旋转磁铁溅镀装置的制作方法

专利名称：旋转磁铁溅镀装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在金属、绝缘物的成膜中广泛使用的溅镀装置，尤其涉及用于对液晶显示装置基板、半导体基板等被处理体实施规定的表面处理的处理装置、即利用旋转磁铁的磁控溅镀装置。
背景技术：
溅镀装置在光盘的制造，液晶显示元件、半导体元件等的电子装置的制造，其他一般性的金属薄膜、绝缘物薄膜的制作中被广泛地使用。溅镀装置以薄膜形成用的原材料作为标的物，利用直流高电压或高频电力使氩气等进行等离子化，利用该等离子化气体使标的物活化而使之熔解、飞溅，粘附在被处理基板上。在溅镀成膜法中，为了高速成膜，主要采用如下的基于磁控溅镀装置的成膜法， 即，通过在标的物的背侧配置磁铁，使磁力线与标的物表面平行，从而利用将等离子体困入标的物表面而得到高密度的等离子体。为了提高标的物利用效率而降低生产成本、可以稳定地长期运转，本发明人等首先提出了旋转磁铁溅镀装置。其是如下的一种划时代的溅镀装置其构成为在柱状旋转轴上连续地配设多个板磁铁，并通过使柱状旋转轴旋转、从而标的物表面的磁场图案随着时间变动，大幅提高标的物材料的使用效率，并且消除由等离子体所致的充电损伤、离子照射损伤(参照专利文献1)。专利文献1 :W02007/04;3476 号公报一般地，在磁控溅镀法中，为了增加成膜率而提高吞吐率，增大等离子体激发电力是有效的。此时，若增大等离子体激发电力，则由于等离子体热流增大，存在不能避免标的物及支承该标的物的背板成为高温的状况。因此，存在将标的物和背板粘结的铟层熔解进而标的物脱落、背板的变形等的危险。专利文献1中所示的溅镀装置中也考虑了冷却标的物等的必要性，在背板的端部 (保持标的物的部分的外侧)设置制冷剂的通路。然而，从有效地进行冷却之类的观点来看，优选进一步改良冷却机构。

发明内容
本发明的目的在于提供一种溅镀装置，其将标的物及背板有效率地进行冷却，能够应付等离子体激发电力的增大。进而，本发明的目的在于提供一种溅镀装置，其通过选择冷却介质流动的位置，能够有效地进行冷却。根据本发明的第一方式，获得一种旋转磁铁溅镀装置，该装置是包括载置被处理基板的被处理基板设置台、将标的物以与该被处理基板对置的方式固定设置的背板、以及相对于标的物的设置部分设置在上述被处理基板设置台的相反侧的磁铁，并且利用该磁铁在标的物表面形成磁场，从而在标的物表面困入等离子体的溅镀装置，其特征在于，上述磁铁包括在柱状旋转轴设置有多个板磁铁的旋转磁铁组；以及在旋转磁铁组的周边与标的物面平行地设置的固定外周板磁铁或固定外周强磁性体，构成为通过使上述旋转磁铁组与上述柱状旋转轴一起旋转，从而使上述标的物表面的磁场图案随时间移动，在上述旋转磁铁组与背板之间具有供冷却用的介质流动的流路。根据本发明的其他方式得到的上述方式的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，上述旋转磁铁组为，在上述柱状旋转轴将板磁铁以N极和S极的任一个极朝向柱状旋转轴的径向外侧的方式粘贴成螺旋状，从而形成一个或多个螺旋板磁铁组。根据本发明的其他方式得到的上述任一个方式的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，在上述柱状旋转轴具备偶数个上述旋转螺旋磁铁组，在上述柱状旋转轴的轴向上邻接的螺旋彼此为在上述柱状旋转轴的径向外侧形成相互不同的磁极、即形成N极和S极的螺旋状板磁铁组。根据本发明的其他方式得到的上述任一个方式的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，上述固定外周板磁铁或上述固定强磁性体在从上述标的物侧来看是具有包围上述旋转磁铁组的构造的磁铁，且在上述标的物侧形成N极和S极的任一方的磁极。