专利名称：镀膜件及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种镀膜件及其制备方法，尤其涉及一种具有抗指纹功能的镀膜件及该镀膜件的制备方法。
背景技术：
传统技术中，早期抗指纹化处理一般是采用在不锈钢的镀锌层上形成铬酸盐层及特殊的树脂层。该方法首先需要在不锈钢板上电镀一层锌，然后施以铬酸盐处理，最后以滚压的方式涂上一层树脂，其工艺繁锁，且需要使用铬酸盐处理，环境污染严重，成本较高。因此，为避免污染，降低成本，人们开始研究新的抗指纹材料。目前工业上使用较多的是在基体上喷涂一层有机化学物质，如抗指纹涂料和抗指纹油等，通过加热干燥使其附着在基体上。但是这种涂层的制备工艺也较复杂，而且掺杂于抗指纹涂料和抗指纹油中的有些填料还存在游离甲醛等，不利于环保和人体健康。另外，这种有机涂层耐磨性能差， 使用一段时间后容易磨损，使得基体被暴露出来，防腐蚀性能大幅下降且影响美观。此外， 抗指纹油的使用会使涂层表面看起来很油腻，大大降低了视觉美感。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种较为环保的、抗指纹性能佳且效果较为持久的镀膜件。另外，还有必要提供一种上述镀膜件的制备方法。一种镀膜件，其包括一基体及一抗指纹层，该抗指纹层包括依次形成于基体表面的非晶二氧化硅层及氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层，其中0 < χ < 2，0 < y < 4。—种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤提供一基体；以硅靶为靶材，以氧气为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该基体的表面溅镀非
晶二氧化硅层；以硅靶为靶材，以氧气、四氟化碳气体为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该非晶二氧化硅层的表面制备一氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层，其中0 < X < 2，0 < y < 4。相较于现有技术，所述的镀膜件采用磁控溅射镀膜的方法在基体表面先形成一非晶二氧化硅层，再于非晶二氧化硅层的表面形成一氟化非晶二氧化硅层，得以实现较佳的抗指纹功能；通过于基体上形成非晶二氧化硅层后再通入四氟化碳气体以沉积氟化非晶二氧化硅层，可避免四氟化碳气体对基体的腐蚀。另外，所述的抗指纹层以磁控溅射镀膜的方法形成，相较于传统的抗指纹材料，其具有较好的耐磨性，可防止所述抗指纹层被磨损，使得所述的镀膜件的抗指纹功能更持久，外观上也更具有美感。另外，所述镀膜件及其制备方法较为环保。
图1是本发明较佳实施方式的镀膜件的剖视示意图。
图2是本发明较佳实施方式的镀膜件的扫描电镜图。
图3是本发明较佳实施方式的磁控溅射镀膜机的俯视示意图。
主要元件符号说明
镀膜件10
基体11
抗指纹层13
非晶二氧化硅层131
氟化非晶二氧化硅层133
磁控溅射镀膜机20
镀膜室21
硅靶2具体实施例方式请参阅图1，本发明一较佳实施方式的镀膜件10包括基体11及形成于基体11上的抗指纹层13。基体11的材质可为金属或非金属，该金属材料可包括不锈钢、铝、铝合金、铜、铜合金、锌等。该非金属材料可包括陶瓷、玻璃等。抗指纹层13包括依次形成于基体11表面的非晶二氧化硅层131及氟化非晶二氧化硅层133。该抗指纹层13可以磁控溅射镀膜法形成，如中频磁控溅射镀膜法。所述非晶二氧化硅(SiO2)层131为纳米级的非晶态结构，其厚度为450-600nm。所述氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层133为纳米级的非晶态结构，其中0 < χ < 2， 0 < y < 4。请参阅图2，为所述镀膜件10的扫描电镜图(放大10万倍)。可以看到，氟化非晶二氧化硅层133的表面形成有若干均勻且密集分布的纳米级乳突结构。该纳米级乳突结构会形成众多的纳米量级的气孔，当水或油铺展在抗指纹层13的表面时，气孔被水或油封住形成气封，该气封进而“拖住”水珠或油珠，使其不与抗指纹层13表面润湿，达到抗指纹效果。可以理解的，还可在基体11与非晶二氧化硅层131之间设置一硅的过渡层，以提高抗指纹层13于基体11的附着力。对所述镀膜件10进行了水油接触角测试，结果显示，所述抗指纹层13与水油混合物的接触角在106. 5-110. 8°之间，证明所述镀膜件10具有良好的抗指纹功能。本发明较佳实施方式的镀膜件10的制备方法包括如下步骤提供基体11，并对该基体11进行清洁前处理。该清洁前处理可包括以下步骤依次用去离子水及无水乙醇对基体11表面进行擦拭。