薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材的制作方法

专利名称：薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材的制作方法
技术领域：
本发明涉及适合形成透明性、阻气性等诸特性优异的薄膜的气相沉积材和具备该薄膜的薄膜片材以及层压片材。更具体地，涉及用于形成这些诸特性优异，特别是适合作为液晶显示器、有机EL显示器或太阳能电池模块等的阻气材的薄膜的气相沉积材和具备该薄膜的薄膜片材以及层压片材。
背景技术：
液晶显示器、有机EL显示器或太阳能电池等机器通常不耐湿，由于吸湿使其特性快速劣化，因此必须装备具有高防湿性、即具有防止氧或水蒸气等透过或侵入的阻气性的部件。例如，在太阳能电池的例子中，在与太阳能电池模块的受光面相反侧的背面设置有底座(back seat) 0该底座典型地在基材上由具有高防湿性的阻气材和保护它们的部件等构成。作为这样的构成太阳能电池模块的底座，例如公开了通过高强度的耐热性耐气候性树脂夹入防湿性金属箔，进而在其一方设置玻璃质的气相沉积薄膜而成的太阳能电池模块的背面保护用片材材料(例如，参考专利文献1)。在该片材材料中，作为阻气材使用铝箔、镀锌铁箔、镀锡铁箔等金属箔。另外，公开了将高防湿薄膜和高耐气候薄膜层压并一体化而成的太阳能电池覆盖材用于背面侧保护部件的太阳能电池(例如，参考专利文献2)。 该太阳能电池覆盖材中的高防湿薄膜使用在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等基材薄膜上通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)法等形成由二氧化硅、氧化铝等无机氧化物的涂敷膜构成的防湿膜作为阻气材。另外，公开了具备呈现无机氧化物层的由塑料薄膜或塑料复合材构成的阻挡层的光生伏打模块(例如，参考专利文献幻。在该无机氧化物层中，氧化铝或二氧化硅作为其涂敷材料使用。专利文献1 日本实公平2-44995号公报(实用新型注册的权利要求书和第五栏的第41 44行)专利文献2 日本特开2000-174296号公报(权利要求1、权利要求7和
段)专利文献3 日本特表2002-520820号公报(权利要求1和
段)但是，上述专利文献1中所示的背面保护用片材材料由于使用铝箔等金属箔作为阻气材，若将该片材材料应用于太阳能电池模块的底座，则有可能耐电压性降低，电流泄漏。另外，使用金属箔的片材材料若金属箔的厚度为20 μ m以下，则在耐热性耐气候性树脂与金属箔之间产生的针孔增加，阻气性显著降低。另一方面，若增加金属箔的厚度，则产生制造成本提高的问题。另外，如果是上述专利文献2和专利文献3中所使用的二氧化硅、氧化铝等无机氧化物的情况下，为了得到高阻气性必须确保膜厚在IOOnm以上，即使这样也不能断言阻气性充分。

发明内容
本发明的目的在于，提供适合形成透明性和阻气性优异的薄膜的气相沉积材。本发明的另一目的在于，提供具备透明性和阻气性优异的薄膜的薄膜片材和层压片材。本发明的第一方面为气相沉积材，混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作，其特征在于，上述第一氧化物粉末为SiO2粉末，该第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为 98%以上，上述第二氧化物粉末为选自aiO、MgO和CaO中的一种粉末或两种以上的混合粉末，该第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98%以上，气相沉积材由含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5 85 95 15，且颗粒的碱度为0. 1以上。本发明的第二方面为基于第一方面的发明，其特征在于，进一步地，第一氧化物粒子的平均粒径为0. 1 10 μ m，且第二氧化物粒子的平均粒径为0. 1 10 μ m。本发明的第三方面为膜的制造方法，其特征在于，通过将基于第一或第二方面的气相沉积材用作靶材的真空成膜法，在第一基材薄膜上形成包含第一氧化物所含的金属元素A和第二氧化物所含的金属元素B的氧化物薄膜。如图1所示，本发明的第四方面为薄膜片材10，通过将基于第一或第二方面的气相沉积材用作靶材的真空成膜法，在第一基材薄膜11上形成包含第一氧化物所含的金属元素A和第二氧化物所含的金属元素B的氧化物薄膜12，薄膜12中的金属元素A与金属元素B的摩尔比为5 85 95 15。本发明的第五方面为基于第四方面的发明，其特征在于，进一步地，真空成膜法为电子束蒸镀法、离子镀法、反应性等离子体沉积法、电阻加热法或感应加热法中的一种。本发明的第六方面为基于第四或第五方面的发明，其特征在于，进一步地，在温度 20°C、相对湿度50% RH的条件下放置1小时时的水蒸气透过率S为0. 3g/m2 ·天以下。本发明的第七方面为基于第六方面的发明，其特征在于，进一步地，在温度20°C、 相对湿度50% RH的条件下放置1小时后，在温度85°C、相对湿度90% RH的条件下进一步放置100小时时的水蒸气透过率设为T时，水蒸气透过率T相对于水蒸气透过率S的变化率T/SX100为200%以下。如图1所示，本发明的第八方面为层压片材20，在基于第四至第七方面的薄膜片材10的薄膜12形成侧通过粘接层13层压第二基材薄膜14而成。在本发明的第一方面的气相沉积材中，第一氧化物粉末为SiA粉末，该第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98%以上，上述第二氧化物粉末为选自Zn0、Mg0和CaO中的一种粉末或两种以上的混合粉末，该第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98%以上，气相沉积材由含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5 85 95 15，且颗粒的碱度为0.1以上，从而可以形成与现有的阻气材相比大幅提高阻气性的薄膜。在本发明的第二方面的气相沉积材中，第一氧化物粒子的平均粒径为0. 1 10 μ m,且第二氧化物粒子的平均粒径为0. 1 10 μ m，从而可以形成气相沉积效率良好且稠密的气相沉积膜，因此可以维持高阻气性并使其稳定化。
在本发明的第四方面的薄膜片材中，通过具备包含第一氧化物所含的金属元素A 和第二氧化物所含的金属元素B的薄膜，其中，金属元素A与金属元素B的摩尔比为5 85 95 15，具有优异的透明性和阻气性。在本发明的第六方面的薄膜片材中，在温度20°C、相对湿度50% RH的条件下放置 1小时时的水蒸气透过率S为0. 3g/m2 ·天以下，具有随着时间经过带来的劣化小的非常高的阻气性。在本发明的第七方面的薄膜片材中，在温度20°C、相对湿度50% RH的条件下放置 1小时后，在温度85°C、相对湿度90% RH的条件下进一步放置100小时时的水蒸气透过率设为τ时，水蒸气透过率T相对于水蒸气透过率S的变化率T/SX 100为200%以下，具有随着时间经过带来的劣化非常小的阻气性。在本发明的第八方面的层压片材中，采取在第四至第七方面的薄膜片材的薄膜形成侧进一步通过粘接层层压第二基材薄膜的结构。由此，第二基材薄膜可以保护薄膜，因此可以维持高阻气性并使其稳定化。