根据本发明的其他方式得到的上述实施的方式的任一个中所述的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，上述流路构成为使上述冷却用的介质在多个螺旋板磁铁组之间的空间成螺旋状流动。根据本发明的其他方式得到的上述任一个方式的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，将上述冷却用的介质的雷诺数设定为1000到5000之间而进行流动。根据本发明的其他方式得到的上述任一个方式的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，上述流路包括由上述螺旋板磁铁组的侧壁、上述柱状旋转轴、以及设置在上述螺旋板磁铁组的外侧的遮蔽板包围的空间，上述冷却用的介质沿着上述螺旋板磁铁组而成螺旋状流动。根据本发明的其他方式得到的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，在上述任一个方式的旋转磁铁溅镀装置中，上述遮蔽板的至少一部分为强磁性体。根据本发明的其他方式得到的溅镀方法，其特征在于，使用上述任一个方式的旋转磁铁溅镀装置，一边使上述柱状旋转轴旋转，一边在被处理基板进行上述标的物的材料的成膜。根据本发明的其他方式得到的电子装置的制造方法，其特征在于，包括使用上述方式的溅镀方法，在被处理基板进行溅镀成膜的工序。发明的效果根据本发明，在旋转磁铁溅镀装置中，提高冷却效率，能够增大等离子体激发的电力可施加量，且实现成膜率、吞吐率的提高。


图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的磁铁旋转溅镀装置的冷却装置的概略结构图。图2是表示本发明的第二实施方式所涉及的磁铁旋转溅镀装置的概略结构图。图3是用于对图2所示的磁铁旋转溅镀装置的磁铁部分进行更为详细的说明的立体图。图4是对图2所示的磁铁旋转溅镀装置中等离子体环的形成进行说明的图。图5是用于对图1所示的磁铁旋转溅镀装置的冷却水流路进行更为详细的说明的背板的俯视图。图6是用于对图2所示的磁铁旋转溅镀装置的冷却水流路进行更为详细的说明的侧视(局部剖视)图。
具体实施例方式以下，利用附图对本发明的实施方式进行说明。(第一实施方式)参照图1，对本发明的第一实施方式所涉及的旋转磁铁溅镀装置中的冷却机构进行说明。在此，仅简略地表示旋转磁铁溅镀装置中与冷却机构关联的部分。图1中，401是背板，402是旋转磁铁，403是标的物部，404是冷却水流路。该实施方式中，构成冷却机构的冷却水流路404设在在背板401内、且与标的物部403重合的部分。如图所示，标的物部403设置在背板401的一个表面，旋转磁铁402设在背板401的与标的物部403的设置面相反的相反侧。图5是从上面观察背板的图。以与标的物部403重合的方式，设置冷却水流路404。502是冷却水入口，504是冷却水出口。通过这样在标的物正上方设置冷却水流路，能够提高冷却效率。如后所述，旋转磁铁402具备在柱状旋转轴上安装多个螺旋状板磁铁组的结构，通过该旋转磁铁402进行旋转，在设于旋转磁铁402的外周的固定强磁性体部之间，封闭的等离子体区域在标的物部403上连续地生成，且该等离子体区域随着旋转磁铁402的旋转，沿着柱状旋转轴移动。因此，该结构的旋转磁铁溅镀装置具备能够有效地利用标的物部403这样的优点。另一方面，为了提升成膜率、提高吞吐率，增大等离子体激发电力时，等离子体热流增大。就来自等离子体的热流而言，由于在进行等离子体激发的标的物部403最多，所以为了提高冷却效率，在该实施方式中，在与标的物部403邻接的背板401内设置有冷却水流路404作为冷却机构。这样，冷却水流路404设为与和标的物部403的接触面邻接，所以能够有效地进行冷却。此时，冷却水流路404优选尽可能地与标的物部403邻接。因此，需要将背板401 设为比较厚。另一方面，为了提高等离子体激发效率，需要加强标的物部403表面的磁场强度。 优选等离子体环内的水平磁场强度(磁场强度的与标的物面平行方向的成分)设为500高斯以上。为此，图1所示的旋转磁铁402与标的物部403表面的距离(T/S距离)405设为 30mm以内，优选设为20mm以内。实际上，将T/S距离设为20mm，并在背板401内设置冷却水路404时，将背板401 的厚度设为12mm，另外，为使背板401和旋转磁铁402不接触而间隔1mm。此时判定，标的物部403的厚度优选设为7mm左右。
