专利名称：电路沉积的方法
电路沉积的方法本发明涉及一种具有电路的导电图案的基板的制备方法，还涉及具有所述导电图案的所述基板以及包括具有所述导电图案的所述基板的设备。其上有导电图案的基板被广泛地用于多种电子应用之中。液晶显示器、可视显示器的触摸屏、太阳能电池以及消费类电子显示器所使用的玻璃基板全都需要在其上形成导电轨迹从而提供期望的功能。此外，具有导电图案的柔性塑料基板被用作电路和电极的潜力很大。特别是，其上有导电微图案的塑料基板可以用于多种电子应用中，比如柔性显示器、可卷的显示器、太阳能面板、智能天线罩、射频标识(RFID)标签、智能标签、生物检测的电极阵列以及具有分布式晶体管压力传感器的其它传感器应用等。制备电路图案的方法都是公知的。例如，这种图案可以通过下列过程来得到提供具有金属层的电介质，并且通过化学蚀刻来除去该金属层的一部分以产生特定的金属电路图案。然而，在电绝缘或半导电的表面上制造电子电路(导电轨迹)仍然很有挑战，其中， 电路具有非常小的特征尺寸(比如轨迹的最大宽度以及各轨迹之间的最小距离)，比如特征尺寸小于50微米。制备具有极小特征尺寸的金属电路的现有技术通常包括光刻。在光刻过程中，通过选择性除去光刻胶，将所需的电路图案转移到基板上所涂敷的光刻胶膜上。通常，基板被涂敷有金属膜，并且通过蚀刻已除去光刻胶之处的金属来创建所述电路。不然，就将金属沉积在基板上已除去光刻胶之处。不幸的是，光刻与低成本卷装进出处理过程不兼容，相应地，这些现有的制造方法是相对昂贵的。另外，光刻与部件的注塑过程也不兼容。这一点特别不利，因为部件的注塑过程可以用于电子部件的大规模生产。例如，US-B-6 605 534描述了一种方法，其中，首先，通过气相沉积为包括通路电路特征的半导体基板提供连续的金属晶种层。然后，例如，通过使晶种层暴露于化学浴槽并由此将晶种层的选定区域化学地转换成电镀抑制剂，从而局部地毒害晶种层，这样就使晶种层的选定区域无法电镀。接下来，使用电镀或无电电镀技术，来沉积导电材料。相似的是，Carvalho等人(Langmuir 2002,18,2406-2412)描述了 通过在钯膜上的作为抑制剂的链烷硫醇的图案化微接触印刷，制备了小于20微米的图案化的电路。然而，在这两种情况下，在电镀之后通过平整化处理或蚀刻而除去晶种层是必需的，以防止通路外部的导电性。此外，Carvalho等人得出结论用二十烷硫醇对钯膜进行图案化抑制以便进行镍的无电沉积这一做法是不可行的，因为抑制性的二十烷硫醇层中有不可避免的缺陷。期望有一种改进的方法能在电绝缘或半导电的基板上制备电路。因此，本发明的目的是提供一种用于在电绝缘或半导电的基板上制备电路的可靠方法，且该方法具有少量的处理步骤。本发明的另一个目的是提供一种在电绝缘或半导电的基板上制备电路的方法，且该方法与卷装进出处理过程或部件的注塑过程兼容。让人惊讶的是，已经发现，当纳米粒子的分布被用作无电沉积的晶种时，可以有利地实现图案化的抑制。尽管这一点在非提前公布的欧洲专利申请07110281. 8中已被提出来，但是该申请中所描述的技术只限于尺寸大于约200微米的电路特征，这是因抑制性材料的机械除去而导致的。另外，该申请中所描述的技术所关注的是3D-MID(三维模制互连设备)注入模制部件。非提前公布的欧洲专利申请08156833.9描述了箔上的相似的应用， 但是所关注的是使箔图案化，并不关注抑制剂的应用。在第一方面中，本发明涉及一种具有电路的导电图案的电绝缘或半导电基板的制备方法，包括(a)提供电绝缘或半导电基板，该基板包括第一金属或其合金的纳米粒子的分布；(b)-将抑制性材料层涂到所述基板上，并且-通过光感应、热、化学或电化学的方式局部地除去该抑制性材料层，并由此露出第一金属或其合金的至少一部分以便获得电路的图案；(c)通过无电处理过程，在步骤(b)中所获得的基板中存在的第一金属或其合金的露出部分上，沉积第二金属或其合金的层，由此在步骤(b)之后仍然存在于基板上的抑制性材料局部地抑制了要被沉积到第一金属或其合金上的第二金属或其合金，从而确保了第二金属或其合金将被选择性地沉积到步骤(b)中所获得的第一金属或其合金的露出部分上。