图1为简要表示本发明实施方式的薄膜片材和层压片材的层压结构的截面图。图2为简要表示现有的薄膜片材的截面结构的图。图3为简要表示本发明实施方式的薄膜片材的截面结构的图。符号说明10 薄膜片材11 第一基材薄膜12:薄膜13 粘接层14 第二基材薄膜20 层压片材
具体实施例方式以下，参照

本发明的实施方式。本发明的气相沉积材可以适合用于薄膜的形成。使用该气相沉积材所形成的薄膜起到防止氧或水蒸气等透过或侵入的阻气材的作用。该气相沉积材混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作。用于制作气相沉积材的第一氧化物粉末为SiO2粉末，该第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98%以上，优选为98. 4%以上，第二氧化物粉末为选自Zn0、Mg0和CaO中的一种粉末或两种以上的混合粉末，该第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98%以上，优选为99. 5%以上。在此，将第一氧化物粉末的第一氧化物纯度限定为98%以上，是因为小于98%时由于杂质而结晶性恶化， 结果阻挡特性降低。另外，将第二氧化物粉末的第二氧化物纯度限定为98%以上，是因为小于98%时由于杂质而结晶性恶化，结果阻挡特性降低。并且，本说明书中的粉末纯度通过光谱分析法(电感耦合等离子体发光分析装置日本^ \ 一 >> 7 ν* Λ制ICAP-88)测定。另外，该气相沉积材优选由含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子的多晶颗粒构成，其相对密度为90%以上，优选为95%以上。使相对密度为90%以上是因为小于90%时成膜时的飞溅增加。而且，在该实施方式中，使颗粒的组织为多晶，但也可以是单晶。另外，该气相沉积材含有的第一氧化物粒子的平均粒径为0. 1 10 μ m，且第二氧化物粒子的平均粒径为0. 1 10 μ m，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5 85 95 15。而且，颗粒的碱度为0. 1以上。通过以规定比例含有如此微细化的第一氧化物粒子和第二氧化物粒子，可以使高阻气性显现在使用该气相沉积材所形成的膜中。其技术上的理由如下通常使用(1)仅含第一氧化物粒子而不含第二氧化物粒子的气相沉积材、( 仅含第二氧化物粒子而不含第一氧化物粒子的气相沉积材、(3)同时含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子但第一氧化物粒子的含有比例少的气相沉积材、或者 (4)同时含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子但第二氧化物粒子的含有比例少的气相沉积材的情况下，如图2所示，形成在第一基材薄膜11上的氧化物薄膜32成为柱状晶的结晶相对于气体的渗透方向平行地聚集的结构。水蒸气等气体分子由于沿着平行地聚集的晶界的界面前进，在上述柱状晶的结晶平行地聚集的结构的薄膜32中阻挡性低。另一方面，当使用以规定比例含有微细化的第一氧化物粒子或第二氧化物粒子的气相沉积材时， 如图3所示，对于形成在第一基材薄膜11上的氧化物薄膜12，使用单一组成的气相沉积材时形成的柱状晶的一部分溃散，变成接近非晶状态的致密的微细结构。在接近非晶状态的致密的微细结构中，水蒸气等气体分子需要在迷宫状中长距离移动，因此在上述接近非晶状态的致密的微细结构的薄膜12，阻挡性得到提高。如此，推定通过结晶结构为非柱状晶， 并成膜为适合防止水分等的透过或侵入的结构，阻气性提高。另外，还认为若含有的第一氧化物粒子和第二氧化物粒子都被微细化，则使膜通过气相沉积法成长时，可以以极少的电子束或等离子体的量来成膜，因此可以形成致密的膜，由此阻气性得到提高。在此，气相沉积材、即颗粒中所含的第一氧化物粒子和第二氧化物粒子这两者的平均粒径限定为上述范围是因为各自的平均粒径小于下限值时，在气相沉积材的制造工序中，粉末的凝聚显著， 妨碍均勻混合，若各自的平均粒径超过上限值，则无法充分得到形成有助于提高阻气性的疑似固溶体的效果。其中，特别优选第一氧化物粒子的平均粒径为0. 1 ΙΟμπι，第二氧化物粒子的平均粒径为0. 1 ΙΟμπι。并且，在本说明书中，平均粒径是根据激光衍射散射法 (micro-track method)，使用日机装社制(FRA型)，使用六偏磷酸钠作为分散介质，一次测定时间设定为30秒进行测定，并将测定三次的值平均化而得到。另外，将气相沉积材中所含的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比限定在上述范围是因为当第一氧化物的摩尔比小于5或者第二氧化物的摩尔比小于5时，第一氧化物粒子或第二氧化物粒子的含有比例过少，接近单一组成，从而容易变成柱状晶的结晶相对于气体渗透方向平行地聚集的结构，不能形成具有致密的微细结构的薄膜。进而，将颗粒的碱度规定为0. 1以上是因为当小于0. 1时，薄膜不易变成柱状晶的一部分溃散而接近非晶状态的致密的微细结构。该“碱度”由森永健次等提出，例如在他的著录(K. Morinaga，H. Yoshida And H. Takebe J. AmCerm. Soc.，77，3113 (1994))中使用如下所示的式子来规定玻璃粉末的碱度。其摘录如下。“氧化物MiO的Mi-O之间的键强度作为阳离子-氧离子间引力Ai由下式得到。Ai = Zi · Z02-/ (Γ +Γ02_)2 = Zi · 2/ (Γ +1. 40)2
Zi 阳离子的价数，氧离子为2Ri 阳离子的离子半径(A ),氧离子为1.40A将该Ai的倒数Bi (1/A,)作为单成分氧化物MiO的氧供给能力。Bi = IAi将该Bi归一化为 a() = UBsi02 = 0，则赋予各单成分氧化物的Bi-指标。将该各成分的Bi-指标通过阳离子分数扩大到多成分体系，则可以算出任意组成的玻璃氧化物的熔融体的B-指标(=碱度)。B = Σ Hi · BiIii 阳离子分数这样规定的碱度如上所述地表示氧供给能力，值越大越容易供给氧，容易引起与其它金属氧化物的氧的授受。”在本发明中，对于玻璃粉末的碱度指标，通过使玻璃替换氧化物来进行解释，将氧化物混合物的碱度整理为在薄膜中容易变成接近非晶状态的致密的微细结构的指标。在玻璃的情况下是熔融的概念，但在本发明中，以成膜时产生玻璃形成的机理为基本。从气相沉积材升华的元素成为离子状态，元素在基板上以非平衡的状态堆积。此时通过上式得到的颗粒的碱度为0.1以上，则膜以玻璃状(非晶)成长，元素以非常致密的状态整齐地排列。使用本发明的气相沉积材形成的薄膜由于具有高阻气性，除了有构成太阳能电池的底座的防湿膜等阻气材的用途之外，还可以适当地利用为液晶显示器、有机EL显示器或照明用有机EL显示器等的阻气材。另外，该薄膜由于具有透过率为85% 95%程度的透明性，还适合作为用于要求高阻气性且要求透过光的部件、例如太阳能电池的受光面侧或显示器的图像视觉侧等的阻气材等。接着，以通过烧结法制作的情况为代表说明本发明的气相沉积材的制造方法。首先，将作为第一氧化物粉末的纯度98%以上高纯度粉末、作为第二氧化物粉末的纯度98% 以上高纯度粉末、粘合剂和有机溶剂混合，制备浓度为30 75质量％的浆料。