专利名称：一种石墨舟的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种石墨舟，尤其涉及一种CT管式镀膜设备所用的石墨舟。
背景技术：
在硅太阳电池的制工艺过程之中，通常需要采用薄膜沉积工艺进行硅片的镀膜， 例如可采用PECVD (plasma enhanced chemical vapor d印osition，等离子增强化学气相沉积)的沉积工艺对硅片进行氮化硅的真空镀膜，使在硅片表面形成防反射层。在硅太阳能电池制造的过程中，在进行硅片表面镀膜时，首先将未镀膜的硅片插入石墨舟中，将载有硅片的石墨舟放置在PECVD真空镀膜设备腔体中，采用合适的PECVD工艺对硅片进行镀膜。镀膜结束后，从真空镀膜设备腔体中取出石墨舟然后再将经过镀膜的硅片从石墨舟上取下来。现用的石墨舟为垂直式石墨舟，如图1所示为现CT管式镀膜设备所用的石墨舟的俯视图，该石墨舟共由19片石墨片构成，石墨片之间的距离为Ilmm;如图2，每片石墨片都有6个可用于放置硅片的位置，共可放置硅片216片。现用的这种石墨舟有以下缺点1、对于如今大批量生产的企业来说，这种石墨舟由于可载硅片数量较少使得产能受到很大限制，工艺时间较长，影响产能；2、吹扫表面金属离子及刻蚀表面Si02程度不够；3、表面钝化及体钝化效果差。
实用新型内容实用新型目的本实用新型的目的在于在于针对现有技术的不足，提供一种产能高的石墨舟。技术方案本实用新型在不改变原有设备的基础上使得每一管可同时进行镀膜的硅片数量得到提高，以此来增加产能。本实用新型所述的石墨舟，包括通过陶瓷棒相连的石墨片，所述石墨片为23片，相邻石墨片之间的距离为9mm。所述石墨舟上设置有7个硅片装载位。有益效果本实用新型与现有技术相比，其有益效果是1、本实用新型石墨舟，由原CT石墨舟承载216片增加到新型石墨舟的264片，将产能提到了 20%左右；2、本实用新型石墨片之间的间距由原来的Ilmm减少到现在的9mm，使得石墨片之间被电离的等离子体的强度得到提高，使得在预淀积之前对硅片表面的清理及吹扫效果得到增强，对硅片表面存在的二氧化硅、金属钠钾离子以及某些杂质的清理更加的彻底；3、本实用新型等离子强度的增强也使得硅片表面以及体内的钝化效果更加明显；4、由于等离子强度的增强，使得镀膜预淀积及淀积所需时间也得到相应的减少，产能得到提高；5、由于同一炉管同时进行镀膜片子数量增加，而镀膜工艺进行时所需通入的氨气及硅烷的流量并不需要相应变大， 生产成本也得到一定的降低；6、本实用新型石墨舟和原有石墨舟相比，体积要稍微有所增力口，使得真空镀膜设备的炉管空间得到充分利用，硅片数量得增加使得在通入的氨气及硅烷流量不变的情况下，参与反应的气体量增加，也使剩余气体变少，工艺所造成的尾气相应减少。
图1为现有的石墨舟俯视图；图2为图1中的某一片石墨片的结构示意图；图3为本实用新型石墨舟的俯视图；图4为图3中的某一片石墨片的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型技术方案进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。一种石墨舟，包括23片石墨片2，通过陶瓷棒3相连，再通过石墨螺母固定。陶瓷圈长度设计为9mm，因而石墨片的间距也为9mm。石墨片上硅片的装载位1由原来的6个增加为7个。如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。
权利要求1.一种石墨舟，包括通过陶瓷棒(3)相连的石墨片(2)，其特征在于所述石墨片(2) 为23片，相邻石墨片之间的距离为9mm。
2.根据权利要求1所述的石墨舟，其特征在于所述石墨舟上设置有7个硅片装载位⑴。
专利摘要本实用新型公开一种石墨舟，包括通过陶瓷棒(3)相连的石墨片(2)，其特征在于所述石墨片(2)为23片，每片石墨片(2)的硅片装载位(1)为7个，相邻石墨片之间的距离为9mm。本实用新型石墨片之间的间距由原来的11mm减少到现在的9mm，使得石墨片之间被电离的等离子体的强度得到提高，使得在预淀积之前对硅片表面的清理及吹扫效果得到增强，对硅片表面存在的二氧化硅、金属钠钾离子以及某些杂质的清理更加的彻底；另外镀膜时间缩短，从而工艺时间缩短，提高产量。
文档编号C23C16/458GK202063994SQ20112010106
公开日2011年12月7日 申请日期2011年4月8日 优先权日2011年4月8日
发明者勾宪芳, 吴回君, 姜利凯, 孙晨财, 王鹏, 陈呈, 魏文文 申请人:中节能太阳能科技(镇江)有限公司