模式化地显示本实施方式的电路基板的制造方法的工序的截面图，图2是模式化地显示本实施方式的电路基板的制造方法的工序的截面图。图3是模式化地显示本实施方式的电路基板的制造方法的工序的截面图。图4是模式化地显示本实施方式的电路基板的制造方法的工序的截面图。图5是模式化地显示用本实施方式的电路基板的制造方法制造的电路基板的例子的截面图。符号说明IO...树脂基板12…凹部20…屏蔽金属膜30…金属膜8具体实施例方式以下，详细说明本发明的优选实施方式。需要说明的是，本发明并不限定于下述的实施方式，还包括在不改变本发明主旨的范围下能实施的各种变型例。1.化学机械研磨用水系分散体1.1.第1实施方式第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体，含有(Al)有机酸和有机酸盐中的至少l种、(Bl)表面活性剂和水溶性高分子化合物中的至少l种、(Cl)氧化剂和(Dl)磨料。以下，对第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中所含的各种成分进行详细说明。以下，有时将(A1)~(Dl)的各物质分别省略记载为(Al)成分~(Dl)成分。1.1.1.(Al)有机酸和有机酸盐第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体含有(Al)有机酸和有机酸盐中的至少l种。作为(Al)成分的功能之一，可以举出能提高对树脂基板上含铜或铜合金的配线层进行研磨而使用化学机械研磨用水系^t体时的研磨速度的功能。作为在第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中使用的(Al)成分，优选对由配线材料元素构成的离子、或者含铜或铜合金的配线材料的表面具有配位能力的有机酸或有机酸盐。作为(Al)成分更优选的是，具有螯合配位能力的有机酸或有机酸盐。作为在第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中使用的有机酸，可以举出酒石酸、富马酸、乙醇酸、酞酸、马来酸、曱酸、乙酸、草酸、柠檬酸、苹果酸、丙二酸、戊二酸、琥珀酸、安息香酸、全啉酸、会哪啶酸、酰胺硫酸等。另外，作为本发明中使用的有机酸，还可以优选使用甘氨酸、丙氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、赖氨酸、精氨酸、色氨酸、芳香族氨基酸、和杂环型氨基酸等的氨基酸。这些有机酸和有机酸盐能够在化学机械研磨用水系分散体中解离为至少l个质子(氢离子)和配对阴离子(対i&S:r-才^)。在这些有机酸中，由于使化学机械研磨用水系分散体的研磨速度提高的效果高，因而特别优选甘氨酸。作为在第i实施方式的化学机械研磨用水系分散体中使用的有机酸盐，可以举出上述有机酸的盐。有机酸盐可以在化学机械研磨用水系分散体中解离为一对离子。在2价以上的有机酸盐中，配对阳离子可以为i价，也可以为i价以上。作为本实施方式的化学机械研磨用水系分散体中优选的有机酸盐，例如可以举出上述有机酸的钾盐、铵盐、和钠盐等。作为本实施方式的化学机械研磨用水系分散体中含有的有机酸盐，还包括如下的盐，即，在上述有机酸溶解于化学机械研磨用水系分散体中的状态下，与来自任意加入的其它成分的阳离子、例如铵离子、钾离子等配对，在该化学机械研磨用水系分散体干燥时所形成的盐。作为本实施方式的化学机械研磨用水系分散体中优选的有机酸盐的具体例，可以举出酰胺疏酸钾、酰胺硫酸铵、酰胺硫酸钠等。在第i实施方式的化学机械研磨用水系分散体中，可以单独含有上述的有机酸或有机酸盐，也可以含有2种以上的有机酸、有机酸盐.第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中(Al)成分的含量，只要满足后述的(Al)成分和(Dl)成分的量的关系即可以为任意，但作为(Al)成分整体，更优选相对于使用时的化学机械研磨用水系分散体的质量为5~15质量％。即，在化学机械研磨用水系分散体中，(Al)成分的浓度M^优选为5~15质量％，更优选7~13质量％，特别优选8~12质量％。如果(Al)成分的含量小于上述范围，则有时得不到充分的研磨速度，为了结束研磨工序会需要大量时间。另一方面，如果(Al)成分的含量超过上述范围，则化学蚀刻效果变大，有时发生配线层的腐蚀，或被研磨面的平坦性受损.1.1.2.(Bl)表面活性剂和水溶性高分子化合物第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体含有(Bl)表面活性剂和水溶性高分子化合物中的至少l种。作为(Bl)成分的功能之一，可以举出对化学机械研磨用水系分散体赋予粘性，使研磨性能稳定化，提高被研磨面的平坦性的功能。即，化学机械研磨用水系分散体的粘性可以通过(Bl)成分的含量来控制。如果控制了该化学机械研磨用水系分散体的粘性，则可以控制该化学机械研磨用水系分散体的研磨性能。作为能够在第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中优选使用的表面活性剂，可以举出非离子性表面活性剂、阴离子表面活性剂或阳离子表面活性剂。作为非离子性表面活性剂，可以例举出具有三键的非离子性表面活性剂。具体而言，可以举出炔二醇及其环氧乙烷加成物、炔醇等。另夕卜，作为非离子性表面活性剂，可以举出硅酮类表面活性剂、环糊精及其衍生物等。作为阳离子表面活性剂，可例举出脂肪族胺盐和脂肪族铵盐等。作为阴离子表面活性剂，可以例举出脂肪族皂、硫酸酯盐和磷酸酯盐等。其中，作为在本实施方式的化学机械研磨用水系分散体中优选的表面活性剂，可以举出阴离子表面活性剂。