优选制备 40 65质量％的浆料。而且，第一氧化物粉末和第二氧化物粉末是以制造后的气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比满足上述范围的方式进行调整和混合。浆料的浓度限定为30 75质量％是因为若超过75质量％，则由于上述浆料为非水体系，存在难以进行稳定的混合造粒的问题，若不足30质量％，则无法得到具有均勻组织的致密的烧结体。另外，由于制造后的气相沉积材所含的第一氧化物粉末的平均粒径和第二氧化物粒子的平均粒径调整为上述的范围内，因此使用的第一氧化物粉末的平均粒径和第二氧化物粉末的平均粒径优选为第一氧化物粉末在0. 1 10 μ m的范围内、第二氧化物粉末在0. 1 10 μ m的范围内。粘合剂优选使用聚乙二醇、聚乙烯醇缩丁醛等，有机溶剂优选使用乙醇、丙醇等。 粘合剂优选添加0. 2 5. 0质量％。另外，高纯度粉末与粘合剂和有机溶剂的湿式混合、特别是高纯度粉末与作为分散介质的有机溶剂的湿式混合通过湿式球磨机或搅拌研磨机进行。湿式球磨机中，使用 ZrO2制的球时，使用直径5 IOmm的多个制的球湿式混合8 M小时，优选湿式混合20 M小时。^O2制的球的直径限定为5 IOmm是因为不足5mm时混合不充分，超过 IOmm时存在杂质增加的不良问题。另外，混合时间最长为M小时是因为即使长时间连续混合，杂质产生得也很少。
在搅拌研磨机中，使用直径1 3mm的^O2制的球湿式混合0. 5 1小时。^O2 制的球的直径限定为1 3mm是因为若不足Imm则混合不充分，若超过3mm则存在杂质增加的麻烦。另外，混合时间缩短为最长1小时是因为若超过1小时，不仅是原料的混合，球本身也会磨损，会成为产生杂质的原因，并且只需1小时就可以充分混合。接着喷雾干燥上述浆料得到平均粒径为50 250 μ m、优选50 200 μ m的混合造粒粉末。将该造粒粉末放入规定的模具中以规定压力成形。上述喷雾干燥优选使用喷雾干燥机进行，规定模具使用单轴冲压装置或冷等静压(CIP :Cold Isostatic ft~eSS)成形装置。在单轴冲压装置中，使造粒粉末在750 2000kg/cm2 (73. 55 196. IMPa)、优选1000 1500kg/cm2(98. 1 147. IMPa)的压力下单轴加压成形，在CIP成形装置中，使造粒粉末在 1000 3000kg/cm2 (98. 1 294. 2MPa)、优选 1500 2000kg/cm2 (147. 1 196. IMPa)的压力下CIP成形。将压力限定在上述范围是因为提高成形体的密度的同时防止烧结后的变形并且不需要进行后加工。进而，以规定温度烧结成形体。烧结是在大气、惰性气体、真空或还原气体气氛中， 在1000°C以上、优选1200 1400°C温度下进行1 10小时、优选进行2 5小时。由此， 得到相对密度为90%以上的颗粒。上述烧结在大气压下进行，但进行如热压(HP)烧结或热等静压(HIP:Hot Isostatic I^ress)烧结这样的加压烧结时，优选在惰性气体、真空或还原气体气氛中，在1000°C以上的温度下进行1 5小时。接着，对本发明的薄膜片材和层压片材与其制造方法一起进行说明。如图1所示， 本发明的薄膜片材10具有第一基材薄膜11和优选使用上述气相沉积材形成的本发明的薄膜12。而且，本发明的层压片材20具有上述本发明的薄膜片材10和在该薄膜片材10的薄膜形成侧通过粘接层13粘接的第二基材薄膜14。第一基材薄膜11和第二基材薄膜14优选具有能耐长时间的高温高湿度环境试验的机械性强度和耐气候性等。例如，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚芳酯、聚醚砜、三乙酰纤维素 (TAC)、环状烯烃(共)聚合物等树脂薄膜。这些树脂薄膜根据需要也可以配合阻燃剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、防静电剂等。第一基材薄膜11和第二基材薄膜14的厚度优选5 300 μ m、更优选 10 150 μ m。在该第一基材薄膜11上优选使用上述本发明的气相沉积材形成作为阻气材的薄膜12。将气相沉积材中的第一氧化物中所含的金属元素设为A、第二氧化物中所含的金属元素设为B，则薄膜12中的金属元素A与金属元素B的摩尔比为5 85 95 15。薄膜 12中的金属元素A、B的含有比例在上述范围外时，各氧化物的结晶状态分别成为优先，产生无法得到非晶状的致密的微细结构的不良问题。薄膜12的厚度优选在10 200nm的范围内。当小于下限值时，不易得到作为阻气材的充分的阻气性，另外膜的耐久性易降低。另一方面，当超过上限值时，浪费材料，并且由于增厚效应易产生弯曲等外力带来的开裂。在此，薄膜12的厚度特别优选在20 IOOnm的范围内。作为使用气相沉积材的薄膜12的形成方法，优选电子束蒸镀法(Electron BeamEvaporation Method、以下称为EB)、离子镀法、 反应性等离子体沉积法(Reactive Plasma Deposition Method、以下成为RPD)、电阻加热法或感应加热法等真空成膜法。另外，图1中未图示，但也可以在第一基材薄膜11上为了提高与薄膜12的密合强度根据需要设置由丙烯酸多元醇酯、异氰酸酯、硅烷偶联剂构成的底漆涂敷层，或者在气相沉积工序之前实施使用等离子体等的表面处理。另一方面，在形成的薄膜12表面露出的状态下，处理片材时，膜的表面产生伤痕或摩擦，则对阻气性产生较大影响。因此，在薄膜12上优选设置保护薄膜12表面的阻气性被膜(未图示)等。该阻气性被膜可以例如将具有烷氧基的硅化合物、钛化合物、氧化锆化合物、锡化合物或其水解物和具有羟基的水溶性高分子混合而成的溶液涂布在薄膜12表面后，进行加热干燥而形成。该阻气性被膜不仅起到薄膜12的薄膜层的作用，还具有提高阻气性的效果。这样形成的本发明的薄膜片材10例如在温度20°C、相对湿度50% RH的条件下放置1小时后，在温度40°C、相对湿度90% RH的条件下测定的水蒸气透过率S显示0. 3g/ m2 ·天以下。另外，在温度20°C、相对湿度50% RH的条件下放置1小时后，在温度85°C、 相对湿度90% RH的条件下进一步放置100小时，之后在与上述条件相同的条件下测定的水蒸气透过率设为T时，水蒸气透过率T相对于水蒸气透过率S的变化率(T/SX100)显示 200%以下。S卩，该薄膜10具有非常高且时间经过带来的劣化小的阻气性。进而，在本发明的层压片材20中，在上述本发明的薄膜片材10的薄膜形成侧、即薄膜12上或上述阻气性被膜上形成粘接层13，该粘接层13起到用于粘合形成有薄膜12的第一基材薄膜11和第二基材薄膜14的粘接剂的作用。因此，可以举出需要粘接强度经过长时间不会劣化，不产生脱层等且不会变黄等条件的例如聚氨酯系、聚酯系、聚酯-聚氨酯系、聚碳酸酯系、聚环氧-胺系、热熔系粘接剂等。对于粘接层13的层压方法，可以通过干式层压法等公知的方法进行层压。通过在该粘接层13上粘接第二基材薄膜14并粘合，完成层压片材20。并且，如图1所示，薄膜12和粘接层13没必要限定在分别各层压一层，也可以将薄膜12和粘接层 13交替层压或者是将薄膜12、上述阻气性被膜等其他部件和粘接层13交替或随意层压成 2 10层的多层。由此，可以进一步提高阻气性和耐气候性。