专利名称：一种靶材功率加载方法、靶材电源及半导体处理设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及微电子技术领域，具体地，涉及一种靶材功率加载方法、靶材电源及应用上述靶材功率加载方法/靶材电源的半导体处理设备。
背景技术：
在现代工业中，微电子加工技术取得了前所未有的成就。其中，大规模集成电路已经被应用于人们生产及生活中的各个领域。与此同时，对集成电路的制造工艺及加工设备也正在以惊人的速度进行着不断的改进和更新。磁控溅射是一项用于制备集成电路中的铜/铝等金属互连层的关键技术。在磁控溅射工艺中，将部分靶材原子以离子态的形式溅射出靶材表面，通常，将以离子状态脱离靶材的金属粒子在所有被溅射出的金属粒子中所占的比例定义为金属原子的离化率。由于对金属离子的能量及运行的控制与金属原子相比要容易得多，尤其是在填充一些较大深/宽比的孔隙及沟道时，较容易达到理想的沉积效果，因此，磁控溅射技术已经成为集成电路生产工艺中不可或缺的重要加工手段。可以预见，随着集成度的大幅提高及特征尺寸的不断缩小，广大技术人员必将面临更多新的、更高的挑战。请参阅图1，为一种目前常用的磁控溅射设备的原理示意图。如图所示，该磁控溅射设备包括工艺腔室1、设置于工艺腔室1上方的靶材2及磁控管3、加载至靶材2的直流电源4、设置于工艺腔室1内部下方的基片夹持装置5，下电极电源6与基片夹持装置5相连接以使其同时具有下电极的功能。利用该设备进行铜互连工艺的过程如下先将基片7被固定于基片夹持装置5的上表面；然后，向工艺腔室1内通入氩气，同时直流电源4为靶材加载直流功率以将氩气激发为等离子体；等离子体中的高能氩离子轰击靶材2表面而使靶材 2粒子脱落；被溅射出的靶材粒子在下电极偏压的作用下沉积在基片7表面。在上述过程中，当靶材2为铜、银、金等金属材料时，部分离子化的金属粒子会被靶材2上的负偏压吸引而轰击靶材2，当靶材的金属离化率达到一定程度后，可以停止向工艺腔室1中通入氩气， 仅依靠溅射出的金属离子对靶材的轰击作用就能维持溅射工艺的辉光放电过程，这一现象被业内称为自维持溅射(Sustained self Sputtering)。由于上述自维持溅射过程仅需在启辉阶段(将工艺气体激发为等离子体的过程)通入氩气，而主要溅射过程没有氩气参与， 从而可避免氩气原子或离子对金属离子沉积方向的影响，获得更好的沉积效果。因此，上述自维持溅射工艺在集成电路的铜互连加工工艺中被广泛采用。请参阅图2，为利用上述图1所示设备进行铜溅射实验所得到的金属离化率的实验数据图。图中，拟合线1和2分别表示目前常用的两种磁控管磁场强度，下面分别将这两种磁场强度称为磁场强度1和磁场强度2 ；其中，磁场强度2约为磁场强度1的两倍。如图所示，当磁控管具有磁场强度1时，在加载20KW、40KW和60KW的直流功率分别可得到约 16%、30%和50%的金属离化率；当磁控管具有磁场强度2时，在上述3中直流功率下可分别得到约20%、50%和70%的金属离化率。由上述实验数据可知，铜的金属离化率在一定范围内与磁控管的磁场强度和靶材电源的功率密度成正比，这里，所谓功率密度是指单位磁铁溅射槽面积的直流溅射功率。由此可知，若要提高溅射工艺中的金属离化率，可以采取两种方式，即提高靶材单位面积内的磁场强度或直流功率。然而，任何材料的磁体的磁场强度均具有一定的物理极限值，因而通过增加磁场强度而提高金属离化率的方式具有极限性。另一方面，加载较高的直流功率的时间过长会使靶材的发热量急剧增加，从而影响设备的热稳定性及工艺可靠性；且持续加载较高的磁场强度和直流功率还会导致材料的沉积速率过快的问题，而过快的沉积速率将增加对沉积工艺结果的控制难度，进而产生不利的工艺结果。因此，在实际的产业化应用中，多采用 60kW直流功率配合磁场强度1或者采用40kW直流功率配合磁场强度2的两种参数方案， 实际可获得的金属离化率大致为40% 50%左右。