作为阴离子表面活性剂，优选链烯基琥珀酸等琥珀酸衍生物、硬脂酸、油酸等的高级有机酸及其盐、烷基苯磺酸、烷基萘磺酸、a-烯烃磺酸等高级磺酸及其盐等。作为链烯基琥珀酸的盐，例如可以举出链烯基琥珀酸二钾(商品名"LATEMULASK"可由花王林式会社购入)。作为烷基苯磺酸，特别优选十二烷基苯磺酸。另外，作为磺酸盐，优选铵盐、钾盐、钠盐。作为烷基苯磺酸盐的优选具体例，可以举出十二烷基苯磺酸铵和十二烷基苯磺酸钾。作为能够在第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中优选使用的水溶性高分子化合物，可以举出聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和聚乙烯基甲基醚等水溶性高分子化合物、聚丙烯酸(PAA)、聚甲基丙烯酸、丙烯酸和甲基丙烯酸的共聚物、聚马来酸等具有羧酸基的水溶性高分子化合物及其盐、聚异戊二烯磺酸等具有磺酸基的水溶性高分子化合物及其盐、丙烯酸羟乙酯、羟乙基纤维素、聚乙烯醇等具有羟基的水溶性高分子化合物。在第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中使用的水溶性高分子化合物为PVP时，以采用水系GPC(凝胶渗透色镨)测定的按聚乙二醇换算的重均分子量(Mw)计，优选使用测定的值超过20万的PVP。优选超过20万且在150万以下，更优选为30万~150万，进一步优选50万~120万，特别优选65万110万的PVP。如果PVP的重均分子量在上述范围，则降低研磨中的摩擦的效果高，可以更稳定地研磨铜和含铜的配线层。另外，可以抑制铜和含铜的配线层的凹陷等。重均分子量如果小于上述下限，则上述效果容易不充分，因而不优选。另外，如果重均分子量过大，则有研磨速度降低的倾向、以及引M料凝聚的倾向，有时由于凝集的磨料而使铜和含铜的配线层上的擦伤增加，因而不优选。对于第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体，作为(B1)成分，可以使用上述表面活性剂和水溶性高分子中的单独l种或组合使用2种以上第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中的(B1)成分的含量，作为(Bl)成分整体，相对于使用时的化学机械研磨用水系分散体的质量，优选为0.01~1质量％,更优选0.05~0.5质量％，特别优选0.1-0.3质量％。如果(Bl)成分的含量小于上述范围，则化学机械研磨用水系分散体的粘性过低，因而不能将向研磨垫施加的压力有效且均匀地传递到被研磨面，在被研磨面内该化学机械研磨用水系分散体的研磨性能不均匀，有时损害平坦性。另外，化学机械研磨用水系分散体的粘度变低，因而化学机械研磨用水系分散体在有效作用之前就从成为研磨对象的基板和研磨垫之间流出了，特别是有时会成为被研磨面内外周部的化学机械研磨用水系分散体存在量不均匀的原因。另一方面，如果(B1)成分的含量超过上述范围，则相对于含量的平坦性改良效果钝化，有时不能得到充分的平坦性，进而，有时研磨速度降低，或该化学机械研磨用水系分散体的粘性变得过高，研磨摩擦热上升，面内均匀性恶化。另外，(Bl)成分的含量如果超过上述范围，则化学机械研磨用水系分散体容易起泡，因而有时操作性恶化。1.1.3.(Cl)氧化剂第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体含有(Cl)氧化剂。作为(Cl)氧化剂的功能之一，可以举出能提高对形成有铜和含铜的配线层的电路基板进行研磨而使用化学机械研磨用水系分散体时的研磨速度的功能。作为其理由，可以认为是，(Cl)氧化剂氧化铜等的表面，促进与化学机械研磨用水系分散体的成分的配合反应，从而在铜等的表面形成脆弱的改性层，使铜等的研磨容易。作为第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中使用的(Cl)氧化剂，可以举出过氧化氢、过乙酸、过安息香酸、叔丁基过氧化氢等有机过氧化物、高锰酸钾等的高锰酸化合物、重铬酸钟等的重铬酸化合物、碘酸钾等的卣酸化合物、硝酸、硝酸铁等硝酸化合物、高氯酸等高卣酸化合物、过疏酸铵等过硫酸盐、和杂多酸等。在这些氧化剂中，从氧化力、对树脂基板的腐蚀性及操作容易度等考虑，优选过氧化氢、有机过氧化物或过硫酸铵等过J5危酸盐，特别优选分解产物无害的过氧化氢。第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中的(C1)氧化剂含量，相对于使用时的化学机械研磨用水系分散体的质量，优选为0.5~5质量%，更优选1~4质量％,特另，』优选1.5~3质量％。如果(C1)氧化剂的含量小于上述范围，则有时化学效果变得不充分，研磨速度会下降，有时为了结束研磨工序而需要大量时间。另一方面，(Cl)氧化剂的含量如果超过上述范围，则有时被研磨面腐蚀而损害平坦性。1.1.4.(Dl)磨料第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体含有(Dl)磨料。作为(Dl)磨料，可以举出无机粒子、有机粒子和有机无机复合粒子等。作为无机粒子，可以举出氧化硅粒子、氧化铝粒子、氧化钛粒子、氧化锆粒子、二氧化铈粒子、碳酸钙粒子等。作为上述氧化硅粒子，可以举出通过在气相中使氯化硅等与氧和氢反应的热解法合成的热解法氧化硅，由金属醇盐进行水解缩合而合成的溶胶凝胶法来合成的氧化硅，采用通过纯化而除去杂质的无机胶体法等来合成的胶体氧化硅等。作为氧化硅粒子，特别优选采用通过纯化而除去杂质的无机胶体法等来合成的胶体氧化硅，在第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中使用氧化硅粒子作为(Dl)磨料时，使用平均粒径为200nm以下的胶体氧化硅时，平坦性良好，因而优选。