用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统的制作方法

文档序号:3366765阅读:136来源:国知局
专利名称:用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统的制作方法
技术领域
本发明大体涉及用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统。更具体而言,本发明 涉及用于针对太阳能电池或光伏电池使用共同升华过程在衬底上沉积多种材料的方法和 系统。
背景技术
光伏系统(或“太阳能电池”)用来将太阳能转化成电能。由光伏系统产生的功率 可提供优于传统系统的许多优点,包括低操作成本、高可靠性、模块性、低制造成本和环境 好处。薄膜太阳能电池具有降低成本的潜力,因为这种电池相对于传统的光伏模块需要 少得多的量的半导体材料来产生相当的功率量。目前,一些薄膜太阳能电池采用碲化镉 (CdTe)膜,因为CdTe具有1. 5eV的直接带隙,并且可提高这种太阳能电池的太阳能转化效率。在一些应用中,为了改进太阳能电池的各种属性,例如CdTe膜的导电性,可将掺 杂剂引入CdTe膜中。但是,由于材料的不同的熔点和蒸汽压力的原因,诸如传统的封闭隔 离式升华(CSS)和蒸汽输送(VTM)过程的传统过程不适于使CdTe与其它材料共同沉积。已 经呈现的用以使CdTe与其它材料共同沉积的一种过程是共同蒸发。但是,共同蒸发过程在 先天上是耗时的,并且可能不适于使CdTe和某些其它材料共同沉积来进行光伏应用。因此,存在对一种用于在太阳能电池或光伏电池的衬底上共同沉积多种材料的新 的和改进的方法和系统的需要。

发明内容
根据本发明的一个实施例,提供了一种用于在衬底上沉积两种或更多种材料的系 统。该系统包括一个或多个接受器,该一个或多个接受器构造成限定用于分别容纳至少第 一材料和不同于第一材料的第二材料的两个或更多个凹部。该系统进一步包括用于加热第 一材料和第二材料来升华、以便在衬底上沉积的一个或多个加热器。本发明的另一个实施例提供了一种用于在衬底上沉积两种或更多种材料的系统。 该系统包括沉积装置、一个或多个接受器,以及一个或多个加热器。沉积装置限定升华区、 一个或多个入口,以及与升华区流体连通的一个或多个出口。该一个或多个接受器设置在 升华区内,并且限定用于分别容纳至少第一材料和不同于第一材料的第二材料的两个或更 多个凹部。该一个或多个加热器构造成以便加热第一材料和第二材料,以使第一材料和第 二材料升华。该沉积系统进一步包括一个或多个载体气体源,该一个或多个载体气体源构 造成以便通过该一个或多个入口将一种或多种载体气体供应到升华区中,以通过一个或多 个出口将第一材料和第二材料的升华气体携带出升华区,以在衬底上沉积。本发明的另一方面进一步提供了一种用于在衬底上沉积两种或更多种材料的方 法。该方法包括提供一个或多个接受器,其构造成限定用于分别容纳第一材料和不同于第一材料的第二材料的两个或更多个凹部;以及加热第一材料和第二材料,以使第一材料和 第二材料升华,以便在衬底上沉积。


结合附图,根据随后的详细描述,本公开的以上和其它方面、特征和优点将变得更 加显而易见,在附图中图1是根据本发明的一个实施例的沉积系统的示意图;图2是根据本发明的一个实施例的、在图1中显示的沉积系统的接受器的俯视图 的示意图;图3是根据本发明的另一个实施例的、图1所示的沉积系统的接受器的俯视图的 示意图;图4是图1所示的沉积系统的接受器上的凹部的俯视图;图5是图1所示的沉积系统的接受器上的凹部的截面图;图6是配备有多个热电偶的沉积系统的示意图;图7是采用了多个隔热层的沉积系统的示意图;图8是具有多个在空间上隔开的接受器的沉积系统的示意图;图9是示出了沉积系统的另一种构造的示意图;图10是示出了沉积系统的又一种构造的示意图;以及图11是示出了沉积系统的另一种构造的示意图。部件列表10沉积系统11接受器12 凹部13第一材料14第二材料15 盖16 开口17第一热电偶18第二热电偶19监测装置20隔热层21电阻加热器22 电源23 线圈24,30沉积装置25升华区洸下部开口28扩散元件31升华区