这一金属离化率在一定程度上可满足现今的工业加工需求，但是，当今一些高科技企业已经实现了 32nm级别的加工精度，可想而知，在不久的将来微电子加工行业即将进入全新的32nm时代，为了实现这一新的技术节点，要求在能够保证工艺稳定性及可控性的前提下，使铜互连层溅射工艺中的金属离化率达到80%或更高的水平，然而就目前已有的技术和设备来看，显然还无法实现上述要求。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种靶材功率加载方法，其能够在保证工艺稳定、可控的情况下，有效提高溅射工艺的金属离化率，从而满足新的技术需求。此外，本发明还提供一种靶材电源，其同样能够在保证工艺稳定、可控的情况下， 有效提高溅射工艺的金属离化率。另外，本发明还提供了一种应用上述靶材功率加载方法/靶材电源的半导体处理设备，其同样能够在保证工艺稳定、可控的情况下，有效提高溅射工艺的金属离化率。为此，本发明提供一种靶材功率加载方法，用于在磁控溅射工艺中向靶材加载功率，该靶材功率加载方法包括下述步骤10)为所述靶材分别连接主功率电源和维持功率电源；20)使所述主功率电源以脉冲的形式向所述靶材加载一定的主功率，单个脉冲的作用时间为tl，脉冲间隔时间为t2 ；使所述维持功率电源至少在所述主功率电源的脉冲间隔时间t2内向靶材加载一定的维持功率，所述维持功率小于所述主功率，用以在t2内维持溅射工艺的辉光放电过程。其中，在所述步骤20)中，所述主功率为80kW 200kW ；所述主功率电源的脉冲频率 f 为 50Hz 20kHz ；所述 tl 为 5 μ s 10ms, tl+t2 = 1/f 且 tl 彡 t2。其中，在所述步骤20)中，所述维持功率电源包括脉冲直流电源；该脉冲直流电源的输出功率为500W 25kW、脉冲频率与所述主功率电源的脉冲频率相同，所述脉冲直流电源的脉冲加载时间与所述主功率电源的脉冲间隔时间t2相对应，以使所述脉冲直流电源与所述主功率电源交替地向靶材加载功率。其中，在所述步骤20)中，所述维持功率电源包括直流电源，该直流电源的输出功率为500W 20kW，所述直流电源持续向靶材加载维持功率。此外，本发明还提供一种靶材电源，其包括连接至所述靶材的主功率模块和维持功率模块。所述主功率模块以脉冲的形式向所述靶材加载一定的主功率，单个脉冲的作用时间为tl，脉冲间隔时间为t2 ；所述维持功率模块至少在所述主功率模块的脉冲间隔时间 t2内向靶材加载一定的维持功率，所述维持功率小于所述主功率，用以在t2内维持溅射工艺的辉光放电过程。其中，所述主功率模块包括脉冲直流电源，所述主功率为SOkW 200kW，所述主功率电源的脉冲频率f为50Hz 20kHz ；所述tl为5 μ s 10ms, tl+t2 = 1/f且tl彡t2。其中，所述维持功率模块包括脉冲直流电源；该脉冲直流电源的输出功率为 500W 25kW、脉冲频率与所述主功率模块的脉冲频率相同，所述脉冲直流电源的脉冲加载时间与所述主功率模块的脉冲间隔时间t2相对应，以使所述脉冲直流电源与所述主功率模块交替地向靶材加载功率。其中，所述维持功率模块包括直流电源，该直流电源的输出功率为500W 20kW， 所述直流电源持续向靶材加载维持功率。另外，本发明还提供一种半导体处理设备，包括工艺腔室，在所述工艺腔室中进行磁控溅射工艺时，应用上述本发明提供的靶材功率加载方法而向靶材加载功率。另外，本发明还提供了另一种半导体处理设备，包括工艺腔室，在所述工艺腔室中进行磁控溅射工艺时，在靶材上连接有上述本发明提供的靶材电源，用以向靶材加载功率。本发明具有下述有益效果本发明提供的靶材功率加载方法，首先为靶材分别连接主功率电源和维持功率电源；然后，使主功率电源以脉冲的形式向靶材加载一定的主功率；同时，使维持功率电源至少在主功率间隔时间内向靶材加载一定的维持功率，该维持功率小于上述主功率，用以在主功率间隔的时间内维持溅射工艺的辉光放电过程。