专利名称：一种阻变式存储单元及其形成方法
技术领域：
本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种阻变式存储单元及其形成方法。
背景技术：
阻变式存储单兀(Resistive Random Access Memory, RRAM)具有巨大的应用潜力，因此本领域人员致力寻求一种CMOS后端工艺兼容的RRAM制备工艺，以实现RRAM大规
模量产。现有技术中，通常采用原子层沉积或磁控溅射以及热氧化的方法来淀积阻变材料，以及采用高温退火措施以提高器件性能和稳定性，但这些过高温度的工艺与CMOS后端工艺不兼容，可能具有由于后端工艺温度过高，导致前端电路损坏的后果。因此开发满足性能要求的低温淀积工艺及能避免高温退火工艺的材料性能提升技术是需要解决的技术难点。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本发明的 一个目的在于提出一种全低温制备技术的阻变式存储单元及其形成方法。根据本发明实施例的阻变式存储单元及其形成方法，包括S1.提供硅衬底；
S2.在所述硅衬底之上形成隔离层；S3.在所述隔离层之上形成底电极；S4.在室温下通过磁控溅射以在所述底电极之上形成阻变材料层，其中，进一步包括S41.在第一压强、第一氛围中，通过磁控溅射在所述底电极之上形成TaOx的第一阻变层，其中0〈x〈2 JPS42.在第二压强、第二氛围中，通过磁控溅射在在所述第一阻变层之上形成TaOy的第二阻变层，其中0<y<2. 5 ；S5.在所述阻变材料层之上形成顶电极；以及S6.去除所述步骤S5中溅射到所述底电极的表面的阻变材料TaOx和TaOy。在本发明的一个实施例中，所述步骤S4重复多次以形成多层第一阻变层和多层第二阻变层的交替的多层阻变材料层结构。在本发明的一个实施例中，所述第一压强应小于第二压强。在本发明的一个实施例中，所述第一压强为10_3T，第二压强为10_3τ-10_2τ。在本发明的一个实施例中，所述第一氛围和第二氛围为氩气掺氧气的混合气体，其中第一氛围的氧气摩尔百分比小于第二氛围的氧气摩尔比百分比。在本发明的一个实施例中，所述第一氛围的氧气摩尔百分比小于5 %，所述第二氛围的氧气摩尔百分比>4%。在本发明的一个实施例中，所述第一阻变层的厚度应大于第二阻变层的厚度。在本发明的一个实施例中，所述第一阻变层的厚度为10nm-80nm，第二阻变层的厚度为 5_20nm。在本发明的一个实施例中，其特征在于所述阻变单元和顶电极的图形是通过光刻和剥离工艺形成的。本发明实施例的阻变式存储单元是通过上述方法制备得到的。本发明通过在室温环境下调节磁控溅射过程中工艺气体压强和氧气含量的百分比制备TaOx和TaOy双阻变层的阻变存储器。本发明所制备阻变单元的底电极、阻变层和顶电极均采用磁控溅射镀膜设备在室温环境下形成，对于电极图形和阻变单元尺寸的定义采用光刻和剥离工艺。本发明所提出的阻变存储器制备方法与CMOS后端工艺的集成只需一台磁控溅射镀膜设备，降低了集成的成本，增加了集成的便捷性。所制备阻变存储单元无需高电压形成过程，并且具有高耐久性，所以本发明既保证了阻变存储单元的性能和稳定性，又解决了开发满足性能要求的低温淀积工艺及能避免高温退火工艺的材料性能提升技术的技术难点。本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中图1是本发明实施例的阻变式存储单元的形成方法的流程图。图2是本发明实施例的阻变式存储单元的结构示意图。
具体实施例方式下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的 普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表
示第一特征水平高度小于第二特征。如图1所示，本发明提出一种阻变式存储单元的形成方法，包括如下步骤S1.提供娃衬底。具体地，提供娃衬底100,其晶向和晶面指数不做限定。S2.在硅衬底之上形成隔离层。具体地，可以通过热氧化的方式形成二氧化硅隔离层 200。S3.在隔离层之上形成底电极。具体地，通过光刻工艺在带有二氧化硅隔离层200的硅衬底100上制备出底电极图形，然后溅射Pt作为底电极300。优选地，可以在步骤S2之后、步骤S3之前，在隔离层200上先磁控溅射5nm厚的Ti粘合层。该粘合层用于增强Pt电极与二氧化硅隔离层的粘合性作用。