32 入口33 出口34入口通道;35 出 口通道36载体气体37,38 方向39,45 混合区40第一沉积元件41第一升华区42第二沉积元件43第二升华区44混合元件46第一通路47第二通路48 第一入口49 第二入口50 上壁51 侧壁52第一升华区53第二升华区M第一载体气体55第二载体气体100 衬底110上表面
具体实施例方式本文参照附图对本公开的实施例进行了描述。在随后的描述中,没有详细描述众 所周知的功能或结构,以便避免以不必要的细节使本公开不清楚。图1示出了构造成在衬底100上沉积两种或更多种不同的材料的沉积系统10的 示意图。在一些应用中,材料可在衬底100上沉积,以形成太阳能电池或光伏电池。备选地, 沉积系统10可用来制造其它装置。取决于具体应用,可采用各种各样的衬底100。在一个非限制性实例中,衬底100 包括玻璃层(未显示),其中透明的传导性氧化物(TCO)层沉积在该玻璃层上。玻璃层的非 限制性实例包括硼硅酸盐玻璃、低碱玻璃、碱石灰玻璃、低铁玻璃和类似的材料。TCO层的非 限制性实例包括锡氧化物和铟锡氧化物。在其它非限制性实例中,衬底100可包括聚合物层,其中金属层沉积在聚合物层 上。在一个实例中,聚合物层可包含聚酰亚胺,而金属层可包含钼。另外,在某些应用中,衬 底100可包括其它适当的材料,例如不锈钢层,其中钼层沉积在该不锈钢层上。关于图1所示的实例,系统10包括限定多个凹部12的接受器11。凹部12从接受器11的上表面110向下延伸,并且在空间上彼此隔开,以容纳第一材料13和第二材料14。 第一材料13和第二材料14交替地设置在接受器11上。在一些应用中,接受器11可由导热材料形成。导热材料的非限制性实例包括石 墨、钨、碳化硅(SiC)涂覆的石墨以及高温金属和合金,例如不锈钢和合金钢。第一材料13 和第二材料14可包括碲化镉(CdTe)、碲(Te)、碲化锌(ZnTe)、砷(As)、氯化镉(CdC12)、硫 化镉(CdS)、包含针对CdTe的掺杂剂的其它材料以及它们的组合。掺杂剂的非限制性实例 可包括银(Ag)、铜(Cu)、金(Au)、铋(Bi)、锑(Sb)、砷(As)、磷(P)和氮(N)0在一个实例 中,第一材料13包括碲化镉(CdTe),并且与第二材料14不同。应当注意,图1-11所示的布置仅是说明性的。图1-11中的相同标号可指示类似 的元件。在一些实例中,可采用不止一个接受器11,以及/或者不止两种材料可容纳在相应 的凹部12中,以在衬底100上沉积。对于一些布置来说,各个凹部12可为格室(cell)的形式,从而如图2所示,多个 在空间上隔开的格室12可在接受器11上布置成矩阵,以便形成两个或更多个格室列。在 一些实例中,各个格室可具有长方形或圆柱形形状,而且同一列中的格室可用来接收相同 的材料。备选地,各个凹部12可为沟的形式,从而如图3所示,多个沟12可分布在接受器 11上,以容纳相应的第一材料和第二材料,第一材料和第二材料可交替地设置。在一些实例 中,各个沟可具有长方形或弧形截面。系统10进一步包括用于加热接受器11的一个或多个加热器,例如图5所示的电 阻加热器21。在某些实例中,可采用其它适当的加热器,包括但不限于卤素灯和射频加热 器,它们可由本领域技术人员容易地实现。在操作中,该一个或多个加热器加热接受器11,从而在相应的凹部12中的第一材 料13和第二材料14被加热到某个温度,以同时升华。然后,两种升华气体在朝衬底100传 输期间混合在一起,以便以膜的形式在衬底100上沉积,这称为共同升华过程。在一些实例中,在凹部12中的第一材料13和第二材料14可被加热到相同的温 度。在其它实例中,第一材料13和第二材料14可被加热到不同的温度。另外,在一些应用中,在操作中,衬底100相对于接受器(一个或多个)11可为固 定的。备选地,衬底100可相对于接受器(一个或多个)11运动。衬底100可被预热到比 第一材料13和第二材料14的相应的加热温度更低的温度。可使用各种技术来将第一材料和第二材料加热到不同的温度。例如,对于用于接 收两种材料的相应的凹部12而言,几何结构可不同。因此,当一个或多个加热器设置在接 受器11下方以加热凹部12时,由于热梯度的原因,具有更大的深度的凹部12比具有更浅 的深度的凹部接收更多热能。这样,第一材料和第二材料就被加热到不同的温度。