本申请中所使用的“第一金属或合金的纳米粒子的分布”这一表述是指基板上的一个层，该层包括纳米粒子的岛状物。该层通常将具有不完整的覆盖，从而意味着该层不构成均勻的完整的膜。第一金属或其合金的纳米粒子的分布的形式可以是不连续的层(即纳米粒子的分布少于单层的纳米粒子)。其优点是处理步骤的数量小于US-B-6 605 534中的情况。 不再需要涂敷抗蚀剂层以及除去抗蚀剂和晶种材料。发明人惊讶地发现，使晶种材料的连续层(比如US-B-6 605 534中所使用的那种)局部地减活化是不可能的，而对于晶种材料的不连续层这倒是有可能的，正如下文比较示例中所示的那样。根据本发明所使用的基板可以合适地包括电绝缘或半导电的材料，比如热塑性材料、热固性物质和/或陶瓷材料。热塑性材料的合适示例包括聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚酰亚胺(PI)，液晶聚合物(LCP)，聚酰胺(PA)(例如聚酰胺6，聚酰胺6/6，聚酰胺4/6，或者聚12)，聚(苯硫醚)(PPS)，聚醚酰亚胺(PEI)，聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)，间规立构聚苯乙烯(SPS)，聚碳酸酯(PC)，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)，聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(PC/ABS)，聚丙烯(PP)，以及聚乙烯(PE)， 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，聚酰胺(PA)，聚醚砜(PES)和聚丙烯酸酯。热固性材料的合适示例包括环氧化合物，三聚氰胺，酚醛塑料和聚酯化合物。较佳的是，所述基板包括选自以下的一种或多种PET，PEN, PI, LCP, PA, PEI，ABS，PMMA和PC/ABS。合适的陶瓷材料包括氧化铝，氧化锆，二氧化硅，硅，蓝宝石，氧化锌，氧化锡，黄铜矿和玻璃。基板可以是自支承的， 或者可以被刚性支架(比如玻璃、硅、金属、厚的聚合物等)支承。在一个实施方式中，基板是箔，比如塑料箔。这对于特定的应用而言可能是非常有利的，其中，最终的电路应该是柔性的。例如，这种箔可以具有最多Imm的厚度，较佳地最多 500微米，更佳地最多250微米。为了提供机械性支承，这种箔最好具有至少5微米的厚度，至少25微米则更佳。本发明的方法中所使用的第一金属或其合金可以合适地包括选自下列的一种或多种钴，镍，铁，锡，铜，铑，钯，钼，银，金，钌，铱以及它们的混合物。较佳地，第一金属包括钯。如通过透射电子显微镜法测量的那样，第一金属或其合金的纳米粒子通常具有在 l-20nm范围中的平均粒子直径，更特别的是在2-lOnm范围中。通过从纳米粒子的溶液中吸附(比如通过浸渍涂布或喷镀)，或者通过在还原剂 (通常是二价的锡)的溶液和钯离子的溶液中连续的浸渍涂布，就可以建立起第一金属或其合金的纳米粒子的分布。或者，通过常规的金属膜沉积技术(包括蒸镀、溅射、气相沉积 (化学的或物理的)、等离子体增强沉积等)，可以沉积第一金属或其合金的纳米粒子的分布。较佳地，通过浸渍涂布来建立第一金属或其合金的纳米粒子的分布，因为这可产生更密集且均勻的分布。可选地，粘合促进剂或促进处理可以被施加到基板与第一金属或其合金的纳米粒子的分布之间，以改善第一金属或其合金的纳米粒子在基板上的粘合状况。