由此可见，在上述功率加载过程中，主功率以脉冲方式加载不但可有效避免连续加载高功率而使靶材发热量剧增的问题，而且， 当所加载的主功率足够大时将有可能使靶材的瞬间金属离化率达到80%及以上的水平，从而满足新的技术节点的需要，使溅射工艺水平达到32nm级别的要求。而且，本发明提供的靶材功率加载方法，在主功率脉冲的间隔时间内向靶材加载一个低于主功率的并可维持溅射工艺中辉光放电过程的维持功率，由于该维持功率相对较低，从而在保持工艺连续性的同时，能够使溅射沉积的速率维持在一个容易控制的水平，进而有利于获得稳定可靠的工艺结果。综上所述，本发明提供的靶材功率加载方法能够在保证工艺稳定性及可控性的同时，使溅射工艺中的金属离化率得到明显提高，从而满足新技术节点的工艺要求。此外，本发明提供的靶材电源，包括连接至靶材的主功率模块和维持功率模块。其中，主功率模块能够以脉冲的形式向靶材加载一定的主功率；同时，维持功率模块可在主功率模块的脉冲间隔时间内向靶材加载一定的维持功率，该维持功率小于主功率，从而在主功率间隔的时间内维持溅射工艺的辉光放电过程。由此可见，本发明提供的靶材电源，由于其主功率模块以脉冲方式向靶材加载主功率，不但可有效避免连续加载高功率而使靶材发热量剧增的问题，而且，当所加载的主功率足够大时将有可能使靶材的瞬间金属离化率达到80%及以上的水平，从而满足新的技术节点的需要，使溅射工艺水平达到32nm级别的要求。而且，本发明提供的靶材电源，在主功率模块加载主功率的间隔时间内，利用其维持功率模块向靶材加载一个低于主功率的并可维持溅射工艺中辉光放电过程的维持功率，由于该维持功率相对较低，从而在保持工艺连续性的同时，能够使溅射沉积的速率维持在一个容易控制的水平，进而有利于获得稳定可靠的工艺结果。综上所述，本发明提供的靶材电源能够在保证工艺稳定性及可控性的同时，有效提高溅射工艺中的金属离化率，从而满足新技术节点的工艺要求。
作为另一技术方案，本发明提供的半导体处理设备，在进行磁控溅射工艺时，应用上述本发明提供的靶材功率加载方法或者为靶材连接上述本发明提供的靶材电源，同样能够在保证工艺稳定性及可控性的同时，有效提高溅射工艺中的金属离化率，从而满足新技术节点的工艺要求。
图1为一种目前常用的磁控溅射设备的原理示意图；图2为利用图1所示设备进行铜溅射的金属离化率的实验数据图；图3为本发明提供的靶材功率加载方法的流程示意图；图4为本发明提供的靶材功率加载方法第一种具体实施例中所采用的功率示意图；图5为本发明提供的靶材功率加载方法第二种具体实施例中所采用的功率示意图；以及图6为本发明提供的半导体处理设备的一个具体实施例的结构示意图。
具体实施例方式为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的靶材功率加载方法、靶材电源以及应用上述靶材功率加载方法/靶材电源的半导体处理设备进行详细描述。请参阅图3，为本发明提供的靶材功率加载方法的流程示意图。该靶材功率加载方法主要用于在磁控溅射工艺中向靶材加载功率，其包括下述步骤10)为靶材分别连接主功率电源和维持功率电源；20)使主功率电源以脉冲的形式向靶材加载一定的主功率，单个脉冲的作用时间为tl，脉冲间隔时间为t2，当该主功率足够大时可使磁控溅射工艺的金属离化率达到80%及以上的水平；使维持功率电源至少在主功率电源的脉冲间隔时间t2 内向靶材加载一定的维持功率，该维持功率小于上述主功率，用以在t2内维持溅射工艺的辉光放电过程。具体地，该主功率电源包括一个脉冲直流电源，其脉冲作用时间为tl，脉冲频率为 f，脉冲周期为T = 1/f = tl+t2。该主功率电源的输出功率范围包括80kW 200kW，其在磁控溅射工艺中所起的作用是使靶材金属的离化率瞬间升高(理想值是达到80%或更高的水平)，以满足32nm技术节点的工艺要求。并且，由于该主功率电源以脉冲的方式向靶材输出主功率，因而能够有效避免长时间加载较高的直流功率使靶材温度剧增的问题，也正是基于此点考虑，一般要求在实际操作时，主功率的脉冲作用时间tl应小于或等于其脉冲间隔时间t2，即tl ^ t2。