在其它实例中,可相对于其它凹部的导热性来增强凹部的一个子集的导热性。例 如,系统10可采用设置在相应的凹部12的周边上和/或设置在相应的凹部12中的一种或 多种材料,以便起作用来例如从一个或多个加热器中吸收更多热能。例如,一种或多种吸热 材料(例如钛)可设置在容纳第一材料13的凹部12的周围,从而第一材料13被加热到比 第二材料14更高的温度,以进行升华。在所示实施例中,系统10进一步采用了多个盖15,多个盖15设置在用于容纳第二材料14的凹部12中的相应的一些上。各个盖15限定与凹部12流体连通的开口 16。图4和5示出了其上设置有一个盖的一个凹部的俯视图和截面图。如图4和5所 示,凹部12具有圆柱形形状,并且开口 16与凹部12流体连通,从而在升华过程期间,可通 过移动盖15来调节开口 16的尺寸,以便调节第二材料14的升华蒸气压力。在一些实例中, 盖15可设置在或可不设置在第一材料凹部12上。在一些应用中,系统10可采用一个或多个热监测装置来监测凹部12的温度。如 图6中描绘的那样,多个第一热电偶17和第二热电偶18延伸到接受器11中,并且设置在 凹部12的下方,以探测其上的温度,以便监测第一材料13和第二材料14的温度。如以上描绘的那样,在一些实例中,用于容纳第一材料和第二材料的凹部12可被 加热到相同的温度。但是,对于许多应用来说,容纳第一材料和/或第二材料的凹部12被 加热到不同的温度。在某些应用中,第一热电偶17和第二热电偶18可连接到监测装置19上,以监测 各个凹部12的温度。在其它实例中,可使用两个或更多个监测装置。另外,在一些实施例 中,监测装置(一个或多个)可操作性地连接到加热器(一个或多个)上,以提供反馈来进 行热控制。对于某些布置,为了对各个凹部12的温度进行独立控制且避免来自相邻凹部12 的干扰,可在接受器11上设置隔热装置。例如,可提供一个或多个隔热层,以更好地热隔离 凹部中的相应的一些凹部与相邻的凹部。图7是采用了多个隔热层20的系统10的示意图。如图7所示,系统10包括限定 在接受器11上以容纳第一材料13和第二材料14的多个凹部12。隔热层20设置在接受器 11的两端处,并且位于每两个相邻凹部12之间,以进行热隔离。隔热装置的非限制性实例包括聚苯乙烯、聚亚安酯、聚苯乙烯泡沫和陶瓷材料。对 于所示布置,隔热层20进一步设置在接受器11的底面(未标示)上,以降低通过接受器11 的底面的热对流。在其它实例中,没有在接受器11的底面上采用隔热装置。在图7的所示实例中,系统10进一步包括设置在用于容纳第二材料14的凹部12 上的多个盖15,以及用于加热相应的凹部12的电阻加热器21。在一些实例中,一个或多个 盖15可设置在或可不设置在用于容纳第一材料13的一个或多个凹部12上。电阻加热器 21包括线圈23。在所示实例中,线圈23设置在各个凹部12的周围。系统10进一步包括 为线圈23提供的、构造成以便使电流通过线圈23来加热凹部12的电源22。在所示实例中,线圈23在接收第一材料13的凹部12上具有比在接收第二材料14 的凹部12上的那些(匝)更多的匝。这样,就可分开来加热第一材料13和第二材料14,并 且第一材料13可被加热到比第二材料14更高的温度。在其它实例中,缠绕在第一材料凹 部12的周围的线圈的匝数可等于或小于缠绕在第二材料凹部12的周围的那些。此外,图7所示的示例性系统10还采用了构造成分别监测第一材料13和第二材 料14的温度的多个第一热电偶17和第二热电偶18。在一些实例中,一个或多个监测装置 19还可操作性地连接到第一热电偶17和第二热电偶18上,并且另外可操作性地连接到加 热器21上,以提供反馈来进行热控制。图8是具有多个在空间上隔开的接受器的系统10的示意图。如图8所示,系统10 包括用于容纳第一材料和第二材料的多个在空间上隔开的接受器11,以及限定具有下部开口 26的升华区25的沉积装置M。在空间上隔开的接受器11设置在升华区25内。衬底 100设置在沉积装置M的下方。类似地,系统10可包括用于加热接受器11的一个或多个加热器。在一些实例中, 加热器(一个或多个)可设置在沉积装置M的外部。在其它实例中,加热器(一个或多 个)可设置在升华区25内,以及/或者设置在沉积装置23的上壁50和/或侧壁51内,以 加热接受器11。