这种粘合促进剂在本领域中是公知的，并且包括例如等离子体处理、UV/臭氧处理、自装配单层(具有像-OH、-NH2, -COOH这样的一个或多个反应官能团的烷基或芳基氯硅烷、烷氧基硅烷、 Langmuir-Blodgett膜等，能够促进第三材料的粘合)、聚合物涂层、具有比基板高的表面能且由此促进第一金属或其合金的纳米粒子的粘合的任何有机或无机的涂层。根据本发明的方法所使用的抑制性材料可以合适地包括任何已知能抑制无电沉积处理或能使无电沉积处理稳定化的材料。这种材料的示例包括重金属离子；有机和无机的含硫、硒或碲的化合物；含氧的化合物；以及脂肪族和芳香族有机化合物。较佳的是， 所述抑制性材料包括选自以下的一种或多种硫脲，十二烷硫醇，十六烷硫醇，十八烷硫醇， 联吡啶，乙酸铅，马来酸，2巯基苯并咪唑，以及2巯基苯并噻唑。最佳的是，所述抑制材料包括选自以下的一种或多种硫醇化合物2巯基苯并噻唑，2巯基苯并咪唑十二烷硫醇，十六烷硫醇和十八烷硫醇。合适的是，选择抑制性材料，使得在无电浴的物理化学条件下该抑制性材料处于其最少可溶解的形式中。较佳地，选择该抑制性材料，使得在无电浴的PH值处该抑制性材料是非离子性的并由此处于其最少可水溶的形式中。对于硫醇化合物，离子化的程度是由硫醇基团的酸度来决定的，正如PKa值所表征的那样。在PKa以上的pH处，硫醇基团是带负电的，从而导致了无电溶液中的高可溶性，进而导致抑制程度很低。结果，在PH 9-12无电铜浴中或在酸性(即PH 4-5)无电镍浴中最好使用pKa > 12的十六烷硫醇，但是在酸性 (即PH 4-5)无电镍浴中最好仅使用pKa为7的2-巯基苯并噻唑。可以从合适的溶剂(比如甲苯、苯、丙酮或醇)中的抑制性材料的溶液中，涂覆该抑制性材料。较佳地，溶剂包括醇，比如乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、戊醇、己醇、戊醇、辛醇、癸醇、或它们的混合物。最佳地，溶剂包括选自乙醇、己醇和辛醇中的一种或多种。该抑制性材料可以按0. I-IOOmM的浓度(I-IOmM较佳，l_5mM更佳)溶解在溶剂中。合适的是，抑制性材料的层可以是不完整的吸附表面覆盖物、吸附单层或多层。由此，抑制性材料的层可以是均勻的层，但也可以是由多个单独的或连接的部分构成的不完整的覆盖层。该抑制性材料被涂覆成均勻的层(通过印刷或浸渍方法或者通过使用平滑的压印器)，之后，被局部地去除或去活化(通过光、热、化学和/或电化学诱导的方式)。例如， 通过激光照射或通过掩模进行曝光，可以执行抑制层的局部光诱导去活化或局部热去活化。对于光诱导去除或去活化，最好使用紫外光源；而对于热去除或去活化，红外光源是较佳的。也有可能通过化学反应将第一金属或其合金的纳米粒子的分布局部地转换成抑制性的化合物，这种抑制性的化合物不允许通过无电处理而金属化。这样，有可能实现期望的电路图案。与局部涂覆抑制剂材料相比，局部去除抑制剂层具有若干优点。所涂覆的图案的分辨率得到改善，因为抑制性材料是以液体的形式被涂覆的。在涂覆过程中，抑制性材料是高度移动的，并能够扩散到不应该被抑制的区域，从而导致限定得很糟的电路图案。相反， 在局部去除之前，允许抑制性材料安定在该表面上从而导致很低的移动率，因此得到限定得很好的电路图案。此外，在许多应用中，电路的表面覆盖率很低(< 10% )是所期望的， 例如，因为电导通需要与光学传输相结合。结果，该表面的很大一部分必须被抑制性材料覆盖。这对图案化技术提出了很高的要求，需要在很大的区域上高速地局部涂覆抑制性材料。 通过将大面积均勻抑制剂涂覆与高速度局部抑制剂去除相结合，局部去除将这些要求分开了。合适的是，涂覆抑制性材料之后，可以是各向同性蚀刻步骤(干法或湿法)，以去除多余的抑制性材料，从而产生了第一金属或其合金的纳米粒子分布的未被保护区域。