专利名称：用于基片组件的表面处理和/或表面涂敷的设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种按照权利要求1或权利要求14前序部分所述的通过气相沉积、尤其是通过根据PVD方法(Physical Vapour D印osition物理气相沉积)或反应式的PVD方法的物理气相沉积的用于基片组件的表面处理和/或表面涂敷的设备和方法。用这类方法或用这种设备实现在工件表面、也就是说基片组件上涂敷非常薄的涂层，例如防腐层或磨损保护层，例如硬质合金涂层，例如基于钛的硬质合金涂层。这类薄涂层通常应用在刀具制造中、尤其是应用在切削加工的精密刀具例如钻孔工具、铣削刀具或铰刀的制造中。
背景技术：
在CVD (化学气相沉积)方法中用900至1100°C的较高的过程温度工作，而在PVD 过程中过程温度明显低些，也就是说大约在100至600°C之间。根据该方法，涂敷材料首先通过使用合适的物理作用例如通过电子束、电弧(电弧PVD)或通过阴极溅射进行蒸发。蒸发的材料然后撞击到基片表面上，在所述基片表面上形成涂层。以便蒸气粒子到达基片，必须以低价进行工作。在该过程中存在直线的粒子运动，从而必须使基片移动，借此，整个基片表面能够均勻的和勻质的涂敷。但是，在PVD方法中的低的过程温度用较大的设备技术花费换取。因为为了达成很好的涂层附着，待涂敷的基片必须经受小心的表面预处理和精确的过程控制。另外，对此必须考虑对所谓的阴影效果进行补偿。因此，有关的PVD涂敷设备必须配备有驱动装置，用于在涂敷或表面处理过程中使基片组件的持续运动。另外，因为气相喷镀或蒸镀是在高真空中、也就是说在10_4至10 范围内进行，处理腔室因此必须要气密地往外封闭，由此形成了涂敷设备的比较复杂的构造。为了把涂敷材料例如金属转化成气相，根据PVD方法提供了不同的方式，例如阴极溅射或溅射(包括磁控管溅射)，离子电镀(包括反应式的离子电镀)，或激光蒸镀或真空蒸镀。对于所有的方法相同的是，为了获得期望的涂敷或处理效果，必须非常精确地遵守过程参数如气氛、温度和用于涂敷的基片表面的定向。因此，传统的涂敷设备是这样构成的，即处理腔室为多个基片载体和涂敷和/或处理单元例如蒸发源、阴极、靶、磁控管等等提供位置。例如在DE 102005 050 358 Al或DE 102006 020 004 Al中描述了这种真空处理装置。借助这种市场常见的设备能够给待涂层或待处理的基片涂敷仅仅一个唯一的涂层类型。即使该涂层类型是多层的涂层(例如其在文献US 6，051，113中描述的)，这对于传统的涂敷设备意味着在涂敷设备的整个批次中一直能够沉积仅仅一种涂层类型，即使涂层厚度在整个批次中能够是不同的。这导致传统的涂敷设备能够常常仅仅不经济地运行。因为在前述的根据PVD方法的涂敷和/或处理装置中，按百分比计算的大多数的时间花在基片的加热和冷却和其夹持装置上。另外，因为在很多的涂敷中心上，待涂敷的基片组件的谱已经成扇形展开，对于不同的基片组件也要求有不同的涂层。因为由于涂敷容器的尺寸，涂敷设备的体积是固定的，而为了 100%注满涂敷设备，要求特定的涂层类型的基片或基片组件的数目常常是不够的， 因而最后不能遵守所要求的供应时间。
发明内容
本发明的目的因此在于提供一种通过气相沉积、尤其是通过根据PVD方法的物理气相沉积的用于基片组件的表面处理和/或表面涂敷的设备以及用于驱动这种类型的设备的方法，借助所述设备或所述方法实现过程和供应时间最少化。该目的在设备方面通过权利要求1的特征和在方法方面通过权利要求14的方法步骤实现。按照本发明，该设备这样地构成，即它能通过模块装备，亦即这样，即在一个批次时装入到涂敷设备内的基片组件在涂敷或处理空间关闭之后能够进行不同的处理，也就是说涂敷或表面处理。通过按照本发明的设备的构造来明显提高涂敷设备的利用率且另外明显更经济且用改善得更好的能量效率来运行涂敷设备。