专利名称：一种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种太阳能电池的镀膜设备，具体涉及一种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备。
背景技术：
在各种硅太阳电池中，晶体硅电池一直占据着最重要的地位近年来，增加设备产能一直是设备开发者追求的目标。板式镀膜设备主要依靠增加反应腔室的长度和宽度来增加产能，但是增加反应腔室的长度和宽度会造成更加庞大的设备，且更大的镀膜面积导致片间均匀性更加不稳定，大大增加设备制造难度及成本。
发明内容
本发明的目的就是针对上述问题而提出的一种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备，可以同时对上下两层硅片进行减反射膜制备，在不增加反应腔室长度和宽度的情况下使得产能翻倍，适用于产业化生产。本发明的一种晶体娃太阳能电池镀膜设备技术方案为，包括反应腔室和娃片载板，硅片载板为双层硅片载板位于反应腔室中部，另外还包括反应腔室上方的上进气孔，下方的下进气孔，反应腔室两侧的排气孔，硅片载板上方的上等离子源及硅片载板下方的下等离子源，与排气孔外接的真空泵和均匀分布在在反应腔室上下内表面的加热装置。双层娃片载板为石墨板,分为上载板和下载板，上载板设有与娃片形状一致的均匀镂空，镂空大小略小于硅片，镂空上方承载硅片，用此载板可以对硅片上表面进行减反射膜制备；下载板均匀镂空，镂空形状与硅片形状一致，镂空大小略大于硅片，在下载板下边缘设置挂钩，硅片水平置于挂钩上，用此载板可以对硅片下表面进行减反射膜制备。上等离子源位于硅片载板上方，下等离子源位于硅片载板下方，上下等离子源均可单独控制，可根据工艺情况分别调整其工艺参数。上进气孔位于硅片载板以及上等离子源上方，下进气孔位于硅片载板以及下等离 子源下方，上下进气孔可单独控制，可以通入不同的气体及气体流量。排气孔位于反应腔室侧面，与娃片载板处于同一水平面，娃片载板上方和下方反应产生的气体均从排气孔排出，排气孔外接真空泵，以保证反应腔室一定的真空度。该晶体硅太阳能电池镀膜设备对硅片上表面镀膜的反应流程为镀膜工艺进行时，加热装置将腔体温度加热至所需温度，反应气体通过上进气孔进入反应腔室，上等离子源对反应气体进行解离，解离状态下气体将发生反应，镀制在双层硅片载板上载板的硅片上表面，真空泵将反应废气通过排气孔抽走，并保证反应腔室的真空度。该晶体硅太阳能电池镀膜设备对硅片下表面镀膜的反应流程为镀膜工艺进行时，加热装置将腔体温度加热至所需温度，反应气体通过下进气孔进入反应腔室，下等离子源对反应气体进行解离，解离状态下气体将发生反应，镀制在双层硅片载板下载板的硅片下表面，真空泵将反应废气通过排气孔抽走，并保证反应腔室的真空度。
本发明的有益效果是本发明的一种晶体硅太阳能电池镀膜设备，包括反应腔室和硅片载板，硅片载板为双层硅片载板，另外还包括上进气孔，下进气孔，排气孔，上等离子源及下等离子源，真空泵和加热装置。双层硅片载板上、下载板均设有与硅片形状一致的均匀镂空，上载板镂空大小略小于硅片，镂空上方承载硅片，用此载板可以对硅片上表面进行减反射膜制备；下载板镂空大小略大于硅片，在下载板下边缘设置挂钩，硅片水平置于挂钩上，用此载板可以对硅片下表面进行减反射膜制备。上进气孔位于硅片载板以及上等离子源上方，下进气孔位于硅片载板以及下等离子源下方，上、下进气孔，上、下等离子源均可单独控制，根据工艺情况分别调整其工艺参数，通入不同的气体及气体流量。排气孔位于反应腔室侧面，与娃片载板处于同一水平面，娃片载板上方和下方反应产生的气体均从排气孔排出，排气孔外接真空泵，以保证反应腔室一定的真空度。 使用该设备可以同时对上下两层硅片进行减反射膜制备，在不增加反应腔室长度和宽度的情况下使得产能翻倍，每层石墨板可放置硅片五排九列，双层硅片镀膜一次可以实现5*9*2 (五排九列两层)共90片硅片的镀膜，在相同的时间内实现了产能翻倍，适用于产业化生产。
图I所示为本发明的垂直剖面 图2所示为上载板设计；
图3所示为下载板设计。图中，I.上进气孔，2.下进气孔，3.排气孔，4.加热装置，5.上等离子源，6.下等离子源，7.上载板，8.下载板，9.硅片，10.反应腔室，11.挂钩，12.真空泵。