也可以使用粘合性材料从不想要的区域中去除多余的抑制性材料。本发明的方法所使用的第二金属或其合金可以合适地包括选自下列的一种或多种铜；镍；镍-磷；镍-硼；钴；锡；银；金；钯；钼；以及它们的混合物。较佳地，第二金属包括铜、镍-磷、或镍-硼。第二金属或其合金可以合适地具有0. 05到30微米范围中的厚度，该厚度在0. 1 到10微米的范围中则更佳。第二金属或其合金的层的厚度可以例如通过沉积时间来进行控制。通常，沉积速率是2-20微米/小时。第二金属或其合金是通过无电处理过程来涂覆的。在该过程中，仍存在于基板上的抑制性材料局部地抑制了要被沉积在第一金属或其合金上的第二金属或其合金，从而确保了第二金属或其合金将被选择性地沉积在第一金属或其合金的露出的部分上。合适的无电处理过程包括无电电镀，比如无电铜、镍、镍-磷或镍-硼、银、锡、钴、 钯、钼或金电镀。在无电电镀过程中，使用了这样的原理在溶液中可以离子形式得到的金属能够在合适的催化表面上被还原剂还原成其金属形式。此外，对于该还原反应，金属自身也应该是催化的，从而使该处理过程像这样自动催化。对于无电电镀处理过程的一般性描述，例如，可以参照由 Glenn 0. Mallory 禾口 Juan B. Hajdu 编辑的"Electroless Plating Fundamentals & Applications (无电电镀原理和应用)”(纽约，1990年)。无电处理过程最好使用一种包括第二金属或其合金(或其前体)的溶液，第二金属或其合金要被沉积在第一金属或其合金的分布之上。合适的含金属的溶液包括用甲醛作为还原剂的铜盐(比如硫酸铜)的水基溶液；以及用次磷酸盐、二甲基氨基硼烷和/或硼氢化钠作为还原剂的镍盐(比如硫酸镍)的水基溶液。任选地，本发明的方法之后是这样一个步骤从基板的非金属化区域中去除抑制性材料。当基板是箔时，特别有利的是在卷装进出制造过程中执行本发明的方法。箔允许在解开、处理好重新缠绕的同时进行从一个卷的处理。使用刚性基板的常规方法并不适用于卷装进出制造过程。在另一方面中，本发明涉及一种电路，该电路包括通过本发明的方法制备的图案。 这种电路可以合适地具有亚微米结构。在另一方面中，本发明涉及一种根据本发明的电学设备，这种设备的恰当示例包括但不限于柔性的设备，比如太阳能电池、显示器、有机发光二极管(OLED)。还包括用于车辆、计算机、数码相机和移动电话中的互连部件或传感器。示例比较例1PDMS(聚二甲基硅氧烷)复制品所制成的聚合物基板(其所具有的印刻特征的尺寸是(宽X长X深)1-20微米X0. 5-1毫米X 350纳米)通过物理气相沉积(PVD)被涂敷了 15nm的连续的Pt/Pd膜。通过对着基板的凸起区域按压载有2-MBT(2-巯基苯并噻唑) 的PDMS压印器，就用抑制剂材料按一定的图案涂敷了该基板。接下来，在无电镍-硼浴中， 将镍层沉积在该基板上。金属沉积发生在整个涂有Pt/Pd的基板上的凸起区域(凸起区域已与载有2-MBT的PDMS压印器相接触)和凹陷区域(凹陷区域没有与载有2-MBT的基板相接触)中。使用5、10和20纳米的连续的Pt/Pd膜，获得了相同的结果。比较例2PDMS (聚二甲基硅氧烷)所制成的聚合物基板通过物理气相沉积(PVD)被涂敷了 15nm的连续的Pt/Pd膜。通过对着基板按压载有2-MBT (2-巯基苯并噻唑)的PDMS压印器，就用抑制剂材料涂敷了该基板。接下来，在无电镍-硼浴中，将镍层沉积在该基板上。金属沉积发生在整个涂有Pt/Pd的基板上。使用5、10和20纳米的连续的Pt/Pd膜，获得了相同的结果。比较示例3 带有氧化铟锡(ITO)膜(其导电率是δΟΩ/sq)的PET箔所制成的聚合物基板 (Southwall技术股份有限公司)在异丙醇中被超声地去油污达五分钟，在(去除矿物质的)水中一分钟之内进行漂洗，并且在(去除矿物质的)水中被漂洗达一分钟。