专利名称：一种掩模板及其定位方法
技术领域：
本发明涉及半导体工艺领域，特别涉及一种掩模板及其定位方法。
背景技术：
半导体集成电路(CMOS)工艺和微机电(MEMS)系统工艺中都涉及到大量的镀膜工 艺，使用的方法有溅射、电子束蒸发、热蒸发、化学气相沉积等方法。通常在镀膜之后的晶圆上还需要制备各种图形。常用的方法有两种，刻蚀和剥离。 这两种方法的工艺顺序一般如下所示
刻蚀方法的工艺顺序
1.在晶圆上镀膜在晶圆的整个表面上用溅射、电子束蒸发、热蒸发、化学气相沉积等 方法镀上一层薄膜；
2.旋涂一层光刻胶将光刻胶置于镀膜的晶圆表面上，旋转该晶圆使得光刻胶在离心 力的作用下覆盖于整个晶圆的镀膜表面；
3.烘烤固化在适当的温度下使得光刻胶固化；
4.光刻对光刻胶进行局部曝光形成所需的图案；
5.显影经过显影剂处理除去未曝光的光刻胶；
6.刻蚀通过各种刻蚀方法除去未被光刻胶保护的镀膜层；以及
7.去胶除去剩余的光刻胶。剥离方法的工艺顺序
1.在晶圆上旋涂一层光刻胶将光刻胶置于镀膜的晶圆表面上，旋转该晶圆使得光刻 胶在离心力的作用下覆盖于整个晶圆的表面；
2.烘烤固化在适当的温度下使得光刻胶固化；
3.光刻对光刻胶进行局部曝光形成所需的图案；
4.显影经过显影剂处理除去未曝光的光刻胶；
5.镀膜对整个晶圆表面进行镀膜，使得除去光刻胶的部分直接镀在晶圆上，而被光 刻胶覆盖的部分镀在光刻胶上；以及
6.剥离剥离剩余的光刻胶以及光刻胶上的薄膜。这两种方法，除了镀膜这一步以外，都需要经历5 - 6个步骤才能得到想要的图 形。已经有专门的光刻和刻蚀设备来实现这些功能，能获得的图形最小线条宽度可以达到 180 nm。上述这两种方法有一项基本要求，即光刻胶必须可以均勻涂布在整个晶圆上。然 而，MEMS技术中有一些特殊工艺却使得在某些情况下，这一基本要求不能得到满足。与CMOS工艺不同，几乎所有的MEMS器件都会用到体工艺，即涉及到硅晶圆的深刻 蚀，外表特征上表现为悬臂梁、空腔、凹槽等结构。要获得这些结构，必须对硅晶圆进行几十 微米甚至几百微米的深刻蚀。进行深刻蚀之后，晶圆的表面不再平整，因此不能再用传统的 旋涂方式涂布光刻胶。即使用喷涂的方式涂布光刻胶，后续的光刻、去胶也存在一系列的技术难题。如果深刻蚀之后需要进一步在凹陷区域内镀膜并成图形，原有的刻蚀和剥离方法 都将不能使用。掩模板是可以解决该问题的一种简单的传统方法。通常的方式是，取一块金属薄 板(通常取热膨胀系数较小的材料)，直接将需要镀膜的区域的图形通过机械加工的方法制 作在金属板上，即将需要镀膜的区域镂空。生长的时候，将掩模板置于晶圆前方，镀膜材料 被掩模板部分遮挡后，在晶圆上直接成形。这种方法简单易行，相比于刻蚀和剥离，节省了六步工艺，并且掩模板可以重复使 用，节省了成本。尽管如此，掩模板方法并不能取代刻蚀和剥离方法，因为它有一个固有的 局限性，即掩模板自身的厚度所造成的遮挡效应。掩模板本身不能太薄，否则其刚性不能保 证，容易变形，通常的掩模板都是在几百微米到一毫米这个范围。需要生长的图形线宽应该 在厚度的三倍以上时，遮挡效应比较不明显。因此，掩模板方法适用于在MEMS工艺和光学 镀膜工艺中制备尺寸比较大(毫米级以上)的图形。而微米以及微米以下尺度图形的成形， 仍然需要通过刻蚀或剥离来完成。传统的掩模板方法中有几个缺陷
1.掩模板加工用的是机械方法，图形加工精度比较低。
2.掩模板所用的是金属薄板，本身的平整度比较差。3.将掩模板置于晶圆前方时，两者采用的是手动对准方式，精度很差。4.掩模板与晶圆接触，靠的是夹具固定，但在镀膜过程中，仍然可能发生相对移 动，造成图形错位。
发明内容