S4.在室温下通过磁控溅射以在底电极之上形成阻变材料层。其中，S4进一步包括S41.在第一压强、第一氛围中，通过磁控溅射在底电极之上形成TaOx的第一阻变层，其中0〈x〈2 JPS42.在第二压强、第二氛围中，通过磁控溅射在在第一阻变层之上形成TaOJA第二阻变层，其中0〈y〈2. 5。具体地，在数值较小的第一压强(约10_3T)下，氧含量较低(氧气摩尔百分比〈5%)的氧氦混合气的第一氛围中，磁控派射形成厚度为大于IOnmTaOx的第一阻变层410,其中0〈x〈2。在数值较大的第二压强下(10_3T-10_2T)，氧含量较高(氧气摩尔百分比>4%)的氧氦混合气的第二氛围中，磁控溅射形成厚度为5-20nm的TaOy的第二阻变层420，其中0<y<2. 5。优选地，步骤S41和S42交替进行多次，即调节工艺气体压强和组分来制备TaOj^PTaOy的多层阻变材料结构。该多层结构可以应用于阻变存储器的阻变层。S5.在阻变材料层之上形成顶电极。具体地，光刻制备出顶电极图形，并定义出阻变单元尺寸，随后磁控溅射Pt以形成顶电极500。S6.去除步骤S4中溅射到底电极的底部表面的阻变材料TaOx和TaOy。具体地，由于步骤S4中在底电极300顶部溅射阻变材料TaOx和TaOy时，由于溅射粒子是各个方向散射，故底电极300的表面也不可避免地形成了一些阻变材料，即底电极300阻变材料被覆盖了，需要进行清除处理。通常可采用光刻胶作为掩膜，用稀释氢氟酸湿法刻蚀掉底电极底部的钽氧化物，以及用丙酮浸泡去除残余的光刻胶。如图2所示，本发明提出的基于上述方法形成的阻变式存储单元包括底电极300、第一阻变层410、第二阻变层420以及顶电极500。此外，图中还示出了硅衬底100和二氧化硅隔离层200的部分。本发明通过在室温环境下调节磁控溅射过程中工艺气体压强和氧气含量的百分比制备TaOx和TaOy双阻变层的阻变存储器。本发明所制备阻变单元的底电极、阻变层和顶电极均采用磁控溅射镀膜设备在室温环境下形成，对于电极图形和阻变单元尺寸的定义采用剥离工艺和湿法刻蚀工艺。本发明所提出的阻变存储器制备方法与CMOS后端工艺的集成只需一台磁控溅射镀膜设备，降低了集成的成本，增加了集成的便捷性。所制备阻变存储单元无需高电压形成过程，并且具有高耐久性，所以本发明既保证了阻变存储单元的性能和稳定性，又解决了开发满足性能要求的低温淀积工艺及能避免高温退火工艺的材料性能提升技术的技术难点。需要说明的是，流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发 明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
权利要求
1.一种阻变式存储单元的形成方法，其特征在于，包括 51.提供娃衬底； 52.在所述硅衬底之上形成隔离层； 53.在所述隔离层之上形成底电极； 54.在室温下通过磁控溅射以在所述底电极之上形成阻变材料层，其中，进一步包括 541.在第一压强、第一氛围中，通过磁控溅射在所述底电极之上形成TaOx的第一阻变层，其中0<x<2 ;和 542.在第二压强、第二氛围中，通过磁控溅射在在所述第一阻变层之上形成TaOy的第二阻变层，其中0〈y〈2. 5 ; 55.在所述阻变材料层之上形成顶电极；以及 56.去除所述步骤S5中溅射到所述底电极的表面的阻变材料TaOx和TaOy。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步骤S4重复多次以形成多层第一阻变层和多层第二阻变层的交替的多层阻变材料层结构。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一压强应小于第二压强。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一压强为10_3T，第二压强为I (T3T-1 (T2T。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一氛围和第二氛围为氩气掺氧气的混合气体，其中第一氛围的氧气摩尔百分比小于第二氛围的氧气摩尔比百分比。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一氛围的氧气摩尔百分比小于5%，所述第二氛围的氧气摩尔百分比>4%。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一阻变层的厚度应大于第二阻变层的厚度。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一阻变层的厚度为10nm-80nm，第二阻变层的厚度为5-20nm。
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于所述阻变单元和顶电极的图形是通过光刻和剥离工艺形成的。
10.如权利要求1-9任一项所述方法制备得到的阻变式存储单元。
全文摘要
本发明提出一种阻变式存储单元及其形成方法，其中该方法包括提供硅衬底；形成隔离层；形成底电极；在室温下通过磁控溅射以形成阻变材料层，其中，进一步包括在第一压强、第一氛围中，通过磁控溅射在底电极之上形成TaOx的第一阻变层，其中0<x<2；和在第二压强、第二氛围中，通过磁控溅射在在第一阻变层之上形成TaOy的第二阻变层，其中0<y<2.5；在阻变材料层之上通过磁控溅射和剥离工艺形成顶电极；以及通过湿法刻蚀去除溅射到底电极的表面的阻变材料TaOx和TaOy。本发明具有技术简单、成本低的优点。
文档编号C23C14/08GK103066206SQ20121057268
公开日2013年4月24日 申请日期2012年12月25日 优先权日2012年12月25日
发明者李辛毅, 吴华强, 钱鹤 申请人:清华大学