该层压片材20适合利用为太阳能电池模块的底座、液晶显示器或有机EL显示器或照明用有机EL显示器等用途。[实施例]接着，详细说明本发明的实施例和比较例。<实施例1>首先，通过球磨机进行的湿式混合以规定比例混合第一氧化物粉末、第二氧化物粉末、粘合剂和有机溶剂，制备出浓度为40质量％的浆料。此时，第一氧化物粉末使用平均粒径为0. 7 μ m、纯度为99. 8%的高纯度S^2粉末，第二氧化物粉末使用平均粒径为 0. 8 μ m、纯度为99. 8 %的高纯度ZnO粉末，粘合剂使用聚乙烯醇缩丁醛，有机溶剂使用乙醇。另外，S^2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的S^2为5摩尔％、SiO为95摩尔％。接着，将制备的浆料使用喷雾干燥机进行喷雾干燥，得到平均粒径为200 μ m的混合造粒粉末后，将该造粒粉末放入规定的模具中通过单轴冲压装置进行冲压成形。使得到的成形体在大气气氛中，在1300°C温度下烧结5小时，得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SW2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。<实施例2>将SW2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为10 摩尔％、ZnO为90摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。<实施例3>将SW2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为20 摩尔％、ZnO为80摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。<实施例4>将SW2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为30 摩尔％、ZnO为70摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。<实施例5>将SW2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为40 摩尔％、ZnO为60摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。<实施例6>将SW2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为50 摩尔％、ZnO为50摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。<实施例7>将SW2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为60 摩尔％、ZnO为40摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。<实施例8>将SW2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为70 摩尔％、ZnO为30摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。<实施例9>将SW2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为80 摩尔％、ZnO为20摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SW2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。< 实施例 10>将SW2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为85 摩尔％、ZnO为15摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。〈实施例11>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末， 除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和MgO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Mg0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。< 实施例 12>将SW2粉末和MgO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为30 摩尔％、MgO为70摩尔％，除此之外与实施例11同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SW2粒子和MgO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Mg0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。< 实施例 13>将SW2粉末和MgO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为50 摩尔％、MgO为50摩尔％，除此之外与实施例11同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SW2粒子和MgO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Mg0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。< 实施例 14>将SW2粉末和MgO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为80 摩尔％、MgO为20摩尔％，除此之外与实施例11同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SW2粒子和MgO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Mg0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。< 实施例 15>将SW2粉末和MgO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为85 摩尔％、MgO为15摩尔％，除此之外与实施例11同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SW2粒子和MgO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Mg0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。