将基体11放入盛装有丙酮溶液的超声波清洗器中进行超声波清洗，以除去基体 11表面的杂质和油污等。对经上述清洁前处理后的基体11的表面进行等离子体清洗，以进一步去除基体 11表面的脏污，以及改善基体11表面与后续镀层的结合力。请参阅图3，将基体11放入一磁控溅射镀膜机20的镀膜室21中，装入硅靶23，抽真空该镀膜室21至本底真空度为3. OX KT5Torr，然后通入流量为300-500sCCm (标准毫升每分)的工作气体氩气(纯度为99. 999%),并对基体11施加-300 -500V的偏压，使镀膜室21中产生高频电压。所述氩气在高频电压下离子化而产生高能氩气等离子体，该氩气等离子体对基体11的表面进行物理轰击，从而清除掉基体11表面的脏污，达到清洗的目的。所述等离子体清洗的时间可为5-10分钟。所述等离子体清洗完成后，在所述镀膜室21中以磁控溅射镀膜法，如射频磁控溅射镀膜法，在基体11的表面溅镀非晶二氧化硅层131。溅镀该非晶二氧化硅层131时，加热所述镀膜室21至温度为100-200°C (即溅镀温度为100-200°C )，保持氩气的流量不变，通入流量为100-250SCCm的反应气体氧气，调节基体11的偏压至-100 -300V，开启硅靶23 的电源，于基体11的表面沉积非晶二氧化硅层131。所述硅靶23可由射频电源控制，其功率为5-10kW。该非晶二氧化硅层131为纳米级的非晶态结构，其厚度在450-600nm之间。 沉积该非晶二氧化硅层131的时间可为20-60分钟。沉积完所述非晶二氧化硅层131后，保持氩气的流量、基体11的偏压及镀膜室21 的温度不变，降低氧气的流量至50-150sCCm，向镀膜室21通入四氟化碳(CF4)气体，并使四氟化碳的分压在0. 45-0. 63 之间，设置硅靶23的射频功率密度为50-100W/cm2，以产生射频电磁场使四氟化碳气体产生辉光放电及离化，此时，离化的氧及氟同时与硅靶23溅射出的粒子作用，而于所述非晶二氧化硅层131的表面沉积一氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层 133，其中0 < χ < 2，0 < y < 4。沉积所述氟化非晶二氧化硅层133的时间为60-120分钟。可以理解的，可在溅镀非晶二氧化硅层131之前于基体11的表面溅镀一硅的过渡层，以提高抗指纹层13于基体11的附着力。可以理解的，也可采用对非晶二氧化硅层131直接进行氟化处理的方式来制备氟化非晶二氧化硅层133。以下结合具体实施例对镀膜件10的制备方法及镀膜件10的抗指纹性能进行说明。各实施例中前处理均按上述揭露的方式进行，这里不再详述。实施例1等离子体清洗氩气流量为500sCCm，基体11的偏压为-300V，等离子体清洗的时间为8分钟；溅镀非晶二氧化硅层131 氩气流量为400SCCm，氧气流量为150sCCm，基体11的偏压为-100V，硅靶23的功率为8. 5kff,溅镀温度为100°C，溅镀时间为40分钟，非晶二氧化硅层131的厚度为450nm。制备氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层133:氩气流量为400sCCm，氧气流量为 60sccm,四氟化碳气体的分压为0. 45Pa，基体11的偏压为-100V，射频电磁场的功率密度为 75W/cm2，镀膜室21的温度为100°C，处理时间为65分钟。其中，SiOxFy层133中χ的值为 1.5，y的值为1。按本实施例方法所制得的抗指纹层13与水油混合物的接触角为106. 5°。实施例2等离子体清洗氩气流量为500sCCm，基体11的偏压为-450V，等离子体清洗的时间为10分钟；
溅镀非晶二氧化硅层131 氩气流量为500SCCm，氧气流量为200sCCm，基体11的偏压为-150V，硅靶23的功率为5kW，溅镀温度为150°C，溅镀时间为55分钟，非晶二氧化硅层131的厚度为600nm。制备氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层133:氩气流量为500sCCm，氧气流量为 150sccm,四氟化碳气体的分压为0. 63Pa，基体11的偏压为-150V，射频电磁场的功率密度为81W/cm2，镀膜室21的温度为150°C，处理时间为90分钟。其中，SiOxFy层133中χ的值为l，y的值为2。按本实施例方法所制得的抗指纹层13与水油混合物的接触角为110. 8°。相较于现有技术，所述的镀膜件10采用磁控溅射镀膜的方法在基体11表面先形成一非晶二氧化硅层131，再于非晶二氧化硅层131的表面形成一氟化非晶二氧化硅层 133，该氟化非晶二氧化硅层133表面形成的均勻且密集分布的纳米级乳突结构使得所述抗指纹层13具有较佳的抗指纹功能；通过于基体11上形成非晶二氧化硅层131后再通入四氟化碳气体以沉积氟化非晶二氧化硅层133，可避免四氟化碳气体对基体11的腐蚀。另外，所述的抗指纹层13以磁控溅射镀膜的方法形成，相较于传统的抗指纹材料，其具有较好的耐磨性，可防止所述抗指纹层13被磨损，使得所述镀膜件10的抗指纹功能更持久，外观上也更具有美感。另外，所述镀膜件10及其制备方法较为环保。