首先，使用离子催化处理，在ITO上建立钯催化剂的分布。为了实现这一点，在一分钟之内基板被浸没在10g/l SnCl2和40!111/1 HCl的溶液中。在浸没之后，在一分钟之内用(去除矿物质的)水对样本进行漂洗。在漂洗之后，在室温下，在一分钟之内这样获得的基板被浸没在0. 25g/l PdCl2和2. 5ml/l HCl的溶液中。然后，在一分钟之内在(去除矿物质的)水中对该基板进行漂洗。然后，在一分钟之内通过对着该基板按压载有HDT(十六烷硫醇)的图案化的PDMS压印器(10微米的线条且有10微米的行距)，就用抑制剂按一定的图案涂敷了该基板。通过在一分钟之内暴露于己醇中的2，7mM HDT的溶液，然后在氮气流中进行干燥，该PDMS压印器就载有了 HDT。
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接下来，在去除矿物质的水中对该基板进行漂洗，并且在pH值为6. 1且含Mg/1 NiCl2 -6H20,30g/l C3H6O3 (乳酸)、15g/l CH3COONa (醋酸钠)和 2. 5g/l 二甲基铵硼烷的无电镍浴中在60°C且在五分钟之内将镍层沉积到该基板上。金属沉积发生在没有与PDMS压印器相接触的区域中，但也发生在没有与PDMS压印器相接触的区域中，从而导致限定得很糟的图案。示例 1使用下列顺序的处理步骤，用镍来选择性地电镀由PET箔制成的聚合物基板首先，使用离子催化处理，在该箔上建立钯催化剂的分布。为了实现这一点，在两分钟之内该基板被浸没在10g/l SnCl2和40!111/1 HCl的溶液中。在浸没之后，在一分钟之内用(去除矿物质的)水对样本进行漂洗。在漂洗之后，在室温下，在一分钟之内这样获得的基板被浸没在0. 25g/l PdCl2和2. 5ml/l HCl的溶液中。然后，在一分钟之内在(去除矿物质的)水中对该基板进行漂洗。然后，通过在乙醇中的0. OlM MBI (2-巯基苯并咪唑) 的溶液中浸渍达一分钟，然后在乙醇中进行漂洗并在氮气流中进行干燥，就用抑制剂层对该基板进行了整体涂敷。接下来，该基板部分地暴露于紫外光源O50nm)达5分钟。在曝光之后，在pH值为 6. 1 且含 24g/l NiCl2 · 6H20、30g/l C3H6O3 (乳酸)、15g/l CH3COONa (醋酸钠)和 2. 5g/ 1 二甲基铵硼烷的无电镍浴中在60°C且在五分钟之内将镍层沉积到该基板上。金属沉积只发生在已被紫外光源照射过的区域中。示例 2使用下列顺序的处理步骤，用镍来选择性地电镀由PET箔制成的聚合物基板首先，使用离子催化处理，在该箔上建立钯催化剂的分布。为了实现这一点，在两分钟之内该基板被浸没在10g/l SnCl2和40!111/1 HCl的溶液中。在浸没之后，在一分钟之内用(去除矿物质的)水对样本进行漂洗。在漂洗之后，在室温下，在一分钟之内这样获得的基板被浸没在0. 25g/l PdCl2和2. 5ml/l HCl的溶液中。然后，在一分钟之内在(去除矿物质的)水中对该基板进行漂洗。然后，通过在乙醇中的0. 005M MBI (2-巯基苯并咪唑) 的溶液中浸渍达一分钟，然后在乙醇中进行漂洗并在氮气流中进行干燥，就用抑制剂层对该基板进行了整体涂敷。接下来，该基板部分地暴露于紫外光源O50nm)达5分钟。在曝光之后，在pH值为 6. 1 且含 24g/l NiCl2 · 6H20、30g/l C3H6O3 (乳酸)、15g/l CH3COONa (醋酸钠)和 2. 5g/ 1 二甲基铵硼烷的无电镍浴中在60°C且在五分钟之内将镍层沉积到该基板上。金属沉积只发生在已被紫外光源照射过的区域中。