〈实施例16>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末， 除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Ca0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。〈实施例17>将SW2粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为30 摩尔％、CaO为70摩尔％，除此之外与实施例16同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Ca0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。〈实施例18>将SW2粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为50 摩尔％、CaO为50摩尔％，除此之外与实施例16同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Ca0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。〈实施例19>将SiA粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SiA为80 摩尔％、CaO为20摩尔％，除此之外与实施例16同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Ca0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。〈实施例20>将SW2粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为85 摩尔％、CaO为15摩尔％，除此之外与实施例16同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Ca0的含量和颗粒的碱度表示在以下表1中。〈实施例21>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末和平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末，将SW2粉末、ZnO粉末和MgO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为5摩尔％、ZnO为90摩尔％、MgO为 5摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2S 子、ZnO粒子和MgO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例22>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末， 平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8% 的高纯度CaO粉末，将SiO2粉末、ZnO粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SiR为5摩尔％、ZnO为85摩尔％ ,MgO为5摩尔％、CaO为5摩尔％， 除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的S^2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例23>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度SiO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、ZnO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为5摩尔％、ZnO为80摩尔％、CaO为15 摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例对>
作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末， 平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8% 的高纯度CaO粉末，将SiO2粉末、ZnO粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SiR为5摩尔％、ZnO为30摩尔％ ,MgO为30摩尔％、CaO为35摩尔％， 除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的S^2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例25>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末， 平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8% 的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、ZnO粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SiR为5摩尔％、ZnO为5摩尔％ ,MgO为85摩尔％、CaO为5摩尔％， 除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的S^2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例洸>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末， 平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8% 的高纯度CaO粉末，将SiO2粉末、ZnO粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SiR为5摩尔％、ZnO为5摩尔％、MgO为10摩尔％、CaO为80摩尔％， 除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的S^2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例27>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为5摩尔％、MgO为45摩尔％、CaO为50 摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例沘>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末， 平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8% 的高纯度CaO粉末，将SiO2粉末、ZnO粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为30摩尔％、ZnO为60摩尔％、MgO为5摩尔％、CaO为5摩尔％， 除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的S^2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例四>