因为在涂敷设备中的按照本发明的大量数目的基片组件仅需要加热和冷却一次，由此以相当大的程度节省过程时间。按照本发明的方法的核心的特征在于，涂敷和/或处理单元以及屏蔽模块能够根据用于不同的待涂敷的基片组件的所期望的涂敷或处理程序组合而成，并且然后基片载体能够装有这样的基片组件，所述基片组件在一个批次中应该经受同样的处理。在关闭处理腔室之后，接着屏蔽模块和设备的过程控制器负责使组装在单个的基片载体的基片组件经受单独的涂敷和/或处理程序。在此，按照该方法的改进方案，在涂敷腔室的不同地点上对基片组件的不同的处理甚至能够同时进行。由于该设备的模块化的构造，可能的是，涂敷设备非常灵活地适应于相应现有的涂敷位置。在此，得到的额外的优点，即当仅装料最少量时，设备本身能够经济地运行，通过在处理腔室内部提供能够单独地且与处理腔室的其他区域隔开地加热和冷却的区域并且在所述区域内在与腔室的其他区域隔开情况下能够进行规定的涂敷和/或腐蚀程序。本发明的有利改进方案或变型方案是从属权利要求的主题。借助权利要求2所述的改进方案能够以有利的方式充分利用处理腔室的现有构造空间，其中能够得到额外的优点，即基片组件的不同的处理由于处理站的空间上的隔开能够同时进行。此外，由此提供了以下可能性，即不同的基片载体在所选出的涂敷和/或处理单元之前以精确控制的过程参数进行单独的处理，而未受相邻的涂敷和/或处理单元的影响。由此实现非常精确和均勻的涂层生长率。通过根据权利要求3所述的优选又构成为模块的屏蔽装置能够实现节省有价值的构造空间，因为借助于屏蔽模块，基片组件本身能够在狭小的构造空间上进行不同的处理。已表明，对于PVD涂敷设备毫无问题地足够的是，根据权利要求4以隔离壁构造的形式构成屏蔽模块，无需忍受表面处理或涂敷的质量的降低。隔离壁能够由不同的材料组成，包括陶瓷和/金属孔板材料。设备的灵活性由此额外地提高，当按照权利要求5设有运动机构时，基片载体和涂敷和/或处理单元和/或加热装置之间的相对位置借助所述运动装置在沉积或处理腔室关闭时能够改变。
原则上，涂敷和/或处理单元与载体结构共同设有一个驱动装置是可能的。当安装台按照权利要求6装有一个旋转驱动装置时，运动机构会更简单。有利地，用于安装台的旋转驱动装置通过同时考虑作为分度装置用于所选出的基片载体相对于所选出的涂敷和/或处理单元的定位，由此，控制技术的花费变少。按照权利要求10有利的是，在安装台的每个安装位置上设有用于基片载体的旋转驱动装置，例如以轴的形式。以这种方式可能的是，涂敷设备在100%注满均勻待涂敷的基片元件情况下以传统的方式进行运行，而不丧失前述的设备灵活性。借助权利要求11的修改方案，例如能够使与涂敷和/或处理单元直接相邻的所选出的基片载体进行旋转运动，而无需操作节拍式运行设备，由此实现在这些选出的基片组件上沉积非常均勻的且它们的厚度精确限定的涂层。原则上，所选出的涂敷和/或处理单元依次投入运行是可能的。然而，涂敷设备的按照本发明的构造也允许同步运行所选出的涂敷和/或处理单元，由此节省了其他的过程时间。
以下借助于示意图详细说明本发明的实施例。其中图1示出了在涂敷腔室壁取下时的涂敷设备的内部空间的立体视图；图2示意示出了在涂敷腔室关闭时的按照图1的涂敷设备的俯视图；图3示意示出了在根据图2中的HI-III的剖切导向情况下按照图2的涂敷设备的剖视图；图4示意示出了按照本发明的涂敷设备的所选出的驱动组件的透视图；图5A至5D示出了在实施按照本发明的方法的情况下的用于示出不同的安装台位置的视图。