针对传统掩模板方法的上述缺点，本发明提出一种新的掩模板及其定位方法，使 得能够更好地将掩模板的方法用于MEMS器件的制备工艺中。根据本发明的第一个方面，提供了一种掩模板，其特征在于，所述掩模板上具有至 少一个用于定位的第一凹坑或通孔，用于与销钉套合。优选地，所述第一凹坑或通孔内嵌有销钉，所述销钉高度大于所述第一凹坑或通 孔的深度。优选地，所述销钉还嵌入晶圆的第二凹坑或通孔中，所述销钉、第一凹坑或通孔以 及第二凹坑或通孔的截面形状相同；以及其中所述掩膜板上的第一凹坑或通孔与所述晶 圆上的第二凹坑或通孔中至少一者为凹坑，并且如果插入掩膜板和晶圆的销钉两端都为凹 坑，则所述销钉高度大于所述晶圆上的第二凹坑深度，并且小于所述第一凹坑与第二凹坑 的深度之和；如果插入掩膜板和晶圆的销钉一端为凹坑另一端为通孔，则所述销钉的高度 大于凹坑的深度。优选地，第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔或销钉的截面尺寸在0. Imm-IOmm的范 围内。优选地，第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔和销钉的加工误差小于10 μ m。优选地，销钉的截面尺寸小于所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔的截面尺寸， 并且其与所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔的截面尺寸的差小于加工误差的2倍。优选地，所述掩模板或所述销钉的材料为刚性材料，优选选自以下一项或多项金属、合金、硅或其它半导体材料、玻璃、氧化铝或其它金属氧化物材料、氮化硅或其它氮化物 材料、有机玻璃或其它聚合物材料。优选地，所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔或销钉通过刻蚀形成。根据本发明的第二个方面，提供了一种掩模板的定位方法，包括步骤 提供掩模板，所述掩模板至少一个用于定位的第一凹坑或通孔，用于与销钉套合； 通过销钉将所述第一凹坑或通孔与待处理晶圆上相应的第二凹坑或通孔套合实现所
述掩模板与所述晶圆的定位，其中所述第一凹坑或通孔与所述第二凹坑或通孔中至少一者 为凹坑。根据本发明制作和使用的掩模板，比起传统的掩模板来有这几个优点
1.由于掩模板上凹坑或通孔的制备、晶圆上凹坑或通孔的制备、以及销钉的制备都是 使用传统的光刻方法制成，其尺寸和精度都远远高于用普通机械加工方法的精度，而且没 有机械加工过程中引起的变形。2.掩模板也可使用硅晶圆，其平整度比起普通金属板要好。3.晶圆与掩模板靠销钉和两套凹坑或通孔来实现对准，精度由设计和加工精度 保证，无需手动调整。4.镀膜过程中晶圆与掩模板被销钉和凹坑或通孔约束，不会发生相对移动，因此 不会出现图形错位。5.如此制备的掩模板，也可以重复使用。
通过结合附图来参考下文中对具体实施例的描述，可获得对本发明的原理、特征 和优点的更好理解。附图中相同或相应的标号表示相应或相同的部分
图Ia至图Id示出了传统的掩模板的工作原理示意图；其中 图Ia是传统掩模板的三维示意图； 图Ib是传统掩模板和晶圆的俯视图； 图Ic是传统掩模板和晶圆的侧视图Id表示传统的镀膜工艺中掩模板没有对准发生错位的情况； 图加-1至图2d示出了根据本发明的新型掩模板的工作原理示意图；其中 图加-1是根据本发明一个实施例的掩模板的三维示意图； 图加-2是根据本发明另一个实施例的掩模板的三维示意图； 图2b是根据本发明的掩模板和晶圆的俯视图； 图2c-l是根据本发明一个实施例的掩模板和晶圆的侧视图； 图2c-2是根据本发明另一个实施例的掩模板和晶圆的侧视图； 图2d表示根据本发明的镀膜工艺中掩模板对准的效果。图3示出了根据本发明的新型掩模板的定位方法的示意流程图。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施 例作详细描述。实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。应当理解，通过参考附图描述的实施例是示例 性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终 相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附 图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简 化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且 目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重 