由于脉冲作用时间tl的长短将决定整体工艺中金属离化率以及磁控溅射工艺的平均沉积速率，因此对于tl的取值应根据实际工艺所需而在一定范围内进行选取，通常情况下，tl的范围在5μ s IOms之间。上述步骤20)所述的维持功率电源可以采用与上述主功率电源的脉冲频率相同的脉冲直流电源，也可以采用直流电源。也就是说，该维持功率电源可以仅在上述主功率电源的脉冲间隔时间向靶材加载维持功率，也可以持续向靶材加载维持功率，而只要能够保证在主功率电源的脉冲间隔时间t2内靶材能够得到一定的维持功率即可，从而维持溅射工艺中的等离子体辉光放电过程。在实际应用中，当采用脉冲直流电源作为维持功率电源时，上述维持功率的取值范围是500W 25kW;当采用直流电源作为维持功率电源时，则上述维持功率的取值范围为500W 20kW。步骤20)的具体实施过程请详见下述两个具体实施例。请参阅图4为本发明提供的靶材功率加载方法第一种具体实施例中所采用的功率示意图。图中，横轴表示功率加载时间t，纵轴表示加载功率P，以Pl表示主功率，P2表示维持功率。本实施例中，维持功率电源采用与上述主功率电源的脉冲频率相同的脉冲直流电源。该脉冲直流电源的脉冲频率与主功率电源的脉冲频率相同，而脉冲作用时间为主功率电源的脉冲作用时间互补，即主功率电源的脉冲间隔时间t2正好为维持功率电源的脉冲作用时间，而主功率电源的脉冲作用时间tl正好为维持功率电源的脉冲间隔时间，从而使维持功率与主功率交替地加载至载板上。这样，在任何时刻均有一定的功率加载至靶材上，从而维持磁控溅射工艺的连续性。本实施例中，具体采用下述功率及时间等参数主功率电源和维持功率电源的脉冲频率f采用10kHz，即，脉冲周期为IOOms ；使主功率Pl为120kW，脉冲作用时间tl为 IOms ；维持功率P2为5kW，脉冲作用时间t2为90ms。如图4所示，在溅射过程中，首先加载主功率Pl并持续作用时间tl，在完成等离子体的启辉过程的同时，使金属离化率得到明显提高(理想值是达到80%或更高的水平)；然后，开始加载维持功率P2并持续作用时间t2， 以维持等离子体的辉光放电过程；重复上述主功率Pl和维持功率P2的交替加载过程直至工艺结束。本实施例中，整个溅射工艺中，加载至靶材的平均功率为16.5kW，不但可获得非常高的金属离化率，而且将溅射沉积速率维持在较容易控制的范围内，从而可满足32nm技术节点的工艺需求。需要指出的是，本实施例中所采用的主功率、维持功率、脉冲频率、tl、t2等数值均是为了便于说明本方法的具体实施过程而选取的数据，在实际应用中并不局限于此，可根据实际需要在工艺允许的范围内进行选取。由上述描述可知，本实施例所提供的靶材功率加载方法，使用两个脉冲直流电源而交替对靶材加载功率，其中，一个脉冲直流电源作为主功率电源而在较短的时间内向靶材加载一个高功率(80kW 200kW)，以期能够在瞬间使金属离化率提高至80%及以上的水平，从而在满足32nm技术节点的工艺要求的同时，避免了长时间加载高功率而使靶材剧烈发热的问题；另一脉冲直流电源作为维持功率电源在较长的时间内向靶材加载一个低功率 (500W 25kW)，从而在维持等离子体辉光放电的同时，还可稳定工艺的沉积速率，使整个工艺的沉积速率保持在一个可控范围内，从而有利于获得稳定可靠的工艺结果。请参阅图5，为本发明提供的靶材功率加载方法第二种具体实施例中所采用的功率示意图。图中，横轴表示功率加载时间t，纵轴表示加载功率P，以Pl表示主功率，P3表示维持功率。本实施例与上述靶材功率加载方法第一种具体实施例的区别在于，维持功率电源采用直流电源，即，在整个工艺过程中，维持功率电源向靶材持续供电。由此可知，在主功率电源的脉冲作用时间tl内，靶材上将得到主功率Pl和维持功率P3的叠加功率，此时将获得很高的金属离化率(80%或更高)；在主功率电源的脉冲间隔时间t2内，仅依靠维持功率P3向靶材加载功率，以维持辉光放电过程；重复上述过程直至工艺结束。