具体实施例方式在这些图中示意示出了容纳在涂敷设备的未详细示出的过程腔室的内部的组件， 所述组件是根据PVD方法或根据反应式的PVD方法的基片组件的涂层所需的。换句话说，这些图中示出的构造组设置在可抽真空的和优选配备有不同气体连接接口的涂敷腔室或真空腔室内。这种类型的真空腔室是已知的，从而在这里可以省去了该室的精确的描述。以下待详细描述的涂敷设备的特点在于能够装备可抽真空的沉积或处理腔室，为了在运行这种设备时明显提高经济性和基于改善的灵活性使设备的过程时间最少化。出于该目的选择涂敷设备的模块化的构造。围绕着用10标识的安装台，以预先规定的角度间隔设置涂敷和/或处理模块12。涂敷和/或处理模块12是由蒸镀器或所谓溅射阴极构成，所述溅射阴极带有能模块化装备的靶，其中能够额外地使用(未详细示出的) 所谓的溅射器。这种涂敷和/或处理模块本身是已知的，使得在这里所述组件的精确描述是多余的。但是应该强调的是，本发明并不限于特定的处理或涂敷模块。更确切地说能够使用所有在涂敷过程中根据PVD方法的经常使用的单元。除了涂敷或处理模块12，额外地设有加热装置14，其通常设置在处理模块12之间并且同样也能够构造成模块。在安装台10的中央有用16标识的腐蚀阳极，其与在图中未详细示出的中央的丝状阴极共同作用，所述丝状阴极位于涂敷腔室的未示出的穹顶区域上的涂敷模块12和加热单元14的上方。图1示出了在沉积或处理腔室打开时用于涂敷或处理所需的模块的布局，而在按照图2的俯视图中示出了在腔室关闭时的布局。从图中得出，围绕着安装台10编组的涂敷模块12和加热单元14的一个部件可安装在分开的构件上，所述构件作为用于真空腔室的供料门使用。其余的涂敷和加热模块安装在载体结构上，所述载体结构同样也如供料门一样具有用于灵活地设置涂敷和加热模块的安装位置。安装台10构成为一种类型的旋转台并且其承载(从图2最容易看见)多个(在示出的实施例8中)优选相同地构成的安装位置18-1至18-8，它们可单独地装备有不同的模块。每个安装位置18-1至18-8配设有传动轴22，其分别具有垂直的转轴。在安装位置18-2、18-4和18-8上，传动轴22与垂直的支承轴M不可相对转动地连接，所述支承轴 24在预先规定的和优选可调节的轴向距离上承载有带有用于夹持基片组件(例如钻孔工具)的插接接纳装置30的转盘26。插接接纳装置这样地构成，使得钻孔工具与待涂敷或待处理的表面部段从插接接纳装置上伸出。支承轴M借助支撑杆20和支撑臂观固定。经由为详细示出的传动机构能够保证插接接纳装置和由此的基片组件在转盘沈旋转情况下进行是围绕着插接接纳装置的同样垂直的轴的方向一致或相反的自转。在图4中示意地借助于与图1至3的视图略微不同的运动装置表示，旋转运动如何能够传递到安装台10和传动轴22上。在安装台10下面有传动齿轮32，其与第一环形轮 34的内齿相啮合。环形轮34与轴向移动的、直径更大的第二环形轮36不可相对转动地相连，所述第二环形轮能够经由其内齿借助于传动小齿轮38驱动。承载传动齿轮32的轴22可旋转支承地延伸穿过安装台10且可旋转地安装在同样也处于安装台10下面的齿轮40上，所述齿轮可经由第二传动小齿轮42驱动。因此当驱动第二传动小齿轮42时，齿轮40会带动传动轴22并因此沿转动方向带动安装台10。以此方式安装台10能够节拍式地运行。同时传动齿轮32在第一环形轮34的内齿上滚动。通过第一传动小齿轮38的旋转驱动装置的合适的控制，第一环形轮34的转速能够保持得如齿轮40的转速一样大，使得在安装台10的节拍式运动时传动轴22的转动停止。当与其相反地第二传动小齿轮42的驱动装置停止并且安装台保持分度 (indexiert)时，通过第一传动小齿轮38的控制装置能够所有传动轴22同时成旋转运动。一些安装位置，也就是说安装位置18-1、18-3、18-5和18_7与安装位置18_2、 18-2、18-6和18-8不同地装备。它们承载着盖板44，所述盖板44在盖住的传动轴22的上方具有用于径向定向的屏蔽金属板48的保持架46。在安装位置18-1和18-7或18_3和 18-5的两个相邻的屏蔽金属板48间分别设计有一个宽的、固定地安装的屏蔽壁结构50，其分别由凸面的金属板52和割线金属板(Sekantenblechen)M构成并且其相对于相邻的安装位置屏蔽相邻的径向的屏蔽金属板48之间的空间。屏蔽金属板48和屏蔽壁结构50也是构成为模块并且它们分别根据其余的处理或涂敷组件的布局能够安装在涂敷腔室的内部的不同位置上。