在操作中,第一材料13和第二材料14在某个温度处升华。由于沉积装置M的温 度高于第一材料13和第二材料14被加热到的温度,所以第一材料13和第二材料14的升 华气体不会在沉积装置M的内表面上沉积,并且沿向下方向传输,以在衬底100上沉积,如 由虚线箭头所指示的那样。在图8的所示实例中,系统10进一步包括扩散元件观,以用于扩散,并且因此用于 使升华气体更加均勻地分布在衬底100上。在某些应用中,可采用不止一个扩散元件观。 类似地,在沉积期间,扩散元件(一个或多个) 的温度也可高于第一材料和第二材料被加 热到的温度,从而升华气体在衬底100上沉积,而不在扩散元件(一个或多个) 上沉积。对于所示布置,衬底100设置在沉积装置M的下方。采用了不止两个在空间上隔 开的接受器11,而且各个接受器11限定凹部12。在其它实例中,衬底100也可设置在升华 区25内,并且位于上壁50和接受器11之间。系统10可采用两个接受器,并且各个接受器 11可限定不止一个凹部12。另外,对于图1-7中的布置,系统10也可采用沉积装置来容纳接受器(一个或多 个)11,该沉积装置可类似于图8所示的沉积装置对,但是可限定上部开口,从而衬底100 就设置在接受器(一个或多个)11的上方,以进行沉积。类似于图8所示的扩散元件观的 一个或多个扩散元件也可设置在衬底100和接受器(一个或多个)11之间。上述升华和沉积过程可在各种各样的环境中执行,例如,在大气环境中或者在存 在气体(例如氧气、氢气、氮气、氯气、惰性气体以及它们的组合)的情况下。惰性气体的非 限制性实例包括氩气和氦气。图9是系统10的另一种构造的示意图。如图9所示,系统10包括限定升华区31 的沉积装置30,以及均设置在升华区31的第一升华区52和第二升华区53内的两个接受 器11。升华装置30进一步限定入口 32、入口通道;34、出口 33,以及与升华区31流体连通 的出口通道35。衬底100面向出口 33。对于图9的所示实例,系统10进一步包括载体气体源(未显示)和一个或多个加 热器(未显示)。载体气体源构造成以便通过入口 32和入口通道34将载体气体供应到升 华区31中。该一个或多个加热器构造成以便加热第一材料13和第二材料14,并且使第一 材料13和第二材料14升华,而且该一个或多个加热器可设置在升华装置30的外部,设置 在接受器11的周围,以及/或者设置在限定升华区31的一个或多个壁(未标示)内。在操作中,一个或多个加热器加热接受器11,以使第一材料13和第二材料14升 华。第一材料和第二材料可被加热到相同或不同的温度,以进行升华。载体气体源将载体 气体36供应到升华区31中,以通过出口通道35和出口 33将升华气体携带出升华区31。 随后,第一材料和第二材料在衬底100上持续地沉积,同时衬底100沿方向37运动,方向37 与消耗的载体气体的方向38相反。
在所示实例中,在朝向出口 33运动的同时,升华气体在出口通道35中混合,出口 通道35因此作为混合区,且从而提高衬底100上的沉积的质量。在一些应用中,可不采用 出口通道35。载体气体36可充满第一材料13和第二材料14的升华气体,以有利于在衬底 100上沉积。衬底100可沿与消耗的载体气体相同的方向运动,或者可为固定的。另外,升华装置30和衬底100的温度可分别比第一材料13和第二材料14的加热 温度更高和更低,以有利于第一材料和第二材料在衬底100上沉积。在某些应用中,为了避免污染两种升华气体,载体气体可首先携带在较低的温度 处升华的材料的升华气体。然后该载体气体携带在较高的温度处升华的材料的升华气体。 例如,如果第二材料比第一材料在更低的温度处升华,则载体气体首先携带第二材料的升 华气体,而然后携带第一材料的升华气体。在所示实例中,提供了两个接受器。在其它实例中,可采用不止两个接受器来容纳 相应的第一材料和第二材料。因此,例如,在操作中,载体气体可经过容纳第二材料的所有 的接受器,且然后经过容纳第一材料的所有的接受器。另外,系统10可包括或可不包括设 置在一个或两个接受器11中的相应的接受器11上的一个或多个盖15。图10是示出了具有两个入口 32的系统10的构造的示意图。图10中的布置类似 于图9所示的布置。这两个布置的不同在于,图10所示的系统10包括两个入口 32,并且出 口 33设置在两个接受器11之间。