具体实施例方式 为了更好地理解本发明，下面结合附图和实例来说明本发明的技术方案，但是本发明并不局限于此。本发明的一种晶体娃太阳能电池镀膜设备技术方案为，包括反应腔室10和娃片载板，娃片载板为双层娃片载板位于反应腔室10中部,另外还包括反应腔室10上方的上进气孔1，下方的下进气孔2，反应腔室10两侧的排气孔3，硅片载板上方的上等离子源5及硅片载板下方的下等离子源6，与排气孔3外接的真空泵12和均匀分布在在反应腔室10上下内表面的加热装置4。双层娃片载板为石墨板,分为上载板7和下载板8,上载板7设有与娃片9形状一致的均匀镂空，镂空大小略小于硅片9，镂空上方承载硅片9，用此载板可以对硅片9上表面进行减反射膜制备；下载板8均匀镂空，镂空形状与硅片9形状一致，镂空大小略大于硅片9，在下载板8下边缘设置挂钩11，硅片9水平置于挂钩11上，用此载板可以对硅片9下表面进行减反射膜制备。上等离子源5位于硅片载板上方，下等离子源6位于硅片载板下方，上下等离子源均可单独控制，可根据工艺情况分别调整其工艺参数。上进气孔I位于硅片载板和上等离子源5上方，下进气孔2位于硅片载板和下等离子源6下方，上下进气孔可单独控制，可以通入不同的气体及气体流量。
排气孔3位于反应腔室10侧面，与硅片载板处于同一水平面，硅片载板上方和下方反应产生的气体均从排气孔10排出，排气孔10外接真空泵12，以保证反应腔室10 —定
的真空度。本发明的晶体硅太阳能电池镀膜设备对硅片9上表面镀膜的反应流程为镀膜工艺进行时，加热装置4将腔体温度加热至所需温度，反应气体通过上进气孔I进入反应腔室，上等离子源5对反应气体进行解离，解离状态下气体将发生反应，镀制在双层硅片载板上载板7的硅片9上表面，真空泵12将反应废气通过排气孔3抽走，并保证反应腔室10的
真空度。本发明的晶体硅太阳能电池镀膜设备对硅片9下表面镀膜的反应流程为镀膜工艺进行时，加热装置4将腔体温度加热至所需温度，反应气体通过下进气孔2进入反应腔室10，下等离子源6对反应气体进行解离，解离状态下气体将发生反应，镀制在双层硅片载板 下载板8的硅片9下表面，真空泵12将反应废气通过排气孔3抽走，并保证反应腔室10的
真空度。实施例I :
将上载板7、下载板8放置硅片9，之后将上载板7置于下载板8上，上进气孔I、下进气孔2通入气体硅烷和氨气，硅烷流量为500SCCm，氨气流量为1900SCCm，加热装置4将反应腔室10温度加热至390摄氏度，上等离子源5、下等离子源6功率为3200 ，上载板7、下载板8移动速度为156cm/min，可以实现双层硅片9镀膜，上下硅片9膜层厚度均为85nm左右，折射率为2. 05左右,符合生产工艺要求。每层石墨板可放置娃片五排九列,双层娃片镀膜一次可以实现5*9*2 (五排九列两层)共90片硅片的镀膜，在相同的生产时间内实现了产能翻倍。
权利要求
1.一种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备，包括反应腔室和硅片载板，其特征在于，硅片载板为双层硅片载板位于反应腔室中部，另外还包括反应腔室上方的上进气孔，下方的下进气孔，反应腔室两侧的排气孔，硅片载板上方的上等离子源及硅片载板下方的下等离子源，与排气孔外接的真空泵和均匀分布在在反应腔室上下内表面的加热装置。
2.根据权利要求I所述的ー种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备，其特征在于双层硅片载板为石墨板，分为上载板和下载板，上载板设有与硅片形状一致的均匀镂空，镂空大小略小于硅片，镂空上方承载硅片；下载板均匀镂空，镂空形状与硅片形状一致，镂空大小略大于硅片，在下载板下边缘设置挂钩，硅片水平置于挂钩上。
3.根据权利要求I所述的ー种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备，其特征在于上等离子源位于硅片载板上方，下等离子源位于硅片载板下方。
4.根据权利要求I所述的ー种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备，其特征在于上进气 孔位于硅片载板以及上等离子源上方，下进气孔位于硅片载板以及下等离子源下方。
5.根据权利要求I所述的ー种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备，其特征在于排气孔位于反应腔室侧面，与硅片载板处于同一水平面，排气孔外接真空泵。
全文摘要
本发明涉及一种太阳能电池的镀膜设备，具体涉及一种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备，包括反应腔室，双层硅片载板，上进气孔，下进气孔，排气孔，上等离子源及下等离子源，真空泵，加热装置，该设备可以同时对上下两层硅片进行减反射膜制备，使得设备产能增大，适用于工业化生产。
文档编号C23C16/455GK102677020SQ20121015912
公开日2012年9月19日 申请日期2012年5月22日 优先权日2012年5月22日
发明者任现坤, 刘鹏, 姚增辉, 姜言森, 孙继峰, 张丽丽, 张同星, 张春艳, 张黎明, 徐振华, 李刚, 李玉花, 杜敏, 王兆光, 程亮, 贾河顺 申请人:山东力诺太阳能电力股份有限公司