示例 3使用下列顺序的处理步骤，用镍来选择性地电镀带有氧化铟锡(ITO)膜(其导电率是50 Ω /sq)的PET箔所制成的聚合物基板(Souttwall技术股份有限公司)首先，该基板在异丙醇中被超声地去油污达五分钟，在(去除矿物质的)水中一分钟之内进行漂洗，在硝酸中被超声地蚀刻达三分钟，并且在(去除矿物质的)水中被漂洗达一分钟。然后，通过在乙醇中的0. OlM MBI (2-巯基苯并咪唑)的溶液中浸渍达一分钟，然后在乙醇中进行漂洗并在氮气流中进行干燥，就用抑制剂层对该基板进行了整体涂敷。接下来，用波长为1064nm且功率为200W的脉冲激光束来部分地照射该基板。在曝光之后，在 PH 值为 6. 1 且含 Mg/1 NiCl2 · 6H20、30g/l C3H6O3 (乳酸)、15g/l CH3COONa (醋酸钠)和2. 5g/l 二甲基铵硼烷的无电镍浴中在60°C将镍层沉积到该基板上。金属沉积只发生在已被激光照射过的区域上。示例 4使用下列顺序的处理步骤，用镍来选择性地电镀带有氧化铟锡(ITO)膜(其导电率是50 Ω /sq)的PET箔所制成的聚合物基板(Souttwall技术股份有限公司)首先，该基板在异丙醇中被超声地去油污达五分钟，在(去除矿物质的)水中一分钟之内进行漂洗，在硝酸中被超声地蚀刻达三分钟，并且在(去除矿物质的)水中被漂洗达一分钟。然后，通过在乙醇中的0. OlM MBI (2-巯基苯并咪唑)的溶液中浸渍达一分钟，然后在乙醇中进行漂洗并在氮气流中进行干燥，就用抑制剂层对该基板进行了整体涂敷。接下来，用波长为1064nm且功率为500W的脉冲激光束来部分地照射该基板。在曝光之后，在 PH 值为 6. 1 且含 Mg/1 NiCl2 · 6H20、30g/l C3H6O3 (乳酸)、15g/l CH3COONa (醋酸钠)和2. 5g/l 二甲基铵硼烷的无电镍浴中在60°C将镍层沉积到该基板上。金属沉积只发生在已被激光照射过的区域上。
权利要求
1.一种具有电路的导电图案的电绝缘或半导电的基板的制备方法，包括(a)提供电绝缘或半导电的基板，该基板包括第一金属或其合金的纳米粒子的分布；(b)-将抑制性材料层涂敷到所述基板上，并且-通过光感应、热、化学或电化学的方式局部地去除或去活化该抑制性材料层，并由此露出第一金属或其合金的至少一部分以便获得电路的图案；(c)通过无电处理过程，在步骤(b)中所获得的基板中存在的第一金属或其合金的露出部分上，沉积第二金属或其合金的层，由此在步骤(b)之后仍然存在于该基板上的抑制性材料局部地抑制了要被沉积到第一金属或其合金上的第二金属或其合金，从而确保了第二金属或其合金将被选择性地沉积到步骤(b)中所获得的第一金属或其合金的露出部分上。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过来自溶液中的纳米粒子或离子的吸附，建立了第一金属或其合金的纳米粒子的分布。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述基板包括热塑性材料、热固性材料和/或陶瓷材料。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基板包括选自下列的一种或多种材料聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚萘二甲酸乙二醇酯，聚酰亚胺，聚醚酰亚胺，液晶聚合物，聚酰胺，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚碳酸酯/丙烯腈-丁二烯-苯乙烯，环氧化合物，三聚氰胺，酚醛树脂，聚酯化合物， 氧化铝，氧化锆，二氧化硅，硅，蓝宝石，氧化锌，氧化锡，黄铜矿以及玻璃。