作为上述碳酸钓粒子，优选如下得到的高纯度的碳酸钓粒子在水中将氢氧化钙纯化后，使其与二氧化碳反应。作为有机粒子，可以举出聚乙烯、聚丙烯、聚-1-丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯等烯烃系共聚物、聚苯乙烯、苯乙烯系共聚物、聚氯乙13烯、聚缩醛、饱和聚酯、聚酰胺、聚碳酸酯、酚醛树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、(曱基)丙烯酸系树脂、和丙烯酸系共聚物等有机聚合物粒子。作为有机无机复合粒子，可以由上述的有机粒子和上述的无机津立子构成。对于有机无机复合粒子，只要是上述的有机粒子和无机粒子一体地形成为在化学机械研磨工序时不容易分离的程度即可，各粒子的种类、构成等没有特别限定。作为该有机无机复合粒子，可以使用例如如下而成的有机无机复合粒子在聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等聚合物粒子的存在下，使烷氧基硅烷、烃氧基铝、烃氧基钛等缩聚，在聚合物粒子的至少表面上，结合聚硅氧烷、聚铝氧烷(求卩7Vi^、乂*廿》)、聚钛氧烷(求yf夕乂*廿》)等缩聚物而成。生成的缩聚物可以与具有聚合物粒子的官能团直接结合，也可以介由硅烷偶联剂等来结合。另外，也可以代替烷氧基硅烷等而使用氧化硅粒子、氧化铝粒子等。此时，有机无机复合粒子可以如下形成将聚硅氧烷、聚铝氧烷、聚钛氧烷等缩聚物作为粘合剂，使聚合物粒子的表面存在氧化硅粒子等。它们可以与聚硅氧烷等相互络合而保持，也可以通过它们所具有的羟基等官能团而化学结合于聚合物粒子上。另外，作为在第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中可以使用的有机无机复合粒子，可以举出在含有具有符号不同的；电位的有机粒子和无机粒子的水分散体中，这些粒子通过静电力结合而成的有机无机复合粒子。有机粒子的；电位在整个pH范围、或除了低pH范围的广泛范围内多为负，而通过制成具有羧基、磺酸基等的有机粒子，可以更可靠地制成具有负；电位的有机粒子。另外，通过制成具有氨基等的有机粒子，也可以制成在特定的pH范围中具有正的；电位的有机粒子。另一方面，无机粒子的；电位的pH依赖性高，该电位具有成为0的等电点，在其前后，；电位的符号逆转。因此，通过将特定的有机^:子和无机粒子组合，在它们的；电位成为相反符号的pH范围中进行混合，就可以通过静电力将有机粒子和无机粒子复合成一体。另外，即使混合时；电位为相同符号，也可以通过随后改变pH，使；电位成为相反符号，从而将有机粒子和无机粒子一体化。进而，作为上述的有机无机复合粒子，也可以使用如下而成的有机无机复合粒子在用静电力而复合为一体的粒子的存在下，使上述那样的烷氧基硅烷、烃氧基铝、烃氧基钛等缩聚，在该粒子的至少表面上进一步结合聚硅氧烷等而复合而成的有机无机复合粒子。在上述的磨料中，作为在第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中使用的磨料，优选选自氧化硅粒子、碳酸钙粒子、有机聚合物粒子、和有机无机复合粒子中的至少l种。本发明中使用的(Dl)磨料的平均粒径优选为20~500nm。该平均粒径可以通过激光散射衍射型测定器、或用透射型电子显微镜进行观察来测定。如果平均粒径小于20nm,则有时不能得到研磨速度充分大的化学机械研磨用水系分散体。如果平均粒径超过500nm，则有时由于磨料的沉淀、分离而不能容易地得到稳定的水系分散体。磨料的平均粒径可以为上述范围，但更优选30400nm，特别优选40~300nm。如果平均粒径在该范围，则研磨速度大，凹陷被充分抑制，且难以发生粒子的沉淀、分离，可以得到稳定的化学机械研磨用水系分散体。第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中的(D1)成分的含量，只要满足后述的(Al)成分和(Dl)成分的量的关系即可为任意，但相对于使用时的化学机械研磨用水系分散体的质量，更优选为0.5~5质量％。即，在化学机械研磨用水系分散体中，(Dl)成分的浓度Mm更优选为0.55质量。/。。(Dl)成分的含量进一步优选为1~4.5质量％，特别优选1.5~4质量％。如果(Dl)成分的含量小于上述范围，则有时得不到充分的研磨速度,有时为了结束研磨工序需要大量时间。另一方面，磨料的含量如果超过上述范围，则有时被研磨面的平坦性变得不充分，成本变高，并且不能确保化学研磨用水系分散体的贮藏稳定性。1.1.5.化学机械研磨用水系分散体的(Al)成分和(Dl)成分的量的关系对于第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体，(Al)成分的浓度MA1(质量％)和(Dl)成分的浓度MD1(质量％)具有MA1/MD1=1~30的关系。在此，M^和Mm分别表示(Al)成分和(Dl)成分的浓度，是指(Al)成分和(Dl)成分的质量相对于化学机械研磨用水系分散体整体的质量的比例。(Al)成分的浓度M^和(Dl)成分的浓度MD1的比MA1/MD1，更优选MA1/MD1=2~20，进一步优选MA1/MD1=3~10。如果M^/Mm比值小于上述范围，则有配线层的凹陷变大的倾向，不优选。进而，如果MA1/MD1比值小于上述范围，则(Dl)磨料成分相对变多，对树脂基板的机械研磨进行过度，作为被研磨物的在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板的被研磨面变粗糙，因而不优选。另外，有时不能得到稳定的化学机械研磨用水系分散体。如果MA1/MD1比值超过上述范围，则有时被研磨面的平坦性变得不充分。