在此，标的物部403和背板401通过铟层而粘结。将冷却水流路404设置在背板 401内的图1的结构中，确认出能够防止背板401的变形等。这样，根据第一实施方式，由于在背板401内设置有冷却水流路404，所以能够防止因等离子体热流的增大所致的背板401的变形、或标的物层403的脱落。接着，参照附图对本发明的第二实施方式进行详细地说明。参照图2，图2是本发明的第二实施方式所涉及的磁铁旋转溅镀装置的结构。图2中，1是标的物，2是柱状旋转轴，3是在旋转轴2的表面配置成螺旋状的多个螺旋状板磁铁组，4是配置在3的外周的固定外周板磁铁、或固定外周强磁性体(以下，作为固定外周板磁铁进行说明)，5是粘结有标的物1的背板，6是用于除去来自等离子体的热流的冷却用的介质(本实施例中是冷却水)，7是用于形成冷却水流路的第一遮蔽板，8是用于形成冷却水流路的第二遮蔽板，16是调整冷却水的流路截面积的板，9是用于等离子体激发的RF电源，10是用于控制等离子体激发以及标的物直流电压的直流电源，11是用于向背板及标的物供给电力的铝制遮蔽板，12是绝缘材料，13是被处理基板，14是设置被处理基板的设置台，15是形成处理室的外壁(例如铝、或铝合金制)。RF电源9的电力频率是13. 56MHz，本实施例中采用了可以叠加施加直流电源的 RF-DC结合放电方式，但也可以仅是直流电源的DC放电溅镀，也可以仅是RF电源的RF放电溅镀。作为柱状旋转轴2的材质，可以是通常的不锈钢等，但优选为由磁阻低的强磁性体、例如M-Fe系高磁导率合金、铁构成一部分或全部。本实施方式中，由铁构成柱状旋转轴2。柱状旋转轴2能够通过未图示的齿轮单元以及电动机而旋转。利用图3，对图2所示的螺旋状板磁铁组3及外周固定磁铁4进行更为具体的说明。柱状旋转轴2的截面为正16边形，一边的长度为18mm。在各个面安装多个菱形的板磁铁，多个螺旋状板磁铁组3随着柱状旋转轴2的旋转而旋转。因此，即，螺旋状板磁铁组 3构成旋转磁铁。在多个螺旋状板磁铁组3的相互之间存在螺旋状的间隔。柱状旋转轴2是在外周安装磁铁的构造，易于变粗，且是能够应付由磁铁的磁力所致的弯曲的构造。为了稳定地产生强磁场，构成螺旋状板磁铁组3的各板磁铁优选剩余磁通密度、矫顽力、能积高的磁铁，例如剩余磁通密度为1. IT左右的Sm-Co系烧结磁铁、更优选剩余磁通密度有1. 3T左右的Nd-Fe-B系烧结磁铁等。本实施方式中，使用Nd-Fe-B系烧结磁铁。螺旋状板磁铁组3的各板磁铁在其板面的垂直方向进行磁化，在柱状旋转轴2 成螺旋状粘贴而形成多个螺旋，在柱状旋转轴的轴向上邻接的螺旋彼此在上述柱状旋转轴的径向外侧形成相互不同的磁极，即形成N极和S极。如果从标的物1观察固定外周板磁铁4，则具有包围由螺旋状板磁铁组3构成的旋转磁铁组的构造，以标的物2侧成为S极的方式进行磁化。对于固定外周板磁铁4，也因与螺旋状板磁铁组3的各板磁铁同样的理由，使用Nd-Fe-B系烧结磁铁。接着，利用图4对本实施方式中有关等离子体形成的详细情况进行说明。如上所述，在通过将多个板磁铁配置在柱状旋转轴2而构成螺旋状板磁铁组3的情况下，如果从标的物侧看螺旋状板磁铁组3，则近似地配置成板磁铁的N极被其他板磁铁的S极包围的周围。图3是其概念图。在这样的构成下，从螺旋状板磁铁组3的N极产生的磁力线到周边的S极终止。作为其结果，在距各板磁铁面一定距离的标的物1面形成了多个封闭的等离子体区域301。并且，通过使柱状旋转轴2旋转，从而多个等离子体区域301随着旋转而移动。在图4中，等离子体区域301向箭头所示的方向移动。另外，在螺旋状板磁铁组3的端部，等离子体区域301从端部的一方依次产生，在另一方的端部依次消失。