作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末， 平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8% 的高纯度CaO粉末，将SiO2粉末、ZnO粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SiR为30摩尔％、ZnO为30摩尔％、MgO为30摩尔％、CaO为10摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例30>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末和平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末，将SW2粉末、ZnO粉末和MgO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为30摩尔％、ZnO为50摩尔％、MgO为20 摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子和MgO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例31>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为30摩尔％、MgO为60摩尔％、CaO为10 摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例32>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为30摩尔％、MgO为20摩尔％、CaO为50 摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表2中。〈实施例33>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、ZnO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为30摩尔％、ZnO为30摩尔％、CaO为40 摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。〈实施例；34>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、ZnO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为30摩尔％、ZnO为5摩尔％、CaO为65摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。〈实施例；35>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末， 平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8% 的高纯度CaO粉末，将SiO2粉末、ZnO粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SiR为85摩尔％、ZnO为5摩尔％ ,MgO为5摩尔％、CaO为5摩尔％， 除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的S^2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。〈实施例36>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末和平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末，将SW2粉末、ZnO粉末和MgO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为85摩尔％、ZnO为10摩尔％、MgO为5 摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子和MgO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。〈实施例37>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为85摩尔％、MgO为5摩尔％、CaO为10 摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。〈实施例38>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、ZnO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为85摩尔％、ZnO为5摩尔％、CaO为10 摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。〈实施例39>与实施例M同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。〈实施例40>与实施例四同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。〈实施例41>与实施例35同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。〈实施例42>与实施例M同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。〈实施例43>与实施例四同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。〈实施例44>与实施例35同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表3中。<比较例1>调整为不混合第一氧化物粒子之外，与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的ZnO粒子的平均粒径、颗粒的碱度表示在以下表4中。〈比较例2>将S^2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的S^2为3 摩尔％、ZnO为97摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表4中。