另外，也有时发生对配线金属的腐蚀，因而不优选。1.1.6.化学机械研磨用水系分散体的pH在第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中，化学机械研磨用水系分散体的pH值为8~12。在此，所谓pH是指氢离子指数，该值可以用市售的pH计等测定。化学机械研磨用水系分散体的pH值优选为8.5~11.5，更优选9~11。化学机械研磨用水系分散体的pH值如果小于上述范围，则有时研磨速度下降。化学机械研磨用水系分散体的pH值如果超过上述范围，则有时发生磨料溶解、或被研磨面的平坦性变差。化学机械研磨用水系分散体的pH值随上述(Al)成分乃至(Dl)成分的配合量而变化。因此，选择各成分的种类，或使配合量变化，可调节到上述pH值的范围。另外，根据上述(Al)成分乃至(Dl)成分的种类、配合量，也会有pH值达不到上述范围内的情况。此时，可以在化学机械研磨用水系分散体中添加适宜的pH调节剂等，将pH值调节到上述范围内。1.1.7.pH调节剂在第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体中，根据需要可以配合酸、碱等pH调节剂。作为pH调节剂的功能之一，是将化学机械研磨用水系分散体调节到所期望的pH。由此，化学机械研磨用水系分散体成为所期望的pH值，可以调整研磨速度、改良平坦性和抑制配线层的腐蚀。pH调节剂可以在化学机械研磨用水系分散体的pH处于8~12的范围之外时来使用，此外，在化学机械研磨用水系分散体的pH处于8-12的范围时，也可以用于进一步调节pH。作为pH调节剂，例如，作为酸，可以举出硫酸和磷酸等无机酸，作为碱，可以举出氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷和氢氧化铯等碱金属的氢氧化物，氢氧化四曱铵、胆碱等有机碱化合物、以及氨等。酸和碱可以单独配合，也可以配合多种。通过添加pH调节剂，可以考虑被研磨面的电化学性质、磨料的分散性、稳定性以及研磨速度，来设定适当的pH，使得磨料能稳定地存在。作为本实施方式的化学机械研磨用水系分散体中特别优选的pH调节剂，从可以提高研磨速度的观点出发，可以举出氨。1.1.8.其它添加剂第1实施方式的化学机械研磨用水系分散体，除了上述成分之外，还可以根据需要配合各种添加剂。作为其它的添加剂，可以举出配线材料的防腐蚀剂、降低浆料起泡的抑泡剂和消泡剂等。1.2.第2实施方式第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体，含有(A2)有机酸、(B2)含氮杂环化合物、(C2)氧化剂和(D2)磨料。以下，有时将(A2)~(D2)的各物质分别省略记载为(A2)成分~(D2)成分。1.2.1.(A2)有机酸第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体含有(A2)有机酸。作为(A2)有机酸的功能之一，可以举出能提高对树脂基板上含铜或铜合金的配线层进行研磨而使用化学机械研磨用水系分散体时的研磨速度的功能。作为在第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体中使用的(A2)有机酸，优选对由配线材料元素构成的离子、或者含铜或铜合金的配线材料的表面具有配位能力的有机酸。作为(A2)有机酸更优选的是，具有螯合配位能力的有机酸。作为在第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体中使用的有机酸，可以举出酒石酸、富马酸、乙醇酸、酞酸、马来酸、甲酸、乙酸、草酸、柠檬酸、苹果酸、丙二酸、戊二酸、琥珀酸、安息香酸、喹啉酸、喹哪啶酸、酰胺硫酸等。另外，作为本发明中使用的有机酸，还可以优选使用甘氨酸、丙氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、赖氨酸、精氨酸、色氨酸、芳香族氨基酸和杂环型氨基酸等氨基酸。这些有机酸能够在化学机械研磨用水系分散体中解离为至少l个质子(氢离子)和配对阴离子(母离子)。在第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体中，可以单独含有上述的有机酸，也可以含有2种以上的上述有机酸。在这些有机酸中，由于使化学机械研磨用水系分散体的研磨速度提高的效果高，因而特别优选选自柠檬酸、甘氨酸、苹果酸、酒石酸和草酸中的至少l种。第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体中使用的有机酸，在溶解于化学机械研磨用水系分散体中的状态下，可以与来自任意加入的其它成分的阳离子、例如铵离子、钾离子等配对，此时，化学机械研磨用水系分散体干燥时形成盐。此时，配对阳离子可以为l价也可以为l价以上。第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体中(A2)有机酸的含量，作为(A2)有机酸整体，相对于使用时的化学机械研磨用水系分散体的质量，优选为3~15质量％，更优选3.5~12质量％，特别优选4~10.5质量％。如果(A2)有机酸的含量小于上述范围，则有时得不到充分的研磨速度，有时为了结束研磨工序会需要大量时间。另一方面，如果(A2)有机酸的含量超过上述范围，则化学蚀刻效果变大，有时发生配线层的腐蚀，或被研磨面的平坦性受损。1.2.2.(B2)含氮杂环化合物第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体含有(B2)含氮杂环化合物。作为(B2)含氮杂环化合物的功能之一，可以举出通过与铜等金属形成不溶于水的配合物，保护被研磨面，从而提高被研磨面的平坦性。