对于图10所示的构造,在操作中,第一载体气体M和第二载体气体55从入口 32 传送进入升华区31中,以携带第一材料和第二材料的相应的升华气体。然后,升华气体在 限定在两个接受器11之间的混合区39中混合,并且传送离开升华区31,以在运动的衬底 100上沉积。类似地,可采用不止两个接受器,并且可在接受器11中的相应的接受器11上提供 一个或多个盖。第一载体气体M和第二载体气体阳可为相同或不同的气体。第一载体气 体和第二载体气体的非限制性实例包括惰性气体,例如氩气和氦气。对于图10的所示实例,混合区和升华区31在空间上是交迭的。第一升华区和第 二升华区在空间上也是交迭的。在某些实例中,混合区可在空间上与升华区31隔开。第一 升华区和第二升华区也可在空间上彼此隔开。对于图11所示的示例性布置,沉积装置30包括限定第一升华区41的第一沉积元 件40、限定第二升华区43的第二沉积元件42,以及限定混合区45的混合元件44。第一通 路46和第二通路47在混合区和相应的第一升华区41与第二升华区43之间提供流体连接。 第一入口 48和第二入口 49设置在第一元件40和第二元件42上,以与相应的升华区41、43 流体连通,通过它们,第一载体气体和第二载体气体传送进入升华区41、43中,以携带相应 的升华气体。在图11的所示实例中,第一升华区41、第二升华区43和混合区45彼此在空间上 是隔开的。因此,在操作中,第一材料和第二材料在相应的升华区41、43中升华。然后,第 一载体气体和第二载体气体(未显示)通过相应的通路48、49将相应的升华气体携带到混 合区45中,以进行混合。随后,混合的升华气体从出口 33传送离开混合区,以在运动的衬 底100上沉积。对于图10和11所示的布置,在一些应用中,衬底100可为固定的。在升华过程期间,第一载体气体和第二载体气体也可充满第一材料13和第二材料14的升华气体,以有利 于随后在衬底100上沉积。另外,对于一些实例,可采用不止两个沉积元件和/或不止两个接受器。在接受器 中的相应的接受器上可采用或可不采用一个或多个盖来调节一种或多种升华气体的压力。 在其它应用中,可通过改变通路48、49中的一个或多个的气体流阻力来调节混合区45中的 一种或多种升华气体的蒸气压力。虽然已经在典型的实施例中对本公开进行了说明和描述,但是本公开不意在限于 所示细节,因为可在不以任何方式偏离本公开的精神的情况下作出各种修改和替代。这样, 通过使用仅常规实验,本领域技术人员可想到本文所公开的公开内容的另外的修改和等效 物,而且相信所有这种修改和等效物都在随后的权利要求书限定的本公开的精神和范围之 中。
权利要求
1.一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的系统(10),所述系统(10)包括一个或多个接受器(11),构造成限定用于分别容纳至少第一材料(13)和不同于所述第一材料(13)的第二材料(14)的两个或更多个凹部(12);以及一个或多个加热器,用于加热所述第一材料(13)和所述第二材料(14)来升华,以在所 述衬底(100)上沉积。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述一个或多个接受器(11)中的各个限 定所述两个或更多个凹部(12)。
3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一材料(13)和所述第二材料(14) 被分别加热到不同的温度。
4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述系统进一步包括一个或多个盖(15), 所述一个或多个盖(15)可动地设置在所述凹部(12)中的相应的一些凹部(12)上,并且构 造成以便调节第一蒸发材料和第二蒸发材料中的一个或多个的蒸气压力。
5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述一个或多个加热器中的各个包括电 阻加热器(21),其中,所述电阻加热器(21)包括设置在所述凹部(12)中的一个或多个的 周围的线圈(23),其中,所述系统(10)进一步包括电源(22),该电源(22)构造成以便通过 所述线圈(23)传递电流以加热所述第一材料和第二材料(13,14)中的一个或多个,并且其 中,设置在容纳所述第一材料(13)的凹部(12)的周围的线圈(23)比设置在容纳所述第二 材料(14)的凹部(12)的周围的线圈(23)具有更多匝。