另外，在上述的例子中，将一方的螺旋状板磁铁组3的表面作为N极，将与该螺旋状板磁铁组3相邻的另一方的螺旋状板磁铁组3的表面以及螺旋状板磁铁组3的周围的固定磁铁4的表面作为S极，以将第一螺旋体的表面的N极环绕成环状的方式配置S极，但也可以将其N极和S极相反地设置，即便是强磁性体而不是预先对与一方的螺旋状板磁铁组 3邻接的另一方的螺旋状板磁铁组3的板磁铁和/或旋转磁铁的周围的固定磁铁进行磁化的磁铁，也能得到将第一螺旋体的表面的N极(或S极)环绕成环状这样的环状的平面磁场，其结果，得到环状的等离子体。设置有被处理基板13的设置台14具有在标的物1的下方通过的移动机构，在标的物表面激发等离子体期间，通过使被处理基板13移动，从而成膜(参照图2)。回到图2，本发明的第二实施例所涉及的旋转磁铁溅镀装置所包括的螺旋状板磁铁组3及柱状旋转轴2由铜制的第一遮蔽板7及作为强磁性体的铁制的第二遮蔽板8包围， 冷却水6是在被包围的空间流动的构造。即，该实施方式所涉及的冷却机构以包围安装在柱状旋转轴2上的螺旋状板磁铁组3的方式进行设置，在该例子的情况下，构成以与背板5 接触的方式设置的第一遮蔽板7，及在从背板5分离的位置设置成与第一遮蔽板7连结的第二遮蔽板8。并且，第一遮蔽板7由作为非磁性体的铜形成，第二遮蔽板8由作为强磁性体的铁形成，但第二遮蔽体8也可以由非磁性体或顺磁性体形成。这样，利用由第一及第二遮蔽板7及8形成的冷却机构，包围螺旋状板磁铁组3的外侧，从而能够在螺旋状板磁铁组3的侧壁(即，螺旋状板磁铁组3相互间的空间)和上述柱状旋转轴2之间，形成螺旋状的流路。图示的实施方式中，通过使冷却水6在由螺旋状的空间规定的流路流动，能够冷却背板5及标的物部1。此时，冷却水6沿着螺旋板磁铁组3之间的螺旋状空间成螺旋状流动。这样，通过构成为使冷却水6在由螺旋状的空间规定的流路流动的构造，与如第一实施方式那样，在背板5内部设置冷却水流路的情况相比较，能够将冷却水路遍布更广的面积而设置，能够进一步提高冷却效率。因此，能够比第一实施方式增大成膜率。并且，通过使用本发明的冷却机构，由于不需要如第一实施方式那样在背板5内部设置冷却水路，所以与第一实施方式相比，能够使背板5变薄，并且，与设置冷却水路的情况相比较，能够增加背板5的强度。进而，通过能够使背板5变薄，从而与第一实施方式相比，能够使标的物1变厚，与第一实施方式相比，能够减少标的物的更换频率、提高生产效率。此时，背板5的厚度能够薄到5mm左右为止，作为结果，在标的物1的厚度的背板5内部，冷却水路能够厚到14mm为止。但是，等离子体激发电力进一步变大，且需要进一步冷却的情况下，也可以并用上述的冷却机构和在背板5内部设置冷却水路的结构。铜制的第一遮蔽板7和背板5为了确保热传导，需要使它们紧密地接触。并且，第二遮蔽板8是由作为强磁性体的铁形成，还兼具形成固定外周磁铁4和旋转磁铁部之间的
8磁回路的作用，能够在标的物表面形成强磁场强度。第一遮蔽板7处在靠近标的物1的位置，所以由强磁性体形成它时，则不会向标的物1表面形成强磁场，所以使用不是强磁性体的材质的、热传导优异的铜。图6中表示了在本发明的第二实施方式所涉及的冷却构造中包括旋转磁铁的轴的面的纵方向剖视图(局部剖视侧视图)。旋转磁铁具有在柱状旋转轴2安装螺旋状板磁铁组3的构造，靠近旋转磁铁表面配置背板5，在其相反侧粘结标的物1。604是冷却水入口，605是冷却水出口，606是用于转动柱状旋转轴2的轴，607是0型环轴密封件，16是安装在螺旋磁铁侧壁的调整流路截面积的板，8是遮蔽板。为了密闭冷却水，旋转部使用0型环轴密封件607而使冷却水不向外侧漏出，并且遮蔽板8等也适当地通过0型环密封件而进行安装(省略图示)。从冷却水入口 604导入的冷却水首先向旋转磁铁端部的空间610 导入之后，向由螺旋磁铁侧壁彼此、遮蔽板等形成的冷却水流路611供给且进行冷却。然后再向另一侧的旋转磁铁端部的空间612导入之后从冷却水出口 605排出。