不难理解，本实施例具有同上述第一种实施例同样的有益效果，即，在有效控制靶材发热及沉积速率过快的同时，获得非常高的金属原子离化率，从而满足新技术节点的工艺要求。需要指出的是，本发明提供的靶材功率加载方法中，对于维持功率的加载方式并不仅限于上述实施例，具体如下其一、当维持功率电源为脉冲直流电源时，还可以使该脉冲直流电源的脉冲加载时长大于主功率电源的脉冲间隔时长；也就是说，使脉冲直流电源在主功率电源的脉冲加载时间结束之前的某个时间点即开始加载，和/或，使该脉冲直流电源持续加载至主功率电源的下一个脉冲加载时间开始之后的某个时间点。其二、当维持功率电源为直流电源时，也可以通过控制直流电源通/断的方式而使该直流电源仅在主功率电源的加载间隔时间内以间断的形式向靶材加载维持功率。作为另一技术方案，本发明还提供一种用于在磁控溅射工艺中向靶材加载功率的靶材电源。该靶材电源包括连接至所述靶材的主功率模块和维持功率模块。在磁控溅射工艺中，主功率模块以脉冲的形式向靶材加载一定的主功率，当该主功率足够大时可使磁控溅射工艺的金属离化率达到80%及以上的水平，单个脉冲的作用时间为tl，脉冲间隔时间为t2。维持功率模块至少在主功率模块的脉冲间隔时间t2内向靶材加载一定的维持功率， 该维持功率要明显小于上述主功率，其主要用于在t2内维持溅射工艺的辉光放电过程。具体地，主功率模块包括一个脉冲直流电源，其输出功率范围为SOkW 200kW，脉冲频率f为50Hz 20kHz ；单个脉冲的作用时间tl为5μ s 10ms, tl+t2 = 1/f并同时满足tl < t2的条件。在本发明提供的靶材电源的一个具体实施例中，维持功率模块采用一个脉冲直流电源；该脉冲直流电源的输出功率范围为500W 25kW、脉冲频率与上述主功率模块的脉冲频率相同并与主功率模块交替向靶材加载功率。在本发明提供的靶材电源的另一个具体实施中，维持功率模块采用一个直流电源，该直流电源的输出功率为500W 20kW。至于靶材电源在溅射工艺中对靶材加载功率的具体过程，同上述本发明提供的靶材功率加载方法相同或类似，在此不再赘述。上述本发明提供的靶材电源，借助其主功率模块和维持功率模块使靶材上获得交替变化的功率。一方面，主功率模块以脉冲的方式向靶材提供一个高功率(80kW 200kW)， 以期在瞬间获得80%或以上的金属离化率，从而满足新的技术节点的工艺需求，同时可有效避免长时间加载高功率所导致的靶材剧烈发热的问题；另一方面，维持功率模块在主功率模块的脉冲间隔时间对靶材加载一个较低的功率(500W 25kW或500W 20kW)，在维持等离子体辉光放电的同时，还可稳定工艺的沉积速率，使整个工艺的沉积速率保持在一个可控范围内，从而有利于获得稳定可靠的工艺结果。作为另一种技术方案，本发明还提供一种应用上述本发明提供的靶材电源的半导体处理设备。请参阅图6，为本发明提供的半导体处理设备的一个具体实施例的结构示意图。该半导体处理设备包括工艺腔室1，设置于工艺腔室1内部下方的基片夹持装置5，设置于工艺腔室1上方的靶材2及磁控管3 ；基片夹持装置5连接有下电极电源6，从而在工艺过程中该基片夹持装置5同时作为下电极；靶材2连接有上述本发明提供的靶材电源8，该靶材电源8由主功率模块81和维持功率模块82组成。上述主功率模块81和维持功率模块82 在工艺过程中为靶材加载功率，以在保证工艺稳定及可控性的同时，提高金属离化率，从而满足新的技术节点的工艺要求。其具体的靶材功率加载过程同上述本发明提供的靶材功率加载方法和/或靶材电源的具体加载过程相同或类似，因而不再赘述。此外，本发明还提供一种应用上述本发明所提供的靶材功率加载方法的半导体处理设备，其同样能够在保证工艺稳定及可控性的同时，提高金属离化率，从而满足新的技术节点的工艺要求。可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种靶材功率加载方法，用于在磁控溅射工艺中向靶材加载功率，其特征在于，包括下述步骤10)为所述靶材分别连接主功率电源和维持功率电源；20)使所述主功率电源以脉冲的形式向所述靶材加载一定的主功率，单个脉冲的作用时间为tl，脉冲间隔时间为t2 ；使所述维持功率电源至少在所述主功率电源的脉冲间隔时间t2内向靶材加载一定的维持功率，所述维持功率小于所述主功率，用以在t2内维持溅射工艺的辉光放电过程。