〈比较例3>将SW2粉末和ZnO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为90 摩尔％、ZnO为10摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和ZnO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Zn0的含量和颗粒的碱度表示在以下表4中。〈比较例4>调整为不混合第二氧化物粒子之外，与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的SiO2粒子的平均粒径、颗粒的碱度表示在以下表4中。〈比较例5>调整为不混合第一氧化物粒子之外，与实施例11同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的MgO粒子的平均粒径、颗粒的碱度表示在以下表4中。〈比较仿Ij6>将SW2粉末和MgO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为3 摩尔％、MgO为97摩尔％，除此之外与实施例11同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SW2粒子和MgO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Mg0的含量和颗粒的碱度表示在以下表4中。〈比较例7>将SW2粉末和MgO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为90 摩尔％、MgO为10摩尔％，除此之外与实施例11同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SW2粒子和MgO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Mg0的含量和颗粒的碱度表示在以下表4中。〈比较例8>调整为不混合第二氧化物粒子之外，与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的SiO2粒子的平均粒径、颗粒的碱度表示在以下表4中。〈比较例9>调整为不混合第一氧化物粒子之外，与实施例16同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的CaO粒子的平均粒径、颗粒的碱度表示在以下表4中。〈比较例10>将SW2粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为3 摩尔％、CaO为97摩尔％，除此之外与实施例16同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的Sih粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Ca0的含量和颗粒的碱度表示在以下表4中。〈比较例11>将SW2粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为90 摩尔％、CaO为10摩尔％，除此之外与实施例16同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、Ca0的含量和颗粒的碱度表示在以下表4中。< 比较例 12>调整为不混合第二氧化物粒子之外，与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的SiA粒子的平均粒径、颗粒的碱度表示在以下表4中。< 比较例 13>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末， 平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8% 的高纯度CaO粉末，将SiO2粉末、ZnO粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SiR为3摩尔％、ZnO为90摩尔％ ,MgO为3摩尔％、CaO为4摩尔％， 除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的S^2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表4中。< 比较例 14>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末， 平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8% 的高纯度CaO粉末，将SiO2粉末、ZnO粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SiR为3摩尔％、ZnO为5摩尔％、MgO为80摩尔％、CaO为12摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的S^2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表4中。< 比较例 15>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为3摩尔％、MgO为30摩尔％、CaO为67 摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表4中。< 比较例 16>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、ZnO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为3摩尔％、ZnO为45摩尔％、CaO为52 摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2粒子、 ZnO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表4中。< 比较例 17>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末， 平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8% 的高纯度CaO粉末，将SiO2粉末、ZnO粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SiR为90摩尔％、ZnO为3摩尔％ ,MgO为3摩尔％、CaO为4摩尔％， 除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的S^2粒子、ZnO粒子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表4中。