复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此 外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到 其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之 “上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形 成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。首先参考图Ia至图ld，其示出了传统的掩模板的工作原理示意图。参考图la，其为传统掩模板和晶圆的三维示意图，其中示出了一个晶圆1和一个 掩模板3。在镀膜工艺中，需要利用掩模板3对晶圆1进行镀膜。如图所示，晶圆1和掩模 板3均具有一定的厚度，通常该厚度大约在几百微米到一毫米之间。晶圆1的截面通常为圆 形，掩模板3与之类似。在掩模板3的特定位置，将需要用于镀膜的区域进行镂空。该镂空 步骤又称为镂板或开窗技术，主要通过机械加工的方式来完成。通常利用一块薄板，按照晶 圆上需要镀膜的图形来将该薄板的对应区域镂空。图中将镂空区域示出为四个小正方形， 实际上，根据实际镀膜的需要，该区域可以是其他的图形和分布。参考图lb，其为传统掩模板和晶圆的俯视图。由于理想情况下，掩模板3需要与晶 圆1完全对齐，因此图中俯视图仅示出了上方的掩模板3。在掩模板3与晶圆1的中心对准 的情况下，掩模板3上镂空的区域4将完全覆盖在晶圆1的需要镀膜的位置上。镀膜材料 被掩模板3部分遮挡后，在晶圆1上直接生长成对应的图形。参考图lc，其为传统掩模板和晶圆的侧视图。在实际的应用中，由于掩模板与晶圆 的结合是采用手动对准的方式，因此常常会发生误差甚至相互移动，导致镀膜的图形发生 错位等不准确问题。另外由于掩模板或晶圆的表面平整度问题，掩模板与晶圆的接触之间 会留有一定缝隙，这可能会进一步加剧掩模板与晶圆之间的错位。参考图ld，其为传统的镀膜效果图，虚线表示正确位置。可以看到，实际镀膜形成 的图形与正确的位置发生了错位。现在参考图加-1至图2d，其示出了根据本发明的掩模板的工作原理示意图。参考图加-1和图加-2，其为根据本发明的掩模板的三维示意图，其中示出了一个 晶圆1’和一个掩模板3’。在镀膜工艺中，需要利用掩模板3’对晶圆1’进行镀膜。如图所 示，晶圆1’和掩模板3’均具有一定的厚度，通常该厚度大约在几百微米到一毫米之间。晶 圆1’的截面通常为圆形，掩模板3’与之类似。与图Ia所示的传统掩模板3’类似地，在掩 模板3的特定位置，需要用于镀膜的区域被镂空。该镂空步骤又称为镂板或开窗技术，主要 通过机械加工的方式来完成。通常利用一块薄板，按照晶圆上需要镀膜的图形来将该薄板 的对应区域镂空。图中将镂空区域示出为四个小正方形，实际上，根据实际镀膜的需要，该区域可以是其他的图形和分布。与图Ia所示的传统掩模板3和晶圆1不同，根据本发明的晶圆1’和掩模板3’上 分别具有用于定位的凹坑2 (图2a-l中未示出)和凹坑5。该凹坑2和凹坑5数量和截面 形状相同，并且处于对应的位置。即当将掩模板3’和晶圆1’对准时，凹坑2和凹坑5应该 分别一一对应。图2a中还示出了销钉6，其用于将凹坑2和凹坑5套合在一起。该销钉6 的横截面与凹坑2和凹坑5的横截面完全相同。图中所示凹坑和销钉的截面形状为圆形，实际上，该凹坑和销钉的截面可以为任 何形状，例如方形、三角形、长方形、不规则形状等。只要这些凹坑和销钉的截面形状和大小 相同，就可以实现本发明的定位目的。图中在掩模板3’和晶圆1’上分别示出了 3个凹坑， 实际上，凹坑的数量可以是更多或者更少的任意多个。凹坑的位置优选地利用与镀膜区域 分离的边缘区域。优选地，凹坑的截面尺寸在0. Imm-IOmm之间。凹坑和销钉的加工优选地 采用刻蚀的方法完成，因此其加工精度远优于机械加工得到的结构的加工精度，其加工误 差可以达到ΙΟμπι以下。为了能够将销钉顺利地嵌入到凹坑内，销钉的截面尺寸应当稍小 于凹坑的截面尺寸。但是为了定位精度的目的，销钉与凹坑截面尺寸的差优选地小于加工 误差的2倍。