5.如上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述基板具有在5-500微米的范围中的厚度，该厚度在25-250微米的范围中则较佳。
6.如上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，在所述基板与第一金属或其合金的纳米粒子的分布之间，施加了粘合促进剂或促进处理。
7.如上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，第一金属或其合金包括选自下列的一种或多种钴，镍，铁，锡，铜，铑，钯，钼，钌，铱， 银，金以及它们的混合物。
8.如上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述抑制性材料包括选自下列的一种或多种重金属离子；有机和无机的含硫、硒或碲的化合物；含氧的化合物；以及脂肪族和芳香族有机化合物。
9.如上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述抑制性材料是从一溶液中被涂到所述基板的，该溶液包括选自下列的一种或多种溶剂乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、戊醇、己醇、戊醇、辛醇和癸醇。
10.如上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述抑制性材料是通过印刷方法、浸渍方法或通过一压印器来施加的。
11.如上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于， 涂敷所述抑制性材料之后是各向同性蚀刻步骤。
12.如上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，第二金属或其合金包括选自下列的一种或多种铜；镍；镍-磷；镍-硼；锡；银；金； 钴；钯；钼；以及它们的混合物。
13.如上述权利要求中的任一项所述的方法，还包括在无电处理过程之后，从所述基板的非金属化区域中去除所述抑制性材料。
14.如上述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述方法在卷装进出制造方法中执行。
15.一种可通过权利要求1-14中任一项所述的方法获得的具有电路的导电图案的电绝缘或半导电的基板。
16.一种电子设备，包括如权利要求15所述的具有电路的导电图案的电绝缘或半导电的基板。
全文摘要
本发明涉及一种具有电路的导电图案的基板的制备方法，还涉及具有所述导电图案的所述基板以及包括具有所述导电图案的所述基板的设备。本发明的方法包括(a)提供电绝缘或半导电的基板，该基板包括第一金属或其合金的纳米粒子的分布；(b)-将抑制性材料层涂到所述基板上，并且-通过光感应、热、化学和/或电化学的方式局部地去除或去活化该抑制性材料层，并由此露出第一金属或其合金的至少一部分，以便获得电路的图案；(c)通过无电处理过程，在步骤(b)中所获得的基板中存在的第一金属或其合金的露出部分上，沉积第二金属或其合金的层，由此在步骤(b)之后仍然存在于基板上的抑制性材料局部地抑制了要被沉积到第一金属或其合金上的第二金属或其合金，从而确保了第二金属或其合金将被选择性地沉积到步骤(b)中所获得的第一金属或其合金的露出部分上。
文档编号C23C18/16GK102308678SQ200980156484
公开日2012年1月4日 申请日期2009年12月11日 优先权日2008年12月12日
发明者A·赫韦斯泰特, H·H·缇马内什, H·伦德林, R·A·塔肯 申请人:应用科学研究Tno荷兰组织