冷却水流路611 的冷却水即使在旋转轴不旋转的状态，也在旋转磁铁之间成螺旋状流动，从而形成紊流，提高冷却效果，但旋转磁铁进行旋转时，更激烈地搅拌，进一步提高冷却效率。为了密闭冷却水6，遮蔽板7也通过0型环密封件而安装。柱状旋转轴2也使用0 型环轴密封件607而使冷却水6不向外侧漏出。优选使第一及第二遮蔽板7、8尽可能靠近螺旋状板磁铁组3，从而使冷却水6实质上在螺旋板磁铁组3彼此之间流动。由此，冷却水6为了沿着螺旋板磁铁组3成螺旋状流动，在背板5附近冷却标的物1，从而温度上升的冷却水6迅速地向背板5的相反侧输送，所以极有效率地除去热。进而，为了使本发明所涉及的冷却机构中冷却效率最大化，重要的是考虑冷却水的雷诺数。雷诺数Re按Re = VXdzV定义。在此，V是流体(此处为冷却水)的速度，d是管径，ν是动粘性系数。将作为区分紊流和层流的指标而使用的、流速上升而层流变化为紊流时的雷诺数称为临界雷诺数。圆管内的水流中2000 4000为临界雷诺数。一般在流速小的层流的情况下，冷却效率低，提高流速到紊流域时，则冷却效率提高。但是，即使提高到紊流域以上的流速，冷却效率微增但是冷却水的压力损耗变大，用于使冷却水流动的能量增大，从而不优选。作为结果，以临界雷诺数附近的流速使冷却水流动时，能够最有效地进行冷却。即，将雷诺数设定为1000到5000，优选为2000到4000之间。本实施方式中，为了控制雷诺数，如图2、图6的16所示那样，将调整冷却水的流路截面积的板设置在螺旋磁铁侧壁，将流路截面积设为72mm2 (等价直径9. 6mm)。冷却水流路有8条，所以冷却水每分钟流动10升时的流速为0. 29m/s,雷诺数设为约观00 (水的动态粘性系数约为10_6m2/s)。这样提高冷却效率的结果，相对于利用现有方式的冷却中，向标的物部1能够施加的最大电力密度为5W/cm2左右，本发明能够施加lOW/cm2以上。以上，通过实施方式说明了本发明，但冷却水量等的各种设定并不限定于实施方式。产业上的利用可能性本发明所涉及的磁控溅镀装置，不仅能够使用到在半导体晶片等中形成绝缘膜或导电性膜，也能够应用到对平板显示器装置的玻璃等的基板上形成多种覆膜，能够使用到存储装置、其他的电子装置的制造中的溅镀成膜中。
符号说明1...标的物；2...柱状旋转轴；3...螺旋状板磁铁组；4...固定外周板磁铁； 5...背板；6...冷却介质；7、8...构成冷却介质通路的遮蔽版；9. . . RF电源；10. . . DC电源；11...处理室内空间；12...绝缘材料；13...被处理基板；14...设置台；15...处理室外壁。
权利要求
1.一种旋转磁铁溅镀装置，是包括载置被处理基板的被处理基板设置台、将标的物以与所述被处理基板对置的方式固定设置的背板、以及相对于标的物的设置部分设置在所述被处理基板设置台的相反侧的磁铁，并且利用该磁铁在标的物表面形成磁场，从而在标的物表面困入等离子体的溅镀装置，其特征在于，所述磁铁包括在柱状旋转轴设置有多个板磁铁的旋转磁铁组；以及在旋转磁铁组的周边与标的物面平行地设置的固定外周板磁铁或固定外周强磁性体，构成为通过使所述旋转磁铁组与所述柱状旋转轴一起旋转，从而使所述标的物表面的磁场图案随时间移动，在所述旋转磁铁组与背板之间具有供冷却用的介质流动的流路。
2.根据权利要求1所述的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，所述旋转磁铁组为，在所述柱状旋转轴将板磁铁以N极和S极的任一个极朝向柱状旋转轴的径向外侧的方式粘贴成螺旋状，从而形成一个或多个螺旋板磁铁组。
3.根据权利要求1或2所述的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，在所述柱状旋转轴具备偶数个所述旋转螺旋磁铁组，在所述柱状旋转轴的轴向上邻接的螺旋彼此为，在所述柱状旋转轴的径向外侧形成相互不同的磁极、即形成N极和S极的螺旋状板磁铁组。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，所述固定外周板磁铁或所述固定强磁性体在从所述标的物侧来看是具有包围所述旋转磁铁组的构造的磁铁，且在所述标的物侧形成N极和S极的任一方的磁极。