如图2a-l所示，在本发明的一个优选实施例中，凹坑和销钉的截面为圆形，上 述截面尺寸意指截面直径。图2a_l与图2a_2的区别在于，图2a_l中的晶圆1，上的凹坑2没有穿透晶圆厚 度，而图2a-2中的晶圆1’上的凹坑2穿透了晶圆厚度形成通孔2。参考图2b，其为根据本发明的掩模板和晶圆的俯视图。与图Ib所示的掩模板3与 晶圆1完全对齐的情况相似，图中俯视图仅示出了上方的掩模板3’。在掩模板3’与晶圆 1’的中心对准的情况下，掩模板3’上镂空的区域4将完全覆盖在晶圆1’的需要镀膜的位 置上。镀膜材料被掩模板3’部分遮挡后，在晶圆1’上直接生长成对应的图形。从图中还 可以看出，掩模板3’上的凹坑5与晶圆1’上的凹坑2完全重合。参考图2c_l，其为根据本发明一个实施例的掩模板和晶圆的侧视图。如图所示，掩 模板3’和晶圆1’通过销钉6固定地贴合在一起。假设凹坑2和凹坑5的深度分别为dl， d2，销钉6的高度为d3，则这三个尺寸满足下面两个条件
(1)d3>dl, d2
(2)dl+d2 ^ d3
当将掩模板3’与晶圆1’进行对准时，将销钉6嵌入掩模板3’的凹坑5中。由于条件 (1)，销钉6的顶部必然高于掩模板3’的表面，此时将晶圆1’倒扣在掩模板3’上，晶圆1’ 上的凹坑2与销钉6套合。由于条件(2)，晶圆1’与掩模板3’的表面必然是接触的，中间 没有缝隙。参考图2c_2，其为根据本发明另一个实施例的掩模板和晶圆的侧视图。如图所示， 掩模板3’和晶圆1’通过销钉6固定地贴合在一起。图2c_l和图2c_2分别对应于图2a_l和图2a_2的通孔2的设置情况。S卩，在图 2c-l中，销钉6将晶圆1’和掩模板3’套合在一起时，其未穿透并达到二者的另一表面上。 在图2c-2中，销钉6将晶圆1’和掩模板3’套合在一起时，其通过通孔2穿透晶圆1’并达 到其另一表面上。参考图2d，其为根据本发明的镀膜效果图。可以看到，实际镀膜形成的图形完全符合正确的位置，没有发生错位。尽管所有的结构示意图中，晶圆位于掩模板上方，但是这仅仅是为了使视图简单并统一的目的，实际使用中，晶圆和掩模板的位置是可互换的。本发明方法并不限制掩模板 和晶圆的取向，无论哪一个位于上方都可以，甚至倾斜都可以。在薄膜生长设备中，晶圆面 朝下、朝上、水平、倾斜的情况都不少见。本发明方法保证的是定位的准确度和防止掩模板 和晶圆之间的相对移动引起错位。至于掩模板本身如何固定则是由具体的设备和夹具来实 现的。例如，也有可能将晶圆置于下方，此时被倒扣或被贴合的是掩模板。在这种情况下， 需要先将销钉固定在晶圆的凹坑内，以避免倒扣时销钉掉出来。并且，在如图2a_2和图2c_2所示的本发明的实施例中，将晶圆上的凹坑2设置为 穿透其厚度形成通孔，实际上，也可以将掩模板上的凹坑5设置为穿透掩模板的厚度形成 通孔。可以理解，在晶圆和掩模板中至少一个凹坑被穿透形成通孔的情况下，销钉的高度可 以大于晶圆凹坑深度或通孔长度与掩模板凹坑深度或通孔长度之和。这种凹坑穿透的实施 例尤其适合于要对多个晶圆或掩模板连续对准的情况下，此时可以用一套销钉对多个相关 目标进行同时定位，从而实现诸如立体封装等操作。当然，销钉插入一套晶圆、掩膜叠层的 情况下，至少一个底层或顶层的晶圆或掩膜板由凹坑封挡该销钉，以免销钉掉出来。图3示出了根据本发明的掩模板的定位方法流程图。在步骤301中，方法开始。在 步骤302中，提供根据本发明的具有定位凹坑的掩模板、晶圆以及用于将二者套合的销钉。 在掩模板上，用于镀膜的区域镂空，且该掩模板上具有一个或者多个用于定位的凹坑。在晶 圆上的对应位置，具有同样数量和截面的凹坑。所需销钉的数量、截面与这些凹坑相同。销 钉的高度大于各凹坑的深度，且小于或等于晶圆凹坑深度与掩模板凹坑深度之和。这些用于定位的凹坑和销钉可以通过深刻蚀的方法形成。例如，在掩模板和晶圆 的制备中，首先取厚度为525 μ m的4寸硅晶圆。在其上旋涂一层U8光刻胶，之后对其进行 烘烤、光刻，显影出凹坑的图形。然后进行去胶，将多余的光刻胶去除掉，最后完成深刻蚀， 刻蚀深度例如为300 μ m,由此得到深度为300 μ m的凹坑。在销钉的制备中，过程与此类似， 只是在深刻蚀时，刻透硅片，即刻蚀深度为硅晶圆的深度。