借助上述的涂敷设备的构造得出以下效果不仅基片载体2，而且涂敷和/或处理单元12，例如蒸发源、阴极、靶、磁控管、丝状阴极和腐蚀阳极以及加热模块14能够模块化地组合而成并且这样地设置，即在一个批次中装入到设备内的基片组件在涂敷和处理腔室内能够经受不同的处理(涂敷、表面处理)。 具体地，基片组件(例如组装到不同的基片载体上的不同的钻孔工具)能够在沉积或处理腔室中的不同的地点上经受不同的处理，其中至少在基片载体沈上设置的基片组件56经由屏蔽金属48和屏蔽壁结构50仅仅保持在整个特定的涂敷和/或处理单元12的影响范围内。因为还设置驱动装置，通过该驱动装置，基片载体沈和涂敷和/或处理单元12之间的相对位置在沉积或处理腔室关闭时是可改变的，得出以下可能性，即当分别仅少数的基片组件必须设有专门的涂层或经受专门的处理时，涂敷设备本身才进行经济的运行。因为能够涂敷和/或处理单元12，例如蒸镀器、阴极、靶、磁控管、丝状阴极和腐蚀阳极以及在沉积或处理腔室内的模块组成的屏蔽元件48、50能够根据用于基片组件的所期望的涂敷或处理程序组合而成，并且与此相应地，基片载体沈用这样的基片组件进行装备，使得所述基片组件应该经受同样的处理。紧接着能够关闭沉积或处理腔室，紧接着能够对在一个批次中成组地组装到基片载体06)上的基片组件实施单独的处理或涂敷程序。能够省去基片组件和基片载体的多次的加热和冷却，由此，在很大的范围内节省了过程时间并且即使在少量装料时能够大大地提高了涂敷设备的利用率。这点应该根据参照图5A至5D的处理例子阐述例如假设在一个批次中要涂敷三种不同的涂层类型。在这种情况下(如图5A示出)，位置1、3、5和7被隔离模块48-1、48-3、48-5和48-7占据。将基片装在位置2、4、6和 8上。抽吸、加热和冷却的过程阶段对于所有的基片载体是相同的，安装台10或旋转台 (Karussell)围绕着它的轴转动。为了腐蚀(离子腐蚀)，旋转台10停止并且基片载体沈在位置4和8上围绕着它自己的轴线转动。然后可以开始腐蚀阶段(图5A)。一旦对于位置4和8的腐蚀结束，驱动装置继续节拍式地运行而且使位置2和6 进入到腐蚀位置(图5B)中。现在位置6和2围绕着自己的轴旋转，直到离子射击结束。当腐蚀阶段成功地结束时，开始涂敷(图5C)。位置4和8围绕着自己的轴转动， 并且点燃分别与这些位置相配的右边的和左边的带有TiAl和Ti靶的蒸镀器，其中(就现有的程度)在自由燃烧之后(如果可能)，会打开未详细示出的溅射器。位置4 (根据合适的氮氛围的构造)用氮化钛涂敷并且位置8用氮化钛铝涂敷。根据达到的涂层厚度，关闭蒸镀器和/或附属的溅射器。驱动装置继续节拍式地运行到按照图5D的位置上。现在能够用纳米层来涂敷位置2和6。当达到位置2和6时，点燃分别对于下一个位置必须的蒸镀器，打开相应的蒸镀器和/或溅射器(如有有现成的)。各自的位置能够被分离。然后各位置再次围绕着其自己的轴转动。 每个位置可单独或也可同时由不同的蒸镀器涂敷。 为了继续节拍式地运行，旋转台围绕着自己的轴转动。如果所有层都已沉积，蒸镀器将关闭。现在对整个批次进行冷却，紧接着对涂敷或处理腔室、也就是说容器进行通风。该过程结束。 上述的过程仅是一种可能的变型方案。根据现有的蒸镀器数目及其靶的材料、位置的数目和与隔离模块的构造有关地，多个不同的涂层类型在一个过程中是可能的。填充度也是直接与所提及的条件有关并且因此是可改变的。通过模块化的构造，缩短的过程也是可能的。在这时，对各位置仅装料减少的数量且将其有针对性地进行加热、预处理和涂当然，上述的实施例的不同是可能的，而无需放弃基本构思。