作为(B2)含氮杂环化合物，优选对由配线材料元素构成的离子、或者含铜或铜合金的配线材料的表面具有配位能力的含氮杂环化合物。作为(B2)含氮杂环化合物更优选的是，具有螯合配位能力的含氮杂环化合物o在第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体中优选使用的(B2)含氮杂环化合物，是杂环化合物中含有至少l个氮作为杂原子的化合物。含氮杂环化合物是含有选自具有至少1个氮原子的五元杂环及六元杂环中的至少l种杂环的有机化合物。作为所述杂环，可以举出吡咯结构、18咪唑结构、三唑结构等五元杂环，和吡啶结构、嘧啶结构、哒溱结构、吡秦结构等六元杂环。该杂环可以形成稠环。具体而言，可以举出吲咮结构、异吲哚结构、苯并咪唑结构、苯并三唑结构、喹啉结构、异喹啉结构、会唑啉结构、肉啉结构、酞漆结构、喹喔啉结构、吖啶结构等。在具有这样结构的杂环化合物中，优选具有吡啶结构、喹啉结构、苯并咪唑结构或苯并三唑结构的杂环化合物。作为含氮杂环化合物的具体例，可以举出氮丙咬、吡啶、嘧啶、吡咯烷、哌啶、吡嗪、三嗪、吡咯、咪唑、吲咮、喹啉、异喹啉、苯并异喹啉、嘌呤、蝶啶、三唑、三唑烷、苯并三唑、羧基苯并三唑等，进而，可以例示具有这些骨架的衍生物。第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体，可以使用上述含氮杂环化合物中的单独l种或组合使用2种以上作为(B2)含氮杂环化合物。作为(B2)含氮杂环化合物，特别优选选自苯并三唑、三唑、咪唑和羧基苯并三唑中的至少l种。第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体中的(B2)含氮杂环化合物的含量，作为(B2)含氮杂环化合物整体，相对于使用时的化学机械研磨用水系分散体的质量，优选为0.05~2质量％，更优选0.1~1质量％，特别优选0.2~0.5质量％。如果(B2)含氮杂环化合物的含量小于上述范围，则有时损害被研磨面的平坦性。如果(B2)含氮杂环化合物的含量超过上述范围，则有时研磨速度降低。1.2.3.(C2)氧化剂第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体含有(C2)氧化剂。(C2)氧化剂可以使用在上述"1.1.3.(Cl)氧化剂"项中说明的氧化剂。对于第2实施方式中(C2)氧化剂的功能而言，也与上述"1.1.3.(Cl)氧化剂"项中说明的功能相同。第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体中的(C2)氧化剂含量，相对于使用时的化学机械研磨用水系分散体的质量，优选为1~30质量%，更优选5~20质量％,特别优选5~15质量％。如果(C2)氧化剂的含量小于上述范围，则有时化学效果变得不充分，研磨速度会下降，有时为了结束研磨工序而需要大量时间。另一方面，(C2)氧化剂的含量如果超过上述范围，则有时被研磨面腐蚀而损害平坦性，有时也会发生研磨速度下降。1.2.4.(D2)磨料第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体含有(D2)磨料。(D2)磨料可以使用在上述"1丄4.(Dl)磨料，，项中说明的磨料。对于第2实施方式中(D2)磨料的功能和含量而言，也与上述"1.1.4.(Dl)磨料"项中说明的功能和含量相同。1.2.5.化学机械研磨用水系分散体的(A2)成分和(D2)成分的量的关系对于第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体，(A2)成分的浓度MA2(质量％)和(D2)成分的浓度MD2(质量％)具有MA2/MD2=1~20的关系。在此，Ma2和Md2是(A2)成分和(D2)成分的质量相对于化学机械研磨用水系分散体整体的质量的比例。(A2)成分的浓度MA2和(D2)成分的浓度MD2的比MA2/MD2，更优选MA2/MD2=1~10，进一步优选MA2/MD2=2~8。如果MA2/MD2比值小于上述范围，则有配线层的凹陷变大的倾向，不优选。进而，如果MA2/Mo2比值小于上述范围，则由于(D2)磨料成分相对变多，对树脂基板的机械研磨进行过度，因此作为被研磨物的在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板的被研磨面变粗糙，因而不优选。另外，有时不能得到稳定的化学机械研磨用水系分散体。如果MA2/MD2比值超过上述范围，则有时被研磨面的平坦性变得不充分.另外，也有时发生对配线金属的腐蚀，因而不优选。1.2.6.化学机械研磨用水系分散体的pH在第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体中，化学机械研磨用水系分散体的pH值为1~5。在此，所谓pH是指氢离子指数，该值可以用市售的pH计等测定。化学机械研磨用水系分散体的pH值优选为1.5~4.5,更优选2~4。化学机械研磨用水系分散体的pH值如果小于上述范围，则有时被研磨面的平坦性变差。化学机械研磨用水系分散体的pH值如果超过上述范围，则有时研磨速度降低。化学机械研磨用水系分散体的pH值随上述(A2)成分乃至(D2)成分的配合量而变化。因此，选择各成分的种类，或使配合量变化，可调节到上述pH值的范围。另外，根据上述(A2)成分乃至(D2)成分的种类、配合量，也会有pH值达不到上述范围内的情况。此时，可以在化学机械研磨用水系分散体中添加适宜的pH调节剂等，将pH值调节到上述范围内。1.2.7.pH调节剂在第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体中，根据需要可以配合酸、碱等pH调节剂。