由此得到多个小圆片作为销钉， 其高度与硅晶圆的厚度相同。根据业内常用的晶圆规格，掩模板凹坑、晶圆凹坑或销钉的范 围通常在300 μ m-600 μ m的范围内。实际制作掩模板和销钉的时候，不一定必须使用和晶圆一样的材料，其它具有一 定刚性的材料，例如金属、合金、硅或其它半导体材料、玻璃、氧化铝或其它金属氧化物材 料、氮化硅或其它氮化物材料、有机玻璃或其它聚合物材料等都可以使用，只要加工精度能 达到ΙΟμπι以下。掩模板和销钉可以采用相同的材料，也可以采用不同的材料。在步骤303中，将销钉嵌入在掩模板上的凹坑内。为使销钉能够插入掩模板的凹 坑内，该销钉的截面尺寸应略小于凹坑的截面尺寸。例如，在凹坑和销钉截面为圆形时，凹 坑的截面直径为3mm，而销钉的直径为3mm-18 μ m。这样，既能使得销钉顺利地嵌入凹坑内， 又能保证利用销钉实现的定位精确度。在步骤304中，将待镀膜晶圆倒扣在掩模板上，使晶圆上的凹坑与销钉套合。由于 销钉的高度小于或等于晶圆凹坑深度与掩模板凹坑深度之和，因此晶圆与掩模板对应表面 之间能够紧密贴合，没有缝隙。当然，由于晶圆与掩模板的表面平整度造成的缝隙除外。在 本发明的一个优选实施例中，销钉的高度比晶圆凹坑深度与掩模板凹坑深度之和小0. 1mm。
在步骤305中，透过掩模板上的镂空区域对晶圆进行镀膜。与传统镀膜方式类似 地，镀膜的材料在晶圆上未被掩模板遮挡的部分、即镂空区域对应的位置生长，由于根据本 发明的掩模板与晶圆被销钉和凹坑约束，能够实现紧密套合，没有传统手动对准的错位，因 此镀膜图形精确度很高。以上对本发明的优选实施例进行了非限制性的描述。本领域技术人员能够理解， 在不脱离本发明的构思和范围的情况下，可以对本发明做出许多其它改变和改型。例如，在 上文的描述中，以镀膜为例来阐述本发明的优选实施例，但是本发明的对准掩模板还可以 用于刻蚀、外延生长等其他涉及掩模的半导体工艺。应当理解，本发明不限于所描述的特定 实施方式，本发明的范围仅由所附权利要求限定。虽然关于示例实施例及其优点已经详细 说明，应当理解在不脱离本发明的精神和所附权利要求限定的保护范围的情况下，可以对 这些实施例进行各种变化、替换和修改。对于其他例子，本领域的普通技术人员应当容易理 解在保持本发明保护范围内的同时，工艺步骤的次序可以变化。 此外，本发明的应用范围不局限于说明书中描述的特定实施例的工艺、机构、制 造、物质组成、手段、方法及步骤。从本发明的公开内容，作为本领域的普通技术人员将容 易地理解，对于目前已存在或者以后即将开发出的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法 或步骤，其中它们执行与本发明描述的对应实施例大体相同的功能或者获得大体相同的结 果，依照本发明可以对它们进行应用。因此，本发明所附权利要求旨在将这些工艺、机构、制 造、物质组成、手段、方法或步骤包含在其保护范围内。
权利要求
1.一种掩模板，其特征在于，所述掩模板上具有至少一个用于定位的第一凹坑或通孔， 用于与销钉套合。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其中所述第一凹坑或通孔内嵌有销钉，所述销钉高 度大于所述第一凹坑或通孔的深度。
3.根据权利要求1或2所述的掩模板，其中所述销钉还嵌入晶圆的第二凹坑或通孔中， 所述销钉、第一凹坑或通孔以及第二凹坑或通孔的截面形状相同；以及其中所述掩膜板上的第一凹坑或通孔与所述晶圆上的第二凹坑或通孔中至少一者为 凹坑，并且如果插入掩膜板和晶圆的销钉两端都为凹坑，则所述销钉高度大于所述晶圆上的第二 凹坑深度，并且小于所述第一凹坑与第二凹坑的深度之和；如果插入掩膜板和晶圆的销钉一端为凹坑另一端为通孔，则所述销钉的高度大于凹坑 的深度。
4.根据权利要求3所述的掩模板，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔或销钉 的截面尺寸在0. Imm-IOmm的范围内。
5.根据权利要求3或4所述的掩模板，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔和销 钉的加工误差小于10 μ m。