当然也可沉积出其他的涂层，例如装饰性的涂层。替代可定位在安装位置上的隔离模块，也能够使用隔离装置，它们或者径向地或者轴向地推入或驶入和/或安装到处理腔室的内部空间内。此外，例如在用于基片载体的驱动装置的区域内能够进行运动学上的倒置，使得安装台保持固定不动并且处理或涂敷单元被驱动。替代腐蚀阳极，为了预处理在涂敷腔室内的基片，也能够使用其他的功能单元，其中这些功能单元的空间的布局(例如由过程决定的)在很大的范围内也能够改变。最后，用于提供在基片组件和涂敷或处理单元之间所需的相对运动的驱动运动装置也能够进行自由改变。决定性的仅是，驱动装置能够使安装台、基片载体和有利地用于单独的基片组件的夹持器相对于处理单元经受相对的旋转运动。用所述的结构也能够实现如其以传统的设备能实现的运行。然后所有的位置承载着基片。然而并没有装入隔离模块48、50。在不同的过程阶对所有在这个批次中的基片进行类似的处理。仅沉积出一种涂层类型。运行另外的可能性在于，通过仅装备所选出的基片载体和因此仅用最少数量对设备进行装料而缩短涂敷过程，并且在处理时仅加热了那个在其中要进行处理或涂敷的区域。因此本发明提供了一种通过气相沉积、尤其是通过根据PVD方法(物理气相沉积) 或反应式的PVD方法的物理气相沉积的用于基片组件的表面处理和/或表面涂敷的设备。 在可抽真空的沉积或处理腔室内设有多个基片载体和多个涂敷和/或处理单元，例如蒸发源、阴极、靶、磁控管、丝状阴极和腐蚀阳极。为了该设备的更好的经济性的利用率，其是能这样模块化地进行装备，即在一个批次中装入到设备内的基片组件能够经受不同的处理 (涂敷、表面处理)。此外，本发明提供了一种新的用于基片组件的表面处理和/或涂敷的方法，借助所述方法涂敷设备能够根据PVD方法(物理气相沉积)或反应式的PVD方法进行明显更经济的运行。其特征在于以下的方法步骤a)由涂敷和/或处理单元(蒸镀器、阴极、靶、磁控管、丝状阴极和腐蚀阳极)以及由在沉积或处理腔室内0的模块组成的屏蔽元件根据所期望的用于基片组件的涂敷或处理程序组合而成；b)基片载体用这样的基片组件进行装备，所述基片组件应该经受同样的处理；C)关闭沉积或处理腔室；d)对在一个批次中成组地装入到基片载体上的基片组件进行单独的处理或涂敷程序。
权利要求
1.用于通过气相沉积、尤其是根据PVD方法(物理气相沉积)或反应式的PVD方法的物理气相沉积对基片组件进行表面处理和/或表面涂敷的设备，包括可抽真空的沉积或处理腔室，在所述沉积或处理腔室中设置多个基片载体06)和多个涂敷和/或处理单元(12、 14、16)(蒸发源、阴极、靶、磁控管、加热单元、丝状阴极和腐蚀阳极)，其特征在于，设备的模块化的可装备性，即在一个批次中装入到设备内的基片组件(56)能够经受不同的处理 (涂敷、表面处理)。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，基片组件(56)在沉积或处理腔室内的不同地点(位置1至8)上经受不同的处理。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，在沉积或处理腔室内能容纳至少一个屏蔽装置G8、50、52、M)，通过所述屏蔽装置，至少在基片载体(M、26)上设置的基片组件 (56)仅仅保持在涂敷和/或处理单元(12)的作用范围内。
4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述屏蔽装置(48、50、52、54)构成为模块并且优选由隔离壁结构G8、50)构成，所述隔离壁结构可由面状的组件例如金属板08、 52、54)组成。
5.根据权利要求1至4任一项所述的设备，其特征在于，设有在沉积或处理腔室关闭时能改变在基片载体(对、26)和涂敷和/或处理单元(1 之间的相对位置的装置(10、32 至 42)。