pH调节剂，可以使用在上述"1.1.7.pH调节剂"项中说明的pH调节剂。对于第2实施方式中pH调节剂的功能而言，也与上述"1.1.7.pH调节剂"项中说明的功能相同。1.2.8.其它添加剂第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体，除了上述成分之外，还可以根据需要配合各种添加剂。作为其它的添加剂，可以举出配线材料的防腐蚀剂、降低浆料起泡的抑泡剂和消泡剂等。2.电路基板的制造方法、电路基板和多层电路基板第3实施方式的电路基板的制造方法，具有使用"l.化学机械研磨用水系分散体"中所述的化学机械研磨用水系分散体进行化学机械研磨的工序'化学机械研磨工序是将上述的化学机械研磨用水系分散体导入到一般的化学机械研磨装置中而进行的。以下，使用附图具体说明电路基板的制造工序。图1~图5是模式化表示第3实施方式的电路基板100的制造工序例的截面图。第3实施方式的电路基板100的制造方法中的化学机械研磨工序是研磨特别是由铜或铜合金构成的配线层的工序。作为在第3实施方式的电路基板100的制造方法中使用的树脂基板10，只要在形成有配线层的部位具有绝缘性即可，例如，可以使用膜基板、塑料基板，也可以使用玻璃基板等。树脂基板10可以为单层体，也可以是例如在硅等的其它材质的基板上形成有树脂层的层叠体。如图l所示，首先准备树脂基板IO。在树脂基板10上，通过光刻21和蚀刻等技术设置凹部12。凹部12与电路基板100的配线层对应地形成。树脂基板10的至少设有凹部12侧的面具有电绝缘性。接着，如图2所示，形成屏蔽金属膜20，使其覆盖树脂基板10的表面以及凹部12的底部及内壁面。屏蔽金属膜20根据需要而设置。屏蔽金属膜20例如可以由钽、氮化钽等材质构成。作为屏蔽金属膜20的成膜方法，可以使用化学气相沉积法(CVD)。接着，如图3所示，堆积配线用金属，使其覆盖屏蔽金属膜20的表面，形成金属膜30。金属膜30可以由铜或铜合金构成。金属膜30经过化学机械研磨工序，残存于凹部12内，形成电路基板100的配线层。作为金属膜30的成膜方法，可以使用溅射法、真空蒸镀法等物理气相沉积法(PVD)。接着，如图4所示，使用本实施方式的化学机械研磨用水系分散体，化学机械研磨而除去埋没于凹部12的部分之外的多余金属膜30。在设有屏蔽金属膜20的情况下，持续上述方法直到屏蔽金属膜20露出。化学机械研磨后，优选除去残留于被研磨面的磨料。该磨料的除去可以通过通常的清洗方法来进行。最后，如图5所示，使用屏蔽金属膜用的其它化学机械研磨用水系分散体，化学机械研磨而除去形成于凹部12之外的屏蔽金属膜20a和金属膜30的表面。如上所述形成电路基板100。电路基板100可以具有任意形状的配线层。通过层叠具有适当形状的配线层的多个电路基板，可以形成多层电路基板。多层电路基板的各电路基板的配线层被适当地电连接，可以具有三维的配线结构。第3实施方式的化学机械研磨工序使用第1或第2实施方式的化学机械研磨用水系分散体来除去金属膜30，因而其研磨速度大，研磨面内的平坦性良好，难以发生凹陷等的选择性研磨。因此，根据笫3实施方式的电路基板的制造方法，可以高产量地制造面内平坦性优异的电路基板IOO。用第3实施方式的制造方法制造的电路基板100，面内平坦性高，凹陷也小。因此，将电路基板100层叠而形成的多层电路基板的基板整体具有均匀的厚度，且具有平坦的表面。3.实施例和比较例以下，使用实施例和比较例进一步说明本发明，但本发明并不受这些实施例和比较例的任何限定。3.1评价用基板的制作3.1.1.平坦性评价用基板的制作将WPR-1201清漆(JSR林式会社制，感光性绝缘树脂组合物)旋涂于表面粗化处理的覆铜层叠板(基板厚，0.6mm;尺寸，10cm见方)，用热板在110t:加热3分钟，制作l(Him厚的均匀涂膜。然后，使用对准器(KarlSuss公司制，"MA-100")，介由具有L/S=100nm/100fim的配线、和2mmx2mm的焊盘(,《7卜"部的图案掩模，照射来自高压汞灯的紫外线。紫外线的曝光设为，波长350nm的曝光量为3000~5000J/m2。接着，用热板在110C加热3分钟(PEB)，用2.38质量％氢氧化四甲铵(TMAH)在23匸浸渍显影60秒后，用对流式烘箱进行120Cx2小时的加热，在覆铜层叠板上形成具有沟图案的绝缘树脂固化膜。通过化学镀在得到的绝缘树脂固化膜上形成铜种子层，然后用电镀法形成10nm的铜镀层。这样得到了在沟图案内埋入了铜的平坦性评价用基板。将该基板进行化学机械研磨，除去沟图案外的铜，即可形成具有lOOfim宽的导电层的线、和2mm宽的导电层的线的电路基板。3.1.2.铜研磨速度评价用基板的制作除了不进行绝缘树脂层的沟图案形成以外，与"3.1.1.平坦性评价用基板的制作"同样地进行，得到10nm的带有铜镀层的基板。3.2.磨料分散体的调制3.2.1.含有热解法氧化硅粒子的水分散体的调制用超声波分散机使热解法氧化珪粒子(NIPPONAEROSIL公司制、商品名"AEROSIL井卯")2kg分散在离子交换水6.7kg中，用孔径5fim的过滤器过滤，调制含有热解法氧化硅的水分散体。3.2.2.调制含有胶体氧化硅的水分散体在容量为2升的烧瓶中加入25质量。/。含量的氨水70g、离子交换水40g、乙醇175g和四乙氧基硅烷21g，边以180rpm进行搅拌边升温到60TC，在该温度下继续搅拌2小时后，冷却，得到平均粒径为70nm的胶体氧化硅/醇分散体。接着，用蒸发器一边在80"C的温度下向该分散体中添加离子交换水一边除去醇成分，多次反复这样的操作，除去分散体中的醇成分，调制固体成分含量为8质量％的水分散体.3.3.