专利名称：一种平板式pecvd的进气结构的制作方法
技术领域：
一种平板式PECVD的进气结构技术领域[0001]本实用新型属于太阳能光伏电池制造领域，涉及一种平板式PECVD的进气结构。
技术背景[0002]现有的平板式PECVD进气结构一般采用在特气管道和敷层防护槽相贴的壁上均勻开进气孔的方式进气，进气孔的间距为50mm，载板置于平板式PECVD的敷层防护槽的槽口上，载板上面一般平铺5排、每排上5块硅片。敷层防护槽的两侧壁的中心有紧贴其侧壁的内置铜导管的石英管，石英管的两端为微波发生器，微波发生器产生的微波通过石英管传导给敷层防护槽，使其内的特气分离成高密度的等离子体，等离子体沉积在硅片上，形成薄膜。由于特气管道和敷层防护槽上的进气孔均勻设置，在靠近两微波发生器的特气被电离的离子密度低，远离微波发生器的被电离的离子密度高；且由于微波产生的振动也使离子分布更不均勻，致使位于中间的硅片形成的薄膜厚且较均勻，质量好，两边靠近两微波源的硅片形成的薄膜薄且均勻性差，膜厚极差大，极差大的能达到5nm，整体镀膜颜色差异大， 其制成的电池片对太阳光的吸收差，与中间的硅片制成的电池片的效率相比降低了 0. 05% 以上。实用新型内容[0003]本实用新型的目的就是解决现有技术中存在的上述问题，提供一种平板式PECVD 的进气结构，采用该进气结构的平板式PECVD，特气被电离的离子均勻性好，靠近两微波源的硅片形成的薄膜厚度差异小，电池效率高。[0004]为实现上述目的，本实用新型的技术解决方案是一种平板式PECVD的进气结构， 其是在平板式PECVD的特气管道和敷层防护槽相贴的壁上分别均勻开进气孔，在两端部均勻开的两进气孔中心还各开有一进气孔。[0005]由于本实用新型在平板式PECVD的特气管道和敷层防护槽相贴的壁两端部均勻开的两进气孔中心还各开有一进气孔，使得敷层防护槽两端的气体流量大，进而使进入平板式PECVD的敷层防护槽内的两端部的特气密度高，这样特气被电离的离子在整个敷层防护槽内分布更加均勻，靠近两微波源的硅片形成的薄膜厚度差异也变得很小，电池效率高。
[0006]图1为现有技术中平板式PECVD的进气结构的结构示意图；[0007]图2为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
[0008]
以下结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步的描述。[0009]如图2所示，本实施例是在平板式PECVD的特气管道(包括两个SiH4特气管路2 和一个NH3特气管路幻和敷层防护槽4相贴的壁上分别均勻开进气孔1，进气孔1的间距一般为50mm，在两端部的两进气孔1中心还开有一进气孔5，三孔1、5、1之间的间距一般为 25mm。
权利要求1. 一种平板式PECVD的进气结构，其是在平板式PECVD的特气管道和敷层防护槽相贴的壁上分别均勻开进气孔(1)，其特征在于在两端部均勻开的两进气孔(1)的中心还各开有一进气孔(5)。
专利摘要本实用新型公开了一种平板式PECVD的进气结构，其是在平板式PECVD的特气管道和敷层防护槽相贴的壁上分别均匀开进气孔，在两端部均匀开的两进气孔的中心还各开有一进气孔。使进入平板式PECVD的敷层防护槽内的两端部的特气密度高，这样特气被电离的离子在整个敷层防护槽内分布更加均匀，靠近两微波源的硅片形成的薄膜厚度差异也变得很小，电池效率高。采用本实用新型的平板式PECVD，特气被电离的离子均匀性好，靠近两微波源的硅片形成的薄膜厚度差异小，电池效率高。
文档编号C23C16/455GK202297767SQ20112038360
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月11日 优先权日2011年10月11日
发明者王月勤 申请人:光为绿色新能源股份有限公司