专利名称：Cvd机台的晶圆传送系统和晶圆传送方法
技术领域：
本发明涉及一种CVD机台的晶圆传送系统及使用该CVD机台的晶圆传送系统的晶圆传送方法，尤其涉及CVD机台的晶圆传送系统的晶圆位置偏差的检测和校正技术。
背景技术：
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。CVD(Chemical VaporDeposition,化学气相淀积),指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。 CVD技术的淀积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。在现实应用中多使用CVD机台进行晶圆CVD处理，如CVD SEQUEL和CENTURA机台。在机台的晶圆传送过程中，因Load lock(晶圆传送区域)的传送臂位置上下偏差、或晶圆翘曲变形而可能引起机台撞片，导致晶圆CVD处理时出现错误，降低良品率。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明目的在于提供一种CVD机台的晶圆传送系统及使用该CVD机台的晶圆传送系统的晶圆传送方法。为解决上述技术问题，本发明提供了一种CVD机台的晶圆传送系统，包括淀积腔体，用于收容晶圆以进行化学气相沉积；传送臂，用于将晶圆传送到淀积腔体；还包括光信号发生器，安装在传送臂上，用于向晶圆发射光信号；光传感器，用于监测光信号发生器发出的光信号。优选的，所述淀积腔体包括用于暂时存放晶圆的中转区域和进行淀积的反应区域，所述传送臂将晶圆传送到中转区域。优选的，还包括控制装置，所述控制装置连接光传感器，当光传感器接收到光信号发生器发出的光信号时，控制装置向CVD机台发出停止机械动作的信号。优选的，当晶圆和传送臂处于一种预设的相对位置关系时，所述光信号发生器发射的光信号穿过晶圆的空隙；当晶圆和传送臂偏离前述预设的相对位置关系时，光信号投射到晶圆表面并被反射到光传感器。优选的，所述光信号发生器为激光发生器，所述光传感器为激光传感器。优选的，所述传送臂上安装有两个激光发生器。为解决上述技术问题，本发明还提供了一种使用上述晶圆传送系统的CVD机台的晶圆传送方法，其特征在于，包括以下步骤第一步，提供待处理的晶圆；
第二步，使用传送臂将晶圆向淀积腔体传送；第三步，使用光信号发生器向晶圆发射光信号；第四步，在执行第三步的同时或者之后，使用光传感器监测光信号；优选的，所述方法还包括以下步骤提供连接光传感器的控制装置，当光传感器接受到光信号时，控制装置向CVD机台发出停止机械动作的信号。与现有技术相比，本发明的有益效果是通过设置光信号发生器和光传感器，检测晶圆和传送臂的相对位置，避免将不符合要求的晶圆送入淀积腔体。
图I是本发明的具体实施例的晶圆传送系统的晶圆和传送臂处于预设的相对位置的状态图。图2是本发明的具体实施例的晶圆传送系统的晶圆和传送臂处于预设的相对位置的状态图。
具体实施例方式以下通过具体实施例说明本发明的思想。本发明的具体实施例的一种CVD机台的晶圆传送系统包括淀积腔体，包括用于暂时存放晶圆的中转区域和进行淀积的反应区域；传送臂，用于将晶圆传送到淀积腔体，具体为传送到中转区域；还包括光信号发生器，安装在传送臂上，用于向晶圆发射光信号；光传感器，用于监测光信号发生器发出的光信号。在CVD淀积过程中，由传送臂将整批的晶圆分单片去表到淀积腔体的中转区域，该区域业界通常会有两种检查方式用于避免撞片。一是在设备保养时通过假片的传送，由设备人员来调整传送位置，从而保证机台传送的正确性。二是在进入中转区域时对整批晶圆进行片架扫描，但是在晶圆的实际传送过程中，并不检测晶圆是否翘曲或手臂的位置是否有偏移。为此，本实施例采用激光发生器为光信号发生器，作为信号源，将激光发生器固定在传送臂上，优选的，传送臂上安装有两个激光发生器。在传送晶圆时，激光发生器向晶圆发射激光信号。当晶圆和传送臂处于一种预设的相对位置关系时，所述光信号发生器发射的光信号穿过晶圆的空隙；当晶圆和传送臂偏离前述预设的相对位置关系时，光信号投射到晶圆表面并被反射到光传感器。具体实施例还提供一控制装置，控制装置连接光传感器，当光传感器接收到光信号发生器发出的光信号时，控制装置向CVD机台发出停止机械动作的信号。采用上述系统，CVD机台的晶圆传送方法包括以下步骤第一步，提供待处理的晶圆；第二步，使用传送臂将晶圆向淀积腔体传送；第三步，使用光信号发生器向晶圆发射光信号；第四步，在执行第三步的同时或者之后，使用光传感器监测光信号；第五步，提供连接光传感器的控制装置，当光传感器接受到光信号时，控制装置向CVD机台发出停止机械动作的信号。尽管为示例目的，已经公开了本发明的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。·
权利要求
1.一种CVD机台的晶圆传送系统,包括 淀积腔体，用于收容晶圆以进行化学气相沉积； 传送臂，用于将晶圆传送到淀积腔体； 其特征在于，还包括 光信号发生器，安装在传送臂上，用于向晶圆发射光信号； 光传感器，用于监测光信号发生器发出的光信号。
2.根据权利要求I所述的CVD机台的晶圆传送系统，其特征在于，所述淀积腔体包括用于暂时存放晶圆的中转区域和进行淀积的反应区域，所述传送臂将晶圆传送到中转区域。
3.根据权利要求I所述的CVD机台的晶圆传送系统，其特征在于，还包括控制装置，所述控制装置连接光传感器，当光传感器接收到光信号发生器发出的光信号时，控制装置向CVD机台发出停止机械动作的信号。
4.根据权利要求I所述的CVD机台的晶圆传送系统，其特征在于，当晶圆和传送臂处于一种预设的相对位置关系时，所述光信号发生器发射的光信号穿过晶圆的空隙；当晶圆和传送臂偏离前述预设的相对位置关系时，光信号投射到晶圆表面并被反射到光传感器。
5.根据权利要求I所述的CVD机台的晶圆传送系统，其特征在于，所述光信号发生器为激光发生器，所述光传感器为激光传感器。
6.根据权利要求5所述的CVD机台的晶圆传送系统，其特征在于，所述传送臂上安装有两个激光发生器。
7.—种CVD机台的晶圆传送方法，使用权利要求I所述的晶圆传送系统，其特征在于，包括以下步骤 第一步，提供待处理的晶圆； 第二步，使用传送臂将晶圆向淀积腔体传送； 第三步，使用光信号发生器向晶圆发射光信号； 第四步，在执行第三步的同时或者之后，使用光传感器监测光信号。
8.根据权利要求7所述的CVD机台的晶圆传送方法，其特征在于，还包括以下步骤 提供连接光传感器的控制装置，当光传感器接受到光信号时，控制装置向CVD机台发出停止机械动作的信号。
全文摘要
本发明提供了一种CVD机台的晶圆传送系统，包括淀积腔体，用于收容晶圆以进行化学气相沉积；传送臂，用于将晶圆传送到淀积腔体；还包括光信号发生器，安装在传送臂上，用于向晶圆发射光信号；光传感器，用于监测光信号发生器发出的光信号。与现有技术相比，本发明的有益效果是通过设置光信号发生器和光传感器，检测晶圆和传送臂的相对位置，避免将不符合要求的晶圆送入淀积腔体。
文档编号C23C16/00GK102953042SQ20111023493
公开日2013年3月6日 申请日期2011年8月17日 优先权日2011年8月17日
发明者李晶 申请人:无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司