专利名称：一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构的制作方法
技术领域：
一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构技术领域[0001]本实用新型属于半导体薄膜沉积设备领域，具体地说是一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构。
背景技术：
[0002]薄膜沉积技术的原理是将晶圆置于真空环境中，通入适量的反应气体，利用气体的物理变化和化学反应，在晶圆表面形成固态薄膜。[0003]与混气进气相关的美国专利，如
公开日为2003年7月15日、公开号为6591850的美国专利，
公开日为2004年7月6日、公开号为6758591的美国专利，
公开日为2007年4 月17日、公开号为7204155的美国专利，
公开日为2003年9月18日、公开号为2003176074 的美国专利，
公开日为2008年8月观日、公开号为20082(^610的美国专利，
公开日为2003 年12月16日、公开号为6662817的美国专利等，上述这些美国专利申请由于使用流量计、 流量计控制器、阀门、传感器等设备来控制气体流量、压强，成本高，结构复杂，占用空间大。实用新型内容[0004]本实用新型的目的在于提供一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构。 该混气进气结构在低成本、小体积、结构简单的条件下实现设备的充分混气和均勻进气，保证了各工艺腔室之间保持相同的工艺状态。[0005]本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的[0006]本实用新型包括集气盒、RPS及出气管路，其中集气盒上连接有与进气管路连通的进气口，所述集气盒通过分气管路与RPS连通，RPS通过出气管路与各腔室连通。[0007]其中所述进气口为至少两个，均布在集气盒的下表面上，集气盒的上表面与所述分气管路的一端连通，分气管路的另一端接至RPS的上表面，所述出气管路位于RPS的下表面；所述出气管路具有至少两个支路，每个支路均与一个腔室连通；所述分气管路连通于 RPS的上表面中间，出气管路连通于RPS的下表面中间；所述分气管路及出气管路分别连通于RPS相对的两个面。[0008]本实用新型的优点与积极效果为[0009]1.本实用新型能使工艺气体充分均勻混合，并使混合后的气体均勻、平稳地流入各工艺腔室，保证各工艺腔室之间保持相同的工艺状态。[0010]2.本实用新型结构简单，占用空间小，安装维护方便，成本低廉。
[0011]图1为本实用新型的立体结构示意图之一；[0012]图2为本实用新型的立体结构示意图之二 ；[0013]其中1为进气口，2为集气盒，3为分气管路，4为RPS (Remote Plasma System远程等离子系统)，5为出气管路。
具体实施方式
[0014]
以下结合附图对本实用新型作进一步详述。[0015]如图1、图2所示，本实用新型包括进气口 1、集气盒2、分气管路3、RPS4及出气管路5，其中集气盒2的下表面均布有至少两个进气口 1，各进气口 1分别通过进气管路与工艺气体源连通，集气盒2的上表面与分气管路3的一端连通，分气管路3的另一端连通于 RPS4上表面的中间，RPS4下表面的中间连通有出气管路5，该出气管路5具有至少两个支路，每个支路均与一个腔室连通。[0016]本实用新型的工作原理为[0017]在设备需要工艺气体时，一种工艺气体(或混合气体)从第一个进气口流入集气盒2内，第二种工艺气体(或混盒气体)从第二个进气口流入集气盒2内，以此类推，两种或多种工艺气体分别通过不同进气口流入集气盒2内，并在集气盒2内进行汇合后，经分气管路3流入RPS4内进行充分混合，RPS4本身内部结构为工艺气体在其内部充分混合提供了一个很好的环境。经过RPS4混合后的工艺气体经过出气管路5均勻分配，经每个腔室内的喷淋结构流入各个工艺腔室，达到工艺的需要。[0018]本实用新型的RPS为市购产品，购置于美国MKS公司，型号为AX7670-16。
权利要求1.一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构，其特征在于包括集气盒O)、 RPS(4)及出气管路(5)，其中集气盒( 上连接有与进气管路连通的进气口(1)，所述集气盒( 通过分气管路( 与RPS(4)连通，RPS(4)通过出气管路( 与各腔室连通。
2.按权利要求1所述的双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构，其特征在于 所述进气口(1)为至少两个，均布在集气盒O)的下表面上，集气盒( 的上表面与所述分气管路(3)的一端连通，分气管路(3)的另一端接至RPS (4)的上表面，所述出气管路(5) 位于RPS (4)的下表面。
3.按权利要求1或2所述的双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构，其特征在于所述出气管路( 具有至少两个支路，每个支路均与一个腔室连通。
4.按权利要求1或2所述的双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构，其特征在于所述分气管路(3)连通于RPS(4)的上表面中间，出气管路(5)连通于RPS(4)的下表面中间。
5.按权利要求1或2所述的双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构，其特征在于所述分气管路C3)及出气管路( 分别连通于RPS(4)相对的两个面。
专利摘要本实用新型属于半导体薄膜沉积设备领域，具体地说是一种双腔室或多腔室薄膜沉积设备的混气进气结构，包括集气盒、RPS及出气管路，其中集气盒上连接有与进气管路连通的进气口，所述集气盒通过分气管路与RPS连通，RPS通过出气管路与各腔室连通。本实用新型能实现各工艺气体充分混合，各腔室之间气体均匀分配，使各腔室之间保持相同的工艺状态，而且结构简单，成本低廉，体积小，方便安装维护。
文档编号C23C14/22GK202323021SQ201120460139
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月18日 优先权日2011年11月18日
发明者凌复华, 梁学敏 申请人:沈阳拓荆科技有限公司