6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，设有安装台(10)，所述安装台在沉积或处理腔室内容纳在用于涂敷和/或处理单元(12、14、蒸发源、阴极、靶、磁控管)的支承结构的径向内部，所述安装台(10)沿其圆周分布地具有多个配备有用于基片载体(M、26)的驱动源02)的安装位置(18-1至18-8)。
7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述安装位置能装备有基片载体(M、24) 和/或屏蔽装置(48、50)。
8.根据权利要求6或7所述的设备，其特征在于，设有驱动和分度装置(10、32至42)， 通过所述驱动和分度装置，能控制在安装台(10)和支承结构之间的相对旋转运动。
9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，安装台(10)具有旋转驱动装置。
10.根据权利要求6至9任一项所述的设备，其特征在于，基片载体0446)的驱动引导到基片组件(56)上。
11.根据权利要求6至10任一项所述的设备，其特征在于，至少一个基片载体()的旋转运动与安装台的节拍式运动脱接。
12.根据权利要求1至11任一项所述的设备，其特征在于，至少所选择的涂敷和/或处理单元(12-1，12-2)能同步地运行。
13.根据权利要求6至12任一项所述的设备，其特征在于，所述支承结构配备有用于涂敷和/或处理单元(1 和/或加热装置(14)的安装位置。
14.用于借助于气相沉积、尤其是借助于根据PVD方法(物理气相沉积)或反应式的 PVD方法的物理气相沉积对基片组件进行表面处理和/或表面涂敷的方法，在所述方法中， 基片组件与多个基片载体共同地安置在可抽真空的沉积或处理腔室内，其特征在于，以下的方法步骤a)在沉积或处理腔室内根据用于基片组件(56)的所期望的涂敷或处理程序由模块组成涂敷和/或处理单元(12、蒸镀器、阴极、靶、磁控管、丝状阴极和腐蚀阳极)和/或加热单元(16)以及屏蔽元件(48,50)；b)用要经受同样处理的基片组件(56)装备基片载体06)；c)关闭沉积或处理腔室；d)对在一个批次中成组地组装到基片载体(M、26)上的基片组件(56)实施单独的处理或涂敷程序。
15.根据权利要求14所述的设备，其特征在于，在方法步骤d)中，在需要的情况下使各个的基片载体(对、26)节拍式地进入到对于相应表面处理最优化的、相对于各自配设的涂敷和/或处理单元的相对位置中。
全文摘要
本发明描述了一种用于通过气相沉积、尤其是根据PVD方法(物理气相沉积)或反应式的PVD方法的物理气相沉积对基片组件进行表面处理和/或表面涂敷的设备。在可抽真空的沉积或处理腔室中设置多个基片载体和多个涂敷和/或处理单元例如蒸发源、阴极、靶、磁控管、加热单元、丝状阴极和腐蚀阳极。为了该设备的更好的经济性利用，可这样模块化地装备，即在一个批次中装入到设备内的基片组件能够经受不同的处理(涂敷、表面处理)。此外，本发明提供了一种用于基片组件的表面处理和/或涂敷的新的方法，借助所述方法，涂敷设备能够根据PVD方法(物理气相沉积)或反应式的PVD方法进行明显更经济的运行。在此，进行如下操作a)根据用于基片组件的所期望的涂敷或处理程序组成涂敷和/或处理单元(蒸镀器、阴极、靶、磁控管、丝状阴极和腐蚀阳极)和/或加热单元以及由在沉积或处理腔室内的模块组成屏蔽元件；b)用要经受同样的处理的这样的基片组件装备基片载体；c)关闭沉积或处理腔室；d)对在一个批次中成组地装入到基片载体上的基片组件进行单独的处理或涂敷程序。
文档编号C23C14/35GK102245799SQ200980150003
公开日2011年11月16日 申请日期2009年12月4日 优先权日2008年12月15日
发明者M·菲德勒 申请人:居林无限责任公司