权利要求
1.一种镀膜件，其包括一基体，其特征在于该镀膜件还包括一抗指纹层，该抗指纹层包括依次形成于基体表面的非晶二氧化硅层及氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层，其中0 < X < 2，0 < y < 4。
2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于所述非晶二氧化硅层为纳米级的非晶态结构，其厚度为450-600nm。
3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于所述氟化非晶二氧化硅层为纳米级的非晶态结构，其表面形成有若干均勻分布的纳米级乳突结构。
4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于所述抗指纹层以磁控溅射镀膜法形成。
5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于所述基体的材质为金属或非金属。
6.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤提供一基体；以硅靶为靶材，以氧气为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该基体的表面溅镀非晶二氧化硅层；以硅靶为靶材，以氧气、四氟化碳气体为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该非晶二氧化硅层的表面制备一氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层，其中0 < χ < 2，0 < y < 4。
7.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于溅镀所述非晶二氧化硅层对基体设置-100 -300V的偏压，溅镀温度为100-200°c，氧气的流量为100-250sCCm，以氩气为工作气体，氩气的流量为300-500sCCm，硅靶由射频电源控制，其功率为5-10kW，溅镀时间为20-60分钟。
8.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于制备所述氟化非晶二氧化硅层对基体设置-100 -300V的偏压，溅镀温度为100-200°C，氧气的流量为50-150sCCm，以氩气为工作气体，氩气的流量为300-500SCCm，四氟化碳的分压在0. 45-0. 631 之间，硅靶由射频电源控制，其射频功率密度为50-100W/cm2，处理时间为60-120分钟。
9.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于所述制备方法还包括在溅镀非晶二氧化硅层前于基体表面溅镀一硅的过渡层的步骤。
10.如权利要求9所述的镀膜件的制备方法，其特征在于所述制备方法还包括在溅镀硅的过渡层前对基体进行清洁前处理及等离子体清洗的步骤。
全文摘要
本发明提供一种镀膜件及该镀膜件的制备方法。该镀膜件包括一基体及一抗指纹层，该抗指纹层包括依次形成于基体表面的非晶二氧化硅层及氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层，其中0＜x＜2，0＜y＜4。一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤提供一基体；以硅靶为靶材，以氧气为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该基体的表面溅镀非晶二氧化硅层；以硅靶为靶材，以氧气、四氟化碳气体为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该非晶二氧化硅层的表面制备一氟化非晶二氧化硅(SiOxFy)层，其中0＜x＜2，0＜y＜4。该镀膜件具有良好的抗指纹功能。
文档编号C23C14/35GK102534486SQ201010612188
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月29日 优先权日2010年12月29日
发明者张新倍, 李聪, 蒋焕梧, 陈文荣, 陈正士 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司