(Bl)成分的水溶液的调制聚乙烯吡咯烷酮的水溶液如下调制，其它的十二烷基苯磺酸、链烯基琥珀酸二钾、聚乙烯醇和油酸的水溶液是通过将规定量的所述物质溶解于离子交换水中来调制的。将脱气的N—乙烯基-2-吡咯烷酮60g和脱气的水240g装入容量为500mL的烧瓶中。将其在氮气流中、搅拌条件下升温到60X:，添加IO质量％的亚石克酸钠水溶液(Ug和IO质量％的叔丁基过氧化氢水溶液0.3g。在60X:下持续搅拌3小时后，添加10质量％的亚硫酸钠水溶液1.8g和10质量％的叔丁基过氧化氢水溶液1.2g，进一步持续搅拌3小时。通过用离子交换水稀释该反应混合物，得到聚乙烯吡咯烷酮的20质量％水溶液。对于在此调制的聚乙烯吡咯烷酮，用将0.1摩尔/L的NaCl水溶液/乙腈s80/20(vol/vol)作为洗脱液的水系凝胶渗透色谱测定的按聚乙二醇换算的重均分子量(Mw)为1000000。另外，用Fikentscher法求出的K值为95。3.4.化学机械研磨用水系分散体的调制将"3.2.磨料分散体的调制"项中记载的水分散体的规定量加入容量为l升的聚乙烯制瓶中，向其中添加表1或表2中记载的化合物并使其达到各自所记载的含量，进行充分的搅拌。然后添加pH调节剂，使pH为表l或表2所示的值。然后，用孔径5nm的过滤器过滤，得到实施例1~18和比较例1~8的化学机械研磨用水系分散体。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>3.5.基板的研磨使用实施例1~18和比较例1~8的化学机械研磨用水系分散体，在如下的条件下研磨没有配线图案的带有铜膜的基板、和上述在沟图案中埋入了铜的平坦性评价用基板。研磨装置LapmasterLM15研磨垫IC1000(NittaHaas公司制)载体头负荷280hPa固定盘旋转数90rpm研磨剂供给量100ml/分钟铜的研磨速度是根据没有配线图案的带有铜膜的基板的研磨结果用下述计算式计算的。各实施例和比较例的研磨速度记载于表1或表2。研磨速度(jim/分钟)-研磨量(fim)/研磨时间(分钟)研磨量是以铜密度为8.9g/cm3、用下式算出的。研磨量(nm)={(研磨前重量(g)-研磨后重量(g))/(基板面积(cm2)x铜密度(g/cm3))}xl04研磨速度的值为5(nm/分钟)以上时，可称为研磨速度良好。3.6.凹陷的评价将凹部等堆积有配线材料的厚度T(nm)的初期多余膜用研磨速度V(nm/分钟)进行研磨，则原本只要T/V(分钟)时间的研磨即应达成目的。但是，在实际的制造工序中，为了除去残留在凹部以外的部分的配线材料，要实施超过T/V(分钟)的过度研磨(overpolish)。此时，由于配线部分被过度研磨，因而有时成为凹状的形状。这样的凹状的配线形状被成为"凹陷"，从会使制造品的产量降^^的观点出发，不优选。因此，在各实施例和比较例中采用凹陷作为评价项目。凹陷的评价是使用探针式高低平面差计(KLA-Tencor公司制，型号"P-10")，用上述的平坦性评价用基板进行的。另外，在凹陷评价中的研磨时间是将厚度T(nm)的初期多余铜膜除以"3.5.基板的研磨"中得到的研磨速度V(nm/分钟)得到的值(T/V)(分钟)乘以1.5而得的时间(分钟)在表1或表2中的评价项目中的凹陷栏中，记载了用上述表面粗糙度计测定的铜配线的凹洼的量作为凹陷值(pm)。表中，表示配线消失而不能测定的情况。对于平坦性评价用基板上形成的100nm宽的线和2mm宽的线，其凹陷值分别记载于表l中。作为参照，lOOjim宽的线和2mm宽的线的凹陷值的差也一并记栽于表1中。凹陷值在100fim宽的线的情况下为1.5(nm)以下时，可称为良好，在2mm宽的线的情况下为2.0(nm)以下时，可称为良好。3.7.贮藏稳定性对各实施例和各比较例的化学机械研磨用水系分散体的贮藏稳定性的评价如下进行调制化学机械研磨用水系分散体后，在常温、常压下静置，目测观察60天静置后的各分散体。作为贮藏稳定性的评价的指标如下与刚调制后没有变化的评价为，观察到少量沉淀物的评价为O，发生成分分离或出现上清区域的评价为x，其结果记载于表l或表2中。3.8.评价结果根据表1的结果，对于实施例1~9的化学机械研磨用水系分散体，铜的研磨速度都是6.8jim/分钟以上，非常高。另外，100nm配线的凹陷为1.5nm以下，很小，表明具有良好的过度研磨余地(才一^一求y'》^)。进而，2mm配线的凹陷为2.2fim以下，很小，表明对于宽度大的配线也具有良好的过度研磨余地。而且，100nm线与2mm线的凹陷的差在0.7fim以下，可知凹陷的线宽度依赖性小。另外，实施例1~9的化学机械研磨用水系分散体的贮藏稳定性也良好。另一方面，如表l所示，对于不具有M^/Mn,-130的关系的比较例l(MA1/MD1-0.7)，凹陷大，为不良。另外，对于不具有Mai/MD1=1~30的关系的比较例4(MA1/MD1=36)，由于配线消失，凹陷极大，为不良。对于pH值脱离了8-12的范围的下限的比较例2(pH-6.3)，研磨速度小，为不良。对于pH值脱离了8~12的范围的上限的比较例3(pH=13.5),凹陷极大，为不良。对于比较例1、3、4而言，贮藏稳定性不充分。根据表2的结果，对于实施例10~18的化学机械研磨用水系分散体，铜的研磨速度均为6.6nm/分钟以上，非常高。另外，lOOjim配线的凹陷为l.化m以下，很小，表明具有良好的过度研磨余地。进而，2mm配线的凹陷为2.0nm以下，很小，表明对于宽度大的配线也具有良好的过度研磨余地。而且，100nm线与2mm线的凹陷的差在1.0nm以下，可知凹陷的线宽度依赖性小。另外，实施例10~18的化学机械研磨用水系分散体的贮藏稳定性也良好。另一方面，如表2所示，对于不具有MA2/MD2-120的关系的比较例5(MA2/MD2=0.5)，2mm配线的凹陷大，为不良。另外，对于不具有MA2/MD2=1~20的关系的比较例6(MA2/MD2=25)，lOOjim配线和2mm配线的凹陷都大，为不良。