< 比较例 18>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、MgO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为90摩尔％、MgO为4摩尔％、CaO为 6摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2S 子、MgO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、MgO、CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表5中。< 比较例 19>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末和平均粒径为0. 6 μ m、纯度为99. 8%的高纯度CaO粉末，将SW2粉末、ZnO粉末和CaO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为90摩尔％、ZnO为4摩尔％、CaO为 6摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2S 子、ZnO粒子和CaO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, CaO的含量和颗粒的碱度表示在以下表5中。
〈比较例20>作为第二氧化物粉末使用平均粒径为0. 8 μ m、纯度为99. 8%的高纯度ZnO粉末和平均粒径为0. 9 μ m、纯度为99. 7%的高纯度MgO粉末，将SW2粉末、ZnO粉末和MgO粉末的混合量调整为形成后的气相沉积材中所含的SW2为90摩尔％、ZnO为4摩尔％、MgO为 6摩尔％，除此之外与实施例1同样地得到气相沉积材。得到的气相沉积材所含的SiO2S 子、ZnO粒子和MgO粒子的平均粒径，气相沉积材中所含的Si02、ZnO, MgO的含量和颗粒的碱度表示在以下表5中。〈比较例21>与比较例1同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的ZnO粒子的平均粒径、气相沉积材中所含的ZnO含量、颗粒的碱度表示在以下表5中。< 比较例 22>与比较例5同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的MgO粒子的平均粒径、气相沉积材中所含的MgO含量、颗粒的碱度表示在以下表5中。< 比较例 23>与比较例9同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的CaO粒子的平均粒径、气相沉积材中所含的CaO含量、颗粒的碱度表示在以下表5中。< 比较例 24>与比较例4同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的SW2粒子的平均粒径、气相沉积材中所含的SW2含量、颗粒的碱度表示在以下表5中。< 比较例 25>与比较例1同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的ZnO粒子的平均粒径、气相沉积材中所含的ZnO含量、颗粒的碱度表示在以下表5中。< 比较例 26>与比较例5同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的MgO粒子的平均粒径、气相沉积材中所含的MgO含量、颗粒的碱度表示在以下表5中。< 比较例 27>与比较例9同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的CaO粒子的平均粒径、气相沉积材中所含的CaO含量、颗粒的碱度表示在以下表5中。〈比较例28>与比较例4同样的条件下得到气相沉积材。得到的气相沉积材中所含的SW2粒子的平均粒径、气相沉积材中所含的SW2含量、颗粒的碱度表示在以下表5中。[表1]
权利要求
1.一种气相沉积材，为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材， 其特征在于，所述第一氧化物粉末为SiO2粉末，所述第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98%以上，所述第二氧化物粉末为选自&10、MgO和CaO中的一种粉末或两种以上的混合粉末，所述第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98%以上，所述气相沉积材由含有所述第一氧化物粒子和所述第二氧化物粒子的颗粒构成，所述气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5 85 95 15，且所述颗粒的碱度为0.1以上。
2.根据权利要求1所述的气相沉积材，所述第一氧化物粒子的平均粒径为0.1 10 μ m,且所述第二氧化物粒子的平均粒径为0. 1 10 μ m。
3.一种膜的制造方法，其特征在于，通过将权利要求1或2所述的气相沉积材用作靶材的真空成膜法，在第一基材薄膜上形成包含所述第一氧化物所含的金属元素A和所述第二氧化物所含的金属元素B的氧化物薄膜。
4.一种薄膜片材，通过将权利要求1或2所述的气相沉积材用作靶材的真空成膜法，在第一基材薄膜上形成包含所述第一氧化物所含的金属元素A和所述第二氧化物所含的金属元素B的氧化物薄膜，所述薄膜中的所述金属元素A与所述金属元素B的摩尔比为5 85 95 15。
5.根据权利要求4所述的薄膜片材，所述真空成膜法为电子束蒸镀法、离子镀法、反应性等离子体沉积法、电阻加热法或感应加热法中的任意一种。
6.根据权利要求4或5所述的薄膜片材，在温度20°C、相对湿度50%RH的条件下放置 1小时时的水蒸气透过率S为0. 3g/m2 ·天以下。
7.根据权利要求6所述的薄膜片材，在温度20°C、相对湿度50%RH的条件下放置1小时后，在温度85°C、相对湿度90% RH的条件下进一步放置100小时时的的水蒸气透过率设为T时，所述水蒸气透过率T相对于所述水蒸气透过率S的变化率T/SX 100为200%以下。
8.一种层压片材，在权利要求4 7中的任意一项所述的薄膜片材的薄膜形成侧通过粘接层层压第二基材薄膜而成。
全文摘要
本发明提供适合形成透明性和阻气性优异的薄膜的气相沉积材和具备该薄膜的薄膜片材以及层压片材。本发明的气相沉积材为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材，其特征在于，第一氧化物粉末为SiO2粉末，第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98％以上，第二氧化物粉末为选自ZnO、MgO和CaO中的一种粉末或两种以上的混合粉末，第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98％以上，气相沉积材由含有第一氧化物粒子和第二氧化物粒子的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5～85∶95～15，且颗粒的碱度为0.1以上。
文档编号C23C14/08GK102162085SQ201110036990
公开日2011年8月24日 申请日期2011年2月10日 优先权日2010年2月16日
发明者有泉久美子, 黑光祥郎, 黛良享 申请人:三菱综合材料株式会社