5.根据权利要求1 4中任一项所述的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，所述流路构成为使所述冷却用的介质在多个螺旋板磁铁组之间的空间成螺旋状流动。
6.根据权利要求1 5中任一项所述的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，将所述冷却用的介质的雷诺数设定为1000到5000之间而进行流动。
7.根据权利要求1 6中任一项所述的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，所述流路包括由上述螺旋板磁铁组的侧壁、所述柱状旋转轴、以及设置在所述螺旋板磁铁组的外侧的遮蔽板包围的空间，所述冷却用的介质沿着所述螺旋板磁铁组而成螺旋状流动。
8.根据权利要求7所述的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，所述遮蔽板的至少一部分为强磁性体。
9.一种溅镀方法，其特征在于，使用权利要求1 8中任一项所述的旋转磁铁溅镀装置，一边使所述柱状旋转轴旋转， 一边在被处理基板进行所述标的物的材料的成膜。
10.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括使用权利要求9所述的溅镀方法，在被处理基板进行溅镀成膜的工序。
11.一种旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，具有支承标的物部的背板；设在所述背板的与支承所述标的物部的面相反的一侧的柱状旋转轴；在该柱状旋转轴上相互留出螺旋状的空间地配置的多个螺旋状板磁铁组；以及使冷却介质在所述多个螺旋状板磁铁组之间的螺旋状的空间流动的冷却机构。
12.根据权利要求11所述的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，所述冷却机构包括与所述背板接触地设置的第一遮蔽板；与所述第一遮蔽板连结、 且以包围所述多个螺旋状板磁铁组的方式设置的第二遮蔽板。
13.根据权利要求12所述的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于， 所述第一遮蔽板由非磁性体形成，而第二遮蔽板由磁性体形成。
14.根据权利要求13所述的旋转磁铁溅镀装置，其特征在于， 所述第一遮蔽板的非磁性体是铜，第二遮蔽板的磁性体是铁。
15.一种旋转磁铁溅镀装置，其特征在于，具备支承标的物部的背板；设在所述背板的与支承所述标的物部的面相反的一侧的柱状旋转轴；以及在该柱状旋转轴上相互留出螺旋状的空间地配置的多个螺旋状板磁铁组，从所述背板的所述标的物来看，在该背板与所述标的物重合的部分设置有冷却用流路。
16.一种旋转磁铁溅镀装置的冷却方法，是在柱状旋转轴上具备相互留出螺旋状的空间地配置的多个螺旋状板磁铁组的旋转磁铁溅镀装置的冷却方法，其特征在于，以包围所述多个螺旋状板磁铁组之间的螺旋状的空间的方式，形成冷却介质用流路， 且通过使冷却介质流动于该冷却介质用流路而进行冷却。
全文摘要
本发明的课题在于提供一种减少因伴随离子体激发电力增大的标的物部等的加热所致的坏的影响的旋转磁铁溅镀装置。本发明的旋转磁铁溅镀装置具有通过使冷却用介质在多个螺旋状板磁铁组之间形成的螺旋状的空间流动、或者在支承标的物部的背板上设置冷却用流路，来对标的物部进行除热的构造。
文档编号C23C14/35GK102421932SQ20108002111
公开日2012年4月18日 申请日期2010年3月19日 优先权日2009年5月15日
发明者后藤哲也, 大见忠弘, 松冈孝明 申请人:东京毅力科创株式会社, 国立大学法人东北大学