对于pH值脱离了1~5的范围的下限的比较例7(pH=0.5)，由于配线消失，凹陷极大，为不良。对于pH值脱离了1~5的范围的上限的比较例8(pH=5.5)，研磨速度不充分。对于比较例l而言，贮藏稳定性也不充分。如上所述表明，实施例的化学机械研磨用水系分散体可以以高研磨速度研磨树脂基板上具有的含铜或铜合金的金属膜，且能够实现确保基板的面内均匀性及抑制研磨面内的平坦性不均匀。权利要求1.一种化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，用于形成在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板，含有(A1)有机酸和有机酸盐中的至少1种、(B1)表面活性剂和水溶性高分子化合物中的至少1种、(C1)氧化剂、和(D1)磨料，相对于所述化学机械研磨用水系分散体，所述(A1)成分的浓度MA1和所述(D1)成分的浓度MD1具有如下关系MA1/MD1＝1～30，其中，MA1和MD1的单位为质量％，pH值为8～12。2.根据权利要求l所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，MA1=5~15质量％。3.根据权利要求l所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(Al)成分为甘氨酸。4.根据权利要求l所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(Bl)成分为选自十二烷基苯磺酸、十二烷基苯磺酸钾和十二烷基苯磺酸铵中的至少l种。5.根据权利要求l所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(Cl)成分为过氧化氢。6.根据权利要求l所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(Dl)成分为选自氧化硅粒子、碳酸钾粒子、有机聚合物粒子和有机无机复合粒子中的至少l种。7.—种电路基板的制造方法，其特征在于，具有使用权利要求1~6中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体进行化学机械研磨的工序。8.—种电路基板，其特征在于，是用权利要求7所述的制造方法制造的。9.一种多层电路基板，其特征在于，层叠有多个权利要求8所述的电路基板'10.—种化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，用于形成在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板，含有(A2)有机酸、(B2)含氮杂环化合物、(C2)氧化剂、和(D2)磨料，相对于所述化学机械研磨用水系分散体，所述(A2)成分的浓度Ma2和所述(D2)成分的浓度MD2具有如下关系MA2/MD2=1~20,其中，MA2和MD2的单位为质量。/。，pH值为1~5。11.根据权利要求10所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，]\^2=3~15质量％。12.根据权利要求10所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(A2)有机酸为选自柠檬酸、甘氨酸、苹果酸、酒石酸和草酸中的至少l种。13.根据权利要求10所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(B2)含氮杂环化合物为选自苯并三唑、三唑、咪唑和羧基苯并三唑中的至少l种。14.根据权利要求10所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(C2)氧化剂为过氧化氢。15.根据权利要求10所述的化学机械研磨用水系分散体，其中，所述(D2)磨料为选自氧化硅粒子、碳酸锔粒子、有机聚合物粒子和有机无机复合粒子中的至少l种。16.—种电路基板的制造方法，其特征在于，具有使用权利要求10~15中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体进行化学机械研磨的工序。17.—种电路基板，其特征在于，是用权利要求16所述的制造方法制造的。18.—种多层电路基板，其特征在于，层叠有多个权利要求17所述的电路基板。全文摘要本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体、电路基板及其制造方法。该化学机械研磨用水系分散体很好地用于形成在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板，研磨铜或铜合金的速度非常快，且得到的电路基板的平坦性良好。本发明的化学机械研磨用水系分散体，用于形成在树脂基板上设有含铜或铜合金的配线层的电路基板，含有(A1)有机酸和有机酸盐中的至少1种、(B1)表面活性剂和水溶性高分子化合物中的至少1种、(C1)氧化剂和(D1)磨料，相对于所述化学机械研磨用水系分散体，所述(A1)成分的浓度M<sub>A1</sub>(质量％)和所述(D1)成分的浓度M<sub>D1</sub>(质量％)具有如下关系M<sub>A1</sub>/M<sub>D1</sub>＝1～30；pH值为8～12。文档编号B24B37/00GK101597477SQ20091014520公开日2009年12月9日申请日期2009年5月27日优先权日2008年6月5日发明者仕田裕贵,马场淳申请人:Jsr株式会社