2.根据权利要求1所述的靶材功率加载方法，其特征在于，在所述步骤20)中，所述主功率为80kW 200kW ；所述主功率电源的脉冲频率f为50Hz 20kHz ；所述tl为5 μ s 10ms, tl+t2 = 1/f 且 tl 彡 t2。
3.根据权利要求2所述的靶材功率加载方法，其特征在于，在所述步骤20)中，所述维持功率电源包括脉冲直流电源；该脉冲直流电源的输出功率为500W 25kW、脉冲频率与所述主功率电源的脉冲频率相同，所述脉冲直流电源的脉冲加载时间与所述主功率电源的脉冲间隔时间t2相对应，以使所述脉冲直流电源与所述主功率电源交替地向靶材加载功率。
4.根据权利要求2所述的靶材功率加载方法，其特征在于，在所述步骤20)中，所述维持功率电源包括直流电源，该直流电源的输出功率为500W 20kW，所述直流电源持续向靶材加载维持功率。
5.一种靶材电源，其特征在于，包括连接至所述靶材的主功率模块和维持功率模块，所述主功率模块以脉冲的形式向所述靶材加载一定的主功率，单个脉冲的作用时间为tl，脉冲间隔时间为t2 ；所述维持功率模块至少在所述主功率模块的脉冲间隔时间t2内向靶材加载一定的维持功率，所述维持功率小于所述主功率，用以在t2内维持溅射工艺的辉光放电过程。
6.根据权利要求5所述的靶材电源，其特征在于，所述主功率模块包括脉冲直流电源， 所述主功率为80kW 200kW，所述主功率电源的脉冲频率f为50Hz 20kHz ；所述tl为 5 μ s 10ms, tl+t2 = 1/f 且 tl 彡 t2。
7.根据权利要求6所述的靶材电源，其特征在于，所述维持功率模块包括脉冲直流电源；该脉冲直流电源的输出功率为500W 25kW、脉冲频率与所述主功率模块的脉冲频率相同，所述脉冲直流电源的脉冲加载时间与所述主功率模块的脉冲间隔时间t2相对应，以使所述脉冲直流电源与所述主功率模块交替地向靶材加载功率。
8.根据权利要求6所述的靶材电源，其特征在于，所述维持功率模块包括直流电源，该直流电源的输出功率为500W 20kW，所述直流电源持续向靶材加载维持功率。
9.一种半导体处理设备，包括工艺腔室，其特征在于，在所述工艺腔室中进行磁控溅射工艺时，应用权利要求1-4中任意一项所述的靶材功率加载方法向靶材加载功率。
10.一种半导体处理设备，包括工艺腔室，其特征在于，在所述工艺腔室中进行磁控溅射工艺时，在靶材上连接有权利要求5-8中任意一项所述的靶材电源，用以向靶材加载功率。
全文摘要
本发明提供一种用于磁控溅射工艺的靶材功率加载方法，包括10)为靶材分别连接主功率电源和维持功率电源；20)使主功率电源以脉冲的形式向靶材加载一定的主功率；使维持功率电源至少在主功率电源的脉冲间隔时间内向靶材加载一定的小于上述主功率的维持功率，用以在主功率的脉冲间隔时间内维持溅射工艺的辉光放电过程。上述靶材功率加载方法能够在保证工艺稳定及可控性的同时，可使金属离化率得到明显提高，从而满足新技术节点的工艺要求。此外，本发明还提供一种包括主功率模块和维持功率模块的靶材电源，以及一种应用上述靶材功率加载方法或靶材电源的半导体处理设备。
文档编号C23C14/35GK102409303SQ20101029150
公开日2012年4月11日 申请日期2010年9月25日 优先权日2010年9月25日
发明者夏威, 杨柏 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司