6.一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的系统(10),所述系统(10)包括沉积装置(24,30),限定了升华区(31)、一个或多个入口(32)以及与所述升华区(31)流体连通的一个或多个出口(33);一个或多个接受器(11),设置在所述升华区(31)内,并且限定用于分别容纳至少第一 材料(13)和不同于所述第一材料(13)的第二材料(14)的两个或更多个凹部(12);一个或多个加热器,用于加热所述第一材料(13)和所述第二材料(14),以使所述第一 材料和第二材料(13,14)升华;以及一个或多个载体气体源,构造成以便通过所述一个或多个入口(32)将一种或多种载 体气体(36)供应到所述升华区(31)中,以通过所述一个或多个出口(33)将所述第一材料 和第二材料(13,14)的升华气体携带出所述升华区(31),以在所述衬底(100)上沉积。
7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述沉积装置(24,30)进一步包括构造成 以便在所述升华气体在所述衬底(100)上沉积之前混合所述升华气体的混合区(39,45), 其中,所述升华区(31)包括构造成分别容纳所述第一材料和第二材料(13,14)的第一升华 区(41)和第二升华区(43),其中,所述混合区(39,45)设置在所述第一升华区和第二升华 区(41,43)之间,并且其中,所述混合区(39,45)在空间上与所述第一升华区和第二升华区 (41,43)交迭。
8.一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的方法,所述方法包括提供一个或多个接受器(11),该一个或多个接受器(11)构造成限定用于分别容纳第 一材料(13)和不同于所述第一材料(13)的第二材料(14)的两个或更多个凹部(12);以 及加热所述第一材料(13)和所述第二材料(14),以使所述第一材料(13)和所述第二材料(14)升华,以便在所述衬底(100)上沉积。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法进一步包括将所述第一材料(13)和所述第二材料(14)交替地设置在相应的凹部(12)上,并且其中,所述一个或多个接 受器(11)中的各个限定所述两个或更多个凹部(12)。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一材料(13)和所述第二材料(14)被分别加热到不同的温度。
全文摘要
本发明涉及用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统。提供了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的系统(10)。系统(10)包括一个或多个接受器(11),该一个或多个接受器(11)构造成限定用于分别容纳至少第一材料(13)和第二材料(14)的两个或更多个凹部(12)。第一材料和第二材料(13,14)是不同的。系统(10)进一步包括一个或多个加热器,以加热第一材料(13)和第二材料(14),以使第一材料和第二材料(13,14)升华,以便在衬底(100)上沉积。还提出了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的方法。
文档编号C23C16/455GK102051599SQ20101053850
公开日2011年5月11日 申请日期2010年10月29日 优先权日2009年10月29日
发明者B·A·科列瓦, F·R·艾哈迈德, J·A·德卢卡, J·N·约翰逊, J·P·勒蒙, Y·A·奚 申请人:通用电气公司
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