6.根据权利要求3或4所述的掩模板，其中所述销钉的截面尺寸小于所述第一凹坑或 通孔、第二凹坑或通孔的截面尺寸，并且其与所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔的截面 尺寸的差小于加工误差的2倍。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的掩模板，其中所述掩模板或所述销钉的材料为 刚性材料。
8.根据权利要求7中任一项所述的掩模板，其中所述掩模板或所述销钉的材料选自以 下一项或多项金属、合金、硅或其它半导体材料、玻璃、氧化铝或其它金属氧化物材料、氮 化硅或其它氮化物材料、有机玻璃或其它聚合物材料。
9.根据权利要求3或4所述的掩模板，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔或销 钉通过刻蚀形成。
10.一种掩模板的定位方法，包括步骤提供掩模板，所述掩模板至少一个用于定位的第一凹坑或通孔，用于与销钉套合；通过销钉将所述第一凹坑或通孔与待处理晶圆上相应的第二凹坑或通孔套合实现所 述掩模板与所述晶圆的定位，其中所述第一凹坑或通孔与所述第二凹坑或通孔中至少一者 为凹坑。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括将所述销钉嵌入在所述掩模板上的第一凹坑或者所述晶圆上的第二凹坑内；将所述待处理晶圆或所述掩模板贴合在所述掩模板或晶圆上，使所述晶圆上的第二凹 坑或通孔或者所述掩模板的第一凹坑或通孔与所述销钉套合。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中所述销钉的截面与所述第一凹坑或通孔的 截面形状相同，并且如果插入掩膜板和晶圆的销钉两端都为凹坑，则所述销钉高度大于所述晶圆上的第二 凹坑深度，并且小于所述第一凹坑与第二凹坑的深度之和；如果插入掩膜板和晶圆的销钉一端为凹坑另一端为通孔，则所述销钉的高度大于凹坑 的深度。
13.根据权利要求10-12中任一项所述的方法，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或 通孔或销钉的截面尺寸在0. Imm-IOmm的范围内。
14.根据权利要求10-13中任一项所述的方法，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或 通孔或销钉的加工误差小于10 μ m。
15.根据权利要求10-14中任一项所述的方法，其中所述销钉的截面尺寸小于所述第 一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔的截面尺寸，并且其与所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通 孔的截面尺寸的差小于加工误差的2倍。
16.根据权利要求10-15中任一项所述的方法，其中所述掩模板或所述销钉的材料为 刚性材料。
17.根据权利要求16中任一项所述的方法，其中所述掩模板或所述销钉的材料选自以 下一项或多项金属、合金、硅或其它半导体材料、玻璃、氧化铝或其它金属氧化物材料、氮 化硅或其它氮化物材料、有机玻璃或其它聚合物材料。
18.根据权利要求10-17中任一项所述的方法，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或 通孔或销钉通过刻蚀形成。
全文摘要
本发明一种掩模板及其定位方法。其中该掩模板上具有至少一个用于定位的第一凹坑或通孔，用于与销钉套合，通过销钉将所述第一凹坑或通孔与待处理晶圆上相应的第二凹坑或通孔套合实现所述掩模板与所述晶圆的定位，该第二凹坑或通孔与第一凹坑或通孔的截面形状相同。该掩模板可以用于在溅射、电子束蒸发、热蒸发、化学气相沉积等镀膜工艺以及刻蚀工艺中实现掩模板与待处理的晶圆之间的准确定位。
文档编号C23C14/04GK102134697SQ201110021280
公开日2011年7月27日 申请日期2011年1月19日 优先权日2011年1月19日
发明者方辉, 雷述宇 申请人:北京广微积电科技有限公司